BAI GIAI NHDT TRAC NGHIEM CKDT

2 / Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được a Không dẫn điện.. c Phân cực ngược... d Hoạt động ở vùng đánh thủng.[r]

HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG Km10 Đường Nguyễn Trãi, Hà Đơng-Hà Tây Tel: (04).5541221; Fax: (04).5540587 Website: 0H htt p ://www.e-ptit.e d u.v n ; E-mail: H dhtx@e- p tit.ed u

NGÂN HÀNG ĐỀ THI

MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Dùng cho hệ ĐHTX ngành ĐIỆN TỬ VIỄN THƠNG

(60 tiết – tín chỉ)

CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Câu hỏi loại 1:

1 / Theo lý thuyết dải lượng vật chất độ rộng vùng cấm E

Gcủa chất bán

dẫn có giá trị:

a E = 0eV

G

b E > 6eV

G

c E = 0eV ÷ 6eV

G

d E = 0eV ÷ 2eV

G

2 / Các tính chất vật lý điện chất điện môi là: số điện môi ε, độ tổn hao điện môi (P ),

a

độ bền điện E , nhiệt độ chịu đựng điện trở cách điện

a Đúng

b Sai

đ.t

3 / Dựa theo lịch sử phát triển công nghệ điện tử cấu kiện điện tử chia làm loại cấu kiện điện tử

chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô a Sai

b Đúng

4 / Hệ số nhiệt điện trở suất α biểu thị:

a Sự thay đổi điện trở suất nhiệt độ thay đổi 10 C

b Sự thay đổi điện trở nhiệt độ thay đổi 10 C c Sự tăng điện trở suất nhiệt độ thay đổi 10 C

d Sự thay đổi điện trở suất nhiệt độ thay đổi khoảng ∆t / Tính dẫn điện chất bán dẫn tạp loại N do:

a Các i-on âm định

b Hạt dẫn điện tử hạt dẫn lỗ trống định c Hạt dẫn lỗ trống định

d Hạt dẫn điện tử đinh

a Các i-on âm định b Hạt dẫn điện tử định

c Hạt dẫn điện tử hạt dẫn lỗ trống định

d Hạt dẫn lỗ trống định

7 / Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ độ từ thẩm tương đối (µ ), điện trở suất

r

(ρ), hệ số nhiệt điện trở suất (α) a Đúng

b Sai

8 / Tại nhiệt độ phòng, miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống a Chất cách điện

b Một đoạn dây đồng

c Chất dẫn điện

d Một nguồn điện

9 / Dịng điện chất điện mơi gồm có thành phần

a Dịng điện phân cực dòng điện rò

b Dòng điện phân cực dịng điện trơi c Dịng điện khuếch tán dịng điện trơi

d Dịng điện khuếch tán dòng điện phân cực

1 / Vật liệu bán dẫn quang hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba bốn thành phần nguyên tố thuộc

a Nhóm nhóm b Nhóm nhóm

c nhóm nhóm

d Nhóm nhóm Câu hỏi loại 2:

1 / Dịng điện chất bán dẫn gồm có:

a Ba thành phần dòng điện rò, dòng điện phân cực, dòng điện khuếch tán b Hai thành phần dòng điện khuếch tán dòng điện chuyển dịch (dòng phân cực)

c Bốn thành phần dòng điện rò, dòng điện khuếch tán, dòng điện phân cực dịng điện trơi

d Hai thành phần dịng điện khuếch tán dịng điện trơi

1 / Ferit từ mềm vật liệu từ dùng rộng rãi tần số cao có:

a Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích hợp

b Điện dẫn suất thấp, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hịa thích

hợp

a Tụ điện b Không phải ký hiệu cấu kiện điện tử

c Bộ dao động thạch anh

d Điốt bán dẫn

1 / Chất điện môi thụ động thường dùng làm a Lõi cuộn dây biến áp

b Tụ điện chất cách điện c Điện trở

d Điện trở tụ điện

Câu hỏi loại 3:

1,5.1015.cm 3

Hãy tính nồng độ hạt dẫn miếng bán dẫn nhiệt độ 3000 K (cho biết n =

i 1,5.1010.cm 3

)

1,5.1015.cm 3 1,5.10

5

.cm 3 a N =n

b N =

n

; P =n 1,5.1015.cm 3

; P =n

105.cm 3

c N =

n 10 5.cm 3

; P =

n

1,5.105.cm 3

d N =

n

1,5.1015.cm 3

; P =n 1,5.10 5.cm 3

1 / Đồng nguyên chất kim loại dẫn điện tốt điện trở suất a 0, 024.m

b 0, 0165.m

c 0, 0175.m

d 0,030 µΩ.m

1 / Thạch anh thường dùng làm dao động thạch anh có tần số dao động

a Rất ổn định

b Trung tần c Rất thấp d Rất cao

CHƯƠNG 2: CÁC CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Câu hỏi loại 1

1 / Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở a Chất dẫn điện có điện trở suất thấp b Tất loại vật liệu

c Chất dẫn điện có điện trở suất cao

d Chất cách điện

Trị số điện trở, dung sai trị số điện trở, điện áp làm việc cho phép a Đúng

b Sai

3 / Tecmixto điện trở có hệ số nhiệt mang giá trị âm a Sai

b Đúng

4 / Khi sử dụng tụ điện cần ý tham số chúng là: trị số dung lượng, dung sai, điện áp làm việc

a Đúng

b Sai

5 / Tổn thất cuộn cảm biểu thị sơ đồ mạch tương đương a Một tụ điện mắc song song với cuộn dây

b Một điện trở tụ điện mắc song song với cuộn dây

c Một điện trở nối tiếp với cuộn dây

d Một điện trở song song với cuộn dây

6 / Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc dùng loại ghép lỏng, biến áp cao tần dùng để biến đổi tổng trở dùng loại ghép chặt

a Sai

b Đúng

7 / Tụ hóa loại tụ có chất điện mơi dung dịch hóa học

a Sai

b Đúng

8 / Varixto điện trở mà trị số điều khiển a Nhiệt độ mơi trường

b Dịng điện chạy qua

c Điện áp đặt lên

d Từ trường xung quanh

9 / Tụ xoay có nhiều ngăn Mỗi ngăn có tĩnh động chế tạo từ đồng nguyên chất, đặt xen kẽ

a Đúng

b Sai

Câu hỏi loại 2:

1 / Một điện trở màu có vịng màu theo thứ tự: vàng - tím - - vàng kim có trị số điện trở

a 470K  10%

b 4700K   5%

c 4, 7M  10% d 470M   5%

1 / “Luật điện trở” tham số của:

a Biến trở

d Điện trở than tổng hợp

1 / Khi tụ điện làm việc tần số cao phải ý đến:

a Tổn hao công suất tụ thông qua hệ số tổn hao DF

b Cả tham số

c Dung sai tụ điện tính theo % d Điện áp làm việc cho phép tụ điện / Các tham số kỹ thuật cuộn cảm

a Điện cảm (L), điện trở nối tiếp biểu thị tổn hao cuộn cảm (R

), kích thước cuộn cảm

b Hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng cuộn cảm (C), số vòng dây (N) c Điện cảm (L), tần số làm việc giới hạn (f

gh), điện dung riêng cuộn cảm (C) d Điện cảm (L), hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng cuộn cảm (C)

1 / Cuộn dây không lõi làm việc tần số cao thường yêu cầu phải có

a Điện cảm ổn định, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng nhỏ tần số làm việc

b Điện cảm ổn định, hệ số nhiệt cao, điện dung riêng lớn tần số làm việc

c Điện cảm thích hợp, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng lớn tần số làm việc d Điện cảm cao, hệ số phẩm chất nhỏ, điện dung riêng cao tần số làm việc / Lõi cuộn dây ferit điều chỉnh để

a Thay đổi tần số làm việc giới hạn cuộn dây b Thay đổi tổn thất cuộn dây

c Thay đổi điện cảm cuộn dây

d Thay đổi tham số kỹ thuật

1 / Khi sử dụng điện trở ta phải biết tham số chúng?

a Trị số điện trở, dung sai cơng suất tiêu tán (nếu có)

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán khoảng nhiệt độ làm việc c Trị số điện trở, dung sai, điện áp làm việc cho phép

d Trị số điện trở, hệ số nhiệt dòng điện cực đại

1 / Khi sử dụng tụ điện ta phải biết tham số chúng? a Trị số điện dung, dung sai công suất tiêu tán

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán khoảng nhiệt độ làm việc

c Trị số điện dung, dung sai điện áp làm việc cho phép

d Trị số điện dung, hệ số nhiệt dòng điện cực đại

Câu hỏi loại 3:

1 / Biến áp âm tần có đáp ứng tần số khơng phẳng khoảng tần số thấp 100Hz

cao 10KHz ảnh hưởng điện cảm cuộn sơ cấp tổn hao lượng lõi sắt từ

(do điện cảm rò điện dung phân tán vòng dây) tăng lên?

a Đúng

b Sai

1 / Một điện trở có ghi tri số kΩ dung sai 5%, hỏi trị số điện trở bao nhiêu?

b Khoảng từ 950 ÷ 1000 c Khoảng từ 950  ÷ 1050 

d Khoảng từ 0,95K ÷ 10,5K 

CHƯƠNG 3: ĐIỐT BÁN DẪN Câu hỏi loại 1.

1 / Tính chất vật lý lớp tiếp xúc P-N khả dẫn điện tốt phân cực thuận phân cực ngược

a Đúng

b Sai

2 / Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận

a Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng b Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

c Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

d Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng / Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc

a Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

b Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

c Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi tác dụng điện trường tiếp xúc tạo nên

d Cả hạt dẫn đa số thiểu số chuyển động trôi tác động điện trường tạo nên

4 / Nguyên lý hoạt động ốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện chiều lớp tiếp xúc P-N

a Sai

b Đúng

5 / Trên thực tế, ốt bán dẫn phân cực thuận điện áp đặt lên ốt phải:

a U AK U D

b U AK  U D

c U AK U D

d U AK  0V

6 / Ký hiệu sau cấu kiện nào:

a Đi ốt zener

7 / Varicap ốt bán dẫn có chức môt: a Cuộn cảm

b Tụ điện

c Điện trở d Biến áp

8 / Đi ốt chỉnh lưu hoạt động chế độ phân cực thuận a Sai

b Đúng

9 / Đặc tính ốt chỉnh lưu

a Giá trị dòng điện thuận cực đại nhiệt độ làm việc cho phép b Giá trị dòng điện thuận cực đại điện áp thuận cho phép

c Giá trị dòng điện thuận cực đại điện áp ngược cho phép

d Giá trị dòng điện thuận cực đại công suất tiêu tán cực đại

1 / Ảnh hưởng nhiệt độ lên dòng điện ngược bão hòa ốt tính xấp xỉ

a Tăng gấp lần tăng nhiệt độ lên 100 C

b Tăng gấp lần tăng nhiệt độ lên 150 C

c Tăng gấp lần tăng nhiệt độ lên 100 C

200 C

1 / Điốt có khả biến đổi dịng điện xoay chiều thành chiều gọi a Điốt chuyển mạch

b Điốt ổn áp c Điốt tunen

d Điốt chỉnh lưu

1 / Điện áp ngược cho phép điốt thường chọn a 0,6 U

đ.t

b Uđ

.t c 0,8 Uđ.t.

d 0,5 U

đ.t

1 / Điốt Sơtky loại điốt có lớp tiếp xúc: a Bán dẫn - chất cách điện

b Bán dẫn - bán dẫn c Bán dẫn- vật liệu từ

d Bán dẫn - kim loại Câu hỏi loại 2:

1 / Mối quan hệ dòng điện điện áp đặt ốt bán dẫn biểu diễn công thức:

⎛ U AK ⎛

I 

I a

⎛ e ⎛

⎛

 1⎛ ⎛

⎛ U AK ⎞

⎜ e VT

0 ⎜

với I

là dòng điện ngược bão hòa

⎛ U AK 1 ⎞

I 

I c

⎜e

0 ⎛

⎝

⎟

⎛

⎠ với I

là dòng điện ngược bão hòa

⎛

I  I ⎛

e 0

⎛

d ⎛

U AK

VT ⎛  1⎛ ⎛

⎛ với I0 dòng điện ngược bão hòa

1 5/ Điện trở động (R ) ốt tham số quan trọng, tính theo cơng

i

thức

R i  VT

I

a M với I

Mlà dòng điện ốt chế độ động

U D Ri 

b I 0

với I

0là dòng điện ngược bão hòa

R U

D

c M

R 

V T d M với I M với I

là dòng điện chế độ làm việc tĩnh

là dòng điện ốt chế độ tĩnh

M

1 / Điot bán dẫn coi điện trở có trị số độ

R 

V T

I M

khi hoạt động chế

a Phân cực thuận với tín hiệu nhỏ tần số thấp

b Phân cực thuận với tín hiệu nhỏ tần số cao c Phân cực thuận

d Phận cực ngược với tín hiệu nhỏ

1 / Sơ đồ tương đương ốt bán dẫn có dạng mạch hình vẽ làm việc chế độ

a Phân cực thuận với tín hiệu nhỏ tần số cao

b Phân cực thuận với tín hiệu nhỏ tần số thấp c Phân cực ngược với tín hiệu nhỏ tần số cao d Phân cực ngược với tín hiệu nhỏ tần số thấp

I i

a 300 mA b mA

c Không phải giá trị

d mA

1 / Sơ đồ tương đương điốt phân cực thuận coi

a Một điện trở thực

b Một nguồn điện áp thực

c Một nguồn điện áp lý tưởng

d Một nguồn dịng lí tưởng

2 / Tham số quan trọng điốt xung a Thời gian xuống t

f

b Thời gian lên t

r

c Điện áp đánh thủng U

dt

d Thời gian phục hồi chức ngắt t p

2 / Sơ đồ tương đương điốt phân cực thuận coi

a Một nguồn dòng lí tưởng b Một nguồn điện áp lý tưởng

c Một nguồn điện áp thực

d Một điện trở thực

2 / Sơ đồ tương đương ốt phân cực ngược coi

a Một nguồn điện áp lý tưởng b Một điện trở thực

c Một nguồn dịng lí tưởng

d Một nguồn điện áp thực

2 3/ Một điốt xung có thời gian phục hồi chức ngắt t

p

a Tốc độ chậm

d Tốc độ trung bình

2 / Điốt Sốtky loại điốt xung có tốc độ chuyển mạch a Tốc độ trung bình

b Tốc độ chậm

c Tốc độ nhanh

d Tốc độ chậm

Câu hỏi loại 3:

2 5/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E ) lớp tiếp xúc P-N trạng thái cân

0

động

được xác định theo công thức: N D N A

E0  KT ln 2

a i

với N , N

là nồng độ tạp chất Nhận tạp chất Cho, tương ứngD A

N D N A E0 VT ln 2

b i

với N , N nồng độ tạp chất Nhận tạp chất Cho, tương ứng V làD A T điện nhiệt

N D E0 KT ln

c N A

với N , N nồng độ tạp chất Nhận tạp chất Cho, tương ứng.D A

N D N A

E0 VT ln

i d

VT ln 2

ni

với N , N nồng độ tạp chất Nhận tạp chất Cho, tương ứng V làD A T điện nhiệt

2 / Hãy tính cường độ dịng điện chạy qua ốt sơ đồ mạch

a 14 mA

b 20 mA c mA d 14 A

2 7/ Hãy tính cơng suất tiêu tán ốt zener biết điện áp nguồn cung cấp U =

S

24V,

điện áp ốt 10V dòng điện qua ốt 20mA

a 200 W

n

2

b 200 mW

c 280 mW

d 480 mW

2 / Cho sơ đồ mạch hình vẽ với điốt silic, tính dịng điện chạy mạch điot phân cực thuận

a 10 mA

b A c 9,3 A

d 9,3 mA

2 / Cho mạch điện hình vẽ Hãy cho biết giá trị điện trở để có dịng điện qua điốt xấp xỉ 10 mA?

a 430 KΩ

b KΩ

c 430 Ω

d 500 Ω

3 / Một điốt có điện áp 0,7V dịng điện chạy qua 50mA Hỏi cơng suất bao nhiêu?

a 3,5 W

b 50 mW

c 35 mW

d 35 W

(V ) điốt zener phụ thuộc vào

Z

a Phương pháp tỏa nhiệt cho điốt b Dòng điện ngược bão hòa

c Nồng độ tạp chất chất bán dẫn

d Điện áp đặt lên

3 / Hai điốt mắc nối tiếp Điốt thứ có điện áp phân cực 0,75 V điốt thứ hai có điện áp phân cực 0,8 V

Nếu dòng điện qua điốt thứ 100mA, hỏi dòng điện qua điốt thứ hai bao nhiêu?

a 140 mA b 120 mA

c 80 mA

d 100 mA

3 3/ Cho mạch điện hình vẽ Điện áp điểm nối R

và R

đo V

Điện áp ốt điện trở KΩđo V Hỏi điều xảy mạch điện?

a Đi ốt bị đứt hỏng

b Đi ốt bị nối tắt

c Mạch hoạt động bình thường d Điện trở bị nối tắt

3 / Có hai điốt mắc nối tiếp với với nguồn điện cung cấp mạch 1,4V Điốt thứ có điện áp 0,75V Nếu dòng điện chạy qua ốt thứ 500mA, hỏi điốt thứ hai có công suất bao nhiêu?

a 325 mW

b Cả đáp án không

c 375 mW

d 300 mW

CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT) Câu hỏi loại 1.

1 / Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số phần gốc a Cả hai loại hạt dẫn

b Các lỗ trống

c Các điện tử tự

d Không phải hai loại hạt dẫn

b Phân cực thuận c Phân cực ngược

d Hoạt động vùng đánh thủng

3 / Khi tranzito hoạt động chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc a Hoạt động vùng đánh thủng

b Phân cực thuận c Không dẫn điện

d Phân cực ngược

4 / Phần gốc tranzito lưỡng cực mỏng

a Có độ pha tạp thấp

b Là kim loại

c Có độ pha tạp cao

d Pha tạp chất nguyên tố có hóa trị năm

5 / Trong tranzito loại N-P-N phân cực chế độ tích cực,

các điện tử phần phát có đủ lượng để vượt qua hàng rào a Tất vùng

b Lớp tiếp xúc góp-gốc

c Lớp tiếp xúc phát-gốc

d Vùng tái hợp

6 / Khi điện tử tự tái hợp với lỗ trống phần gốc tranzito điện tử tự trở thành

a Một điện tử tự khác b Một điện tử vùng dẫn

c Một điện tử hóa trị

d Một hạt dẫn đa số

7 / Yếu tố quan trọng để nói dịng điện cực góp (I )?C a Nó nhỏ

b Nó dịng điện cực gốc (I

B

) chia cho hệ số khuếch đại dịng điện

d Nó xấp xỉ dòng điện cực phát (I ).E

8 / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động chế độ ngắt thì:

a Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận b Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận

c Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động chế độ bão hịa

a Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược

b Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược

c Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động chế độ tích cực

a Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận b Cả ba trường hợp phân cực

d Tiếp xúc phát-gốc tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược / Nguyên lý hoạt động hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P N-P-N

là hoàn toàn giống kể nguồn cung cấp bên đặt lên chân cực?

a Sai

b Đúng

1 / Trong vùng tích cực tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát (U ) làBE

a 0,7 V

b V c V d 0,3 V

1 3/ Trong vùng bão hòa tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (U

)

a 0,3 V

b V c 0,7 V d V

1 4/ Một tranzito mạch điện phân cực với điện áp tĩnh U

BE= 0,7V;

U = 0,2 V

CE

Hỏi tranzito hoạt động chế độ nào? a Tích cực

b Bão hịa

c Ngắt

d Không phải chế độ

1 5/ Một tranzito mạch điện phân cực với điện áp tĩnh là: U

BE= V;

UCE EC .

