0

Tài liệu Xây dựng mô hình chống sét van trung thế

117 1 0
  • Loading ...
    Loading ...
    Loading ...

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Tài liệu liên quan

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 22/07/2021, 23:00

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM NGUYỄN THỊ KIM OANH XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành: KỸ THUẬT ĐIỆN Mã ngành: 60520202 TP HCM, tháng 02 năm 2016 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM NGUYỄN THỊ KIM OANH XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành: KỸ THUẬT ĐIỆN Mã ngành: 60520202 CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH TP HCM, tháng 02 năm 2016 CƠNG TRÌNH ĐƯỢC HỒN THÀNH TẠI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM Cán hướng dẫn khoa học: PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH Luận văn thạc sĩ bảo vệ trường Đại học Công nghệ TP HCM, ngày 12 tháng 02 năm 2016 Thành phần Hội đồng đánh giá Luận văn Thạc sĩ gồm: TT Họ tên Chức danh hội đồng PGS.TS Phan Thị Thanh Bình Chủ tịch TS Nguyễn Xuân Hoàng Việt Phản biện TS Huỳnh Quang Minh Phản biện TS Võ Viết Cường PGS.TS Võ Ngọc Điều Ủy viên Ủy viên, thư ký Xác nhận Chủ tịch hội đồng đánh giá Luận văn sau Luận văn sửa chữa có Chủ tịch hội đồng đánh giá LV PGS.TS Phan Thị Thanh Bình TRƯỜNG ĐH CƠNG NGHỆ TP HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM PHÒNG QLKH – ĐTSĐH Độc lập – Tự – Hạnh phúc TP HCM, ngày 20 tháng năm 2015 NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: NGUYỄN THỊ KIM OANH Giới tính : Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 24/7/1983 Nơi sinh : TP HCM Chuyên ngành: Kỹ thuật điện MSHV : 1441830018 I- Tên đề tài: XÂY DỰNG MÔ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ II- Nhiệm vụ nội dung: Chương : Mở Đầu Chương 1: Tổng quan chống sét van trung Chương 2: Các mô hình chống sét van trung Chương 3: Xây dựng mơ hình chống sét van trung mơi trường Matlab Chương 4: Mơ phỏng, đánh giá độ xác mơ hình chống sét van trung Chương 5: Kết luận hướng nghiên cứu phát triển III- Ngày giao nhiệm vụ : 8/2015 IV- Ngày hoàn thành nhiệm vụ : 02/2016 V- Cán hướng dẫn : PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH CÁN BỘ HƯỚNG DẪN PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH PGS.TS NGUYỄN THANH PHƯƠNG i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác Tơi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực Luận văn cảm ơn thơng tin trích dẫn Luận văn ghi rõ nguồn gốc Học viên thực Luận văn NGUYỄN THỊ KIM OANH ii LỜI CÁM ƠN Qua thời gian học tập nghiên cứu Trường Đại học Công nghệ TP.HCM, với nhiệt tình hướng dẫn, giúp đỡ quý thầy cơ, tơi hồn thành luận văn tốt nghiệp Trước hết, xin chân thành cám ơn gia đình ln động viên, giúp đỡ tơi suốt thời gian học tập Tôi chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu nhà trường, quý thầy cô Khoa Điện – Điện tử Phòng quản lý sau đại học Trường Đại học Công nghệ TP.HCM tạo điều kiện thuận lợi cho học tập, nghiên cứu, nâng cao trình độ thực tốt luận văn tốt nghiệp thời gian qua Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới Thầy PGS TS Quyền Huy Ánh nhiệt tình hướng dẫn, giúp đỡ tơi suốt thời gian học tập trình thực luận văn tốt nghiệp Ngồi ra, tơi xin nói lời cảm ơn đến anh, chị học viên lớp cao học 14SMD11 đóng góp ý kiến giúp đỡ tơi hồn thành tốt luận văn Việc thực đề tài luận văn chắn khơng tránh khỏi thiếu sót kiến thức chun mơn, kính mong nhận quan tâm, xem xét đóng góp ý kiến quý báu quý thầy, cô bạn để đề tài luận văn hồn thiện Tơi xin chân thành cảm ơn! Tp Hồ Chí Minh, ngày 15 tháng 01 năm 2016 Học viên thực Nguyễn Thị Kim Oanh iii TÓM TẮT Luận văn “XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ” sâu vào nghiên cứu xây dựng mô hình chống sét van trung dạng MOV mơi trường Matlab Cấu tạo, nguyên lý làm việc đặc tính chống sét van trung hộp cơng cụ Simulink phần mềm Matlab nghiên cứu Các mơ hình chống sét van xem xét đánh giá bao gồm: mơ hình Matlab, mơ hình IEEE, mơ hình Picenti, mơ hình PK Các thơng số mơ hình chống sét van cung cấp catalogue nhà sản xuất Phân tích kết mơ điện áp dư loại chống sét van trung hãng sản xuất khác ứng với dạng xung tiêu chuẩn 8/20µs, biên độ 3kA, 5kA, 10kA, 20kA so sánh giá trị điện áp dư cung cấp nhà sản xuất để đánh giá độ xác mơ hình chống sét van xây dựng Sai số điện áp dư mô hình PK thấp Cụ thể, mơ hình thiết bị chống sét van trung áp Hãng Ohio Brass, sai số điện áp dư khoảng từ 2.6% đến 10.2% mơ hình thiết bị chống sét van trung áp Hãng Copper sai số điện áp dư khoảng từ 0,04% đến 7.99% Nhận thấy, sai số nhỏ giá trị sai số cho phép (10%) Luận văn cung cấp cơng cụ mơ hữu ích với phần mềm thông dụng Matlab cho nhà nghiên cứu, kỹ sư, sinh viên…trong việc nghiên cứu hành vi đáp ứng thiết bị chống sét van tác động xung sét lan truyền điều kiện đo thử thực tế iv ABSTRACT Thesis "BUILDING MEDIUM VOLTAGE SURGE ARRESTER MODELS" going into the study and modeling of medium voltage surge arresters in Matlab environment Composition, working principle and characteristic of the mediumvoltage surge arresters and Simulink toolbox of Matlab software was studied The surge arrester models are reviewed and evaluated include: Matlab model, IEEE model, model Picenti, and PK model The model parameters of surge arrester models are provided in the manufacturer's catalogue Analysis of residual voltage simulation results of medium voltage surge arresters of various manufacturers with standard wave form 8/20μs, amplitude 3kA, 5kA, 10kA, 20kA and compare with residual voltages, provided by the manufacturers to assess the accuracy of the surge arrester models The residual voltage error of PK model is the lowest Specifically, for the medium voltage surge arrester model of Ohio Brass Company, the residual voltage errors are in the range from 2.6% đến 10.2% and for the medium voltage surge arrester model of Copper Company the residual voltage errors are in the range from 0,04% đến 7.99% Recognizing that, these errors are less than the enable error (10%) Thesis provides useful simulation tools with universal Matlab software for researchers, engineers, students in the study of the behavior and response of lightning protection equipment under the influence of lightning surges when the test conditions can not in reality v MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CÁM ƠN ii TÓM TẮT iii ABSTRACT iv DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT ix DANH MỤC CÁC BẢNG x DANH SÁCH CÁC HÌNH xi CHƯƠNG MỞ ĐẦU I GIỚI THIỆU 1 Đặt vấn đề Tính cấp thiết đề tài II MỤC TIÊU, NỘI DUNG VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU .3 Mục tiêu đề tài: Nội dung nghiên cứu .4 Phương pháp nghiên cứu .4 III TỔNG QUAN VỀ LĨNH VỰC NGHIÊN CỨU Giới thiệu tổng quan: .4 Tổng quan nghiên cứu: IV NỘI DUNG LUẬN VĂN CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ 1.1 ĐẶT VẤN ĐỀ .6 1.2 CÁC LOẠI CÁCH ĐIỆN 1.3 KHÁI NIỆM VỀ SÉT 1.4 THIẾT BỊ CHỐNG SÉT VAN 10 1.5 CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA CHỐNG SÉT VAN MOV .12 1.4.1 CẤU TẠO CƠ BẢN MOV .12 1.4.2 TÍNH NĂNG HOẠT ĐỘNG CỦA BIẾN TRỞ ZNO 14 vi 1.4.3 ĐẶC TÍNH V-I 18 1.4.4 THỜI GIAN ĐÁP ỨNG 19 CHƯƠNG CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ 21 2.1 ĐẶT VẤN ĐỀ .21 2.2 CÁC MƠ HÌNH ĐƯỢC ĐỀ NGHỊ 22 2.2.1 Mô hình truyền thống ATP .22 2.2.2 Mơ hình đề nghị IEEE .22 2.2.2.1 Mơ hình đề nghị 23 2.2.2.2 Xác định thông số 23 2.2.3 Mơ hình đề nghị Pinceti .26 2.2.3.1 Mơ hình đề nghị 26 2.2.3.2 Xác định thông số 26 2.2.4 Mơ hình P-K 27 2.2.4.1 Mơ hình đề nghị 27 2.2.4.2 Xác định thông số 28 CHƯƠNG XÂY DỰNG CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ TRONG MÔI TRƯỜNG MATLAB 29 3.1 MỤC ĐÍCH MƠ PHỎNG 29 3.2 GIỚI THIỆU PHẦN MỀM MATLAB .30 3.2.1 Phần mềm MATLAB 30 3.2.2 Cơ sở SIMULINK 30 3.2.3 Đánh giá mô hình MATLAB 31 3.2.3.1 Giới thiệu mơ hình 31 3.2.3.2 Nguyên lý làm việc mơ hình 33 3.2.3.3 Đánh giá mơ hình 33 3.2.3.4 Mạch mô Matlab .34 3.3 MƠ HÌNH NGUỒN PHÁT XUNG SÉT 34 3.3.1 Dạng xung sét 34 3.3.1.1 Dạng sóng 10/350µs 34 3.3.1.2 Dạng sóng 8/20µs 35 3.3.2 Xây dựng mơ hình nguồn phát xung 37 85 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 56.3 kV, nhận thấy sai số mô hình Matlab thấp (0.1%), sai số mơ hình IEEE lớn (12,7%) Hình 4.15: Điện áp dư chống sét van điện áp 21kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 21kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA nhận thấy Đại lượng Điện áp dư (kV) COOPER - 21kV Mơ hình Matlab IEEE Pinceti P-K Điện áp dư (kV) 58.2 60.1 62.7 59.6 Sai số (%) 6.8 3.8 0.1 4.6 86 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 62.5 kV, nhận thấy sai số mô hình Pinceti thấp (0.1%), sai số mơ hình Matlab lớn (6.8 %) Hình 4.16: Điện áp dư chống sét van điện áp 18kV, ứng với dịng xung 8/20s-3kA Nhận xét: Từ kết mơ chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-3kA nhận thấy Đại lượng Điện áp dư (kV) COOPER - 18kV Mơ hình Matlab IEEE Pinceti P-K Điện áp dư (kV) 48.5 50.1 45.2 47.5 Sai số (%) 8.5 12.1 1.11 6.2 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 44,7kV, nhận thấy sai số mơ hình Pincetti thấp (1.11%), sai số mơ hình IEEE lớn (8.5%) 87 Hình 4.17: Điện áp dư chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA nhận thấy: Đại lượng Điện áp dư (kV) COOPER - 18kV Mơ hình Matlab IEEE Pinceti P-K Điện áp dư (kV) 48.5 50.2 45.2 47.6 Sai số (%) 3.4 7.03 - 3.6 1.4 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 46,9kV, nhận thấy sai số mơ hình P-K thấp (1.4%), sai số mơ hình IEEE lớn (7,03%) 88 Hình 4.18: Điện áp dư chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA nhận thấy: Đại lượng Điện áp dư (kV) COOPER - 18kV Mơ hình Matlab IEEE Pinceti P-K Điện áp dư (kV) 50.2 58.5 51.5 53.4 Sai số (%) 0.1 15.38 1.5 5.3 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 50,7kV, nhận thấy sai số mơ hình Matlab thấp (0.1%), sai số mơ hình IEEE lớn (15.38%) 89 Hình 4.19: Điện áp dư chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA nhận thấy: Đại lượng Điện áp dư (kV) COOPER - 18kV Mơ hình Matlab IEEE Pinceti P-K Điện áp dư (kV) 51.5 68.4 60.1 60.8 Sai số (%) 8.5 21.5 6.7 7.9 Trong giá trị điện áp dư cho Datasheet nhà sản xuất 56,3kV, nhận thấy sai số mơ hình Pinceti thấp (6.7%), sai số mơ hình IEEE lớn (21.5%) 90 4.2.2.5 Biểu đồ đánh giá sai số Hình 4.20: Biểu đồ sai số điện áp dư chống sét van hãng Cooper, điện áp 18kV, ứng với dịng xung 8/20s Hình 4.21: Biểu đồ sai số điện áp dư chống sét van hãng Cooper, điện áp 21kV, ứng với dòng xung 8/20s 91 4.2.2.6 Nhận xét Từ kết mô phỏng, điện áp dư chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 21kV cho thấy điện áp dư mơ hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế cung cấp catalogue xác  Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 6.88%  Đối với mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 15.9%  Đối với mô hình Pinceti, sai số lớn khoảng 16,33%  Đối với mơ hình P-K, sai số lớn khoảng 6.68% Từ đó, nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác Kết mơ điện áp dư chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 18kV cho thấy cho thấy điện áp dư mơ hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế cung cấp catalogue xác  Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 8.5%  Đối với mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 15,38%  Đối với mơ hình Pinceti, sai số lớn khoảng 14.71%  Đối với mơ hình P-K, sai số lớn khoảng 7,99% Từ đó, nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác 4.2.3 NHẬN XÉT CHUNG Khi tiến hành mơ mơ hình xem tốt đánh giá dựa trên: mức độ chi tiết mơ hình, diễn tả q trình vật lý nguyên mẫu; thông số ngõ vào ít, dễ tìm thấy đa số catalogue nhà sản xuất; kết mô điện áp dư, dạng sóng ngõ ra, tốc độ tăng đầu sóng sóng phù hợp với kết thử nghiệm Đối với mơ hình Matlab: Ưu điểm mơ hình đơn giản, mơ tả điện trở phi tuyến với quan hệ dòng áp theo đặc tính V-I Nhược điểm đầu người sử dụng phải nhập lại giá trị k,  tương ứng với đặc tính V-I nó; giá trị k,  khơng tìm thấy đa số 92 catalogue nhà sản xuất gây khó khăn cho việc sử dụng mơ hình làm tăng sai số tính tốn Đối với mơ hình IEEE: Ưu điểm chi tiết mơ hình Matlab với hai điện trở phi tuyến A0, A1 tách lọc R-L với thành phần R, L, C; thời gian đầu sóng cuối sóng thể rõ giúp đưa kết luận đầy đủ Khi sử dụng mơ hình cần nhập giá trị điện áp ngưỡng, số cột, chiều cao cột Nhược điểm thông số giá trị chiều cao cột, cách tính chiều cao cột khó xác định số hãng sản xuất khơng cung cấp; ngồi ra, giá trị điện trở phi tuyến A0, A1 sử dụng chung cho MOV khác Chính thiếu thơng tin đầu vào xác nên kết mơ có sai số lớn Đối với mơ hình Pinceti mơ hình P-K: Đây hai mơ hình cải tiến mơ hình IEEE mặt sơ đồ cách xác định thông số; thông số đầu vào cần nhập giá trị điện áp định mức, điện áp dư dòng xung 8/20s, điện áp dư xung đầu dốc dễ tìm thấy hầu hết hãng sản xuất Kết mô hai loại chống sét van EVP AGZ2 cho thấy mơ hình xây dựng cho sai số thấp: Khi sử dụng mơ hình Matlab, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (1,01÷9,85)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (1,61÷9,40)%, giá trị sai số không xác định xác giá trị k,  tưng loại MOV mà sử dụng giá trị k,  mặc định đưa phần mềm Matlab Muốn cho mơ hình xác cần xác định giá trị k,  cho loại MOV Khi sử dụng mơ hình IEEE, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,59÷19,31)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (2,46÷20,51)%, giá trị sai số việc lấy thông số điện trở phi tuyến A0, A1 dùng cho nhiều loại MOV khác chiều cao cột chống sét van chọn gần đa số hãng sản xuất không cung cấp thông tin 93 Muốn cho kết mơ xác cần có đầy đủ thông