1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

58 4 0
Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 08/07/2021, 09:48

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 1.1: Mô hình tái hợp chuyển mức thẳng - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.1.

Mô hình tái hợp chuyển mức thẳng Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 1.2: Mô hình tái hợp chuyển mức xiên - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.2.

Mô hình tái hợp chuyển mức xiên Xem tại trang 17 của tài liệu.
Silic (Si) là nguyên tố nhóm IV của bảng hệ thống tuần hoàn Medeleev (đƣợc phát hiện năm 1824) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

ilic.

(Si) là nguyên tố nhóm IV của bảng hệ thống tuần hoàn Medeleev (đƣợc phát hiện năm 1824) Xem tại trang 18 của tài liệu.
Bảng 1.1: Các thông số vật lý cơ bản của vật liệu Si khối ở nhiệt độ tuyệt đối (0 K) và nhiệt độ phòng (300K) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Bảng 1.1.

Các thông số vật lý cơ bản của vật liệu Si khối ở nhiệt độ tuyệt đối (0 K) và nhiệt độ phòng (300K) Xem tại trang 18 của tài liệu.
Hình 1.3: (a) Mô hình cấu trúc tinh thể kiểu kim cương với hai mạng lập phương tâm mặt lồng vào nhau [2, 10] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.3.

(a) Mô hình cấu trúc tinh thể kiểu kim cương với hai mạng lập phương tâm mặt lồng vào nhau [2, 10] Xem tại trang 19 của tài liệu.
Hình 1.4: Các nhánh năng lượng theo các phương [111], [100] và [110] [2, 9, 10] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.4.

Các nhánh năng lượng theo các phương [111], [100] và [110] [2, 9, 10] Xem tại trang 20 của tài liệu.
Bảng 1.2: Các thông số vật lý của vật liệu Ge. [1, 2, 4, 9] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Bảng 1.2.

Các thông số vật lý của vật liệu Ge. [1, 2, 4, 9] Xem tại trang 22 của tài liệu.
Hình 1.6: Biểu diễn sơ đồ mạng tinh thể Ge - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.6.

Biểu diễn sơ đồ mạng tinh thể Ge Xem tại trang 23 của tài liệu.
Hình 1.5: Giản đồ năng lượng của Ge trong vùng E1. [2, 9] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.5.

Giản đồ năng lượng của Ge trong vùng E1. [2, 9] Xem tại trang 23 của tài liệu.
Hình 1.7: Mô tả các cấu trúc thấp chiều của Silic [12]. - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.7.

Mô tả các cấu trúc thấp chiều của Silic [12] Xem tại trang 26 của tài liệu.
Hình 1.8: Sự phụ thuộc huỳnh quang của các mẫu SiO2:Si theo nhiệt độ ủ mẫu và nồng độ Si trong mẫu [12] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.8.

Sự phụ thuộc huỳnh quang của các mẫu SiO2:Si theo nhiệt độ ủ mẫu và nồng độ Si trong mẫu [12] Xem tại trang 27 của tài liệu.
Hình 1.9: Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang của mẫu màng SiO2:Si theo kích thước hạt nc-Si [14] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.9.

Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang của mẫu màng SiO2:Si theo kích thước hạt nc-Si [14] Xem tại trang 28 của tài liệu.
Hình 1.12:Mô hình cấu trúc cristobalite [7] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 1.12.

Mô hình cấu trúc cristobalite [7] Xem tại trang 31 của tài liệu.
có thể hình dung chia khối lập phƣơng thành 8 khối lập phƣơng nhỏ bằng nhau thì Si là tâm của 4 khối lập phƣơng nhỏ) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

c.

ó thể hình dung chia khối lập phƣơng thành 8 khối lập phƣơng nhỏ bằng nhau thì Si là tâm của 4 khối lập phƣơng nhỏ) Xem tại trang 32 của tài liệu.
Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý cơ bản của quá trình phún xạ - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 2.1.

Sơ đồ nguyên lý cơ bản của quá trình phún xạ Xem tại trang 33 của tài liệu.
Nguyên lý sơ đồ đo thiết bị nhiễu xạ ti aX mô tả Hình 2.2 và Hình 2.3 - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

guy.

ên lý sơ đồ đo thiết bị nhiễu xạ ti aX mô tả Hình 2.2 và Hình 2.3 Xem tại trang 36 của tài liệu.
Hình 2.2- Nhiễu xạ ti aX bởi các mặt phẳng nguyên tử (A-A’ và B- B’) [6] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 2.2.

Nhiễu xạ ti aX bởi các mặt phẳng nguyên tử (A-A’ và B- B’) [6] Xem tại trang 36 của tài liệu.
Hình 2.4: Kính hiển vi điện tử quét SEM (JEOL – JSM 7600F) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 2.4.

Kính hiển vi điện tử quét SEM (JEOL – JSM 7600F) Xem tại trang 38 của tài liệu.
Hình 2.5. Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 2.5..

Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM Xem tại trang 40 của tài liệu.
Hình 2.6: Sơ đồ nguyên lý hoạt động của quang phổ kế UV-VIS - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 2.6.

Sơ đồ nguyên lý hoạt động của quang phổ kế UV-VIS Xem tại trang 41 của tài liệu.
Bảng 3.1 liệt kê các mẫu vật liệu hợp kim lai hóa SixGe1-x sau khi đƣợc phún xạ. Các mẫu có thành phân tỉ lệ % mol của Ge tăng dần ứng với x = 0.8, 0.6, 0.4, và 0.2 đƣợc đặt tên lần lƣợt là M1, M 2, M3, và M4 với tỉ phần mong đợi của SiO2 trong mẫu là kh - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Bảng 3.1.

liệt kê các mẫu vật liệu hợp kim lai hóa SixGe1-x sau khi đƣợc phún xạ. Các mẫu có thành phân tỉ lệ % mol của Ge tăng dần ứng với x = 0.8, 0.6, 0.4, và 0.2 đƣợc đặt tên lần lƣợt là M1, M 2, M3, và M4 với tỉ phần mong đợi của SiO2 trong mẫu là kh Xem tại trang 43 của tài liệu.
3.1. Sự hình thành cấu trúc tinh thể đơn pha của vật liệu - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

3.1..

Sự hình thành cấu trúc tinh thể đơn pha của vật liệu Xem tại trang 43 của tài liệu.
Mẫu đƣợc hình thành đƣợ củ tại các nhiệt độ 600, 800, 1000oC trong thời gian 30 phút và thổi khí N 2 liên tục - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

u.

đƣợc hình thành đƣợ củ tại các nhiệt độ 600, 800, 1000oC trong thời gian 30 phút và thổi khí N 2 liên tục Xem tại trang 44 của tài liệu.
Hình 3.2 trình bày ảnh nhiễu xạ ti aX của hợp kim SixGe1-x với các thành phần Si thay đổi lần lƣợt trong dải x = 0.8 ÷ 0.2, đƣợc đánh dấu lần lƣợt là M1 ÷ M4 sau khi ủ nhiệt tại nhiệt độ 1000oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 3.2.

trình bày ảnh nhiễu xạ ti aX của hợp kim SixGe1-x với các thành phần Si thay đổi lần lƣợt trong dải x = 0.8 ÷ 0.2, đƣợc đánh dấu lần lƣợt là M1 ÷ M4 sau khi ủ nhiệt tại nhiệt độ 1000oC Xem tại trang 45 của tài liệu.
Bảng 3.2: Các giá trị tính toán hằng số mạng phụ thuộc vào thành phầ nx của Si trong vật liệu hợp kim lai hóa Si xGe1-x - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Bảng 3.2.

Các giá trị tính toán hằng số mạng phụ thuộc vào thành phầ nx của Si trong vật liệu hợp kim lai hóa Si xGe1-x Xem tại trang 47 của tài liệu.
này thể hiện rất rõ trên (Hình 3.2) thông qua các đỉnh (113), (022), (111). Tất cả các mẫu đều đƣợc ủ tại nhiệt độ 1000oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

n.

ày thể hiện rất rõ trên (Hình 3.2) thông qua các đỉnh (113), (022), (111). Tất cả các mẫu đều đƣợc ủ tại nhiệt độ 1000oC Xem tại trang 49 của tài liệu.
thể này đƣợc thể hiện trên hình 3.5 (b) với biến đổi Fuorier nhanh (FFT) trong hình nhỏ - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

th.

ể này đƣợc thể hiện trên hình 3.5 (b) với biến đổi Fuorier nhanh (FFT) trong hình nhỏ Xem tại trang 50 của tài liệu.
3.2. Quá trình dịch chuyển độ rộng năng lƣợng trực tiếp - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

3.2..

Quá trình dịch chuyển độ rộng năng lƣợng trực tiếp Xem tại trang 51 của tài liệu.
Hình 3.7: Sự phụ thuộc của bình phương hệ số hấp thụ vào năng lượng phôtn hấp thụ của các mẫu tại nhiệt độ ủ 600oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 3.7.

Sự phụ thuộc của bình phương hệ số hấp thụ vào năng lượng phôtn hấp thụ của các mẫu tại nhiệt độ ủ 600oC Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 3.8- Năng lượng hấp thụ được xác định cho phép chuyển đổi trực tiếp E1 mẫu M1-4 khi ủ ở 600 , 800 và 1000 °C [18, 19] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

Hình 3.8.

Năng lượng hấp thụ được xác định cho phép chuyển đổi trực tiếp E1 mẫu M1-4 khi ủ ở 600 , 800 và 1000 °C [18, 19] Xem tại trang 54 của tài liệu.

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan