1. Nguyên lý cấu tạo và hoạt động, ký hiệu của diot Cấu tạo Diode bán dẫn thường đều có nguyên lý cấu tạo chung là một khối bán dẫn loại P ghép với một khối bán dẫn loại N và được nối với 2 chân ra là Anode và athode. Nguyên lí hoạt động Khối bán dẫn P chứa nhiều lỗ trống tự do mang điện tích dương nên khi ghép với khối bán dẫn N thì các lỗ trống này có xu hướng chuyễn động khuếch tán sang khối N. Cùng lúc khối P lại nhận thêm các điện tử (điện tích âm) từ khối N chuyển sang. Kết quả là khối P tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống và dư thừa điện tử) trong khi khối N tích điện dương (thiếu hụt điện tử và dư thừa lỗ trống). Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp một số điện tử bị lỗ trống thu hút và khi chúng tiến lại gần nhau Sự tích điện âm khối P và dương khối N hình thành một điện áp gọi là điện áp tiếp xúc (UTX). Vùng biên giới ở hai bên mặt tiếp giáp rất hiếm các hạt dẫn điện tự do nên được gọi là vùng nghèo. Vùng này không dẫn điện tốt, trừ khi điện áp tiếp xúc được cân bằng bởi điện áp bên ngoài. Điệp áp ngoài cùng chiều điện áp tiếp xúc làm ngăn dòng điện. Điốt chỉ cho phép dòng điện qua nó khi đặt điện áp theo một hướng nhất định.
1 Nguyên lý cấu tạo hoạt động, ký hiệu diot Cấu tạo Diode bán dẫn thường có nguyên lý cấu tạo chung khối bán dẫn loại P ghép với khối bán dẫn loại N nối với chân Anode athode Nguyên lí hoạt động Khối bán dẫn P chứa nhiều lỗ trống tự mang điện tích dương nên ghép với khối bán dẫn N lỗ trống có xu hướng chuyễn động khuếch tán sang khối N Cùng lúc khối P lại nhận thêm điện tử (điện tích âm) từ khối N chuyển sang Kết khối P tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống dư thừa điện tử) khối N tích điện dương (thiếu hụt điện tử dư thừa lỗ trống) Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp số điện tử bị lỗ trống thu hút chúng tiến lại gần Sự tích điện âm khối P dương khối N hình thành điện áp gọi điện áp tiếp xúc (UTX) Vùng biên giới hai bên mặt tiếp giáp hạt dẫn điện tự nên gọi vùng nghèo Vùng không dẫn điện tốt, trừ điện áp tiếp xúc cân điện áp bên Điệp áp chiều điện áp tiếp xúc làm ngăn dòng điện Điốt cho phép dòng điện qua đặt điện áp theo hướng định 6 Nêu nguyên lý hoạt hoạt động, ký hiệu IGBT? - Về cấu trúc bán dẫn IGBT giống với Mosfet điểm khác có thêm lớp p nối với colecto tạo nên cấu trúc bán dẫn p-np emito với colecto coi IGBT tương đương với transitor p-n-p với dòng bazo đươc điều khiển Mosfet - Dưới tác dụng điện áp điều khiển Uge > kênh dẫn với hạt mang điện điện tử hình thành giống cấu trúc Mosfet điện tử di chuyển phía colecto (C) vượt qua lớp tiếp giáp n-p cấu trúc bazo colecto transistor thường tạo nên dòng colecto Câu 10 Nêu điều kiện thơng khố linh kiện điện tử tích cực: diot transistor cơng suất? Diode UAK >0 trị số nhỏ dịng điện thuận nhỏ nên ốt chưa coi phân cực thuận Chỉ điện áp thuận UAK ≥ UD,0 (0,6~0,7V) đi-ốt tính phân cực thuận điốt dẫn điện Điện áp UD gọi điện áp thuận ngưỡng điôt UAK0, tiếp giáo BE BC phân cực thuận, dịng chạy qua cấu trúc bán dẫn Câu 12 Nêu điều kiện thơng khố MOSFET? Đối với kênh P : Điện áp điều khiển mở Mosfet U GS0 Dòng điện từ S đến D Đối với kênh N : Điện áp điều khiển mở Mosfet U GS>0, UDS φA2> φA3>…>φAn đồng thời φA1>φKC van D1 dẫn Lúc coi sụt áp van D1 dẫn ta thấy φKC=φA1 Điều dẫn đến điện áp van lại âm: φAK2= φA2-φKC=φA2-φA1 kênh dẫn với hạt mang điện điện tử hình thành giống cấu trúc Mosfet điện tử di chuyển phía colecto (C) vượt qua lớp tiếp... Nêu điều kiện thơng khố linh kiện điện tử tích cực: diot transistor công suất? Diode UAK >0 trị số nhỏ dịng điện thuận q nhỏ nên ốt chưa coi phân cực thuận Chỉ điện áp thuận UAK ≥ UD,0 (0,6~0,7V)... (0,6~0,7V) đi-ốt tính phân cực thuận điốt dẫn điện Điện áp UD gọi điện áp thuận ngưỡng điôt UAK