tin giá trị điện trở phi tuyến A0, A1, chiều cao cột loại MOV Khi sử dụng mơ hình Pinceti P-K, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,82÷7,94)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (0,640÷8,55)% Hai mơ hình có sai số thấp thông số ngõ đầu vào cung cấp đầy đủ tất hãng sản xuất 94 CHƯƠNG KẾT LUẬN KẾT LUẬN I Đề tài“XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ” hồn thành đạt mục tiêu nghiên cứu đề ra, cụ thể: - Nghiên cứu cấu tạo, nguyên lý hoạt động phương pháp lựa chọn chống sét van lưới trung Ngồi ra, mơ hình tốn mơ tả đặc tính làm việc chống sét van cơng trình nghiên cứu trước xem xét; - Xây dựng phần mềm Matlab mơ hình chống sét van trung số hãng sản xuất theo đề xuất Matlab, IEEE, Pinceti, P-K tiến hành mô điện áp dư ứng với xung sét tiêu chuẩn dạng 8/20µs, biên độ kA - Trên sở phân tích kết mơ phỏng, nhận thấy mơ hình P-K có độ xác cao nhất, đồng thời dễ sử dụng yêu cầu nhập thơng số đầu vào tra catalogue nhà sản xuất - Các mơ hình xây dựng sử dụng tốn phân tích q độ điện áp hệ thống điện II HƯỚNG PHÁT TRIỂN TƯƠNG LAI - Thử nghiệm mô hoạt động thiết bị chống sét van trung áp với dạng xung sét tiêu chuẩn khác như: 10/350s, 30/60s 95 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quyền Huy Ánh, “Giáo trình anh tồn điện” NXB Đại học Quốc gia TP.HCM, 2011 [2] Quyền Huy Ánh, “Thiết bị chống sét lan truyền đường cấp nguồn” – Tạp Chí Bưu Viễn Thơng [3] Nguyễn Phùng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa học Kỹ thuật, 2008 [4] IEEE Working group 3.4.11, “Modeling of metal oxide surge arresters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.7, No.1, Jan 1992, pp 302- 309 [5] Kaveri Bhuyan, Saibal Chatterjee, “Simulations of lightning impulse residual voltage test of surge arresters in matlab-simulink”,ICPDEN 2015 [6] Jonathan J Woodworth, “Arrester Reference Voltage”, ArresterFacts 027, June 2011 [7] Reinhard Göhler, Volker Hinrichsen, “Metal-Oxide Surge Arresters in High-Voltage Power Systems”, Berlin and Darmstadt, September 2011 [8] Georgios D Peppas, Ioannis A Naxakis, Christos T Vitsas, Eleytheria C Pyrgioti, “Surge Arresters Models For Fast Transients”, 2012 International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria [9] André Meister, Rafael Amaral Shayani, Marco Aurộlio Gonỗalves de Oliveira, Comparison of metal oxide surge arrester models in overvoltage studies” ,International Journal of Engineering, Science and TechnologyVol 3, No 11, 2011, pp 35-45 [10] Dino Lovrić, Slavko Vujević, Tonći Modrić, “Comparison of Different Metal Oxide Surge Arrester Models”, Ruđera Boškovića 32, HR- 21000, Croatia, Int J Emerg Sci., 1(4), 545-554, December 2011, ISSN: 2222-4254 96 [11] Mehdi Nafar, Ghahraman Solookinejad and Masoud Jabbari, “Comparison of IEEE and Pinceti Models of Surge Arresters”, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, IRAN, Research Journal of Engineering SciencesVol 3(5), May (2014), pp 3234 [12] Miloš GLASA, “The MOV computer models for thermal – electric analysis”, Journal of Electrical Engineering, Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology Ilkovičova 3, Bratislava 812 19, Slovakia [13] K P Mardira and T K Saha, “A simplified lightning model for metal oxide surge arrester”, School of Information Technology and Electrical Engineering The University of Queensland, St Lucia Campus QLD 4072 – Australia [14] Christos A Christodoulou, Fani A Assimakopoulou, Ioannis F Gonos, Ioannis A Stathopulos, “Simulation of Metal Oxide Surge Arresters Behavior”, National Technical University of Athens School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory Iroon Polytechniou 9, GR 15773, Zografou Campus, Athens, Greece [15] F Fernández, R Díaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulation” International conference on power system transients, IPST’01, 20-24 June 2001, pp 144 [16] Daniel W Durbak, “Surge Arrester Modeling”, Power Technologies, Schenectady, New York [17] Pramuk Unahalekhaka; “Simplified Modeling of Metal Oxide Surge Arresters”,Dept of Electrical Engineering, Faculty of Engineering and Architecture Rajamangala University of Technology Suvarnabhumi, 7/1 Nonthaburi Rd, Nonthaburi, 11000, Thailand, 11th Eco-Energy and Materials Science and Engineering (11th EMSES), pp 92 – 101 97 [18] K P Mardira, T K Saha, “A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester”, The University of Queensland, Australia [19] V Vita1 A.D Mitropoulou, L Ekonomou, S Panetsos, I.A Stathopulos, “Comparison of metal-oxide surge arresters circuit models and implementation on high-voltage transmission lines of the Hellenic network”, School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory, National Technical University of Athens,9 Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 157 80, Greece, IET Gener Transm.Distrib., 2010, Vol 4, Iss 7, pp 846–853 [20] S Ehsan Razavi, A Babaei, “Modification of IEEE Model for Metal Oxide Arresters Against Transient Impulses Using Genetic Algorithms”, Department of Electrical, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran, Australian Journal of Basic and Applied Sciences, 5(10):, 2011 , ISSN 1991-8178, pp 577-583 [21] P.F Evangelides, C.A Christodoulou, I.F Gonos, I.A Stathopulos, “Parameters’ selection for metal oxide surge arresters models using genetic algorithm”, High Voltage Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 15780, Greece, 30th International Conference on Lightning Protection - ICLP 2010(Cagliari, Italy - September 13th -17th, 2010) [22] C.A Christodoulou, L Ekonomou , A.D Mitropoulou , V Vita, I.A Stathopulos, “Surge arresters’ circuit models review and their application to a Hellenic 150 kV transmission line”, A.S.PE.T.E.– School of Pedagogical and Technological Education, Department of Electrical Engineering Educators, N Yeraklion, 141 21 Athens, Greece, Simulation Modelling Practice and Theory 18 (2010), pp.836–849 98 PHỤ LỤC PL 5.1: Thông số kỹ thuật Chống sét van EVP Ohio Brass: 99 PL 5.2.Thông số kỹ thuật Chống sét van AZG2 Cooper ... quan chống sét van trung Chương 2: Các mơ hình chống sét van trung Chương 3: Xây dựng mơ hình chống sét van trung môi trường Matlab Chương 4: Mô phỏng, đánh giá độ xác mơ hình chống sét van trung. .. đề tài: XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ II- Nhiệm vụ nội dung: Chương : Mở Đầu Chương 1: Tổng quan chống sét van trung Chương 2: Các mơ hình chống sét van trung Chương 3: Xây dựng mơ hình. .. Luận văn “XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ” sâu vào nghiên cứu xây dựng mơ hình chống sét van trung dạng MOV môi trường Matlab Cấu tạo, nguyên lý làm việc đặc tính chống sét van trung hộp
- Xem thêm -

Xem thêm: Tài liệu Xây dựng mô hình chống sét van trung thế, Tài liệu Xây dựng mô hình chống sét van trung thế