tài liệu ptit – huy ptit

Mạch thường được dùng ở dải tần số làm việc cao như các tầng dao động nội của máy thu thanh, các tầng tiền khuếch đại âm tần của máy tăng âm, hoặc ở tầng khuếch đại công suất đẩy kéo. ……[r]

Bài giải:

a Transistor mắc theo sơ đồ DC – Drain Common b Mạch định thiên kiểu phân áp

c R R1, 2: Cầu phân áp lấy từ nguồn VD tạo điện áp phân cực cho G

R3: Điện trở cực S nhằm ổn định độ khuếch đại transistor

C C1, 2: Tụ liên lạc lấy tín hiệu vào tín mạch transistor

Bài giải:

Điện áp cực gốc sụt áp điện trở R2 dịng điện phân áp tạo nên.

Vậy ta có

Và: VB Iphân áp.R2 mà: ân áp cc ph

V I

R R 



Do đó:

2

35.5

1,129 150

CC B

V R

V V

R R

  

 

Từ sơ đồ ta có:

Trong đó: VE R IE E R IE( B IC)R IE( BIB)I RB E(1)

 VB VBEI RB E(1) Tìm IB:

1,129 0,

0,0184 (1 ) 0,5(1 100)

B BE B E V V I mA R        

Tìm IC:

IC IB 100.0,0184 1,84 mA Tìm IE: Transistor Gemani có :VBE 0, 2V

1,129 0,

1,858 0,5 B BE E E V V I mA R     

Tìm điện áp UCE:

UCE Vcc I RC C I RE E 35 1,84.2,5 1,858.0,5 29.47   V

Tìm hệ sớ ởn định S: 2 150.5 4,838 150 B R R R K R R      

1 100

9, 74 100.0,5 1 0.5 4,838 E E B S R R R           

Bài giải:

a Transistor mắc theo cách cực nguồn chung SC – Source Common Mạch định

thiên kiểu phân cực tự cấp

b Nhiệm vụ linh kiện mạch:

G

R : điện trở định thiên D

R : điện trở tải cực D S

R : điện trở ổn định cực S

C : nối đất thành phần xoay chiều 1,

C C : tụ liên lạc lấy tín hiệu vào/ra.

c

Tìm UGS:

2

1 GS D

D DO GS GSngat

GSngat DO

U I

I I U U

U I                  200

( 4) 36

2 GS

U      V

 

Tìm RS :

3 36

180

200.10 GS

GS D S S

D U

U I R R

I 

     

4 Trình bày sơ đồ mắc cực gốc CB transistor lưỡng cực mạch khuếch đại đặc điểm cách mắc

Sơ đồ mắc gốc chung:

Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung mơ tả hình Trong sơ đồ mạch có: + EE , EC nguồn cung cấp chiều cho tranzito loại P-N-P mạch

+ RE - điện trở định thiên cho tranzito RE có nhiệm vụ làm sụt bớt phần điện áp nguồn EE để đảm bảo cho tiếp xúc phát phân cực thuận với điện áp phân cực UEB  0,6

V cho tranzito Silic, UEB  0,2V cho tranzito Gecmani Đồng thời tín hiệu vào hạ RE

để đưa vào tranzito

+ RC - điện trở gánh có nhiệm vụ tạo sụt áp thành phần dịng xoay chiều tín hiệu để đưa mạch sau đưa điện áp từ âm nguồn EC lên cực góp đảm bảo cho tiếp xúc góp phân cực ngược

RC

C1 E IE IC C2

Mạch C Mạch

vào UCB

UVào UEB URa

RE

B IB

EE EC

Hình 1: Sơ đồ mắc gốc chung cho tranzito loại P-N-P

Cực gốc B tranzito sơ đồ nối đất Như vậy, tín hiệu đưa vào cực phát cực gốc Tín hiệu lấy cực góp cực gốc nên cực gốc B chân cực chung mạch vào mạch - Ta gọi sơ đồ mắc cực gốc chung Trong mạch có thành phần dịng điện điện áp sau:

IE gọi dòng điện mạch vào IC gọi dòng điện mạch UEB gọi điện áp mạch vào UCB gọi điện áp mạch

Mối quan hệ dòng điện điện áp chân cực mô tả thông qua họ đặc tuyến tĩnh Có hai họ đặc tuyến :

Họ đặc tuyến vào: UEB = f1(UCB, IE) Họ đặc tuyến ra: IC = f2 (UCB, IE) Họ đặc tuyến vào:

Đặc tuyến vào mô tả mối quan hệ điện áp vào dòng điện vào sau: UEB = f1(IE) UCB = const

Xét trường hợp tranzito lưỡng cực Gecmani loại P-N-P Khi cực góp hở đặc tuyến vào đặc tuyến Vôn-Ampe tiếp xúc P-N phân cực thuận nên ta có:

U EB

 1)

UEB (V)

0,6 UCB hở

UCB = 0V

UCB= -10V

0,2 UCB= - 20V

0 10 20 30 40 IE (mA)

Hình 2: Họ đặc tuyến vào tranzito gecmani loại P-N-P

Khi UCB ≤ 0, đặc tuyến xê dịch chứng tỏ điện áp cực góp ảnh hưởng đến dòng điện qua tiếp xúc phát

Họ đặc tuyến ra:

Đặc tuyến biểu thị mối quan hệ dịng điện mạch cực góp với điện áp mạch cực góp Ta có mối quan hệ sau:

IC = f2(UCB) IE = const Biểu thức tính dịng điện cực góp IC sau:

IC = IE + ICBo

IC (mA) Vùng tích cực

40 IE5 = 40mA

Vùng dẫn

30 IE4 = 30mA

bão 20 IE3 = 20mA

hòa (IE3 - IE2)

10

IE

ICB0 IE2 = 10mA

IE1=

0 -2

-4 -6 -8 UC B (V) Vù ng ng

o gecmani loại P-N-P

trong sơ đồ mắc cực gốc chung + Khi IE1 = (khi cực phát hở mạch): đặc tuyến đặc tuyến Vơn-Ampe

tiếp xúc góp phân cực ngược Do vậy, dịng điện cực góp IC = ICBo

+ Khi IE2 > 0: tiếp xúc phát phân cực thuận dịng điện cực góp là:

Khi UCB > UEB > tranzito làm việc chế độ bão hịa nên có dịng điện thuận tiếp xúc góp chạy ngược chiều với thành phần dòng điện thuận từ cực phát sang (IE2), vậy, dịng điện tổng qua tiếp xúc góp giảm nhanh đến sau tăng nhanh UCB > tăng tiếp tục

Các đặc điểm sơ đồ mắc cực gốc chung:

- Tín hiệu vào tín hiệu đồng pha

- Trở kháng vào ZV nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ôm

ào 30 300 v Z S    

- Trở kháng lớn

100 ra C

Z R  K M

- hệ số khuếch đại dòng điện cực phát

1 C E I I   

( 0,95 0,99)

Như transistor sơ đồ mắc cực gốc chung khơng có khuếch đại dòng điện Hệ số khuếch đại điện áp:

ánh ánh

ào IE ào

C g g

ra u

v v v

I Z Z U

K

U Z Z

 

  

 

Hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào điện trở gánh

Khi Zgánh  Zra Ku có trị số khoảng từ vài trăm  vài nghìn lần - Hệ số khuếch đại cơng suất đạt tới trị số hàng trăm lần

- Dòng điện rò ICBo nhỏ (khoảng từ vài chục nA đến vài A tranzito Silic, đến vài chục A tranzito Gecmani)

- Tần số làm việc giới hạn cao có điện dung thơng đường nhỏ

Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung có độ ổn định nhiệt độ cao tần số làm việc giới hạn cao Mạch thường dùng dải tần số làm việc cao tầng dao động nội máy thu thanh, tầng tiền khuếch đại âm tần máy tăng âm, tầng khuếch đại công suất đẩy kéo