1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nanostructures for coherent light sources and photodetectors

136 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nanostructures for Coherent Light Sources and Photodetectors
Tác giả Vinh Xuan Ho
Người hướng dẫn Vinh Q. Nguyen, Chair, Giti A. Khodaparast, Michael P. Cooney, James R. Mahan, Satoru Emori, James Gray
Trường học Virginia Polytechnic Institute and State University
Chuyên ngành Physics
Thể loại dissertation
Năm xuất bản 2020
Thành phố Blacksburg
Định dạng
Số trang 136
Dung lượng 6,23 MB

Nội dung

Ngày đăng: 11/07/2021, 16:11

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. Akinwande D, et al. Graphene and two-dimensional materials for silicon technology. Nature 573, 507 (2019) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Graphene and two-dimensional materials for silicon technology. "Nature
2. Tong L, et al. Subwavelength-diameter silica wires for low-loss optical wave guiding. Nature 426, 816 (2003) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Subwavelength-diameter silica wires for low-loss optical wave guiding. "Nature
3. J. W. High-Speed Silicon Photonics Modulators. Proceedings of the IEEE 106, 2158 (2018) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Proceedings of the IEEE
4. Lourenco MA, Gwilliam RM, Homewood KP. Extraordinary optical gain from silicon implanted with erbium. Appl Phys Lett 91, 141122 (2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Appl Phys Lett
5. Vinh NQ, Ha NN, Gregorkiewicz T. Photonic Properties of Er-Doped Crystalline Silicon. P IEEE 97, 1269 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: P IEEE
6. Przybylinska H, et al. Optically active erbium centers in silicon. Phys Rev B 54, 2532 (1996) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Optically active erbium centers in silicon. "Phys Rev B
7. Vinh NQ, Przybylinska H, Krasil'nik ZF, Gregorkiewicz T. Optical properties of a single type of optically active center in Si/Si:Er nanostructures. Phys Rev B 70, 115332 (2004) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phys Rev B
8. Dieke GH. Spectra and energy levels of rare earth ions in crystals. Wiley, New York (1968) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Spectra and energy levels of rare earth ions in crystals
9. Kenyon AJ. Recent developments in rare-earth doped materials for optoelectronics. Prog Quant Electron 26, 225 (2002) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Prog Quant Electron
10. Wojdak M, et al. Sensitization of Er luminescence by Si nanoclusters. Phys Rev B 69, 233315 (2004) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Sensitization of Er luminescence by Si nanoclusters. "Phys Rev B
11. Han HS, Seo SY, Shin JH. Optical gain at 1.54 mu m in erbium-doped silicon nanocluster sensitized waveguide. Appl Phys Lett 79, 4568 (2001) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Appl Phys Lett
12. Daldosso N, et al. Role of the interface region on the optoelectronic properties of silicon nanocrystals embedded in SiO 2 . Phys Rev B 68, 085327 (2003) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Role of the interface region on the optoelectronic properties of silicon nanocrystals embedded in SiO2. "Phys Rev B
13. Oton CJ, Loh WH, Kenyon AJ. Er(3+) excited state absorption and the low fraction of nanocluster-excitable Er(3+) in SiO(x). Appl Phys Lett 89, 031116 (2006) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Appl Phys Lett
14. Favennec PN, Lharidon H, Salvi M, Moutonnet D, Leguillou Y. Luminescence of Erbium Implanted in Various Semiconductors - IV-Materials, III-V-Materials and II-VI Materials.Electron Lett 25, 718 (1989) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electron Lett
15. Elmasry F, Okubo S, Ohta H, Fujiwara Y. Electron spin resonance study of Er-concentration effect in GaAs; Er, O containing charge carriers. J Appl Phys 115, 193904 (2014) Sách, tạp chí
Tiêu đề: J Appl Phys
16. Miniscalco WJ. Erbium-Doped Glasses for Fiber Amplifiers at 1500-nm. J Lightwave Technol 9, 234 (1991) Sách, tạp chí
Tiêu đề: J Lightwave Technol
17. Feng IW, et al. Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates. Appl Phys Lett 98, 081102 (2011) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates. "Appl Phys Lett
18. Ugolini C, Nepal N, Lin JY, Jiang HX, Zavada JM. Erbium-doped GaN epilayers synthesized by metal-organic chemical vapor deposition. Appl Phys Lett 89, 151903 (2006) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Appl Phys Lett
19. Ho VX, et al. Photoluminescence quantum efficiency of Er optical centers in GaN epilayers. Sci Rep-Uk 7, 39997 (2017) Sách, tạp chí
Tiêu đề: et al." Photoluminescence quantum efficiency of Er optical centers in GaN epilayers. "Sci Rep-Uk
20. Ho VX, Al Tahtamouni TM, Jiang HX, Lin JY, Zavada JM, Vinh NQ. Room-Temperature Lasing Action in GaN Quantum Wells in the Infrared 1.5 mu m Region. Acs Photonics 5, 1303 (2018) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Acs Photonics

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN