1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2

58 4 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

Ngày đăng: 08/07/2021, 09:48

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1: Mô hình tái hợp chuyển mức thẳng - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.1 Mô hình tái hợp chuyển mức thẳng (Trang 16)
Hình 1.2: Mô hình tái hợp chuyển mức xiên - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.2 Mô hình tái hợp chuyển mức xiên (Trang 17)
Silic (Si) là nguyên tố nhóm IV của bảng hệ thống tuần hoàn Medeleev (đƣợc phát hiện năm 1824) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
ilic (Si) là nguyên tố nhóm IV của bảng hệ thống tuần hoàn Medeleev (đƣợc phát hiện năm 1824) (Trang 18)
Bảng 1.1: Các thông số vật lý cơ bản của vật liệu Si khối ở nhiệt độ tuyệt đối (0 K) và nhiệt độ phòng (300K) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Bảng 1.1 Các thông số vật lý cơ bản của vật liệu Si khối ở nhiệt độ tuyệt đối (0 K) và nhiệt độ phòng (300K) (Trang 18)
Hình 1.3: (a) Mô hình cấu trúc tinh thể kiểu kim cương với hai mạng lập phương tâm mặt lồng vào nhau [2, 10] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.3 (a) Mô hình cấu trúc tinh thể kiểu kim cương với hai mạng lập phương tâm mặt lồng vào nhau [2, 10] (Trang 19)
Hình 1.4: Các nhánh năng lượng theo các phương [111], [100] và [110] [2, 9, 10] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.4 Các nhánh năng lượng theo các phương [111], [100] và [110] [2, 9, 10] (Trang 20)
Bảng 1.2: Các thông số vật lý của vật liệu Ge. [1, 2, 4, 9] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Bảng 1.2 Các thông số vật lý của vật liệu Ge. [1, 2, 4, 9] (Trang 22)
Hình 1.6: Biểu diễn sơ đồ mạng tinh thể Ge - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.6 Biểu diễn sơ đồ mạng tinh thể Ge (Trang 23)
Hình 1.5: Giản đồ năng lượng của Ge trong vùng E1. [2, 9] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.5 Giản đồ năng lượng của Ge trong vùng E1. [2, 9] (Trang 23)
Hình 1.7: Mô tả các cấu trúc thấp chiều của Silic [12]. - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.7 Mô tả các cấu trúc thấp chiều của Silic [12] (Trang 26)
Hình 1.8: Sự phụ thuộc huỳnh quang của các mẫu SiO2:Si theo nhiệt độ ủ mẫu và nồng độ Si trong mẫu [12] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.8 Sự phụ thuộc huỳnh quang của các mẫu SiO2:Si theo nhiệt độ ủ mẫu và nồng độ Si trong mẫu [12] (Trang 27)
Hình 1.9: Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang của mẫu màng SiO2:Si theo kích thước hạt nc-Si [14] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.9 Sự phụ thuộc phổ huỳnh quang của mẫu màng SiO2:Si theo kích thước hạt nc-Si [14] (Trang 28)
Hình 1.12:Mô hình cấu trúc cristobalite [7] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 1.12 Mô hình cấu trúc cristobalite [7] (Trang 31)
có thể hình dung chia khối lập phƣơng thành 8 khối lập phƣơng nhỏ bằng nhau thì Si là tâm của 4 khối lập phƣơng nhỏ) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
c ó thể hình dung chia khối lập phƣơng thành 8 khối lập phƣơng nhỏ bằng nhau thì Si là tâm của 4 khối lập phƣơng nhỏ) (Trang 32)
Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý cơ bản của quá trình phún xạ - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 2.1 Sơ đồ nguyên lý cơ bản của quá trình phún xạ (Trang 33)
Nguyên lý sơ đồ đo thiết bị nhiễu xạ ti aX mô tả Hình 2.2 và Hình 2.3 - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
guy ên lý sơ đồ đo thiết bị nhiễu xạ ti aX mô tả Hình 2.2 và Hình 2.3 (Trang 36)
Hình 2.2- Nhiễu xạ ti aX bởi các mặt phẳng nguyên tử (A-A’ và B- B’) [6] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 2.2 Nhiễu xạ ti aX bởi các mặt phẳng nguyên tử (A-A’ và B- B’) [6] (Trang 36)
Hình 2.4: Kính hiển vi điện tử quét SEM (JEOL – JSM 7600F) - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 2.4 Kính hiển vi điện tử quét SEM (JEOL – JSM 7600F) (Trang 38)
Hình 2.5. Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 2.5. Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM (Trang 40)
Hình 2.6: Sơ đồ nguyên lý hoạt động của quang phổ kế UV-VIS - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 2.6 Sơ đồ nguyên lý hoạt động của quang phổ kế UV-VIS (Trang 41)
Bảng 3.1 liệt kê các mẫu vật liệu hợp kim lai hóa SixGe1-x sau khi đƣợc phún xạ. Các mẫu có thành phân tỉ lệ % mol của Ge tăng dần ứng với x = 0.8, 0.6, 0.4, và 0.2 đƣợc đặt tên lần lƣợt là M1, M 2, M3, và M4 với tỉ phần mong đợi của SiO2 trong mẫu là kh - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Bảng 3.1 liệt kê các mẫu vật liệu hợp kim lai hóa SixGe1-x sau khi đƣợc phún xạ. Các mẫu có thành phân tỉ lệ % mol của Ge tăng dần ứng với x = 0.8, 0.6, 0.4, và 0.2 đƣợc đặt tên lần lƣợt là M1, M 2, M3, và M4 với tỉ phần mong đợi của SiO2 trong mẫu là kh (Trang 43)
3.1. Sự hình thành cấu trúc tinh thể đơn pha của vật liệu - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
3.1. Sự hình thành cấu trúc tinh thể đơn pha của vật liệu (Trang 43)
Mẫu đƣợc hình thành đƣợ củ tại các nhiệt độ 600, 800, 1000oC trong thời gian 30 phút và thổi khí N 2 liên tục - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
u đƣợc hình thành đƣợ củ tại các nhiệt độ 600, 800, 1000oC trong thời gian 30 phút và thổi khí N 2 liên tục (Trang 44)
Hình 3.2 trình bày ảnh nhiễu xạ ti aX của hợp kim SixGe1-x với các thành phần Si thay đổi lần lƣợt trong dải x = 0.8 ÷ 0.2, đƣợc đánh dấu lần lƣợt là M1 ÷ M4 sau khi ủ nhiệt tại nhiệt độ 1000oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 3.2 trình bày ảnh nhiễu xạ ti aX của hợp kim SixGe1-x với các thành phần Si thay đổi lần lƣợt trong dải x = 0.8 ÷ 0.2, đƣợc đánh dấu lần lƣợt là M1 ÷ M4 sau khi ủ nhiệt tại nhiệt độ 1000oC (Trang 45)
Bảng 3.2: Các giá trị tính toán hằng số mạng phụ thuộc vào thành phầ nx của Si trong vật liệu hợp kim lai hóa Si xGe1-x - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Bảng 3.2 Các giá trị tính toán hằng số mạng phụ thuộc vào thành phầ nx của Si trong vật liệu hợp kim lai hóa Si xGe1-x (Trang 47)
này thể hiện rất rõ trên (Hình 3.2) thông qua các đỉnh (113), (022), (111). Tất cả các mẫu đều đƣợc ủ tại nhiệt độ 1000oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
n ày thể hiện rất rõ trên (Hình 3.2) thông qua các đỉnh (113), (022), (111). Tất cả các mẫu đều đƣợc ủ tại nhiệt độ 1000oC (Trang 49)
thể này đƣợc thể hiện trên hình 3.5 (b) với biến đổi Fuorier nhanh (FFT) trong hình nhỏ - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
th ể này đƣợc thể hiện trên hình 3.5 (b) với biến đổi Fuorier nhanh (FFT) trong hình nhỏ (Trang 50)
3.2. Quá trình dịch chuyển độ rộng năng lƣợng trực tiếp - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
3.2. Quá trình dịch chuyển độ rộng năng lƣợng trực tiếp (Trang 51)
Hình 3.7: Sự phụ thuộc của bình phương hệ số hấp thụ vào năng lượng phôtn hấp thụ của các mẫu tại nhiệt độ ủ 600oC - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 3.7 Sự phụ thuộc của bình phương hệ số hấp thụ vào năng lượng phôtn hấp thụ của các mẫu tại nhiệt độ ủ 600oC (Trang 53)
Hình 3.8- Năng lượng hấp thụ được xác định cho phép chuyển đổi trực tiếp E1 mẫu M1-4 khi ủ ở 600 , 800 và 1000 °C [18, 19] - Nghiên cứu chế tạo và tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể sixge1 x trên nền sio2
Hình 3.8 Năng lượng hấp thụ được xác định cho phép chuyển đổi trực tiếp E1 mẫu M1-4 khi ủ ở 600 , 800 và 1000 °C [18, 19] (Trang 54)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN