1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag

65 10 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 65
Dung lượng 2,31 MB

Nội dung

Ngày đăng: 05/07/2021, 07:49

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. Hoàng Sơn (2015), “Chế tạo và nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu ZnO pha tạp Cu”, khóa luận tốt nghiệp Sách, tạp chí
Tiêu đề: Chế tạo và nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu ZnO pha tạp Cu
Tác giả: Hoàng Sơn
Năm: 2015
2. Nguyễn Văn Thanh (2014), “Chế tạo và nghiên cứu tính chất màng mỏng trong suốt dẫn điện (TCO) ZnO pha tạp Al”, khóa luận tốt nghiệp Sách, tạp chí
Tiêu đề: Chế tạo và nghiên cứu tính chất màng mỏng trong suốt dẫn điện (TCO) ZnO pha tạp Al
Tác giả: Nguyễn Văn Thanh
Năm: 2014
3. Nguyễn Việt Tuyên (2011), “Chế tạo, nghiên cứu tính chất của màng mỏng, vật liệu cấu trúc nano trên cơ sở oxit kẽm pha tạp và khả năng ứng dụng”, luận án Tiến sỹ.Tài liệu tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Chế tạo, nghiên cứu tính chất của màng mỏng, vật liệu cấu trúc nano trên cơ sở oxit kẽm pha tạp và khả năng ứng dụng
Tác giả: Nguyễn Việt Tuyên
Năm: 2011
4. A.N. Gruzintsev, V.T.Volkov, I.I Khodos, T.V.Nikiforove, M.N.Koval’chuk, Russ (2002), “Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications”, Microelectron, 31 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Applications
Tác giả: A.N. Gruzintsev, V.T.Volkov, I.I Khodos, T.V.Nikiforove, M.N.Koval’chuk, Russ
Năm: 2002
5. B. Houng, C.J Huang (2006), “Structure and properties of Ag embedded aluminum doped ZnO nanocomposite thin films prepared through a sol–gel process”, Surf. Coat. Tech.201, 3188 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structure and properties of Ag embedded aluminum doped ZnO nanocomposite thin films prepared through a sol–gel process
Tác giả: B. Houng, C.J Huang
Năm: 2006
6. B. Yao, L.X. Guan, G.Z. Xing, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, X.H. Wang, C.X. Cong, Y.P. Xie, Y.M. Lu, D.Z. Shen (2007), “P-type conductivity and stability of nitrogen-doped zinc oxide prepared by magnetron sputtering”, J.Lumin., 122, 191 Sách, tạp chí
Tiêu đề: P-type conductivity and stability of nitrogen-doped zinc oxide prepared by magnetron sputtering
Tác giả: B. Yao, L.X. Guan, G.Z. Xing, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, X.H. Wang, C.X. Cong, Y.P. Xie, Y.M. Lu, D.Z. Shen
Năm: 2007
7. D. G. Thomas (1960), “The exciton spectrum of zinc oxide”, J. Phys. Chem. Solids, 15, 86 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The exciton spectrum of zinc oxide
Tác giả: D. G. Thomas
Năm: 1960
9. D.R. Sahu (2007), “Studies on the properties of sputter-deposited Ag-doped ZnO films”, Microelectronics Journal, 38, 1252 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Studies on the properties of sputter-deposited Ag-doped ZnO films
Tác giả: D.R. Sahu
Năm: 2007
10. E. –C. Lee, Y. –S. Kim, Y. –G. Jin, K. J. Chang (2001), “Compensation mechanism for N acceptors in ZnO”, Phys. Rev. B 64, 085120 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Compensation mechanism for N acceptors in ZnO
Tác giả: E. –C. Lee, Y. –S. Kim, Y. –G. Jin, K. J. Chang
Năm: 2001
11. In Soo Kim, Eun-Kyung Jeong, Do Yun Kim, Manoj Kumar, Se-Young Choi (2008), “Investigation of p-type behavior in Ag-doped ZnO thin films by E- beam evaporation”, Applied Surface Science, 255, 4011 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Investigation of p-type behavior in Ag-doped ZnO thin films by E-beam evaporation
Tác giả: In Soo Kim, Eun-Kyung Jeong, Do Yun Kim, Manoj Kumar, Se-Young Choi
Năm: 2008
12. J. L. Birman (1959), “Polarization of Fluorescence in CdS and ZnS Single Crystals”, Phys. Rev. Lett. , 2 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Polarization of Fluorescence in CdS and ZnS Single Crystals
Tác giả: J. L. Birman
Năm: 1959
14. Jae-Hong Lim, Chang-Ku Kang, Kyoung-Kook Kim, Il-Kyu Park, Dae-Kue Hwang, Seong-Ju Park (2006), “UV Electroluminescence Emission from ZnO Light-Emitting Diodes Grown by High-Temperature RadiofrequencySputtering”, Adv. Mater. 18, 2720 Sách, tạp chí
Tiêu đề: UV Electroluminescence Emission from ZnO Light-Emitting Diodes Grown by High-Temperature Radiofrequency Sputtering
Tác giả: Jae-Hong Lim, Chang-Ku Kang, Kyoung-Kook Kim, Il-Kyu Park, Dae-Kue Hwang, Seong-Ju Park
Năm: 2006
15. Kaipeng Liu, Beifang Yang, Hongwei Yan, Zhengping Fu, Meiwang Wen, Youjun Chen, Jian Zuo (2009), “Effect of Ag doping on the photoluminescence properties of ZnO films”, Journal of Luminescence, Volume 129, Issue 9 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect of Ag doping on the photoluminescence properties of ZnO films
Tác giả: Kaipeng Liu, Beifang Yang, Hongwei Yan, Zhengping Fu, Meiwang Wen, Youjun Chen, Jian Zuo
Năm: 2009
16. R. K. Guptan, K. Ghosh, P.K Kahol (2010), “ Effect of substrate temperature on structural and electrical properties of silver doped zinc oxide thin films” Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect of substrate temperature on structural and electrical properties of silver doped zinc oxide thin films
Tác giả: R. K. Guptan, K. Ghosh, P.K Kahol
Năm: 2010
17. S. B. Zhang, S. H. Wei, A. Zunger (2001), “Intrinsic n-type versus p-type doping asymmetry and the defect physics of ZnO”, Phys. Rev. B 63, 075205 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Intrinsic n-type versus p-type doping asymmetry and the defect physics of ZnO
Tác giả: S. B. Zhang, S. H. Wei, A. Zunger
Năm: 2001
19. Saeed Masoumi and Ebrahim Nadimi (2014), “First- principles study of Zinc oxide: The p-type doping perspective”, Proceeding on “The 22nd Iranian Conference on Electrical Engineering”, page 318 Sách, tạp chí
Tiêu đề: First- principles study of Zinc oxide: The p-type doping perspective”, Proceeding on “The 22nd Iranian Conference on Electrical Engineering
Tác giả: Saeed Masoumi and Ebrahim Nadimi
Năm: 2014
20. X.H. Wang, B. Yao, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, D.Z. Shen, Y.M. Lu, X.W. Fan (2006), “The mechanism of formation and properties of Li-doped p- type ZnO grown by a two-step heat treatment”, Semicond. Sci. Technol. 21, 494 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The mechanism of formation and properties of Li-doped p-type ZnO grown by a two-step heat treatment
Tác giả: X.H. Wang, B. Yao, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, D.Z. Shen, Y.M. Lu, X.W. Fan
Năm: 2006
21. Y. Yan, M. Al-Jassim, S. –H. Wei (2006), “Doping of ZnO by group-Ib elements”, App. Phys. Letter 89 (18), 181912 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Doping of ZnO by group-Ib elements
Tác giả: Y. Yan, M. Al-Jassim, S. –H. Wei
Năm: 2006
22. Y.Kanai (1991), “Admittance Spectroscopy of ZnO Crystals Containing Ag”, Jpn.J.Appl. Phys.30 (Part 1), 2021 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Admittance Spectroscopy of ZnO Crystals Containing Ag
Tác giả: Y.Kanai
Năm: 1991
23. S.H. Jeong, B.N. Park, S.B. Lee, J.-H. Boo (2005), “Structural and optical properties of silver-doped zinc oxide sputtered films”, Surface and Coatings Technology 193 (1-3), 340 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structural and optical properties of silver-doped zinc oxide sputtered films
Tác giả: S.H. Jeong, B.N. Park, S.B. Lee, J.-H. Boo
Năm: 2005

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1.1: Điện trở suất của màng mỏng dẫn điện ZnO pha tạp chất do một số nhúm nghiờn cứu chế tạo bằng cỏc phương phỏp khỏc nhau - Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag
Bảng 1.1 Điện trở suất của màng mỏng dẫn điện ZnO pha tạp chất do một số nhúm nghiờn cứu chế tạo bằng cỏc phương phỏp khỏc nhau (Trang 16)
Bảng 3.1: Giỏ trị hằng số mạng tinh thể của cỏc bia ZnO, ZnO:Ag theo nồng độ pha tạp Ag và nhiệt độ ủ - Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag
Bảng 3.1 Giỏ trị hằng số mạng tinh thể của cỏc bia ZnO, ZnO:Ag theo nồng độ pha tạp Ag và nhiệt độ ủ (Trang 40)
phũng là 3,37eV (Bảng 3.2), tƣơng tự nhƣ kết quả thu trờn mẫu màng của cỏc nhúm nghiờn cứu khỏc [16, 23] - Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag
ph ũng là 3,37eV (Bảng 3.2), tƣơng tự nhƣ kết quả thu trờn mẫu màng của cỏc nhúm nghiờn cứu khỏc [16, 23] (Trang 54)
Bảng 3.3: Giỏ trị cỏc tớnh chất điện mẫu màng ZnO:Ag (1%, 2%, 4%) tại cụng suất phỳn xạ 125 W, 150 W, 175W . - Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag
Bảng 3.3 Giỏ trị cỏc tớnh chất điện mẫu màng ZnO:Ag (1%, 2%, 4%) tại cụng suất phỳn xạ 125 W, 150 W, 175W (Trang 55)
Bảng 3.4: Độ rộng vựng cấm của cỏc mẫu màng ZnO và ZnO pha tạp Ag (1%, 2%, 4%) phỳn xạ ở cụng suất 175W trước và sau khi ủ. - Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu zno pha tạp ag
Bảng 3.4 Độ rộng vựng cấm của cỏc mẫu màng ZnO và ZnO pha tạp Ag (1%, 2%, 4%) phỳn xạ ở cụng suất 175W trước và sau khi ủ (Trang 61)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w