Hỏi tranzito hoạt động chế độ nào?

a Ngắt

b Bão hịa c Tích cực

d Khơng phải chế độ

1 / Tranzito coi chuyển mạch hoạt động chế độ a Ngắt tích cực

b Khơng phân cực c Bão hịa tích cực

d Ngắt bão hòa

1 / Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn tạo dịng điện góp? a Các I on

b Hạt dẫn lỗ trống

c Tất loại hạt dẫn d Hạt dẫn điện tử

1 / Quan hệ hệ số khuếch đại dòng điện α β mô tả qua công thức:

 1 

 1 

b 

  

c 1 

  

d 

Câu hỏi loại 2:

1 / Quan hệ dịng điện góp dịng điện gốc tranzito lưỡng cực thể qua công thức

a I = (β+1)I

C B

CB0

b I = β + (β+1)I

C CB0

c I = βI

C B+ ICB0

d I = αI

C B + (α+1)ICB0

2 / Quan hệ dòng điện góp dịng điện phát tranzito lưỡng cực thể qua công thức

a I = αI

C E+ ICB0

b I = αI

C E

c I = αI

C E

- I

CB0

d I = α(I + I )C E CB0

2 / Một tranzito có dịng điện phát 10 mA, dịng điện góp 9,95 mA Hỏi dịng điện gốc bao nhiêu?

a  1mA

b 0,5 mA c 19,95 mA

d 0,05 mA

2 / Dịng điện cực góp mA, dịng điện gốc 0,02 mA Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện β bao nhiệu?

a 250

b 100

c 50 d 25

2 / Một tranzito có hệ số khuếch đại dịng điện 125 dòng điện gốc 30μA Hỏi dịng điện cực góp bao nhiêu?

a 37,5 mA b 3,75 A c

375 μA

d 3,75 mA

a Phát chung (CE)

b Gốc chung (CB) c Góp chung (CC) d Dacling tơn

2 / Tranzito sơ đồ mạch mắc theo cách nào?

a Gốc chung (CB) b Phát chung (CE) c Dacling tơn

d Góp chung (CC)

a Phát chung (CE) b Góp chung (CC)

c Gốc chung (CB)

d Dacling tơn

2 / Trong mạng cực dưới, tranzito mắc theo cách nào?

a Phát chung (CE)

b Gốc chung (CB) c Góp chung (CC) d Dacling tơn

2 / Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 dịng điện cực góp 100mA dịng điện cực gốc

a mA b A

c 20A

d 0,5 mA

a Ngắt

b Không phải chế độ c Tích cực

d Bão hòa

3 / Hãy cho biết tranzito mạch mắc theo cách nào?

a Cực góp chung b Cực phát chung c Cực gốc chung

d Dac ling tơn Câu hỏi loại 3:

= R //R

a 30 KΩ b 170 Ω

c 5,866 KΩ

d 14 KΩ

= R //R ?

B

a 10 KΩ

b 20 KΩ

c KΩ

d 7,5 KΩ

3 3/ Cho sơ đồ mạch hình vẽ Hãy xác đinh điện áp U ?

a 10 V b V

c 7,5 V

d V

3 / Cho sơ đồ mạch hình vẽ, cho biết tranzito làm việc chế độ nào?

a Ngắt

b Bão hịa

c Khơng phải ba chế độ d Tích cực

a Mạch định thiên cố định

b Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

c Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt

d Mạch định thiên phân áp

3 / Hãy cho biết tranzito sơ đồ mạch phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt

b Mạch định thiên cố định có mạch ổn định nhiệt

c Mạch định thiên phân áp

d Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

a Mạch định thiên cố định

b Mạch định thiên hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệt

c Mạch định thiên hồi tiếp điện áp d Mạch định thiên phân áp

3 8/ Cho mạch điện hình vẽ dưới: Tranzito Q

có hệ số β

= 90, tranzito Q

có hệ số β

2= 70

Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện mạch β bao nhiêu?

a 20

b 6300

c 160

d 320

Câu hỏi loại 4:

3 / Cho mạch điện hình vẽ, xác định hệ số ổn định nhiệt S mạch hệ số khuếch đại

a S = 34,1

b S = 101 c S = 15,1 d S = 9,5

4 0/ Cho mạch điện hình vẽ có tranzito silic U

= 10V; R

= 100KΩ

Hỏi dòng điện cực gốc I

Blà bao nhiêu?

a 100 μA

b 93 μA c 100 mA

d 93 mA

4 1/ Cho mạch điện hình vẽ với dịng điện cực góp IC 3,6KΩ;

= mA; điện trở R =C điện áp nguồn cung cấp V

C

nhiêu?

= 10V Hỏi điện áp cực góp- phát U

a U = 0,64 V

CE

b UCE = 6,4 V

c UCE = 10 V d U = V

CE

4 / Cho mạch điện hình vẽ với dịng điện cực góp mA; nguồn điện cung cấp V = 10 V;

C

điện áp cực góp-phát U

= 6,4 V Hãy xác đinh công suất tranzito mạch bao nhiêu?

a 6,4 mW

b 10 W c 6,4 W

d 10 mW

4 3/ Hãy xác định dòng điện I

Ccủa tranzito sơ đồ mạch điện sau Tranzito chế

a 2,5 mA

b 3,1 mA c 25 μA

d 3,3 mA

4 4/ Hãy xác định điện áp U

của tranzito sơ đồ mạch biết dòng điện I

C= 10 mA;

nguồn E

C=10V; điện trở RC= 470Ω; RB= 100KΩ?

a 4,0 V b 6,3 V

c 5,3 V

d 4,7 V

CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET) Câu hỏi loại 1.

1 / FET:

a Là cấu kiện điều khiển dòng điện b Có trở kháng thấp

c Có hệ số khuếch đại điện áp cao

2 / Để tạo dòng điện mạch, tranzito đơn cực sử dụng a Chỉ hạt dẫn lỗ trống

b Chỉ loại hạt dẫn: điện tử tự do, lỗ trống

c Chỉ điện tử tự

d Cả hai loại hạt dẫn điện tử tự lỗ trống / Trở kháng vào JFET

a Khơng thể đốn trước b Gần zero

c Gần

d Lớn vô

4 / Điện áp cực Cửa FET điều khiển a Độ rộng kênh

b Điện áp “ngắt” tỉ lệ

c Tất điều kể

d Dòng điện máng

5 / Lớp tiếp xúc P-N cực Nguồn cực Cửa JFET cần phải: a Hoặc phân cực thuận, phân cực ngược

b Phân cực ngược

c Không phải tất điều d Phân cực thuận

6 / Các hạt dẫn JFET kênh P a Các điện tử tự lỗ trống

b Các lỗ trống

c Các điện tử tự

d Có thể điện tử tự lỗ trống

7 / Để FET hoạt động ta phải phân cực cho tiếp xúc P-N phải phân cực thuận hạt dẫn

phải chuyển động từ cực nguồn qua kênh cực máng để tạo nên dòng điện FET?

a Đúng

b Sai

8 / MOSFET kênh sẵn hoạt động gần a Một nguồn dòng

b Một MOSFET kênh cảm ứng

c Một JFET

d Một điện trở

9 / Điện áp có tác dụng bật cho MOSFET kênh cảm ứng hoạt động? a Điện áp khuỷu (U )B0

b Điện áp ngưỡng (UGSth)

c Điện áp ngắt (U )

GSngắt

d Điện áp bão hòa (UDSbh)

b Dẫn điện

c Cách xa

d Trùm phủ lên

1 / Trong JFET kênh N, điện áp cực cửa âm kênh dẫn nằm hai lớp tiếp xúc trở nên:

a Rộng

b Hẹp

c Không dẫn điện d Dẫn điện

1 / Ở vùng trở đặc tuyến FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

a Đường thẳng

b Đường cong parabol c Không thay đổi

d Đường cong hypecbol

1 / Ở vùng bão hòa đặc tuyến FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

a Đường cong hypecbol b Đường cong parabol

c Không thay đổi

d Đường thẳng

1 / Vật liệu phần Nguồn phần Máng MOSFET kênh cảm ứng loại N là: a Kim loại

b Bán dẫn

c Bán dẫn tạp loại N

d Bán dẫn tạp loại P

1 / Trở kháng vào JFET có giá trị nằm khoảng: a (106  108 )

b (1013  1015 ) c (1010  1013 )K

d (1010  1013 )

1 / Trở kháng vào MOSFET có giá trị nằm khoảng a (1010  1013 )

b (1013  1015 )

c (106  108 ) d (1014  1016 )K

1 / Vật liệu kênh dẫn JFET kênh N chất

a Bán dẫn loại N

b Hợp kim

Câu hỏi loại 2:

1 / Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại P hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực cho

a U GS

b U GS

và U <

DS U < 0DS

và U >

DS

và U >

DS

1 9/ Một JFET có I

Dbh= 10mA UDSbh= 2V, điện trở chiều RDS

a KΩ

b 400 Ω

c 200 Ω

d KΩ

2 / Một JFET có dịng điện máng bão hịa IDbh= 20mA điện áp máng bão hòa

U

DSbh= 5V

Hỏi điện trở chiều JFET vùng trở bao nhiêu?

a RD

S b RDS

c RD

S

d RD

S

= 100 Ω

= 250 Ω

= 2,5 KΩ = 250 KΩ

2 / Cơng thức tính dịng điện máng tranzito trường là:

2

⎛ U ⎛

⎛ GS ⎛

I D  I D ⎜1 

a ⎝ GSngat ⎟⎛

2

⎛ U ⎛

⎛ GS ⎛ I D KI D 0

⎛1 

b ⎛ GSngat ⎛⎛

⎛ U ⎛

I 

I ⎛1 

GS ⎛

D D 0 ⎛

c ⎛ GSngat ⎛⎛

2

⎛ U ⎛

⎛ GS ⎛ I D I D 0

⎛1 

d ⎛ GSngat ⎛⎛

2 / Tranzito 2N5902 có dịng điện máng bão hịa 500µA điện áp máng-nguồn bão hòa U

DSbhlà 2V,

Hỏi điện trở máng R

DStrong vùng trở bao nhiêu?

a RD

S b RDS

c RD

S

d RD

S

= 10 KΩ

Ω= K

= 100 Ω = 40 Ω

2 / Tranzito 2N5457 có giá trị dịng điện máng bão hịa I

U

U

U

Dbh

là mA điện áp ngắt U

là -6 V

Hãy tính hệ số K điện áp U

GS V? a K =

b K = c K = d K =

2 4/ Tranzito 2N5902 có tham số I

G

phòng

là pA điện áp U

GS 20 V nhiệt độ

Hỏi trở kháng vào nhiệt độ phòng?

9

a ZV  4.10  b ZV  4.1015  c ZV  5.10

10  12 d ZV  4.10 

2 5/ Trong cơng thức tính dịng điện cực máng I

D

= KI

D0 JFET, hệ số K là:

⎛ U ⎛

⎛ GS ⎛ K 

⎛1 

a ⎛ GSngat ⎛⎛

2 ⎛ U ⎛

K ⎛ GS ⎛

⎛ ⎛

b ⎛ GSngat ⎛

2

⎛ U ⎛

⎛ GS ⎛

K ⎜1 

c ⎝ GSngat ⎟⎠

⎛ U ⎛

K ⎛1  GS ⎛

⎛ ⎛

d ⎛ GSngat ⎛

2 / Trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn FET đạt là:

a  10  30

b  150  300

c  d  10

2 / Trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn FET đạt

a  150  300 b  10  30 c  10

d  1

2 8/ Đặc tuyến điều khiển FET : I

D

a Đường thẳng

b Đường cong parabol

c Đường cong hypecbol d Đường không xác định trước

U

U

U

= f(U

) U

không đổi một:

2 9/ Cho mạch điện hình vẽ, cho biết điện áp máng-nguồn U

DS bao nhiêu?

a UDS

b UD

S

c UD

S

d UD

S

= 11 V = 17 V = V

= V

3 0/ Cho mạch điện hình vẽ, cho biết dịng điện máng I

Dlà bao nhiêu?

a ID = 17 mA b ID = 20 mA

c ID = 7,5 mA

d ID = 7,5 A

a Cửa chung b Phát chung

c Nguồn chung

d Máng chung

3 / Hãy cho biết tranzito sơ đồ mắc theo cách nào?

a Phát chung b Cửa chung

c Máng chung

d Nguồn chung

a Tự phân cực

b Phân cực hồi tiếp c Phân cực cố định d Phân cực phân áp

3 / Hãy cho biết tranztito sơ đồ phân cực theo cách nào?

a Phân cực tự cấp b Phân cực hồi tiếp

c Phân cực phân áp

d Phân cực cố định

Câu hỏi loại 4:

a UD

S

b UD

S

c UDS

d UD

= 1,2 V = 11V = V

= 13,8 V

3 6/ Cho sơ đồ mạch hình vẽ, cho biết điện áp máng-nguồn U

DS bao

nhiêu?

a UDS

b UD

S

c UD

S

d UD

S

= 11 V = V = V

= 7,5 V

3 / Cho sơ đồ mạch hình vẽ

Hỏi điện áp cực cửa biết dòng điện máng I

D

a UG = 10 V

b UG = V c UG = 15 V d UG = V

3 / Cho sơ đồ mạch hình vẽ

Hỏi điện áp cực máng biết dòng điện máng I

= 12 mA?

a UD = 25 V b UD = V c UD = 15 V

d UD = 13 V

3 / Cho mạch điện hình vẽ Hỏi điện áp U

a UD

S

b UD

S

c UD

= V = 20 V = 15 V

= 10 V

4 / Cho mạch điện hình vẽ Hỏi dịng điện máng bao nhiêu?

a ID = 5,55 mA

b ID = 0,25 mA

c ID = 0,5 mA d ID = 4,72 mA

CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR Câu hỏi loại 1.

1 / Thyristo sử dụng như: a Một điện trở

b Một khuếch đại

d Một nguồn dòng

2 / Để kích thích cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng

a Hồi tiếp dương

b Hồi tiếp

c Tranzito lưỡng cực d Sử dụng dòng điện

3 / Dòng điện vào nhỏ mà bật thyristo dẫn điện gọi a Dòng điện đánh thủng

b Dịng điện trì I

H c Dịng điện kích thích I

G d Dịng điện ngược bão hòa

4 / Dòng điện anốt nhỏ giữ cho thyristo dẫn điện gọi là: a Dịng điện ngược bão hịa

b Dịng điện kích thích c Dịng điện đánh thủng

d Dịng điện trì

5 / Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn

b Ba lớp tiếp xúc P-N

c Hai lớp tiếp xúc P-N d Bốn lớp tiếp xúc P-N

6 / Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường: a Dùng dịng điện trì

b Dùng ngắt điện

c Dùng tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N

d Kích thích cực điều khiển G

7 / Triac tương đương với:

a Hai SCR đấu song song chiều b Điốt có bốn lớp bán dẫn

c Hai diac mắc song song

d Hai SCR mắc song song ngược chiều

8 / Điện áp cần thiết đặt lên cực phát UJT để dẫn điện gọi là:

a Điện áp đỉnh U P

b Điện áp trũng U V c Điện áp kích khởi U

K

d Điện áp đỉnh khuỷu U .B0

Câu hỏi loại 2:

9 / Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyến a Điện trở âm điện trở dương

b Ở vùng ngắt c Điện trở dương

1 / Điện áp đỉnh UJT tính theo cơng thức a UP = η U

BB b UP = η U

+ 0,7 V

c UP = U

BB

d UP = η U

+ 0,7 V - 0,7 V

BB

1 / Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt a Dòng điện I > I

Vvà tụ điện

1 F CT  0, 01F b Dòng điện I

V> I > IPvà tụ điện c Dòng điện I < I

Pvà tụ điện

1F CT  0, 01F

d Dòng điện I < I

Pvà I > I V

1 / Khi SCR dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển SCR ngừng dẫn? a Đúng

b Sai

1 / Tác dụng dòng điện kích thích đưa vào cực G SCR a Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P

1

b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N

1 c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P2

d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P

2

CHƯƠNG 7: VI MẠCH TÍCH HỢP (IC) Câu hỏi loại 1.

1 / Vi mạch tích hợp cấu kiện có ưu điểm bản: a Tiêu thụ lượng

b Tất điều kể

c Kích thước nhỏ d Độ tin cậy cao

2 / Loại vi mạch tích hợp sản xuất sử dụng nhiều a Vi mạch lai

b Vi mạch màng mỏng

c Vi mạch bán dẫn

d Vi mạch màng dày

3 / Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là:

a Công nghệ bốc lắng đọng chân không b Kết hợp tất công nghệ

c Công nghệ plana plana-epitaxi

d Công nghệ quang khắc

b Một lớp tiếp xúc P=N c Một tụ điện

d Tranzito nối tắt chân cực

5 / Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại: a Vi mạch lai

b Vi mạch số

c Vi mạch tuyến tính

d Tổ hợp vi mạch tranzito-điốt

6 / Tầng vào IC khuếch đại thuật toán khuếch đại vi sai để có:

a Trở kháng vào lớn hệ số khuếch đại lớn

b Đảm bảo an toàn cho tranzito IC c Trở kháng nhỏ

d Dải tần số làm việc rộng / IC khuếch đại thuật tốn có

a Hai lối vào hai lối b Một lối vào lối

c Ba lối vào lối

d Hai lối vào lối

8 / Một khuếch đại thuật tốn tốt cần có

a Hệ số khuếch đại vi sai nhỏ hệ số khuếch đại đồng pha lớn

b Hệ số khuếch đại vi sai lớn hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ

c Trở kháng vào lớn hệ số khuếch đại đồng pha lớn

d Hệ số khuếch đại vi sai lớn hệ số khuếch đại đồng pha lớn / Vi mạch số chế tạo sở:

a Chỉ tranzito trường

b Các tranzito, tụ điện, điện trở cuộn dây c Chỉ tranzito lưỡng cực

d Các tranzito lưỡng cực tranzito trường

1 / Vi mạch số sử dụng rộng rãi loại

a Họ TTL họ CMOS

b Họ DTL c Họ RTL d Họ TL

1 / Vi mạch nhớ cấu kiện điện tử có khả năng:

a Lưu trữ liệu chương trình điều khiển dạng số thập phân b Lưu trữ chữ chữ số

c Lưu trữ liệu dạng số nhị phân

d Lưu trữ liệu chương trình điều khiển dạng số nhị phân / ROM nhớ có khả đọc viết?

a Đúng

b Sai

1 / RAM nhớ tạm thời, điện cung cấp tin tức bị xóa ngay? a Sai

1 / EPROM nhớ:

a Chỉ viết lần người sản xuất b Chỉ viết lần người sử dụng

c Có thể xóa viết lại

d Có khả đọc/viết

1 / LSI vi mạch tích hợp có chứa a Từ 10 đến 100 phần tử

b Lớn 100 phần tử

c Lớn 1000 phần tử d Đến 10 phần tử

Câu hỏi loại 2:

1 / Bộ khuếch đại thuật tốn khuếch đại: a Chỉ tín hiệu xoay chiều (ac)

b Cả tín hiệu xoay chiều (ac) chiều (dc)

c Khơng tín hiệu xoay chiều (ac) khơng tín hiệu chiều(dc) d Chỉ tín hiệu chiều (dc)

1 / Tầng vào khuếch đại thuật toán thường là: a Bộ khuếch đại cao tần

b Bộ khuếch đại mắc cực phát chung (CE)

c Bộ khuếch đại vi sai

d Bộ khuếch đại công suất chế độ B

1 / Tại tần số khuếch đại đơn vị, hệ số khuếch đại điện áp khuếch đại thuật toán bằng:

a K = Zero

U b K = 1.U

c KU KV 0 /

d K = K U U0

1 / Trở kháng vào khuếch đại thuật toán có tầng vào dùng JFET là: a Trung bình

b Rất cao

c Thấp d Cao

2 / Nếu hai nguồn cung cấp khuếch đại thuật tốn ±15 V, điện áp cực đại bao nhiêu?

a 30V b 12V

c 15V

d (12V 14V )

2 / Độ dốc đặc tuyến truyền đạt khuếch đại thuật toán thể a Trở kháng vào

c Trở kháng d Điện áp

2 / Một khuếch đại thuật tốn có hệ số khuếch đại điện áp 500.000 Nếu điện áp V, điện áp

a mV b mV

c µV

d 10 mV

2 / Ở tần số cao tần số cắt, hệ số khuếch đại khuếch đại thuật toán giảm với tốc độ

dB/decade

c 10 dB/decade

d 20 dB/decade

2 / Hệ số khuếch đại điện áp khuếch đại thuật toán tại: a Tần số dao động

b Tần số cắt

c Tần số khuếch đại đơn vị

d Dải tần số làm việc

2 / Một IC 741C có tham số: a Trở kháng vào khoảng MΩ

b Tất tham số nêu

c Hệ số khuếch đại điện áp khoảng 100.000 d Trở kháng khoảng 75 Ω

Câu hỏi loại 3:

2 / Cho mạch hình vẽ Hỏi hệ số khuếch đại mạch bao nhiêu?

a Ku = 10 b Ku = -100 c Ku = 11

d Ku = -10

a Ku = -10

b Ku = 11

c Ku = -11 d Ku = 110

CHƯƠNG 8: CẤU KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ Câu hỏi loại 1.

1 / Bức xạ ánh sáng dạng xạ điện từ có dải tần số dao động: a Từ 106  109 Hz .

b Từ 108  1010 Hz c Từ 1014  1015 Hz

d Từ 1019  10 20 Hz

2 / Vùng hồng ngoại có bước sóng : a Từ 380 nm ÷ 780nm

b T 50 nm ữ 380nm c T 100àm ÷ 10 mm

d Từ 780 nm ÷ 100µm

3 / Độ dài bước sóng xạ vật chất phụ thuộc vào: a Số lượng nguyên tố hóa học có vật chất

b Năng lượng vùng cấm

c Nồng độ tạp chất vật chất d Hóa trị nguyên tố vật chất

4 / LED hồng ngoại điốt có khả xạ a Tất loại ánh sáng kể b Ánh sáng cực tím

c Ánh sáng hồng ngoại

d Ánh sáng nhìn thấy

5 / Vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng a Từ 50 nm ÷ 380nm

d Từ 380 nm ÷ 780nm

6 / LED thị điốt có khả xạ a Ánh sáng hồng ngoại

b Ánh sáng cực tím

c Tất loại ánh sáng kể

d Ánh sáng nhìn thấy

7 / Các LED xạ bước sóng khác có điện áp phân cực khác nhau?

a Đúng

b Sai

8 / Khi nhiệt độ làm việc tăng độ dài bước sóng xạ LED ngắn lại?

a Đúng

b Sai

9 / LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép có thêm: a Ba lớp giam giữ hạt dẫn ánh sáng

b Hai lớp giam giữ hạt dẫn ánh sáng

c Hai lớp giam giữ hạt dẫn

d Hai lớp giam giữ hạt dẫn lớp giam giữ ánh sáng

1 / So với vùng tái hợp, hàng rào hai lớp giam giữ hạt dẫn LED dị thể kép

a Bằng b Thấp

c Có thể cao thấp

d Cao

1 / Chiết suất chất bán dẫn vùng tích cực LED dị thể kép a Thấp

b Cao

c Bằng vùng lân cận d Bằng zero

1 / Hai dạng LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép dùng cho sợi quang loại xạ

bề mặt loại xạ cạnh a Sai

b Đúng

1 / Chất bán dẫn dùng để chế tạo LASER phải pha tạp với nồng độ a Không xác định

b Trung bình

c Rất cao

d Thấp

1 / Cấu trúc điốt LASER phức tạp LED a Có kích thước lớn

b Có nhiều lớp giam giữ hạt dẫn c Có nhiều lớp bán dẫn

1 / Hốc cộng hưởng Fabry Perot điốt LASER tạo nhờ: a Hai lớp giam giữ hạt dẫn cấu kiện

b Hai cạnh bên xù xì LASER

c Một hộp chế tạo bên cấu kiện

d Hai gương phản chiếu định hướng

1 / Muốn LASER hoạt động phải cấp nguồn phân cực thuận cho cấu kiện? a Sai

b Đúng

1 / Đặc tính quan trọng LASER là: a Đặc tuyến truyền đạt

b Đặc tuyến tần số c Đặc tuyến vôn-ampe

d Đặc tuyến xạ

1 / Mặt thị tinh thể lỏng (LCD) cấu kiện bán dẫn phát quang? a Đúng

b Sai

1 / Để LCD hoạt động ta cần cấp cho điện áp a Một chiều

b Xoay chiều

c Xoay chiều chiều

d Xoay chiều không lẫn điện áp chiều

2 / Vật liệu bán dẫn chế tạo điện trở quang gọi a Vật liệu bán dẫn cảm quang

b Tất tên gọi c Vật liệu bán dẫn suy biến

d Vật liệu bán dẫn nhạy quang

2 / Điốt quang hoạt động phân cực thuận?

a Sai

b Đúng

Câu hỏi loại 2:

2 / LED thị xạ ánh sáng màu đỏ có điện áp phân cực thuận là:

a U = (1,6 ÷ 1,8) VD

b U = 3,0 V

D

c U = (2,4 ÷ 2,7) V

D

d U = (2,0 ÷ 2,2) V

D

2 / LED hồng ngoại chế tạo từ chất GaAs có điện áp phân cực thuận a U = (2,0 ÷ 2,2) V

D

b U = (2,4 ÷ 2,7) V

D

c U = 3,0 V

D

d U = (1,6 ÷ 1,8) VD

a Khoảng từ (40 ÷ 100) nm

b Khoảng từ (2 ÷ 40) nm c Khoảng < nm

d Khoảng từ (1 ÷ 2) nm

2 / LASER bán dẫn cấu kiện có khả a Tạo ánh sáng có cường độ cao

b Tạo ánh sáng từ trình hấp thụ quang

c Tạo ánh sáng đẳng hướng có độ rộng phổ lớn

d Tạo khuếch đại ánh sáng đơn sắc có tính kết hợp pha

2 / Tham số LASER là: a Hiệu suất lượng tử vi phân

b Tất tham số vừa kể

c Tần số cộng hưởng d Độ rộng phổ xạ

2 / Chiều dài hốc cộng hưởng L LASER lớn nhiều độ dài bước sóng xạ nên

a Có mốt dọc tồn LASER

b Có nhiều mốt dọc tồn LASER c Có ba mốt dọc tồn LASER d Có hai mốt dọc tồn LASER

2 / Khi chiếu ánh sáng vào điện trở quang điện trở nó: a Tăng lên

b Không đổi

c Giảm xuống

d Không xác định

2 / Độ nhạy tương đối điện trở quang phụ thuộc vào quang phổ chiếu vào nó?

a Đúng

b Sai

3 / Điốt quang hoạt động dựa nguyên lý:

a Quá trình hấp thụ quang chất bán dẫn

b Quá trình xạ trình hấp thụ quang chất bán dẫn c Q trình xạ kích thích chất bán dẫn

d Quá trình xạ tự phát chất bán dẫn

3 / Điốt quang chế tạo từ silic có độ nhạy cao vùng bước sóng a Từ (0,65 ÷ 0,85) µm

b Từ (0,56 ÷ 0,65) µm c Từ (1,3 ữ 1,6) àm

d T (0,85 ữ 0,9) µm

3 / Tại ốt quang loại PIN có độ nhạy cao ốt quang loại tiếp xúc P-N?

a Vì có vùng hấp thụ quang bán dẫn nguyên tính rộng

b Vì có khả khuếch đại dịng điện quang lên M lần c Vì chế tạo từ chất bán dẫn có nồng độ tạp chất cao d Vì có lớp tiếp xúc P-N rộng

mạnh gọi vùng thác để tạo

a Hiện tượng nhân điện tích q trình hấp thụ quang b Hiện tượng nhân điện tích phát xạ thứ cấp

c Hiện tượng nhân điện tích q trình ion hóa va chạm

d Hiện tượng tăng dịng điện quang tái hợp ạt hạt dẫn / So với tranzito quang điốt quang có:

a Tần số hoạt động cao độ nhạy thấp b Tần số hoạt động độ nhạy xấp xỉ

c Tần số hoạt động cao độ nhạy cao d Tần số hoạt động thấp độ nhạy cao

3 / Tế bào quang điện cấu kiện bán dẫn có khả chuyển đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện?

a Đúng

b Sai

3 / Về mặt cấu trúc coi tranzito quang mạch tích hợp gồm có điốt quang

a Một thyristo thường

b Một tranzito thường

c Điốt thường d Một LED

3 / Trong thyristo quang, tín hiệu quang có nhiệm vụ:

a Kích cho thyristo quang dẫn điện

b Khuếch đại điện áp

c Kích cho thyristo quang dẫn điện khuếch đại dòng điện qua d Khuếch đại dịng điện

3 / Cấu tạo ghép quang gồm có a Một điốt quang tranzito quang

b Một điốt phát quang (LED) điện trở quang

c Một điốt phát quang (LED) cấu kiện thu quang

d Một tế bào quang điện cấu kiện thu quang / Tham số quan trọng ghép quang

a Điện cách li b Điện dung cách điện c Điện trở cách điện

d Hệ số truyền đạt dòng điện (CTR)

4 / Dùng tranzito quang Dacling tơn nhằm mục đích a Tăng trở kháng vào tranzito quang

b Tăng độ nhạy tranzito quang

c Tăng tần số hoạt động

d Giảm trở kháng tranzito quang

Câu hỏi loại 3:

U D RT 

a I

UCC  UD T

b I

R U CC U D

c I

U CC RT 

d I

4 / Điều kiện để có phát laser biên độ là: I(2L) = I(0) với I(2L)- mật độ trường quang Z = 2L;

L- chiều dài hốc cộng hưởng; I(0)- mật độ trường quang gốc pha là: e j2 L 

với β- số lan truyền ánh sáng?

a Sai

b Đúng

4 / Độ nhạy điốt quang tính theo công thức S  P0

a I ph

I ph S 

.h

b P0

I ph

S 

c P0

d S P0 I ph

4 / So với loại điốt quang điốt quang thác APD yêu cầu nguồn điện cung cấp a Cao

b Cũng giống loại điốt khác c Thấp ổn định

d Cao ổn định nhiệt

4 / Dòng quang điện tranzito quang tạo nên

a Các hạt dẫn sinh trình hấp thụ quang phần gốc cấu kiện

b Các hạt điện tử tự sinh trình hấp thụ quang c Các hạt dẫn từ phần phát khuếch tán sang

d Các hạt dẫn lỗ trống sinh trình hấp thụ quang 6/ Dòng điện quang sơ cấp I

ph điốt quang tính theo cơng thức

I  q

P0

⎛ e

⎜1  w

⎟1  R 

ph

h ⎜

a 1 L p ⎟

I 

P0 ⎛⎜1 e

w

⎟1 R 

ph

h ⎜

I  P0 ⎛⎛1 e

⎛1 R 

ph

h ⎛

c

⎛

1 L p ⎛

w

⎛

I q

P0 ⎛1  e ⎛1 R  ph

h ⎛

d  

L p ⎛

4 / Hệ số khuếch đại dòng điện quang điốt quang thác APD tính theo cơng thức

M ph a

M ph

b

 I

M I ph

 I

M I ph I ph 

1 V / Vdt 

 1

1 V / V n

M ph



c

I M I ph



1 V / Vdt 

M ph 

I

d M V / V  n

4 / Bước sóng xạ đỉnh λ hàm lượng vùng cấm biểu diễn công thức

 (nm) 

a

 (m) 

b

 (m) 

c

 (m)

 d

1,24

EG (eV ) 1240

EG (eV )

1,24

EG (eV )

h

EG (eV )

4 / Hiệu suất lượng tử hóa ốt quang tính theo cơng thức: I ph

 

a P0

  I ph

b P0 / h

I ph / q

 

c P0

I ph / q

d P0 / h

5 / Một ghép quang có dịng vào mA, dòng 100 mA Hỏi hệ số truyền đạt dòng điện bao nhiêu?

a 500%

c 50%

d 100%

Câu hỏi loại 4:

= 1,6 eV

1-x x G

Hãy tính độ dài bước sóng xạ ra?

a λ = 775 nm

b λ= 1300 nm c λ = 1,55 µm d λ = 1100 nm

5 / Năng lượng ánh sáng có bước sóng 1550 nm electron vôn? a EG = 1,43 eV

b EG = 0,65 eV c EG = 0,75 eV

d EG = 0,80 eV

5 / Một laser hoạt động bước sóng 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm chiết suất n = 3,7

Hỏi khoảng cách tần số xạ bao nhiêu? a fΔ = 2,2 GHz

b f = 68 GHz

c Δf = 81 GHz

d f = 50 GHz

5 / Một laser hoạt động bước sóng 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm chiết suất n = 3,7

Hỏi khoảng cách bước sóng xạ bao nhiêu? a Δλ = 0,22 nm

b Δλ = 0,33 nm

c Δλ = 0,5 nm d Δλ = 1,1 nm

5 / Một điốt quang thác (APD) có dịng điện quang sơ cấp 0,25µA dịng điện nhân quang 10µA

Hỏi hệ số nhân M điốt bao nhiêu?

a Mp

h

b Mp

h c Mph

d Mp h = 400 = 25 = 40 = 2,5

5 / Một photodiode có độ nhạy 0,65 A/W Nếu chiếu lên cơng suất quang P

0

= 10µW Hỏi dịng quang điện bao nhiêu?

a IP

b I P c I P d I P

= 6,5 µA

0H