Nghiên cứu đặc điểm phát quang của vật liệu sm3 đồng pha tạp tb3 trong nền zn2sio4

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KHOA VẬT LÝ LƯƠNG THU HUYỀN NGHIÊN CỨU ĐẶC ĐIỂM PHÁT QUANG CỦA VẬT LIỆU Sm3+ ĐỒNG PHA TẠP Tb3+ TRONG NỀN Zn2SiO4 KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP Đà Nẵng, 2019 ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KHOA VẬT LÝ LƯƠNG THU HUYỀN NGHIÊN CỨU ĐẶC ĐIỂM PHÁT QUANG CỦA VẬT LIỆU Sm3+ ĐỒNG PHA TẠP Tb3+ TRONG NỀN Zn2SiO4 KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP Chuyên ngành: Sư phạm Vật lý Khóa học: 2015 - 2019 Người hướng dẫn:Ths LÊN VĂN THANH SƠN Đà Nẵng, 2019 Đà Nẵng, 2019 LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, em xin chân thành cảm ơn quý thầy cô giảng viên trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng, đặc biệt thầy khoa Vật lý tận tình bảo, giúp đỡ em mặt suốt trình em học tập rèn luyện trường Em xin bày tỏ lòng tri ân sâu sắc đến thầy Lê Văn Thanh Sơn thầy Đinh Thanh Khẩn quan tâm, tận tình giúp đỡ, giải đáp thắc mắc, tạo điều kiện thuận lợi cho em hoàn thành khóa luận tốt nghiệp Tiếp theo, em xin gửi lời cảm ơn bạn em sinh viên nhiệt tình tham gia hỗ trợ em suốt thời gian thực khóa luận Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến gia đình bạn bè bên động viên em suốt trình học tập rèn luyện trường Tác giả Lương Thu Huyền MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN DANH MỤC HÌNH ẢNH DANH MỤC BẢNG BIỂU DANH MỤC BIỂU ĐỒ PHẦN I: MỞ ĐẦU Lý chọ n ềtài đ Mục đích ứunghiên c Nhiệ m vụnghiên cứu Đối ợng tư phạm vi nghiên cứu Phương pháp ứu nghiên c PHẦN 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT CHƯƠNG Ế 1: NÀO LÀ TH SỰPHÁT QUANG 1.1 Chất phát quang [1] 1.2 Hiện tượng phát quang 1.3 Cơ chế phát quang[5] 10 1.4 Phân loại dạng phát quang 11 CHƯƠNG ỔNG 2: QUAN T VỀIONẤT Đ HIẾM Sm3+ VÀ Tb3+.[6] 12 CHƯƠNG Ự3: TRUYỀ S N NĂNG ỢNGLƯ 15 3.1 Lý thuyết truyền lượng 15 3.2 Sự truyền lượng tâm không giống 17 CHƯƠNG ẤU 4: TRÚCCTINH THỂVÀ NHIỄU XẠTIA X 20 4.1 Các hệ tinh thể: 20 4.2 Mối liên hệ khoảng cách mặt mạng với thông số tế bào mạng[2] 21 4.3 Nhiễu xạ tia X 22 PHẦN 3: THỰC NGHIỆM 24 Chếtạ o mẫ u 24 1.1 Phương pháp chế tạo 24 1.2 Dụng cụ thí nghiệm 24 1.3 Quy trình chế tạo mẫu 26 1.4 Tiền chất sử dụng mẫu tạo thành 26 1.5 Thiết bị đo mẫu: 27 Kế t quảvà thả o luận: 28 2.1 Kết nhiễu xạ tia X: 28 2.2 Phổ kích thích Tb3+ Sm3+ 29 2.3 Phổ phát quang mẫu CaSiO3 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% 31 2.4 Sự phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ 32 Kế t luận 32 TÀI LIỆU THAM KHẢO : 33 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1: Các chuyển dời lượng trình huỳnh quang (a) lân quang (b) 11 Hình 2: Giản đồ mức lượng Dieke 14 Hình 3: Tâm kích hoạt A mạng chủ 16 Hình 4: Sự truyền lượng từ tâm S (tăng nhạy) tới A 16 Hình 5: Quá trình truyền lượng 16 Hình 6: Sự chồng phủ phổ 17 Hình 7: Nhiễu xạ mặt tinh thể 23 Hình 8: Mô máy nhiễu xạ tia X 23 DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1: Cấu trúc tinh thể thông số tế bào mạng 20 Bảng 2: Dụng cụ thí nghiệm 24 Bảng 3: Danh sách tiền chất dùng chế tạo mẫu 26 Bảng 4: Danh sách mẫu chế tạo 27 Bảng 5: Các thiết bị đo mẫu vật 27 Bảng 6: Các số mạng 29 Bảng 7: Hằng số mạng mẫu chuẩn 29 DANH MỤC BIỂU ĐỒ Biểu đồ 1: Phổ nhiễu xạ hệ mẫu 28 Biểu đồ 2: Phổ nhiễu xạ mẫu H1 28 Biểu đồ 3: Phổ PLE Tb3+ 29 Biểu đồ 4: Phổ PLE Sm3+ 30 Biểu đồ 5: Phổ PL Zn2SiO4 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% (λEx=375nm) 31 Biểu đồ 6: Sự phụ thuộc nồng độ phát quang vào nồng độ Sm3+ 32 PHẦN I: MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Vật liệu phát quang ứng dụng rộng rãi khoa học đời sống: kĩ thuật chiếu sáng, kĩ thuật hiển thị cảnh báo, đo xạ ion…Vì việc tìm vật liệu phát quang có phổ phát quang thích hợp với mục đích sử dụng vấn đề nhà khoa học nhóm nghiên cứu tồn giới quan tâm Trong ngành công nghiệp chế tạo đèn led người ta đặt yêu cầu khắc khe loại led trắng với nhiều ưu điểm tuổi thọ cao hơn, sử dụng lượng thấp Để làm điều cần có nghiên cứu cụ thể phát quang chất khác Vào tháng 3/2018, em có thực đề tài nghiên cứu Sm3+ đồng pha tạp Tb3+ khác, kết xác định tâm màu khả quan để chế tạo LED trắng Hiện nay, với Kẽm silicat, người ta thường pha tạp kim loại chuyển tiếp Mn, mà có nghiên cứu sử dụng chung với đất Trên tảng có, kết hợp với điều kiện phịng thí nghiệm chun đề Khoa Vật lý trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng nên chọn đề tài “Nghiên cͱu ÿ̿ F͋ m ÿL phát quang cͯa v̵t li͏ u Sm3+ ÿ͛ng pha t̩ p Tb3+ n͉ n Zn2SiO4´ Đối với vật liệu Zn2SiO4 đồng pha tạp Sm3+ Tb3+ trước hết chúng tơi tìm hiểu phổ kích thích phù hợp, phụ thuộc cường độ phát vào nồng độ Sm3+ kiểm tra ảnh hưởng nồng độ pha tạp tới số mạng Đồng thời mở hướng đề tài có truyền lượng tâm kích hoạt Mục đích nghiên cứu - Chế tạo vật liệu đồng pha tạp ion đất Sm3+ Tb3+ Zn2SiO4 - Xác định cấu trúc mạng mẫu vật vô định hình hay tinh thể để tính số mạng - Tính số mạng tinh thể, nhận xét ảnh hưởng nồng độ pha tạp đến số mạng - Tìm phổ kích thích phù hợp với Sm3+ Tb3+ - Xét phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Nhiệm vụ nghiên cứu - Nhiệm vụ 1: Nghiên cứu kiến thức phát quang vật liệu phát quang - Nhiệm vụ 2: Nghiên cứu ion đất Sm3+ Tb3+ - Nhiệm vụ 3: Nghiên cứu truyền lượng - Nhiệm vụ 4: Nghiên cứu cấu trúc tinh thể nhiếu xạ tia X - Nhiệm vụ 4: Nghiên cứu chế tạo vật liệu huỳnh quang đồng pha tạp Sm3+ Tb3+ vật liệu Zn2SiO4 Đối tượng phạm vi nghiên cứu a Đối ợng tư nghiên cứu - Tính chất phát quang vật liệu pha tạp nguyên tố đất Zn2SiO4 - Các số mạng b Phạm vi nghiên cứu - Giới hạn đối tượng nghiên cứu: Các tài liệu mẫu vật liệu Zn2SiO4 pha tạp ion Sm3+ ion Tb3+ - Thời gian nghiên cứu: tháng 11/2018 đến 4/2019 Phương pháp nghiên cứu a Nghiên cứu lí thuyế t - Đọc tài liệu, khóa luận, báo khoa học có liên quan đến đề tài b Nghiên cứu thực nghiệ m - Nghiên cứu phương pháp chế tạo mẫu chế tạo mẫu - Thực phép đo quang phổ đo nhiễu xạ tia X - Nghiên cứu sử dụng phần mềm Origin để xử lí số liệu PHẦN 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT CHƯƠNG 1: THẾ NÀO LÀ SỰ PHÁT QUANG 1.1 Chất phát quang [1] Các chất có khả biến dạng lượng khác thành quang gọi chất phát quang Các chất phát quang hấp thụ lượng từ bên (quang năng, điện năng, nhiệt năng…) dùng lượng hấp thụ để đưa phân tử, nguyên tử lên trạng thái kích thích Từ trạng thái kích thích phân tử, nguyên tử chuyển trạng thái xạ ánh sáng Vật liệu phát quang hệ gồm có mạng chủ tâm kích hoạt (tâm đơn kích hoạt hay đồng kích hoạt) Quá trình phát quang hệ xảy sau: Bức xạ kích thích hấp thụ tâm kích hoạt, tâm nâng lên tới trạng thái kích thích từ trạng thái chúng quay trở trạng thái đồng thời phát xạ xạ Hoặc hấp thụ ion khác ion tăng nhạy hay mạng chủ xảy q trình truyền lượng đến ion kích hoạt kích thích ion xạ quang học 1.2 Hiện tượng phát quang Bức xạ quang học chất phát quang sau kích thích gọi tượng phát quang Sự phát quang kích thích nhiều loại lượng nằm vùng quang học nghĩa từ tử ngoại đến hồng ngoại Nếu dùng xạ hạt để kích thích phát quang xạ nằm vùng tử ngoại Tuy nhiên bên cạnh xạ phát quang cịn có xạ khác xạ nhiệt, ánh sáng phản xạ khuếch tán chiếu vật nguồn sáng bên ngoài…Các loại xạ nằm vùng quang học xạ phát quang Vì việc nhận xạ phát quang gặp nhiều khó khăn Theo Vavilôp, hi͏ QW˱ ͫng phát quang hi͏ QW˱ ͫng ch̭t phát quang phát bͱc x̩FzQG˱ÿ ͙ i vͣi bͱc x̩nhi͏ WWURQJWU˱ ͥng hͫp mà bͱc x̩FzQG˱ÿy dài kho̫ng thͥi gian 10-16(s) ho̿c lͣQK˯Q Định nghĩa giúp phân biệt xạ phát quang với dạng xạ khác Nếu nhiệt độ phòng mà vật xạ ánh sáng thấy chắn nguồn gốc xạ khơng phải xạ nhiệt Mặc khác, ánh sáng phản xạ hay khuếch tán hoàn toàn tắt sau thơi kích thích trái lại phát quang kéo dài sau tắt ánh sáng kích thích tối thiểu 10-16(s) 1.3 Cơ chế phát quang[5] Sự phát quang giải thích truyền lượng từ xạ kích thích đến điện tử, kích thích điện tử làm cho chuyển từ trạng thái g lên trạng thái kích e (dịch chuyển (i)) (Hình 1.1.a) Từ trạng thái kích thích điện tử trở trạng thái (dịch chuyển (ii)), lúc phát quang Đối với trình huỳnh quang trễ hai trình (i) (ii) bé ( d10-8s) R.Chen Kirch (1981) đưa giải thích phụ thuộc vào nhiệt độ trình lân quang Khi có mặt mức bán bền m vùng cấm (Hình 1.1.b) e g, điện tử kích thích từ trạng thái g lên trạng thái e chiếu xạ bị bắt bẫy m Tại đây, điện tử tiếp tục nhận lượng E thích hợp để trở vùng dẫn e từ trở trạng thái g chuyển dời thông thường kèm theo trình xạ Như vậy, trễ q trình lân quang thời gian điện tử bị bắt bẫy m Theo lí thuyết nhiệt động học, thời gian điện tử bị bắt bẫy m nhiệt độ T E 1 KT W s e là: Với (1.1) s : Hằng số, gọi tần số thoát K: Hằng số Boltzman E: Độ chênh lệch lượng mức m mức e, gọi độ sâu bẫy hay lượng kích hoạt 10 CHƯƠNG 4: CẤU TRÚC TINH THỂ VÀ NHIỄU XẠ TIA X 4.1 Các hệ tinh thể: Tùy theo giá trị a, b, c, α, β, γ, người ta phân thành hệ tinh thể với kiểu ô mạng sở khác nhau, ô mạng sở lại phân thành kiểu mạng lưới khác ký hiệu sau: ¾ Kí hiệu P: Ơ mạng sở đơn giản ¾ Kí hiệu F: Tâm mặt mạng sở có chứa tiểu phân gọi mạng lưới tâm mặt ¾ Kí hiệu C: tâm hai đáy có chứa thêm tiểu phân gọi mạng lưới tâm đáy ¾ Kí hiệu I: Tại tâm điểm mạng sở có chứa tiểu phân gọi mạng lưới tâm khối Bảng 1: Cấ u trúc tinh thểvà thông sốtếbào mạ ng Hệ tinh thể Minh họa Lập phương (cubic) a=b=c α = β = γ = 90o Bốn phương (tetragonal) a = b ≠ c, α = β = γ = 90o Trực thoi (orthorhombic) a≠b≠c α = β = γ = 90o 20 Lục phương (hexagonal, trigonal) a = b ്c α = β = 90o, γ = 120o Mặt thoi (Rhombohedral) a = b = c, α = β = γ ് 90o Đơn tà (monoclinic) a്b ് c, α = β = 90o, γ ് 90o Tam tà (triclinic) a ്b ്c α ് β ് γ ് 90o 4.2 Mối liên hệ khoảng cách mặt mạng với thông số tế bào mạng[2] Với hệ lập phương: ଵ ൌ మ ୢ౞ౡౢ మ ୦మା୩మା௟ ୟమ 21 (1) Hệ tứ phương: ଵ ൌ ୦మା୩మ మ ୢ౞ౡౢ ୟమ ൅ మ ୪ (2) ୡమ Hệ trưc thoi: ଵ మൌ ୢ౞ౡౢ ୦మ ୩మ మ ୪ ୟ ௕ ୡమ మ൅ మ൅ (3) Hệ lục phương: ଵ ସ ୦మା୦୩ ା୩మ మൌ ቀ ଷ ୢ౞ౡౢ ୟమ ቁ൅ మ ୪ ୡమ (4) Hệ đơn tà: ଵ ൌ మ ୢ౞ౡౢ ଵ ୦మ మఉ ୩మǤ ௦௜௡ ቀ ൅ ௦ ௜ ௡మఉ ୟమ ୟమ మ ଶ௛ ୪ ௟௖௢௦ఉ ൅ మǤ ୡ ௔௖ ቁ      (5) Hệ tam tà có : ଵ ൌ మ ୢ౞ౡౢ ଵ ଶ ଶ ଶ ଶ ଶ ଶ ݄ଶܾଶܿଶ‫݊݅ݏ‬ ߙ൅݇ଶܽଶܿଶ‫݊݅ݏ‬ ߚ൅݈ ܽ ܾ‫݊݅ݏ‬ ߛ ൅ ൫ ௏మ ሺ ʹ݄ ܾ݇ܽ ܿଶሺ …‘• ߙǤ …‘• ߚǤ …‘• ߛሻ൅ʹ݄ ݇ܽଶܾܿ …‘• ߚǤ …‘• ߛǤ …‘• ߙሻ൅ ሺ ʹ݄ ݇ܽ ܾଶܿ …‘• ߙǤ …‘• ߛǤ …‘• ߚሻ ൯ (6) 4.3 Nhiễu xạ tia X Do có cấu trúc tuần hồn nên tinh thể đóng vai trị cách tử nhiễu xạ xạ có bước sóng cỡ số mạng Khi chiếu chùm tia X lên tinh thể tượng nhiễu xạ, ta thu hình ảnh tranh nhiễu xạ mà dựa vào ta biết đặc trưng mạng tinh thể Trước hết ta chưa xét đến ảnh hưởng chất nguyên tử mà vào đặc trưng hình học cấu trúc tinh thể Giả sử ta chiếu chùm tia X đơn sắc song song lên bề mặt tinh thể, tia X bị phản xạ mặt phẳng nguyên tử song song Theo phương phản xạ có cực đại nhiễu xạ hiệu quang trình chúng thoả mãn hệ thức Bragg: 22 2d.sinT=nO Hình 7: Nhiễu xạ mặt tinh thể Hình 8: Mơ máy nhiễ u xạtia X Dùng chùm tia X song song đơn sắc chiếu vào ống đựng bột mịn đa tinh thể Các tia nhiễu xạ xuất phát từ mặt phẳng nguyên tử tinh thể nhỏ thỏa mãn góc θ λ xác định, phổ nhiễu xạ số h,k,l hiển thị đồng thời với đỉnh tương ứng, từ việc xác định số tính dhkl ta thu giá trị số mạng 23 PHẦN 3: THỰC NGHIỆM Chế tạo mẫu 1.1 Phương pháp chế tạo Các mẫu vật liệu chế tạo phương pháp pha rắn, phương pháp truyền thống sử dụng phổ biến chế tạo vật liệu 1.2 Dụng cụ thí nghiệm Bảng 2: Dụ ng cụthí nghiệ m TÊN DỤNG CỤ CẦN THIẾT HÌNH MINH HỌA CƠNG DỤNG Cối chày sứ Đựng hóa chất để nghiền Cốc sứ Đựng hóa chất để nung 24 Cân điện tử có độ xác đến 0,001g Cân khối lượng hóa chất Lị nung Nung mẫu vật Tủ sấy Sấy khô dụng cụ 25 Cồn Làm dụng cụ 1.3 Quy trình chế tạo mẫu Bước Chuẩn bị dung cụ: Cối, chày cốc sứ làm sấy khô, sau tráng lại cồn Bước Xử lý tiền chất: Cân hóa chất theo tỉ lệ tính tốn cân điện tử cho vào cối sứ, sau dùng chày sứ nghiền mịn trộn 3h Bước Sấy hóa chất: Mang hóa chất nghiền mịn trộn cho vào cốc sứ, sấy khô nhiệt độ 50ºC Bước Tạo mẫu vật liệu: Nung hóa chất sấy nhiệt độ 1200ºC 2h, gia tốc nhiệt 10ºC/phút, sau để nguội tự nhiên 1.4 Tiền chất sử dụng mẫu tạo thành 1.4.1 Danh sách ti͉ n ch̭ t dùng ch͇t̩ o m̳ u B̫ng 3: Danh sách tiề n chấ t dùng chếtạ o mẫu Tên tiền chất Khối lượng mol (g/mol) Zn0 81,408 SiO2 60,0835 Sm2O3 348,72 Tb2O3 365,85 H3BO3 61,83 1.4.2 Danh sách m̳ u ch͇t̩ Rÿ˱ ͫc 26 Bảng 4: Danh sách mẫu chếtạ o ợ đư c SiO2.1% Tên mẫu ZnO.1% (mol) (mol) Tb3+.1% (mol) Sm3+.1% (mol) H3BO3 H1 1,1 1% 0,25% 5% hỗn hợp H2 1,1 1% 0,5% 5% hỗn hợp H3 1,1 1% 0,75% 5% hỗn hợp H4 1,1 1% 1% 5% hỗn hợp H5 1,1 1% 1,25% 5% hỗn hợp 1.5 Thiết bị đo mẫu: Bảng 5: Các thiế t bịđoẫu m vậ t Máy FL3-22: Thiết bị đo quang phổ Máy D8 ADVANCE: Máy nhiễu xạ tia X 27 Kết thảo luận: 2.1 Kết nhiễu xạ tia X: 2.1.1 Phổ nhiễu xạ hệ mẫu: Biểu đồ 1: Phổnhiễ u xạcủ a hệmẫ u Nhận xét: Phổ nhiễu xạ hệ mẫu đồng dạng Mẫu vật chế tạo tinh thể Biểu đồ 2: Phổnhiễ u xạcủ a mẫ u H1 28 Nhận xét: Vật liệu có cấu trúc đơn pha ( pha lục phương ) phù hợp với mẫu chuẩn Ngồi cịn dư tiền chất SiO2 2.1.2 Các số mạng: Bảng 6: Các hằ ng sốmạng Mẫu a(10-10m) c(10-10m) H1 13.88747 9.28583 H2 13.89291 9.28344 H3 13.86616 9.27164 H4 13.88615 9.28231 H5 13.86866 9.27382 Bảng 7: Hằ ng sốmạ ng củ a mẫ u chuẩn Mẫu chuẩn a(10-10m) c(10-10m) 13.9381 9.31 Nhận xét: Các số mạng mẫu vật hoàn toàn phù hợp với mẫu chuẩn 2.2 Phбkích thích c лa Tb3+ Sm3+ Biểu đồ 3: PhổPLE củ a Tb3+ 29 Biểu đồ 4: PhổPLE củ a Sm3+ So sánh phổ kích thích Sm3+ Tb3+, ta nhận thấy dùng bước sóng kích thích 375nm chuyển dời Tb3+, Sm3+ xảy mạnh Từ đó, ta chọn bước sóng 375nm để làm bước sóng kích thích 30 S1 (CPS) 2.3 Phổ phát quang mẫu CaSiO3 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% 340000 320000 300000 280000 260000 240000 220000 200000 180000 160000 140000 120000 100000 80000 60000 40000 20000 -20000 Tb 1% Sm 0,25% Tb 1% Sm 0,5% Tb 1% Sm 0,75% Tb 1% Sm 1% Tb 1% Sm 1,25% 400 450 500 550 600 650 700 Wavelength (nm) Bi͋ Xÿ ͛5: Phổ PL Zn2SiO4 Tb3+ 1% ,Sm3+ x% (λEx=375nm) Trên biểu đồ 5, ta nhận thấy kích thích với bước sóng 375nm xuất đỉnh phổ 564nm, 602nm, 647nm tương ứng với cá chuyển dời G5/2→6H5/2, 4G5/2→6H7/2 4G5/2→6H9/2 Sm3+ Trong đỉnh 602nm vượt trội đỉnh khác Các đỉnh phổ lại gồm 435nm, 487nm, 542nm, 582nm Tb3+ tương ứng với chuyển dời 5D3→7F4 , 5D4→7F6 , 5D4→7F5 , 5D4→7F3 [3][4] 31 2.4 Sự phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Biểu đồ 6: Sựphụthuộ c củ a nồ ngộphát đ quang vào nồngộSm đ3+ Ta thấy theo tăng dần nồng độ Sm3+, đỉnh phổ Tb3+ có thay đổi cường độ theo chiều giảm dần, đỉnh phổ Sm3+ tăng dần Điều cho thấy có truyền lượng từ Tb3+ sang Sm3+ Khi nồng độ Sm3+ tăng từ 1% đến 1,25 % có tăng vọt cường độ phát quang đỉnh thuộc chuyển dời Sm3+, giảm mạnh cường độ phát quang Tb3+ Đây nồng độ phù hợp với truyền lượng Kết luận Đã chế tạo thành công vật liệu phát quang Zn2SiO4 đồng pha tạp Tb3+ Sm3+ xuất hầu hết chuyển dời Tb3+ Sm3+ Xác định mẫu vật mạng tinh thể lục phương tính số mạng 32 Qua việc giữ nguyên nồng độ Tb3+ thay đổi nồng độ Sm3+ nghiên cứu đường biểu diễn phụ thuộc cường độ sáng xạ thuộc chuyển dời Sm3+ , Tb3+ vào nồng độ Sm3+ Chứng minh có truyền lượng từ Tb3+ sang Sm3+ tìm nồng độ chất phù hợp cho truyền lượng TÀI LIỆU THAM KHẢO : Tài li͏ u ti͇ ng Vi͏ t: (1) Phan Văn Thích ệ n ợ tư ng (1973), huỳ nh quang Hiật phân tích kĩ huỳ nh quang, ại họ c tổ NXB ng hợp Hà Đ Nội (2) Vật liệu vô cơ, Giáo sư Phan Văn Tường, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội 2007 (3) Phân tích phổvềcấ u trúc mạ ng củ a mộ t sốthủy tinh chứa DYPROSIUM Tài li͏ u ti͇ ng Anh: (4) Luminesc ence properties of Tb doped and Tm/ Tb/Sm co-doped glass es for LED applications Chaofeng Zhu, Xiaoluan Liang, Yunxia Yang, Guorong Chen 75-76 (2010) (5) G.Blasse, B.C.Grabmaier, Luminescent Materials (6) Gerhard Heinrich Dieke, Spectra and Energy levels of Rare Earth Ion in Crystals, The Johns Hopkins University Baltimore, Maryland 33 th Ý KIẾN CỦA NGƯỜI HƯỚNG DẪN Nh̵n xét: (Về chất lượng Khóa luận cần) Ý ki͇ n: Đánh dấu (X) vào ô lựa chọn Đồng ý thông qua báo cáo Không đồng ý thông qua báo cáo ., ngày tháng NGƯỜI HƯỚNG DẪN (Ký ghi rõ họtên) 34 ... ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KHOA VẬT LÝ LƯƠNG THU HUYỀN NGHIÊN CỨU ĐẶC ĐIỂM PHÁT QUANG CỦA VẬT LIỆU Sm3+ ĐỒNG PHA TẠP Tb3+ TRONG NỀN Zn2SiO4 KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP Chuyên ngành: Sư phạm Vật lý Khóa học: 2015... Sm3+ Tb3+ - Xét phụ thuộc cường độ phát quang vào nồng độ Sm3+ Nhiệm vụ nghiên cứu - Nhiệm vụ 1: Nghiên cứu kiến thức phát quang vật liệu phát quang - Nhiệm vụ 2: Nghiên cứu ion đất Sm3+ Tb3+ ... vi nghiên cứu a Đối ợng tư nghiên cứu - Tính chất phát quang vật liệu pha tạp nguyên tố đất Zn2SiO4 - Các số mạng b Phạm vi nghiên cứu - Giới hạn đối tượng nghiên cứu: Các tài liệu mẫu vật liệu