1. Trang chủ
  2. Luận Văn - Báo Cáo

Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

124 9 0
Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 03/07/2021, 08:57

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH-VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều
BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH-VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Xem tại trang 8 của tài liệu.
Hình 1.1: Hiệu ứng Hall trong hố lượng tử - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 1.1.

Hiệu ứng Hall trong hố lượng tử Xem tại trang 27 của tài liệu.
1.2.2. Hiệu ứng vô tuyến điện trong hố lượng tử với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

1.2.2..

Hiệu ứng vô tuyến điện trong hố lượng tử với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn Xem tại trang 33 của tài liệu.
1.2.3. Hiệu ứng vô tuyến điện trong dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

1.2.3..

Hiệu ứng vô tuyến điện trong dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol Xem tại trang 37 của tài liệu.
Hamiltonian của hệ electron giam cầm – phonon giam cầm trong mô hình nghiên cứu nói trên có dạng: - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

amiltonian.

của hệ electron giam cầm – phonon giam cầm trong mô hình nghiên cứu nói trên có dạng: Xem tại trang 40 của tài liệu.
Hình 2.1: Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx trong hố lượng tử (QW) vào năng lượng cyclotron cho phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.1.

Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx trong hố lượng tử (QW) vào năng lượng cyclotron cho phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) Xem tại trang 46 của tài liệu.
Hình 2.2: Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong QW vào biên độ bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1 (đường gạch gạch), m 13 (đường liền nét), với B=5T, L=30nm - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.2.

Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong QW vào biên độ bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1 (đường gạch gạch), m 13 (đường liền nét), với B=5T, L=30nm Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 2.3 Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào năng lượng cyclotron - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.3.

Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào năng lượng cyclotron Xem tại trang 52 của tài liệu.
Hình 2.4: Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào năng lượng cyclotron - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.4.

Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào năng lượng cyclotron Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 2.5: Cộng hưởng từ -phonon trong bán dẫn khối (đường nét đứt, d=200nm) và siêu mạng hợp phần (đường nét liền, d=25nm) - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.5.

Cộng hưởng từ -phonon trong bán dẫn khối (đường nét đứt, d=200nm) và siêu mạng hợp phần (đường nét liền, d=25nm) Xem tại trang 54 của tài liệu.
Trên hình 2.5, khi chu kì siêu mạng là nhỏ thì có sự xuất hiện của rất nhiều đỉnh cộng hưởng của ten-xơ độ dẫn Hall, đó là kết quả của sự giam cầm electron và sự giam cầm phonon quang - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

r.

ên hình 2.5, khi chu kì siêu mạng là nhỏ thì có sự xuất hiện của rất nhiều đỉnh cộng hưởng của ten-xơ độ dẫn Hall, đó là kết quả của sự giam cầm electron và sự giam cầm phonon quang Xem tại trang 55 của tài liệu.
Hình 2.7: Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào nồng độ Al trong lớp - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.7.

Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx vào nồng độ Al trong lớp Xem tại trang 56 của tài liệu.
Hình 2.8: Cộng hưởng từ -phonon khi có bức xạ laser (đường nét liền) và khi không có bức xạ laser (đường nét đứt) cho phonon quang không giam cầm và - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.8.

Cộng hưởng từ -phonon khi có bức xạ laser (đường nét liền) và khi không có bức xạ laser (đường nét đứt) cho phonon quang không giam cầm và Xem tại trang 57 của tài liệu.
Hình 2.10: Sự phụ thuộc của từ trở  xx trong CSSL vào nhiệt độ cho phonon - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.10.

Sự phụ thuộc của từ trở  xx trong CSSL vào nhiệt độ cho phonon Xem tại trang 58 của tài liệu.
Hình 2.9: Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong CSSL vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm và phonon quang giam cầm - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.9.

Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong CSSL vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm và phonon quang giam cầm Xem tại trang 58 của tài liệu.
Hình 2.11: Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx trong siêu mạng pha tạp - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.11.

Sự phụ thuộc của ten-xơ độ dẫn Hall xx trong siêu mạng pha tạp Xem tại trang 63 của tài liệu.
Hình 2.12: Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong DSSL vào biên độ bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.12.

Sự phụ thuộc của hệ số Hall trong DSSL vào biên độ bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang Xem tại trang 65 của tài liệu.
Hình 2.13: Sự phụ thuộc của từ trở trong DSSL vào nhiệt độ cho phonon quang - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 2.13.

Sự phụ thuộc của từ trở trong DSSL vào nhiệt độ cho phonon quang Xem tại trang 65 của tài liệu.
Hình 3.2: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong hố lượng tử vào biên độ của bức xạ laser cho phonon âm không giam cầm (đường chấm chấm) và - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 3.2.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong hố lượng tử vào biên độ của bức xạ laser cho phonon âm không giam cầm (đường chấm chấm) và Xem tại trang 74 của tài liệu.
Hình 3.1: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong hố lượng tử vào tần số của bức xạ laser cho phonon âm không giam cầm (đường nét đứt) và phonon âm giam cầm m 12 (đường nét liền) - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 3.1.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong hố lượng tử vào tần số của bức xạ laser cho phonon âm không giam cầm (đường nét đứt) và phonon âm giam cầm m 12 (đường nét liền) Xem tại trang 74 của tài liệu.
Trên hình 3.2, trường vô tuyến điện tăng khi biên độ của bức xạ laser tăng. Khi kể đến sự giam cầm của phonon âm thì cường độ của trường vô tuyến điện tăng so với trường hợp phonon âm không giam cầm - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

r.

ên hình 3.2, trường vô tuyến điện tăng khi biên độ của bức xạ laser tăng. Khi kể đến sự giam cầm của phonon âm thì cường độ của trường vô tuyến điện tăng so với trường hợp phonon âm không giam cầm Xem tại trang 75 của tài liệu.
Hình 3.4: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong siêu mạng pha tạp (DSSL) vào tần số của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 3.4.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong siêu mạng pha tạp (DSSL) vào tần số của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường Xem tại trang 80 của tài liệu.
Hình 3.5: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong DSSL vào cường độ của bức xạ laser phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 3.5.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong DSSL vào cường độ của bức xạ laser phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon Xem tại trang 80 của tài liệu.
4.1. Trường hợp dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

4.1..

Trường hợp dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol Xem tại trang 83 của tài liệu.
Hình 4.1: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện vào tần số của bức xạ laser cho phonon quang giam cầm m 13,n1 (đường nét liền) và phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) trong dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 4.1.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện vào tần số của bức xạ laser cho phonon quang giam cầm m 13,n1 (đường nét liền) và phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) trong dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol Xem tại trang 86 của tài liệu.
Hình 4.2: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong CQWr vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1,n1 (đường gạch gạch), m 12,n1 - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 4.2.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong CQWr vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1,n1 (đường gạch gạch), m 12,n1 Xem tại trang 87 của tài liệu.
4.2. Trường hợp dây lượng tử hình chữ nhật với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

4.2..

Trường hợp dây lượng tử hình chữ nhật với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn Xem tại trang 88 của tài liệu.
Hình 4.3: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện vào tần số bức xạ laser cho phonon quang giam cầm m 13,n1 (đường nét liền) và phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 4.3.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện vào tần số bức xạ laser cho phonon quang giam cầm m 13,n1 (đường nét liền) và phonon quang không giam cầm (đường nét đứt) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế giam cầm vuông góc cao vô hạn Xem tại trang 91 của tài liệu.
Hình 4.4: Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong RQWr vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1,n1 (đường gạch gạch), m1,n 12 (đường liền nét), với  3.1013s - Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều

Hình 4.4.

Sự phụ thuộc của trường vô tuyến điện trong RQWr vào biên độ của bức xạ laser cho phonon quang không giam cầm (đường chấm chấm) và phonon quang giam cầm m1,n1 (đường gạch gạch), m1,n 12 (đường liền nét), với  3.1013s Xem tại trang 92 của tài liệu.

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan