Phổ hấp thụ cộng hưởng của exciton trong giếng lượng tử InNGaN

TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) PHỔ HẤP THỤ CỘNG HƢỞNG CỦA EXCITON TRONG GIẾNG LƢỢNG TỬ InN/GaN Lê Thị Ngọc Bảo1,2*, Lê Quý Thông1, Lê Ngọc Minh1, Lê Thị Diệu Hiền1, Đinh Nhƣ Thảo2** Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế *Email: lethingocbao14@gmail.com **Email: dnthao@gmail.com Ngày nhận bài: 26/12/2018; ngày hoàn thành phản biện: 28/12/2018; ngày duyệt đăng: 10/01/2019 TĨM TẮT Trong báo chúng tơi nghiên cứu phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử vng góc sâu vơ hạn phương ph{p h|m sóng t{i chuẩn hóa Chúng tơi khảo sát phụ thuộc phổ hấp thụ cộng hưởng exciton vào bề rộng giếng v| độ lệch tần số cộng hưởng laser bơm Kết cho thấy laser bơm cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử phổ hấp thụ exciton xuất hai đỉnh hấp thụ Độ cao hai đỉnh hấp thụ phụ thuộc nhạy v|o độ lệch cộng hưởng bề rộng giếng Từ khóa: giếng lượng tử, phổ hấp thụ cộng hưởng exciton,hình thức luận hàm sóng tái chuẩn hóa MỞ ĐẦU Các bán dẫn có cấu trúc na-nô-mét đối tượng nghiên cứu quan tâm nhiều [2, 3] Nhờ tính chất ưu việt nên bán dẫn có cấu trúc na-nô-mét ứng dụng để làm linh kiện cho thiết bị quang điện tử, làm tăng tốc độ linh kiện tạo linh kiện bán dẫn có hiệu suất cao [3, 5] Ngồi cấu trúc na-nơ bán dẫn cịn có tiềm ứng dụng c{c lĩnh vực công nghiệp, môi trường nhiều lĩnh vực khác [6, 7] Trong số cấu trúc na-nơ bán dẫn cấu trúc thấp chiều đối tượng nghiên cứu mang tính thời sự, thu hút quan tâm nhiều nhà vật lý lý thuyết thực nghiệm [2, 3, 5] Việc nghiên cứu tính chất cấu thấp chiều tiến hành từ hàng chục năm trước đ}y v| thu kết vượt trội, ứng dụng vào mặt đời sống [1, 3] Cấu trúc thấp chiều hình thành ta 49 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN giảm kích thước cấu trúc na-nơ xuống xấp xỉ quãng đường chuyển động tự trung bình hạt vi mơ Khi kích thước vật rắn giảm xuống c{ch đ{ng kể theo chiều, hai chiều ba chiều tính chất vật lý thay đổi c{ch đột ngột Các cấu trúc thấp chiều bao gồm hệ hai chiều-giếng lượng tử, hệ chiều-dây lượng tử hệ không chiều-chấm lượng tử [8] Giếng lượng tử cấu trúc thấp chiều nhận nhiều quan tâm nghiên cứu có nhiều ứng dụng dựa tính chất bật nó, đặc biệt tính chất quang Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử nghiên cứu từ năm 1986 [1, 4] Trong cơng trình này, tác giả tính phổ hấp thụ exciton hình thức luận h|m độ cảm phi tuyến bậc ba hay hình thức luận hàm sóng tái chuẩn hóa Tuy nhiên cơng trình nghiên cứu chưa giải thích rõ r|ng chế tách vạch quang phổ phổ hấp thụ exciton chưa khảo sát chi tiết ảnh hưởng hiệu ứng kích thước lên phổ hấp thụ exciton cấu trúc Trong báo nghiên cứu ảnh hưởng laser bơm lên phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử bán dẫn InN/GaN phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa Chúng tơi xét tốn có hai sóng laser biến đổi theo thời gian Chúng tơi xét mơ hình hệ ba mức lượng chiếu laser bơm mạnh cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử Phổ hấp thụ exciton x{c định laser dò có cường độ yếu Nội dung báo bao gồm: mục trình bày mở đầu, mục trình bày mơ hình lý thuyết, mục trình bày kết tính số thảo luận mục cuối kết luận MƠ HÌNH VÀ LÝ THUYẾT 2.1 Mơ hình Chúng tơi xét giếng lượng tử hình chữ nhật có bề rộng d với hàng rào cao vô hạn dọc theo trục Oz Hàm sóng electron lỗ trống hệ viết dạng [9]: en,h  r   uce,,vh    ne,h  z  , (1)  n  z   n z  sin  , d  d  (2)   x  y ; uc,v    hàm sóng Bloch hai chiều electron lỗ trống, kí hiệu c, v phần hàm sóng Bloch nằm vùng dẫn vùng hóa trị 50 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) Chọn gốc tính lượng đỉnh vùng hóa trị, ta có lượng electron lỗ trống giếng lượng tử x{c định sau: En  E g  e En  x  ky 2me h k k x n 2 2me d  ky 2mh n 2 2mh d , (3) 2 , (4) E g l| độ rộng vùng cấm chất bán dẫn; me , mh khối lượng hiệu dụng electron lỗ trống bán dẫn khối; k x , k y l| c{c độ lớn vectơ sóng dọc theo trục Ox Oy Ta có Hamiltonian mơ tả tương t{c điện tử với trường điện từ viết dạng [10]: e Ax eixt Hˆ int   n  pˆ , m0 ix (5) n , pˆ , Ax ,  x tương ứng l| vectơ ph}n cực, vectơ xung lượng electron, cường độ tần số sóng laser; kí hiệu x để sóng dị sóng bơm Khi biểu thức yếu tố ma trận cho chuyển dời quang từ trạng th{i đầu i đến trạng thái cuối f x{c định sau: Tfi  f Hint i , (6)  i  ui    ie , h  z   e,h  f  u f    f  z  (7) 2.2 Yếu tố ma trận cho chuyển dời quang hai mức lƣợng lƣợng tử hóa điện tử Chúng tơi xét mơ hình hệ ba mức, mức thấp có lượng E0  E1h tương ứng trạng th{i lượng tử hóa lỗ trống vùng hóa trị, hai mức cịn lại có lượng E1  E1e có lượng E2  E2e tương ứng với hai trạng th{i lượng tử hóa thấp điện tử vùng dẫn minh họa hình 51 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN Hình Mơ hình hệ ba mức: E0 mức lỗ trống, E1 E2 mức điện tử a) Chuyển dời quang hai mức lượng điện tử tác dụng laser bơm có tần số  p kí hiệu đường mũi tên nét đứt b) Chuyển dời quang hai mức tác dụng laser dị có tần số t kí hiệu đường mũi tên chấm chấm Trong mục chúng tơi tính yếu tố ma trận cho chuyển dời quang hai mức lượng điện tử tác dụng laser bơm Ta có hai trạng thái lượng tử hóa điện tử mô tả sau:   uc    1e  z   e   uc     z  (8) Từ phương trình (5) ta có:  i p t e Ap e Hˆ int   m0 i p n  pˆ , (9) Ap  p l| cường độ tần số laser bơm Ta có yếu tố ma trận chuyển dời liên vùng hai mức lượng lượng tử hóa điện tử xác định sau:  i t  i t v21  | Hˆ int |1  | Vˆ |1 e p  V21e p (10) Chọn vectơ phân cực ánh sáng dọc theo trục z ta thu biểu thức V21 có dạng: V21  16d eAp me   E2  E1  9 m0 p (11) Tính to{n tương tự ta thu kết sau: V12  V21* ,  V11  V22  V21* liên hợp phức V21 Hấp thụ exciton khơng có laser bơm 52 (12) TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) Bây ta tính yếu tố ma trận cho chuyển dời hai mức thấp lỗ trống v| điện tử khơng có laser bơm mơ tả đường chấm chấm hình 1b Đ}y chuyển dời liên vùng với trạng th{i đầu trạng thái cuối xác định sau:   uv    1h  z   e   uc     z  (13) Dưới tác dụng laser dò yếu tố ma trận chuyển dời hai mức lượng tử hóa lỗ trống v| điện tử x{c định sau: T10  1| Hˆ int | , (14) Hˆ int có biểu thức x{c định từ phương trình (5) sau: e At e  it t ˆ H int   n  pˆ m0 it (15) Thay biểu thức (15) vào biểu thức (14) sử dụng tính chất trực chuẩn hàm sóng Bloch uc,v    hàm  ne,h  z  ta thu biểu thức yếu tố ma trận chuyển dời T10 có dạng: T10   eAt pcv i  E1  E0  e m0it t t , (16) pcv  uc    | npˆ | uv    (17) yếu tố ma trận phân cực vùng dẫn vùng hóa trị Từ biểu thức tốc độ chuyển dời (hay xác xuất hấp thụ đơn vị thời gian) tác dụng laser dị có dạng: W0  2 T10   E1  E0  t  (18) Áp dụng công thức hàm dạng Lorentz:   x    x  2  (19) Ta viết lại biểu thức tốc độ chuyển dời (18) dạng gần sau: 2  eA p   W0    t cv   , 2  m0t   E1  E0  t    53 (20) Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN với   l| độ rộng vạch phổ hấp thụ đưa v|o cách tượng luận Ta đặt 2  eA p  B    t cv  ,  m0t  (21) Egwell  E1  E0 (22) Từ ta viết lại biểu thức tốc độ chuyển dời sau: W0  B    Egwell  t   2 (23) 2.4 Hấp thụ exciton trƣờng hợp có laser bơm Trong mục ta tìm phổ hấp thụ exciton hệ chiếu laser dị trường hợp có mặt laser bơm với tần số gần khoảng cách hai mức lượng electron Khi có sóng bơm cộng hưởng với khoảng cách hai mức lượng lượng tử hóa điện tử hàm sóng điện tử bị tái chuẩn hóa tác dụng sóng bơm, hàm sóng tái chuẩn hóa có dạng:  emix (r , t )   c j (t )e i  E jt j 1  j r  , (24)  j  r  với n  1, hàm sóng electron trạng thái dừng tương ứng với mức lượng E j chưa có t{c dụng laser bơm C{c hệ số c j  t  xác định từ phương trình Schưdinger phụ thuộc thời gian có biểu thức x{c định sau:  i 2t  i1t c1 (t)  2 1e   2e   R ,  V c (t)   21  ei1t  e i 2t   2 R (25)   1   R  ,        R  2 với 54 (26) TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) 2  V12      R     ,        p  21 (27) 21  E2  E1  E2e  E1e , V21  (28) 16d eAp me   E2  E1  9 m0 p (29) Thay hệ số c j  t  phương trình (25) v|o phương trình (24) ta có biểu thức hàm sóng electron tái chuẩn hóa tác dụng sóng bơm có dạng:  emix  r , t   i  E1t V 1ei 2t   2e i1t  e 1  r   21  2 R 2 R e i1t  e i 2t  e i  E2t   r  (30) Hay  emix  r , t     i  E1   1e 2 R   t V   i  E2   21  e 2 R  1 t   2e e  i  i  E1  1 t  E2   t   1  r     2  r   (31) Từ biểu thức (31) ta suy phổ lượng tương ứng với hàm sóng (31) gồm bốn mức sau:    E1  E1   ,     E1  E1  1 (32)  E2  E2  1    E2  E2   (33) Từ (32) (33) ta viết lại hàm sóng điện tử tái chuẩn hóa tác dụng sóng bơm biểu thức (31) dạng:  e mix i  E1 t  V21   i E2t  i E2t    i E1t   2e e r ,t    1e  1  r   e  2  r  2R  2R    (34) Từ ta thu biểu thức yếu tố ma trận cho chuyển dời quang trạng thái lỗ trống trạng thái tái chuẩn hóa điện tử tác dụng laser dò x{c định sau 55 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN * Tmix,0 i well eA p   Eg  t t i 2t  i1t    t cv   e   e  e    m0it  2 R  (35) Tính to{n tương tự trường hợp khơng có tác dụng laser bơm ta thu biểu thức tốc độ chuyển dời (hay xác suất hấp thụ đơn vị thời gian) tác dụng laser dò trường hợp có sóng bơm x{c định sau 2          , W  B       2 R   E well     2    2 R   E well     2    g t g t   (36) B có biểu thức x{c định (21) KẾT QUẢ TÍNH SỐ VÀ THẢO LUẬN Trong mục chúng tơi thực tính số phổ hấp thụ cộng hưởng exciton trường hợp khơng có có tác dụng laser bơm giếng lượng tử InN/GaN Các thông số sử dụng để tính số là: khối lượng hiệu dụng điện tử lỗ trống vật liệu giếng InN nhiệt độ 300 K me  0,11m0 mh  0,50m0 (với m0 khối lượng điện tử tự do); độ rộng vùng cấm vật liệu giếng Eg  700 meV; cường độ laser bơm l| Ap  104 V/cm độ rộng phổ   0,1 meV Hình mơ tả phổ hấp thụ exciton giếng lượng tử với bề rộng giếng lượng tử d  60 Å hai trường hợp: khơng có laser bơm (đường đứt nét) v| có laser bơm (đường liền nét) Từ đồ thị ta thấy, khơng có laser bơm xuất đỉnh hấp thụ exciton Tuy nhiên chiếu laser bơm cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử đồ thị ta thấy xuất hai đỉnh hấp thụ exciton Hai đỉnh hấp thụ nằm đối xứng hai bên với đỉnh gốc (l| đỉnh xuất phổ hấp thụ chưa có t{c dụng laser bơm) Điều giải thích quy tắc lọc lựa chuyển dời quang liên vùng giếng lượng tử hình vẽ Khi có sóng bơm laser cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử, mức lượng điện tử tách thành hai mức Khi đo phổ hấp thụ ta quan s{t hai chuyển dời từ mức lượng lỗ trống lên hai mức bị tách   mức lượng thứ điện tử Hình 4a mơ tả phổ hấp thụ exciton giếng lượng tử với bề rộng giếng lượng tử d = 60 Å trường hợp khơng có tác dụng laser bơm (đường liền nét) có tác dụng laser bơm với c{c độ lệch cộng hưởng kh{c ∆ω = 0,3 meV (đường đứt nét) v| ∆ω = 0,8 meV (đường chấm chấm) Từ đồ thị hình 4a ta thấy 56 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) tăng độ lệch cộng hưởng độ cao hai đỉnh hấp thụ bị thay đổi theo C|ng tăng độ lệch cộng hưởng đỉnh hấp thụ có xu hướng tiến vị trí đỉnh gốc (lúc chưa có t{c dụng laser bơm), đỉnh cịn lại tiến xa vị trí đỉnh gốc Kết chứng tỏ độ cao hai đỉnh hấp thụ exciton phụ thuộc v|o độ lệch cộng hưởng Hình a) Chuyển dời từ mức lượng lỗ trống lên mức lượng điện tử sóng bơm laser b) Hình Phổ hấp thụ exciton giếng Khi có sóng bơm laser cộng hưởng với hai lượng tử có bề rộng d = 60 Å có sóng bơm v| khơng có sóng bơm trường hợp ∆ω mức lượng lượng tử hóa điện tử, mức lượng điện tử tách = meV thành hai mức con; tồn chuyển dời từ mức lượng lỗ trống lên hai mức mức lượng thứ điện tử   , tuân theo quy tắc lọc lựa 10 10 K hi không cólaser bơm d K hi không cólaser bơm 60 0.8 meV W dvbk W dvbk 0 815.5 816.0 816.5 817.0 817.5 0.8 meV 815.0 40 814.5 d 0.3 meV 0.3 meV 959 960 961 962 t meV t meV (b) (a) Hình Sự phụ thuộc xác suất hấp thụ vào tần số khơng có sóng bơm (đường liền nét) v| có sóng bơm với c{c độ lệch cộng hưởng ∆ω = 0,3 meV (đường đứt nét) ∆ω = 0,8 meV (đường chấm chấm) hai trường hợp d = 60 Å hình (a) d = 40 Å hình (b) Tương tự ta khảo sát phổ hấp thụ exciton giếng lượng tử trường hợp bề rộng giếng lượng tử d = 40 Å thể hình 4b Từ hình vẽ 4a 4b ta thấy với độ lệch cộng hưởng ∆ω = 0,8 meV, độ cao đỉnh hấp thụ thấp exciton thay đổi theo bề rộng giếng lượng tử Đỉnh hấp thụ thấp tồn bề rộng giếng lượng tử d = 60 Å (hình 4a) 57 963 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN gần biến bề rộng giếng d = 40 Å Đồng thời, bề rộng giếng lượng tử giảm, đỉnh hấp thụ exciton dịch chuyển dần vùng lượng cao theo quy luật lượng tỉ lệ nghịch với bình phương bề rộng giếng Điều chứng tỏ ảnh hưởng rõ rệt hiệu ứng giam giữ lượng tử cấu trúc giếng lượng tử Hơn nữa, từ hình vẽ 4b ta thấy độ lệch cộng hưởng thay đổi vị trí c{c đỉnh hấp thụ exciton thay đổi theo Khi độ lệch cộng hưởng tăng đỉnh có xu hướng tiến đến khơng đỉnh lại tăng Các kết lần khẳng định độ cao hai đỉnh hấp thụ phụ thuộc nhạy v|o độ lệch cộng hưởng bề rộng giếng lượng tử KẾT LUẬN Trong báo chúng tơi trình bày nghiên cứu phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN tác dụng sóng bơm laser cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử phương ph{p h|m sóng tái chuẩn hóa Kết cho thấy có sóng bơm cộng hưởng với hiệu hai mức lượng lượng tử hóa điện tử phổ hấp thụ exciton xuất hai đỉnh hấp thụ Biên độ vị trí hai đỉnh hấp thụ phụ thuộc nhạy v|o độ lệch tần số cộng hưởng sóng bơm bề rộng giếng Khi độ lệch cộng hưởng tăng đỉnh có xu hướng tiến đến khơng đỉnh cịn lại tăng Đồng thời, bề rộng giếng lượng tử giảm, đỉnh hấp thụ exciton dịch chuyển vùng lượng cao theo quy luật lượng tỉ lệ nghịch với bình phương bề rộng giếng Điều chứng tỏ ảnh hưởng rõ rệt hiệu ứng giam giữ lượng tử cấu trúc giếng lượng tử LỜI CẢM ƠN Nghiên cứu n|y thực với tài trợ kinh phí từ đề t|i Đại học Huế mã số DHH2017-01-114 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Bobrysheva A.I., Shmiglyuk M I and Pavlov V G (1997) Optical exciton Stark effect and quantum beats at exciton quasienergy levels in quantum wells, Phys Solid State, Vol 39, pp 1947-1949 [2] Floris A Z., Andrew S D., Andrea M., Michelle Y S., Lloyd C L H., Gerhard K., Sven R., Susan N C and Mark A E (2013) Silicon quantum electronics, Rev Mod Phys, Vol 85, pp 1-64 [3] James L H., Tae-In Jeon (2012) A review of the Terahertz conductivity of bulk and nanomaterials, Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Vol 33, pp 1-55 58 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) [4] Lehmen A V., Chemla D S., Zucker J E., Heritage J.P (1986) Optical Stark effect on excitons in GaAs quantum wells, Opt Lett., Vol 11, pp 609-611 [5] Leitenstorfer A., Hunsche S., Shah J., Nuss M.C., and Knox W H (1999) Femtosecond Charge Transport in Polar Semiconductors, Phys Rev Lett., Vol 82, pp 5140-5143 [6] Lin H J., Vedraine S., Le-Rouzo J., Chen S H (2012) “Optical properties of quantum dots layers: Application to photovoltaic solar cells”, Solar Energy Materials & Solar Cells [7] Mahajan S., Rani M., Dubey R B., and Mahajan J (2013) Characteristics and properties of CdSe quantum dots, International Journal of Latest Research in Science and Technology, Vol 2, pp 457-459 [8] Nguyễn Ngọc Long (2007) “Vật lý chất rắn”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội [9] Nguyễn Hồng Quang, Bobrysheva (1993) The Influence of the Resonant Electromagnetic Field on Light Absorption by Exciton and Biexciton in Quantum Well, Physica Scripta, Vol 47, pp 121-123 [10] Dinh Nhu Thao, Le Thi Ngoc Bao, Duong Dinh Phuoc, Nguyen Hong Quang (2017) A theoretical study of the optical Stark effect in InGaAs/InAlAs quantum dots, Semiconductor Science and Technology, Vol 32, pp 025014-1 – 025014-8 THE RESONANT ABSORPTION SPECTRUM OF EXCITONS IN InN/GaN QUANTUM WELLS Le Thi Ngoc Bao1,2*, Le Quy Thong1, Le Ngoc Minh1, Le Thi Dieu Hien1, Dinh Nhu Thao2** Faculty of Physics, University of Sciences, Hue University Faculty of Physics, University of Education, Hue University *Email: lethingocbao14@gmail.com **Email: dnthao@gmail.com ABSTRACT In this paper, we study the resonant absorption spectrum of excitons in the InN/GaN infinite quantum wells by using renormalization wavefunction formulation We also investigated the dependence of resonant absorption spectrum of excitons on the width of quantum well and the detuning of a strong pump laser resonant with two electron quantized levels The results showed that in the presence of a resonant strong pump laser with two quantized levels of electrons, two new absorption peaks of excitons appear in the absorption spectrum of excitons The results also showed that the height of absorption peaks of excitons depends sensitively on the detuning and the width of quantum wells 59 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN Keywords: quantum wells, renormalization wavefunction formulation, the resonant absorption spectrum of excitons Lê Thị Ngọc Bảo sinh ngày 31/10/1983 Huế Năm 2006, b| tốt nghiệp Cử nhân khoa học ngành Vật lý Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Năm 2009, b| tốt nghiệp Thạc sĩ chuyên ng|nh Vật lý lý thuyết Vật lý toán trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Từ năm 2006 đến nay, bà giảng viên Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Từ năm 2015 đến nay, bà nghiên cứu sinh chuyên ngành Vật lý lý thuyết vật lý toán trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế L nh nghiên cứu: Vật lý mô phỏng, vật lý hệ thấp chiều Lê Quý Thông sinh ngày 20/10/1958 Huế Năm 1981, ông tốt nghiệp Cử nhân khoa học ngành Vật lý Trường Đại học Tổng hợp Huế Năm 1996, ông tốt nghiệp Tiến sĩ chuyên ng|nh Vật lý lý thuyết Viện Vật lý Hà Nội Từ năm 1981 đến nay, ông giảng viên Trường Đại học Tổng hợp Huế, gọi l| Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế L nh nghiên cứu: tinh thể quang tử, vật lý hệ thấp chiều số lĩnh vực liên quan Lê Ngọc Minh sinh năm 1963 Năm 1981, ông tốt nghiệp Cử nhân chuyên ngành Vật lý lý thuyết Trường Đại học Tổng hợp Huế (nay l| Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế) Năm 1999, ông tốt nghiệp Thạc sĩ chuyên ngành Vật lý Chất rắn Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Ông l| c{n giảng dạy Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế L nh nghiên cứu: tinh thể quang tử, vật lý hệ thấp chiều số lĩnh vực liên quan Lê Thị Diệu Hiền sinh ngày 03/02/1989 Thành phố Huế Năm 2011, b| tốt nghiệp Cử nhân ngành Vật lý Tiên tiến Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Năm 2013, b| tốt nghiệp thạc sĩ chuyên ng|nh Vật lý lý thuyết - Vật lý toán trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Từ năm 2013 đến nay, bà giảng dạy Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế L nh v c nghiên cứu: Vật liệu có cấu trúc nano, mơ lý thuyết 60 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học, ĐH Huế Tập 14, Số (2019) Đinh Nhƣ Thảo sinh ngày 17/02/1975 thành phố Hải Dương Năm 1997, ông tốt nghiệp Cử nhân khoa học ngành Vật lý Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế Năm 1999, ông tốt nghiệp Thạc sĩ chuyên ng|nh Vật lý lý thuyết Vật lý toán Viện Vật lý, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam Năm 2004, ông tốt nghiệp Tiến sĩ chuyên ng|nh Khoa học vật liệu Viện Khoa học Công nghệ Tiên tiến Nhật Bản (JAIST) Năm 2013, ông bổ nhiệm chức danh PGS Từ năm 2005 đến ông giảng dạy Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế L nh nghiên cứu: Vật lý công nghệ na-nô, chủ yếu tập trung nghiên cứu tính chất điện quang linh kiện na-nô bán dẫn cấu trúc bán dẫn thấp chiều (giếng lượng tử, d}y lượng tử, chấm lượng tử) 61 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN 62 ... quang phổ phổ hấp thụ exciton chưa khảo sát chi tiết ảnh hưởng hiệu ứng kích thước lên phổ hấp thụ exciton cấu trúc Trong báo nghiên cứu ảnh hưởng laser bơm lên phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng. .. đổi theo bề rộng giếng lượng tử Đỉnh hấp thụ thấp tồn bề rộng giếng lượng tử d = 60 Å (hình 4a) 57 963 Phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN gần biến bề rộng giếng d = 40 Å Đồng... độ cao hai đỉnh hấp thụ phụ thuộc nhạy v|o độ lệch cộng hưởng bề rộng giếng lượng tử KẾT LUẬN Trong báo chúng tơi trình bày nghiên cứu phổ hấp thụ cộng hưởng exciton giếng lượng tử InN/GaN tác