Luận văn thạc sĩ nghiên cứu một số đặc trưng của phản ứng quang hạt nhân trên bia mo với chùm photon hãm năng lượng

Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN -oOo - PHẠM CÔNG THUYÊN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƯNG CỦA PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN TRÊN BIA Mo VỚI CHÙM PHOTON HÃM NĂNG LƯỢNG CAO LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HàNội - 2014 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN -oOo - PHẠM CÔNG THUYÊN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƯNG CỦA PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN TRÊN BIA Mo VỚI CHÙM PHOTON HÃM NĂNG LƯỢNG CAO Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử Mã số: 60440106 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS Kim Tiến Thành HàNội - 2014 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên LỜI CẢM ƠN Luận văn " Nghiên cứu số đặc trưng phản ứng quang hạt nhân bia Molipđen với chùm photon hãm lượng cao" kết học tập trường Đại học Khoa học tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội trình làm luận văn thân Trung tâm Vật lý hạt nhân, Viện Vật lý, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến TS Kim Tiến Thành Trung Vật lý hạt nhân - Viện Vật lý, tận tình giảng dạy, truyền đạt kiến thức chuyên ngành hướng dẫn em hoàn thành luận văn Em xin gửi lời cảm ơn tới cán Trung tâm Vật lý hạt nhân - Viện Vật lý giúp đỡ, tạo điều kiện mặt chun mơn kỹ cho em hồn thành luận văn Em xin cảm ơn thầy giảng dạy lớp cao học khóa 2011 2013, đặc biệt thầy cô môn Vật lý hạt nhân - Trường Đại học Khoa học tự nhiên tận tình dạy dỗ, tạo điều kiện thuận lợi cho em suốt thời gian học tập trường Em gửi lời cảm ơn đến gia đình, bạn bè, lãnh đạo quan đồng nghiệp ủng hộ, động viên tạo điều kiện cho em hoàn thành luận văn Mặc dù nỗ lực cố gắng, chắn luận văn không tránh khỏi thiếu sót Rất mong nhận ý kiến đóng góp, bổ sung thầy bạn bè Hà Nội, tháng 12 năm 2014 Học viên Phạm Công Thuyên Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH VẼ DANH MỤC BẢNG BIỂU MỞ ĐẦU Chương 1: TỔNG QUAN VỀPHẢN ỨNG HẠT NHÂN, PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN 1.1 Khái niệm phản ứng hạt nhân 1.2 Phân loại phản ứng hạt nhân 1.3 Phản ứng quang hạt nhân 1.4 Một số mẫu phản ứng quang hạt nhân 10 1.4.1 Mẫu hạt nhân hợp phần 10 1.4.2 Cộng hưởng lưỡng cực điện khổng lồ 12 1.4.3 Cơ chế giả đơtron 14 1.4.4.Phản ứng photospallation 15 1.4.5 Công thức Rudstam 16 Chương 2: PHƯƠNG PHÁP VÀ KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM SỬ DỤNG TRONG NGHIÊN CỨU 20 2.1 Máy gia tốc electron tuyến tính 20 2.2.Xác định suất lượng phản ứng 21 2.3.Kỹ thuật ghi nhận phân tích phổ gamma 23 2.3.1 Phổ kế gamma 23 2.3.2 Chuẩn lượng 26 2.3.3 Chuẩn hiệu suất ghi 26 2.4 Một số hiệu chỉnh nâng cao độ xác kết đo 27 2.4.1 Hiệu ứng thời gian chết chồng chập xung 27 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên 2.4.2.Hiệu ứng tự hấp thụ tia gamma mẫu 28 2.4.3 Hiệu ứng cộng đỉnh 29 2.4.4.Hiệu chỉnh can nhiễu phóng xạ 30 Chương 3:KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN 33 3.1 Thí nghiệm xác định suất lượng phản ứng quang hạt nhân bia Mo 33 3.2 Đo xử lý phổ gamma mẫu kích hoạt 34 3.3 Kết xác định suất lượng phân bố suất lượng phản ứng hạt nhân bia Mo tự nhiên gây photon hãm lượng cực đại 2,5 GeV 37 KẾT LUẬN 55 TÀI LIỆU THAM KHẢO 56 PHỤ LỤC 59 Luận văn tốt nghiệp Phạm Cơng Thun DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1: Sơ đồ hình thành phân rã hạt nhân hợp phần Hình 1.2:Tiết diện phản ứng quang hạt nhân toàn phần cho nucleon với vùng lượng Hình 1.3: Phản ứng hạt nhân trải qua giai đoạn hợp phần 11 Hình 1.4: Sự phân cực hạt nhân 13 Hình 1.5: Suất lượng phản ứng quang hạt nhân bia 197Au bia 209Bi16 Hình 1.6: Phân bố suất lượng hạt nhân có số khối 50 [14] 19 Hình 2.3: Sơ đồ hệ phổ kế gamma 24 Hình 2.4: Sơ đồ phân rã đơn giản 29 Hình 2.5:Quá trình gây can nhiễu phân rã đồng vị phóng xạ 31 Hình 3.1: Sơ đồ bố trí thí nghiệm xác định suất lượng phản ứng photospallation bia Mo với chùm xạ hãm 2,5 GeV 33 Hình 3.2:Đường cong hiệu suất ghi khoảng cách khác 35 Hình 3.3:Phổ gamma mẫu Mo với thời gian chiếu 240 phút, thời gian phơi 45 phút thời gian đo 10 phút 35 Hình 3.4:Phổ gamma mẫu Mo với thời gian chiếu 240 phút, thời gian phơi 1,86 ngày thời gian đo 60 phút 36 Hình 3.5:Phổ gamma mẫu Mo với thời gian chiếu 240 phút, thời gian phơi ngày thời gian đo 120 phút 36 Hình 3.6: Phân bố suất lượng phản ứng natFe(,xnyp) theo số khối hạt54 Hình P1: Máy gia tốc tuyến tính 2,5 GeV Trung tâm Gia tốc Pohang(1) 59 Hình P2: Máy gia tốc tuyến tính 2,5 GeV Trung tâm Gia tốc Pohang(2) 59 Hình P3:Phổ gamma mẫu Mo với thời gian chiếu 240 phút, thời gian phơi ngày thời gian đo 120 phút 66 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 3.1 Đặc trưng mẫu Mo sử dụng luận văn 34 Bảng 3.2: Bảng nhận diện suất lượng phản ứng đồng vị tạo thành 37 Bảng P1 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector 0,5 cm 60 Bảng P2 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm 61 Bảng P3 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector 2,5 cm 62 Bảng P4 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm 63 Bảng P5 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm 65 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên MỞ ĐẦU Trong nghiên cứu phản ứng hạt nhân tiết diện/suất lượng phản ứng thơng tin quan trọng nhất, phản ánh xác suất tương tác chùm hạt/bức xạ với hạt nhân nguyên tử đồng thời làm sở để xác định chế tương tác Từ số liệu hạt nhân nói phân tích chế phản ứng, kiểm chứng độ tin cậy mơ hình lý thuyết phản ứng hạt nhân sử dụng nhiều lĩnh vực khác tính tốn tối ưu q trình sản xuất đồng vị phóng xạ, thiết kế, chế tạo vận hành máy gia tốc, lò phản ứng, che chắn phóng xạ, biến đổi chất thải hạt nhân, tạo nguồn nơtron thông lượng lớn qua phản ứng sinh nhiều hạt (spallation reaction) phân tích nguyên tố phương pháp kích hoạt khơng phá hủy… [7] Phản ứng hạt nhân phụ thuộc chủ yếu vào hạt nhân bia, loại hạt/bức xạ gây phản ứng lượng chúng Mức độ phức tạp phản ứng hạt nhân tăng theo lượng chùm hạt/bức xạ tới Các chùm hạt/bức xạ lượng thấp gây phản ứng hạt nhân đơn giản, thường phát vài nuclon Các thông tin thu từ phản ứng đơn giản đại diện cho phần trình tương tác chùm hạt/bức xạ với hạt nhân nguyên tử Các loại hạt/bức xạ có lượng cao (từ vài trăm MeV tới vài GeV) gây phản ứng hạt nhân sinh nhiều hạt, chế phức tạp phản ứng spallation, phản ứng phân mảnh (fragmentation) phản ứng phân hạch (fission) hạt nhân tiền actinit [7] Gần với phát triển kỹ thuật vật liệu gia tốc giúp mở rộng phạm vi nghiên cứu phản ứng hạt nhân sang vùng lượng cao (vùng GeV) thu số kết [7] Tuy nhiên số liệu thực nghiệm thu cịn so với nhu cầu sử dụng để xây dựng mơ hình bán thực nghiệm kiểm tra phù hợp mơ hình lý thuyết tiên đoán Phần lớn số liệu thực nghiệm có phản ứng với chùm proton [7], số liệu hạt nhân với nơtron photon lượng cao cịn tương đối tản mạn[7] Do việc nghiên cứu phản ứng quang hạt nhân vùng lượng cao không mang lại ý nghĩa khoa học mà phục vụ cho mục đích ứng dụng cụ thể Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Molipđen vật liệu sử dụng nhiều cơng nghệ lị phản ứng máy gia tốc hạt Các nghiên cứu suất lượng tiết diện phản ứng hạt nhân nguyên tố giúp cho việc tính tốn tốc độ hao mòn vấn đề liên quan đến an toàn xạ Luận văn với đề tài “Nghiên cứu số đặc trưng phản ứng quang hạt nhân bia Mo với chùm photon hãm lượng cao”, nhằm mục đích xác định thực nghiệm suất lượng phân bố suất lượng phản ứng hạt nhân bia Mo tự nhiên gây chùm photon hãm lượng cực đại 2,5 GeV Các số liệu thực nghiệm so sánh đánh giá với tính tốn theo cơng thức bán thực nghiệm Rudstam Nghiên cứu thực sở kết hợp phương pháp kích hoạt phóng xạ với kỹ thuật đo phổ gamma sản phẩm phóng xạ tạo thành sau phản ứngsử dụng đetectơ bán dẫn Gecmani siêu tinh khiết (HPGe) có độ phân giải lượng cao Trong nghiên cứu thực số hiệu chỉnh cần thiếtnhằm nâng cao độ tin cậy kết thực nghiệm [1-5,7] Thí nghiệm thực máy gia tốc electron tuyến tính 2,5 GeV Trung tâm gia tốc Pohang, Hàn Quốc Các số liệu thực nghiệm đề tài nghiên cứu thuộc Quỹ phát triển khoa học công nghệ quốc gia (NAFOSTED, mã số 103.04-2012.21 đề tài “Nghiên cứu suất lượng phân bố suất lượng phản ứng quang hạt nhân sinh nhiều hạt (photospallation) bia Mo tự nhiên” cung cấp Việc phân tích đánh giá số liệu thực Trung tâm Vật lý hạt nhân, Viện Vật lý, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam (VAST) Bố cục luận văn bao gồm: Phần mở đầu, chương, phần kết luận, tài liệu tham khảo phụ lục.Chương 1: Tổng quan phản ứng hạt nhân, phản ứng quang hạt nhân Chương 2: Phương pháp kỹ thuật thực nghiệm sử dụng nghiên cứu.Chương 3: Kết nghiên cứu thảo luận Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Chương TỔNG QUAN VỀ PHẢN ỨNG HẠT NHÂN, PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN 1.1 Khái niệm phản ứng hạt nhân Phản ứng hạt nhân xảy hạt nhân nguyên tử bị bắn phá chùm hạt/bức xạ Các hạt nhân bị bắn phá gọi hạt nhân bia, chùm hạt/bức xạ gọi chùm hạt tới Phản ứng hạt nhân tạo biến đổi hạt nhân bia cách sâu sắc Sản phẩm phản ứng gọi hạt nhân sản phẩm có số hạt/bức xạ giải phóng khỏi hạt nhân bia [9] Một phản ứng hạt nhân thường biểu diễn sau: [17] a+Ab+B (1.1) A(a,b)B a hạt/bức xạ tới tạo từ máy gia tốc, lò phản ứng, nguồn nơtron đồng vị, A hạt nhân bia, b B sản phẩm phản ứng Các hạt a b nơtron (n), proton (p), alpha (), đơtơri (d), gamma (), pi-meson (), … Sau đề cầp tới vài tham số phản ứng hạt nhân (như tiết diện phản ứng, lượng phản ứng,…) phân loại số phản ứng hạt nhân 1.2 Phân loại phản ứng hạt nhân Phản ứng hạt nhân xảy chùm hạt xạ tương tác với hạt nhân khoảng cách gần cỡ 1013cm sau phản ứng hạt nhân có phân bố lại lượng, xung lượng phát nhiều hạt, xạ Từ (1.1) định luật bảo tồn lượng viết sau [3, 17]: E 01 = E02 E 01 + T1 = E02 + T2 (1.2) E01 , T1 E02 , T2 biểu diễn lượng nghỉ động hạt nhân trước sau phản ứng: E01 = M Ac + ma c , E02 = M B c + mb c , T1 = T A + Ta , Luận văn tốt nghiệp STT 61 62 63 Sản phẩm 60 Cu 58 Co 56 Mn Phạm Công Thuyên Năng lượng tia Phản ứng hạt nhân T1/2 gamma (keV)(%) Eth (MeV) 96 Mo(,19n11p)66Ga 258,9741 97 Mo(,20n11p)66Ga 265,8113 98 Mo(,21n11p)66Ga 274,4755 100 Mo(,23n11p)66Ga 288,7254 92 Mo(,19n13p)60Cu 277,0193 94 Mo(,21n13p)60Cu 294,8151 95 Mo(,22n13p)60Cu 302,2038 96 Mo(,23n13p)60Cu 97 Mo(,24n13p)60Cu 318,2236 98 Mo(,25n13p)60Cu 326,8910 23,7 phút 1332,50(88) 311,3842 100 Mo(,27n13p)60Cu 341,1454 92 Mo(,19n15p)58Co 290,1388 94 Mo(,21n15p)58Co 307,9362 95 Mo(,22n15p)58Co 96 Mo(,23n15p)58Co 97 Mo(,24n15p)58Co 98 Mo(,25n15p)58Co Suất lượng (10-10/s) 0,1263 315,3256 70,86 ngày 810,77(99) 324,5068 0,1514 331,3467 340,0149 100 Mo(,27n15p)58Co 354,2704 92 Mo(,19n17p)56Mn 307,7139 94 Mo(,21n17p)56Mn 325,5136 95 Mo(,22n17p)56Mn 846,771(98,9)*; 332,9038 96 Mo(,23n17p)56Mn 2,5785giờ 1810,772(27,2); 342,0861 97 Mo(,24n17p)56Mn 2113,123(14,3) 348,9267 98 Mo(,25n17p)56Mn 357,5959 100 Mo(,27n17p)56Mn 371,8527 52 0,023 Luận văn tốt nghiệp STT 64 65 66 Sản phẩm 93 94 Năng lượng tia Phản ứng hạt nhân 12,8794 95 Mo(, 2n - )93Tc 20,2499 96 Mo(, 3n - )93Tc 2,75 97 Mo(, 4n - )93Tc 98 Mo(, 5n - )93Tc Tc 1363,02(66)*; 29,4067 1520,37(24,4) 42,151 100 Mo(, 7n - )93Tc 59,0997 95 Mo(, 1n - )94Tc 11,6256 96 Mo(, 2n - )94Tc 97 Mo(, 3n - )94Tc 98 Mo(, 4n - )94Tc 293 phút 702,6(99,6); 20,7815 849,74(95,7); 27,6046 871,09(100)* 36,2502 100 Mo(, 6n - )94Tc 50,4719 96 Mo(, 1n - )95mTc 10,8456 97 Mo(, 2n - )95mTc 98 Mo(, 3n - )95mTc 96 Mo(, 1n - )95Tc 97 Mo(, 2n - )95Tc 98 Mo(, 3n - )95Tc 204,12(63,25)*; 61 ngày 835,15(26,63) 68 96 Tc 98 Mo(, 2n - )96Tc lượng (10-10/s) 0,2243 0,3392 0,0948 26,3126 40,5328 10,8456 20 765,79(93,82)*; 17,6679 1073,71(3,74) 26,3126 Mo(, 5n - )95Tc Mo(, 1n - )96Tc 17,6679 582,08(29,96); 100 97 Suất 44,8768 Mo(, 5n - )95mTc 67 (MeV) Mo(, 1n - )93Tc 100 95 gamma Eth 94 95m Tc T1/2 (keV)(%) Tc Tc Phạm Công Thuyên 0,693 40,5328 4,28 ngày 100 Mo(, 4n - )96Tc 53 778,22(100); 9,7950 812,58(82)*; 18,4389 849,93(98) 32,6580 0,3736 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Về suất lượng phản ứng photospallation nat Mo(,xnyp) xác định thực nghiệm phù hợp tốt với giá trị tính tốn theo cơng thức Rudstam (1.32) Tuy nhiên qua phân tích cho thấy công thức Rudstam dường phản ứng hạt nhân photospallation (,xnyp), khơng có phù hợp tốt phản ứng hạt nhân sinh nơtron (,xn) Điều lý giải cơng thức biểu diễn phân bố suất lượng theo điện tích (Z) số khối (A) hạt nhân sản phẩm, phân bố suất lượng giảm theo hàm e mũ [24] Tuy nhiên suất lượng phản ứng (,xn) lại mô tả tương đối tốt công thức bán thực nghiệm [8]:  ( , xn )  aA tb exp[  37 At c ( x  1) / ] (3.1) đó: a = 10-10,b = 0,0,55, c = 1,05 At số khối hạt nhân bia Phân bố suất lượng phản ứng photospallation nat Mo(,xnyp) phân tích theo cơng thức bán thực nghiệm Rudstam với hệ số xác định từ thực nghiệm = −0,81 + 0,215 = 95,9313; = 7,8 = 0,000365; = 2500 , ( = 1,00049; ) , = 8,0 = 151,43151; k =2,5x10-10; , = 0,13777; S = 0,48;T (hình 3.6) Hình 3.6: Phân bố suất lượng phản ứng natFe(,xnyp) theo số khối hạt 54 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên KẾT LUẬN Luận văn trình bày kết nghiên cứu số đặc trưng phản ứng quan hạt nhân bia Mo tự nhiên với chùm photon hãm lượng 2,5 GeV máy gia tốc electron tuyến tính Các kết bao gồm: - Đã xác định 68 đồng vị phóng xạ tạo thành từ phản ứng quang hạt nhân hạt nhân bia Mo tự nhiên, phản ứng tạo nhiều số nucleon natMo(,xn17p)56Mn - Trong số 68 đồng vị sản phẩm có 03 đồng vị phóng xạ tạo thành từ phản ứng quang hạt nhân sinh nơtron nat Mo(,xn) là: 99 Mo, 93m Mo 90 Mo Có 05 đồng vị phóng xạ sinh từ phản ứng quang pion (pion photospallation)natMo(,xn-)là: 93Tc, 94Tc, 95mTc, 95gTc 96Tc Các đồng vị lại sản phẩm phản ứng quang hạt nhân sinh nhiều hạt (photospallation) (,xnyp) - Đã xác định suất lượng phân bố suất lượng theo số khối phản ứng nat Mo(,xnyp), nat Mo(,xn) nat Mo(,xn-) Kết nghiên cứu phân bố suất lượng phản ứng photospallation phù hợp tốt với kết tính tốn theo công thức bán thực nghiệm Rudstam (1.32) Tuy nhiên suất lượng phản ứng (,xn) (,xn-) không phù hợp với kết tính theo cơng thức Rudstam Suất lượng phản ứng (,xn) phù hợp tốt với công thức hàm e-mũ (3.1) 55 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt: Nguyễn Văn Đỗ (2004), Các phương pháp phân tích hạt nhân, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Bùi Văn Loát, Thái Khắc Định (2009),Các phương pháp xử lý số liệu thực nghiệm hạt nhân, NXB Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh Trần Thanh Hà (2008), Nghiên cứu phản ứng quang hạt nhân bia Fe gây xạ hãm lượng cực đại 2,5 GeV, luận văn thạc sỹ vật lý, Hà Nội Ngô Quang Huy,Cơ sở vật lý hạt nhân, Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật Phạm Đức Khuê (2006), Nghiên cứu phân bố xạ hãm nơtron máy gia tốc electron lượng 15 MeV, 65 MeV 2,5 GeV , Luận án Tiến sỹ, Hà Nội Phạm Đức Khuê, Nguyễn Đình Hồng, Vũ Thị Bích (2010),Xác định suất lượng đồng vị phóng xạ tạo thành từ vật liệu nano tác dụng chùm photon lượng cao, Kỷ yếu Hội nghị "Công nghệ vũ trụ ứng dụng - 2010", Hà Nội Kim Tiến Thành (2012), Nghiên cứu số đặc trưng phản ứng quang hạt nhân với photon hãm vùng lượng từ sau cộng hưởng lưỡng cực khổng lồ tới 2,5 GeV, luận án tiến sỹ vật lý, Hà Nội Trần Đức Thiệp,Máy gia tốc, Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật Tiếng Anh A S Demekhina and G A Vartapetyan(1977), Photonuclear reactions in medium weight nuclei 51V, 55Mn and Cu, Nucl Phys A 285 482 10 D J S Findlay (1990),Applications of photonuclear reactions Nucl, Inst and Meth 11 Nguyen Van Do, Pham Duc Khue, Kim Tien Thanh, Tran Hoai Nam, MD Shakilur Rahman, Guinyun Kim, Youngdo Oh, Hee-Seock Lee, Moo-Hyun Cho, In Soo Ko, and Won Namkung(2011), Measurement of isomeric yield ratios for the 44m,gSc isomeric pairs produced from 45Sc and natTi targets at 56 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên 50-, 60-, and 70-MeV Bremsstrahlung, J Radioanal and Nucl Chem 12 G.Kumbartzki and U Kim(1971), High-energy photonuclear reactions in vanadium and iron, Nucl Phys 13 G.Rudstam(1969), The evaporation step in spallation reactions, Nucl Phys 14 G Rudstam(1969), Nucl Phys 15 Hiromitsu Haba(2002),Recoil Studies of photonuclear reactions intermediate energies, J Nucl Radiochem Sci 16 J.R.Wu andC.C Chang(1977), Pre-equilibrium particle decay in the photonuclear reactions, Phys Rev 17 K N Mukhin(1987), Experimental Nuclear physics, Vol 1, Physics of atomic nucleus Mir Publisher 18 Kenneth S.Krane(1998), Introduction to nuclear physics, John Wiley & Sons, Inc, America 19 M.L.Terranova and O.A.P.Tavares(1994), Total Nuclear Photoabsorption at Cross Section in the Range 0.2-1.0GeV for Nuclei Throughout the Periodic Table, Phys Scri 20 M.U Khandaker, M.S Uddin,K.S Kim, Y.S.Lee, G.N Kim(2007),Measurement of cross-sections for the (p,xn) reactions in natural molybdenum, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 21 M.U Khandaker, M.S Uddin,K.S Kim, Y.S.Lee, G.N Kim(2007),Measurement of cross-sections for the (p,xn) reactions in natural molybdenum, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 22 R Serber(1947), Nuclear Reaction in High Energies, Phys Rev 23 R.Vanska, R.Rieppo1981), The experimental isomeric cross-section ratio in the nuclear activation technique, Nuclear Instruments and Methods 24 S.Takacs, F.Tarkanyi, M.Sonck, A.Hermanne(2002), New cross sections and intercomparison of proton monitor rections on Ti, Ni and Cu, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 25 Tatsuhiko Sato, Kazuo Shin, Syuichi Ban, Yoshihito Namoto, Hajime 57 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Nakamura, Hideo Hirayama(1997),Measurements of high – energy photonuclear reaction yields in the 2,5 GeV electron beam stop, Nucl, Instr and Meth 26 Tran Duc Thiep, Truong Thi An, Phan Viet Cuong, Nguyen The Vinh,The isomeric ratios in photonuclear reactions of natural barium induced by bremsstrahlungs with endpoint energies in the giant dipole resonance region J Radioanal Nucl Chem, DOI 10.1007/s10967-011-1371-9 27 V.di Napoli, F Salvetti and M.L Terranova(1978), Photodisintegration of light and medium-weight nuclei at intermediate energies –III, Spallation of Vandium, Manganese, Iron and Cobalt, J Inorg Nucl 28 Yuri M.Tsipennyuk(2002), The Microtron Development and Applications, Taylor & Francis 29 Zhendong Wu, Yinlu Han(2011),Calculation of cross-sections for p+92,94,96,97,98,100Mo reacrions up to 160MeV, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 30 Walter Benenson, John W Harris, Lutz(2001),Handbook of physics, Springer 31 http://ie.lbl.gov/toi/ 32 http://www-nds.iaea.or.at/ 33 http://atom.kaeri.re.kr/ 34 http://cdfe.sinp.msu.ru/services/calc_thr/calc_thr.html 58 Horst Stocker, Holger Luận văn tốt nghiệp p Phạm m Cơng Thun PHỤ LỤC Hình P1: Máy gia tố ốc tuyến tính 2,5 GeV Trung tâm Gia tốcc Pohang(1) Hình P2: Máy gia tố ốc tuyến tính 2,5 GeV Trung tâm Gia tốcc Pohang(2) 59 Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Bảng P1 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector 0,5 cm E(keV) Eff(%) E(keV) Eff(%) E(keV) Eff(%) E(keV) Eff(%) E(keV) Eff(%) 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250 255 2.444 3.925 5.565 7.227 8.803 10.226 11.460 12.492 13.329 13.983 14.473 14.821 15.046 15.168 15.205 15.170 15.078 14.941 14.766 14.563 14.339 14.098 13.846 13.586 13.321 13.054 12.787 12.521 12.258 11.999 11.744 11.494 11.250 11.012 10.779 10.553 10.333 10.120 9.913 9.712 9.517 9.327 9.144 8.967 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710 720 730 740 750 760 6.876 6.663 6.462 6.272 6.093 5.923 5.762 5.610 5.466 5.328 5.198 5.074 4.956 4.843 4.735 4.633 4.535 4.441 4.351 4.265 4.182 4.103 4.027 3.954 3.883 3.816 3.751 3.688 3.627 3.569 3.512 3.458 3.405 3.354 3.305 3.258 3.211 3.167 3.123 3.081 3.041 3.001 2.963 2.925 880 890 900 910 920 930 940 950 960 970 980 990 1000 1010 1020 1030 1040 1050 1060 1070 1080 1090 1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160 1170 1180 1190 1200 1210 1220 1230 1240 1250 1260 1270 1280 1290 1300 1310 2.547 2.521 2.495 2.469 2.445 2.420 2.397 2.373 2.351 2.329 2.307 2.286 2.265 2.244 2.224 2.205 2.186 2.167 2.148 2.130 2.112 2.095 2.078 2.061 2.045 2.028 2.012 1.997 1.981 1.966 1.951 1.937 1.923 1.908 1.895 1.881 1.867 1.854 1.841 1.828 1.816 1.803 1.791 1.779 1430 1440 1450 1460 1470 1480 1490 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 1590 1600 1610 1620 1630 1640 1650 1660 1670 1680 1690 1700 1710 1720 1730 1740 1750 1760 1770 1780 1790 1800 1810 1820 1830 1840 1850 1860 1.647 1.637 1.627 1.617 1.608 1.598 1.589 1.579 1.570 1.561 1.552 1.543 1.535 1.526 1.518 1.509 1.501 1.493 1.484 1.476 1.468 1.461 1.453 1.445 1.438 1.430 1.423 1.415 1.408 1.401 1.394 1.387 1.380 1.373 1.366 1.359 1.353 1.346 1.339 1.333 1.327 1.320 1.314 1.308 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040 2050 2060 2070 2080 2090 2100 2110 2120 2130 2140 2150 2160 2170 2180 2190 2200 2210 2220 2230 2240 2250 2260 2270 2280 2290 2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400 2410 1.237 1.232 1.226 1.221 1.216 1.210 1.205 1.200 1.195 1.189 1.184 1.179 1.174 1.169 1.164 1.159 1.155 1.150 1.145 1.140 1.136 1.131 1.126 1.122 1.117 1.113 1.108 1.104 1.099 1.095 1.091 1.086 1.082 1.078 1.074 1.070 1.065 1.061 1.057 1.053 1.049 1.045 1.041 1.037 60 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 260 265 270 275 280 285 290 295 300 310 320 Eff(%) 8.795 8.628 8.466 8.310 8.158 8.011 7.869 7.731 7.597 7.342 7.102 E(keV) 770 780 790 800 810 820 830 840 850 860 870 Phạm Công Thuyên Eff(%) 2.889 2.853 2.819 2.786 2.753 2.721 2.691 2.660 2.631 2.602 2.575 E(keV) 1320 1330 1340 1350 1360 1370 1380 1390 1400 1410 1420 Eff(%) 1.767 1.755 1.744 1.732 1.721 1.710 1.699 1.689 1.678 1.667 1.657 E(keV) 1870 1880 1890 1900 1910 1920 1930 1940 1950 1960 1970 Eff(%) 1.301 1.295 1.289 1.283 1.277 1.271 1.266 1.260 1.254 1.248 1.243 E(keV) 2420 2430 2440 2450 2460 2470 2480 2490 2500 Eff(%) 1.033 1.029 1.026 1.022 1.018 1.014 1.011 1.007 1.003 Bảng P2 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm E(keV) 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180 185 Eff(%) 2.018 3.242 4.598 5.971 7.274 8.450 9.470 10.325 11.017 11.558 11.965 12.253 12.441 12.542 12.573 12.546 12.471 12.358 12.214 12.047 11.862 11.664 11.456 11.242 11.023 10.803 10.582 10.363 10.146 9.932 E(keV) 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 Eff(%) 5.69933 5.52317 5.35701 5.20013 5.05187 4.91161 4.77878 4.65287 4.53341 4.41994 4.31206 4.20941 4.11163 4.01841 3.92947 3.84452 3.76333 3.68565 3.61129 3.54003 3.47171 3.40614 3.34318 3.28267 3.22448 3.16848 3.11456 3.0626 3.01251 2.96418 E(keV) 880 890 900 910 920 930 940 950 960 970 980 990 1000 1010 1020 1030 1040 1050 1060 1070 1080 1090 1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160 1170 61 Eff(%) 2.11857 2.09654 2.07502 2.054 2.03346 2.01339 1.99376 1.97456 1.95578 1.9374 1.91941 1.9018 1.88456 1.86766 1.85111 1.83489 1.81899 1.80339 1.7881 1.77311 1.75839 1.74395 1.72978 1.71586 1.7022 1.68878 1.67559 1.66264 1.64991 1.6374 E(keV) 1430 1440 1450 1460 1470 1480 1490 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 1590 1600 1610 1620 1630 1640 1650 1660 1670 1680 1690 1700 1710 1720 Eff(%) 1.373 1.364 1.356 1.348 1.340 1.332 1.324 1.317 1.309 1.302 1.294 1.287 1.280 1.273 1.265 1.258 1.252 1.245 1.238 1.231 1.225 1.218 1.212 1.205 1.199 1.193 1.187 1.181 1.175 1.169 E(keV) 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040 2050 2060 2070 2080 2090 2100 2110 2120 2130 2140 2150 2160 2170 2180 2190 2200 2210 2220 2230 2240 2250 2260 2270 Eff(%) 1.033 1.028 1.024 1.019 1.015 1.011 1.006 1.002 0.998 0.993 0.989 0.985 0.981 0.977 0.972 0.968 0.964 0.960 0.956 0.953 0.949 0.945 0.941 0.937 0.933 0.930 0.926 0.922 0.919 0.915 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 190 195 200 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250 255 260 265 270 275 280 285 290 295 300 310 320 Eff(%) 9.721 9.515 9.314 9.117 8.925 8.738 8.557 8.380 8.209 8.043 7.882 7.726 7.574 7.427 7.285 7.148 7.014 6.885 6.760 6.638 6.520 6.406 6.296 6.085 5.886 E(keV) 630 640 650 660 670 680 690 700 710 720 730 740 750 760 770 780 790 800 810 820 830 840 850 860 870 Phạm Công Thuyên Eff(%) 2.91752 2.87246 2.82891 2.78679 2.74605 2.70661 2.66841 2.6314 2.59552 2.56072 2.52695 2.49417 2.46234 2.4314 2.40133 2.37209 2.34365 2.31597 2.28902 2.26277 2.23719 2.21227 2.18797 2.16426 2.14114 E(keV) 1180 1190 1200 1210 1220 1230 1240 1250 1260 1270 1280 1290 1300 1310 1320 1330 1340 1350 1360 1370 1380 1390 1400 1410 1420 Eff(%) 1.62511 1.61301 1.60112 1.58943 1.57792 1.5666 1.55546 1.5445 1.53371 1.52308 1.51262 1.50232 1.49217 1.48218 1.47233 1.46262 1.45306 1.44363 1.43434 1.425 1.416 1.407 1.398 1.390 1.381 E(keV) 1730 1740 1750 1760 1770 1780 1790 1800 1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890 1900 1910 1920 1930 1940 1950 1960 1970 Eff(%) 1.163 1.157 1.151 1.145 1.140 1.134 1.129 1.123 1.118 1.112 1.107 1.102 1.097 1.091 1.086 1.081 1.076 1.071 1.066 1.061 1.057 1.052 1.047 1.042 1.038 E(keV) 2280 2290 2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400 2410 2420 2430 2440 2450 2460 2470 2480 2490 2500 Eff(%) 0.911 0.908 0.904 0.901 0.897 0.894 0.890 0.887 0.884 0.880 0.877 0.874 0.870 0.867 0.864 0.861 0.857 0.854 0.851 0.848 0.845 0.842 0.839 Bảng P3 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector 2,5 cm E(keV) 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 Eff(%) 1.215 1.950 2.765 3.589 4.370 5.074 5.684 6.194 6.606 6.928 7.168 7.338 7.447 7.504 7.519 7.500 7.451 E(keV) 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 Eff(%) 3.351 3.245 3.145 3.051 2.962 2.878 2.798 2.723 2.651 2.583 2.519 2.457 2.399 2.343 2.289 2.239 2.190 E(keV) 880 890 900 910 920 930 940 950 960 970 980 990 1000 1010 1020 1030 1040 62 Eff(%) 1.207 1.194 1.182 1.169 1.157 1.145 1.133 1.122 1.110 1.100 1.089 1.078 1.068 1.058 1.048 1.039 1.029 E(keV) 1430 1440 1450 1460 1470 1480 1490 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 1590 Eff(%) 0.764 0.759 0.754 0.750 0.745 0.740 0.736 0.731 0.726 0.722 0.718 0.713 0.709 0.705 0.701 0.696 0.692 E(keV) 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040 2050 2060 2070 2080 2090 2100 2110 2120 2130 2140 Eff(%) 0.564 0.561 0.558 0.556 0.553 0.551 0.548 0.545 0.543 0.540 0.538 0.535 0.533 0.531 0.528 0.526 0.523 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250 255 260 265 270 275 280 285 290 295 300 310 320 Eff(%) 7.381 7.292 7.189 7.076 6.954 6.828 6.697 6.564 6.430 6.296 6.163 6.032 5.902 5.775 5.650 5.528 5.409 5.293 5.181 5.071 4.965 4.861 4.761 4.664 4.570 4.479 4.390 4.305 4.222 4.141 4.063 3.988 3.915 3.844 3.776 3.709 3.582 3.463 E(keV) 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710 720 730 740 750 760 770 780 790 800 810 820 830 840 850 860 870 Phạm Công Thuyên Eff(%) 2.144 2.099 2.056 2.016 1.976 1.939 1.902 1.868 1.834 1.802 1.771 1.741 1.712 1.684 1.657 1.631 1.606 1.582 1.558 1.535 1.513 1.492 1.471 1.451 1.431 1.412 1.394 1.376 1.359 1.342 1.325 1.309 1.293 1.278 1.263 1.249 1.235 1.221 E(keV) 1050 1060 1070 1080 1090 1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160 1170 1180 1190 1200 1210 1220 1230 1240 1250 1260 1270 1280 1290 1300 1310 1320 1330 1340 1350 1360 1370 1380 1390 1400 1410 1420 Eff(%) 1.020 1.011 1.002 0.993 0.984 0.976 0.968 0.960 0.952 0.944 0.936 0.929 0.921 0.914 0.907 0.900 0.893 0.886 0.879 0.872 0.866 0.860 0.853 0.847 0.841 0.835 0.829 0.823 0.817 0.812 0.806 0.801 0.795 0.790 0.785 0.779 0.774 0.769 E(keV) 1600 1610 1620 1630 1640 1650 1660 1670 1680 1690 1700 1710 1720 1730 1740 1750 1760 1770 1780 1790 1800 1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890 1900 1910 1920 1930 1940 1950 1960 1970 Eff(%) 0.688 0.684 0.680 0.677 0.673 0.669 0.665 0.661 0.658 0.654 0.651 0.647 0.644 0.640 0.637 0.633 0.630 0.626 0.623 0.620 0.617 0.613 0.610 0.607 0.604 0.601 0.598 0.595 0.592 0.589 0.586 0.583 0.580 0.578 0.575 0.572 0.569 0.566 E(keV) 2150 2160 2170 2180 2190 2200 2210 2220 2230 2240 2250 2260 2270 2280 2290 2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400 2410 2420 2430 2440 2450 2460 2470 2480 2490 2500 Eff(%) 0.521 0.519 0.517 0.514 0.512 0.510 0.508 0.505 0.503 0.501 0.499 0.497 0.495 0.493 0.490 0.488 0.486 0.484 0.482 0.480 0.478 0.476 0.474 0.472 0.470 0.469 0.467 0.465 0.463 0.461 0.459 0.457 0.456 0.454 0.452 0.450 Bảng P4 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm E(keV) 40 45 50 Eff(%) 0.484 0.811 1.184 E(keV) 330 340 350 Eff(%) 1.629 1.577 1.528 E(keV) 880 890 900 63 Eff(%) 0.567 0.560 0.554 E(keV) 1430 1440 1450 Eff(%) 0.340 0.338 0.335 E(keV) 1980 1990 2000 Eff(%) 0.238 0.237 0.236 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250 255 260 265 270 275 280 285 290 Eff(%) 1.573 1.951 2.297 2.602 2.861 3.074 3.244 3.373 3.468 3.532 3.570 3.587 3.585 3.569 3.541 3.504 3.459 3.408 3.353 3.295 3.235 3.173 3.110 3.047 2.984 2.922 2.861 2.800 2.740 2.682 2.625 2.570 2.515 2.463 2.411 2.362 2.313 2.266 2.221 2.177 2.134 2.092 2.052 2.013 1.976 1.939 1.903 1.869 E(keV) 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710 720 730 740 750 760 770 780 790 800 810 820 830 Phạm Công Thuyên Eff(%) 1.482 1.438 1.397 1.358 1.321 1.286 1.252 1.221 1.190 1.161 1.134 1.108 1.082 1.058 1.035 1.013 0.992 0.972 0.952 0.934 0.916 0.898 0.882 0.866 0.850 0.835 0.821 0.807 0.793 0.780 0.768 0.756 0.744 0.732 0.721 0.710 0.700 0.690 0.680 0.670 0.661 0.652 0.643 0.635 0.626 0.618 0.610 0.603 E(keV) 910 920 930 940 950 960 970 980 990 1000 1010 1020 1030 1040 1050 1060 1070 1080 1090 1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160 1170 1180 1190 1200 1210 1220 1230 1240 1250 1260 1270 1280 1290 1300 1310 1320 1330 1340 1350 1360 1370 1380 64 Eff(%) 0.547 0.541 0.535 0.529 0.523 0.517 0.512 0.506 0.501 0.496 0.491 0.486 0.481 0.476 0.471 0.467 0.462 0.458 0.453 0.449 0.445 0.440 0.436 0.432 0.428 0.425 0.421 0.417 0.413 0.410 0.406 0.403 0.399 0.396 0.392 0.389 0.386 0.383 0.380 0.377 0.374 0.371 0.368 0.365 0.362 0.359 0.356 0.353 E(keV) 1460 1470 1480 1490 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 1590 1600 1610 1620 1630 1640 1650 1660 1670 1680 1690 1700 1710 1720 1730 1740 1750 1760 1770 1780 1790 1800 1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890 1900 1910 1920 1930 Eff(%) 0.333 0.330 0.328 0.326 0.323 0.321 0.319 0.316 0.314 0.312 0.310 0.308 0.306 0.304 0.302 0.300 0.298 0.296 0.294 0.292 0.290 0.288 0.286 0.284 0.282 0.280 0.279 0.277 0.275 0.273 0.272 0.270 0.268 0.267 0.265 0.263 0.262 0.260 0.259 0.257 0.256 0.254 0.253 0.251 0.250 0.248 0.247 0.245 E(keV) 2010 2020 2030 2040 2050 2060 2070 2080 2090 2100 2110 2120 2130 2140 2150 2160 2170 2180 2190 2200 2210 2220 2230 2240 2250 2260 2270 2280 2290 2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400 2410 2420 2430 2440 2450 2460 2470 2480 Eff(%) 0.234 0.233 0.232 0.230 0.229 0.228 0.227 0.225 0.224 0.223 0.222 0.221 0.219 0.218 0.217 0.216 0.215 0.214 0.212 0.211 0.210 0.209 0.208 0.207 0.206 0.205 0.204 0.203 0.202 0.201 0.200 0.199 0.198 0.197 0.196 0.195 0.194 0.193 0.192 0.191 0.190 0.189 0.188 0.187 0.186 0.186 0.185 0.184 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 295 300 310 320 Eff(%) 1.836 1.803 1.742 1.683 E(keV) 840 850 860 870 Phạm Công Thuyên Eff(%) 0.595 0.588 0.581 0.574 E(keV) 1390 1400 1410 1420 Eff(%) 0.351 0.348 0.345 0.343 E(keV) 1940 1950 1960 1970 Eff(%) 0.244 0.242 0.241 0.240 E(keV) 2490 2500 Eff(%) 0.183 0.182 Bảng P5 Hiệu suất ghi detector bán dẫn HPGe model GMX 20P (Ortec), vị trí cách detector cm E(keV) 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 Eff(%) 0.172 0.286 0.418 0.555 0.687 0.809 0.916 1.008 1.083 1.142 1.188 1.222 1.245 1.259 1.265 1.265 1.259 1.250 1.237 1.222 1.204 1.185 1.164 1.143 1.122 1.100 1.077 1.055 1.033 1.012 0.990 0.969 0.949 0.928 0.909 0.890 0.871 0.853 E(keV) 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 Eff(%) 0.574 0.555 0.538 0.521 0.506 0.491 0.477 0.464 0.451 0.439 0.428 0.417 0.407 0.397 0.387 0.378 0.370 0.361 0.353 0.346 0.339 0.332 0.325 0.319 0.312 0.306 0.301 0.295 0.290 0.285 0.280 0.275 0.270 0.266 0.261 0.257 0.253 0.249 E(keV) 880 890 900 910 920 930 940 950 960 970 980 990 1000 1010 1020 1030 1040 1050 1060 1070 1080 1090 1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160 1170 1180 1190 1200 1210 1220 1230 1240 1250 65 Eff(%) 0.195 0.192 0.190 0.188 0.186 0.184 0.181 0.179 0.177 0.175 0.174 0.172 0.170 0.168 0.166 0.165 0.163 0.161 0.160 0.158 0.157 0.155 0.154 0.152 0.151 0.149 0.148 0.147 0.145 0.144 0.143 0.142 0.140 0.139 0.138 0.137 0.136 0.134 E(keV) 1430 1440 1450 1460 1470 1480 1490 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 1590 1600 1610 1620 1630 1640 1650 1660 1670 1680 1690 1700 1710 1720 1730 1740 1750 1760 1770 1780 1790 1800 Eff(%) 0.117 0.116 0.115 0.114 0.114 0.113 0.112 0.111 0.111 0.110 0.109 0.108 0.108 0.107 0.106 0.105 0.105 0.104 0.103 0.103 0.102 0.102 0.101 0.100 0.100 0.099 0.098 0.098 0.097 0.097 0.096 0.096 0.095 0.094 0.094 0.093 0.093 0.092 E(keV) 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040 2050 2060 2070 2080 2090 2100 2110 2120 2130 2140 2150 2160 2170 2180 2190 2200 2210 2220 2230 2240 2250 2260 2270 2280 2290 2300 2310 2320 2330 2340 2350 Eff(%) 0.084 0.083 0.083 0.083 0.082 0.082 0.081 0.081 0.080 0.080 0.080 0.079 0.079 0.079 0.078 0.078 0.077 0.077 0.077 0.076 0.076 0.076 0.075 0.075 0.075 0.074 0.074 0.074 0.073 0.073 0.073 0.072 0.072 0.072 0.071 0.071 0.071 0.071 Luận văn tốt nghiệp E(keV) 230 235 240 245 250 255 260 265 270 275 280 285 290 295 300 310 320 Eff(%) 0.835 0.818 0.801 0.785 0.769 0.754 0.739 0.725 0.711 0.698 0.685 0.672 0.660 0.648 0.636 0.614 0.593 E(keV) 710 720 730 740 750 760 770 780 790 800 810 820 830 840 850 860 870 Phạm Công Thuyên Eff(%) 0.245 0.242 0.238 0.235 0.231 0.228 0.225 0.222 0.219 0.216 0.213 0.210 0.207 0.205 0.202 0.199 0.197 E(keV) 1260 1270 1280 1290 1300 1310 1320 1330 1340 1350 1360 1370 1380 1390 1400 1410 1420 Eff(%) 0.133 0.132 0.131 0.130 0.129 0.128 0.127 0.126 0.125 0.124 0.123 0.122 0.121 0.120 0.119 0.119 0.118 E(keV) 1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890 1900 1910 1920 1930 1940 1950 1960 1970 Eff(%) 0.092 0.091 0.091 0.090 0.090 0.089 0.089 0.088 0.088 0.087 0.087 0.086 0.086 0.086 0.085 0.085 0.084 E(keV) 2360 2370 2380 2390 2400 2410 2420 2430 2440 2450 2460 2470 2480 2490 2500 Eff(%) 0.070 0.070 0.070 0.069 0.069 0.069 0.069 0.068 0.068 0.068 0.067 0.067 0.067 0.067 0.066 Hình P3:Phổ gamma mẫu Mo với thời gian chiếu 240 phút, thời gian phơi ngày thời gian đo 120 phút 66 ... xạ Luận văn với đề tài ? ?Nghiên cứu số đặc trưng phản ứng quang hạt nhân bia Mo với chùm photon hãm lượng cao”, nhằm mục đích xác định thực nghiệm suất lượng phân bố suất lượng phản ứng hạt nhân. .. QUAN VỀPHẢN ỨNG HẠT NHÂN, PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN 1.1 Khái niệm phản ứng hạt nhân 1.2 Phân loại phản ứng hạt nhân 1.3 Phản ứng quang hạt nhân 1.4 Một số mẫu... luận Luận văn tốt nghiệp Phạm Công Thuyên Chương TỔNG QUAN VỀ PHẢN ỨNG HẠT NHÂN, PHẢN ỨNG QUANG HẠT NHÂN 1.1 Khái niệm phản ứng hạt nhân Phản ứng hạt nhân xảy hạt nhân nguyên tử bị bắn phá chùm hạt/ bức