Đề cương bài giảng môn: Điện tử công suất (Dùng cho trình độ Cao đẳng, Trung cấp và liên thông) - TRƯỜNG CÁN BỘ QUẢN LÝ GIÁO DỤC THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

Trong các bộ biến đổi công suất dùng thyristor, thyristor và mạch tạo xung kích vào cổng điều khiển của nó cần cách điện .tương tự như các mạch kích cho transistor, ta có t[r]

un: ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Mã số mô đun: MĐ 18

Thời gian mô đun: 75 giờ; (Lý thuyết: 15g ; Thực hành:57 g; kiểm tra: 3g)

I VỊ TRÍ, TÍNH CHẤT CỦA MƠ ĐUN:

* Vị trí mô đun: mô đun thứ 18 chương trình đào tạo ngành điện tử cơng nghiệp

* Tính chất mơ đun: Là mơ đun bắt buộc

II MỤC TIÊU CỦA MÔ ĐUN:

Sau học xong mơ đun học viên có lực

* Về kiến thức:

- Giải thích được nguyên lý hoạt động linh kiện điện tử công suất - Tra cứu được thông số kỹ thuật linh kiện

- Phân tích được nguyên lý làm việc mạch điện tử công suất

* Về kỹ năng:

- Kiểm tra được chất lượng linh kiện điện tử công suất

- Lắp được mạch điện tử công suất ứng dụng công nghiệp - Kiểm tra sửa chữa đạt yêu cầu thời gian với độ xác - Thay linh kiện, mạch điện tử công suất hư hỏng - Nêu được ứng dụng mạch điện vào thực tế

* Năng lực tự chủ chịu trách nhiệm:

- Rèn luyện tính tỷ mỉ, xác an tồn vệ sinh cơng nghiệp

III NỘI DUNG CHI TIẾT

BỘ LAO ĐỘNG THƯƠNG BINH VÀ XÃ HỘI TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ NGHỆ II

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

ĐỀ CƯƠNG BÀI GIẢNG MÔN:

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT (Dùng cho trình độ Cao đẳng, Trung cấp liên thơng)

GVBS: MAI THỊ BÍCH VÂN

BÀI I: TỔNG QUAN VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Mục tiêu bài:

- Nhận dạng được linh kiện điện tử công suất dùng thiết bị điện, điện tử

- Xác định được điện áp, dịng điện, cơng suất tải

- Trình được nội dung thông số kỹ thuật linh kiện điện tử cơng suất

Nội dung Giới thiệu:

Điện tử công suất chuyên ngành điện tử học nghiên cứu ứng dụng phần tử bán dẫn công suất sơ đồ biến đổi nhằm biến đổi và khống chế nguồn lượng điện với tham số thay đổi được, cung cấp cho phụ tải điện

I. TỔNG QUAN

Nhiệm vụ điện tử công suất xử lý điều khiển dòng lượng điện cách cung cấp điện áp dịng điện dạng thích hợp cho tải Tải định thông số điện áp, dòng điện, tần số, số pha ngõ biến đổi Thông thường, điều khiển có hồi ngõ biến đổi cực tiểu sai lệch giá trị thực ngõ giá trị mong muốn (hay giá trị đặt)

chỉnh, điều khiển thời gian ngắn nhất, với chất lượng phù hợp hệ thống tự động tự động hóa Đây đặc tính mà biến đổi có tiếp điểm kiểu điện từ khơng thể có được

Các khái niệm bản

Các thành phần công suất gồm có: Cơng suất biểu kiến: S = U.I Cơng suất thực: P = U.I.cosφ

Công suất phản kháng: Q = U.I.sinφ

Từ biểu thức ta có được mối quan hệ 2

S U I  P Q

Vấn đề cần quan tâm đây, ứng dụng biến đổi thường cho dáng điệu dòng điện điện áp khơng sin, cần thiết phải đưa thêm số định nghĩa

Thành phần dao động bản đóng góp vào cơng suất thực: P = U.I1.cosφ1

Do đó, thành phần cơng suất được mô tả vector được biểu diễn

hình đây:

Hình 1.1: Các thành phần công suất biến đổi chuyển mạch lưới

II. PHÂN LỌAI LINH KIỆN BÁN DẪN THEO KHẢ NĂNG ĐIỀU

KHIỂN

Các linh kiện được phân lọai theo hai chức bản: đóng ngắt dịng điện qua Trạng thái linh kiện đóng: có tác dụng điện trở bé

Do đó, linh kiện bán dẫn họat động với hai chế độ làm việc đóng ngắt dịng điện được xem lý tưởng trạng thái dẫn điện có độ sụt áp trạng thái không dẫn điện, dịng điện qua

Các linh kiện tự chuyển đổi trạng thái làm việc mình, chuyển từ trạng thái khơng dẫn sang trạng thái dẫn điện ngược lại thông qua tác dụng kích thích tín hiệu lên cổng điều khiển linh kiện Ta gọi linh kiện có tính điều khiển Tín hiệu điều khiển tồn nhiều dạng: dòng điện, điện áp, ánh sáng với công suất nhỏ nhiều so với công suất nguồn tải

Nếu linh kiện không chứa cổng điều khiển ta gọi linh kiện không điều khiển diode, diac

Nếu thông qua cổng điều khiển, tín hiệu tác động đến chức đóng dịng điện mà khơng thể tác động ngắt dịng điện qua nó, gọi linh kiện khơng có khả kích ngắt như: SCR, TRIAC

Ngịai linh kiện có khả thay đổi trạng thái từ dẫn điện sang ngắt điện ngược lại thông qua tác dụng tín hiệu điều khiển được gọi linh kiện có khả kích ngắt(tự chuyển mạch): BJT, MOSFET, IGBT, GTO,IGCT, MCT, MTO

Với nhận xét , linh kiện bán dẫn cơng suất , theo chức đóng ngắt đóng ngắt dòng điện khả điều khiển chức này, chia làm nhóm :

_Nhóm một: gồm linh kiện khơng điều khiển diode, diac

_Nhóm hai : gơm linh kiện điều khiển kích đóng được thyristor, triac

_Nhóm ba: gồm linh kiện điều khiển kích ngắt được transitor (BJT,MOSFET,IGBT)GTO

Ngịai ra,dạng mạch phức tạp gồm SCR chuyển mạch có khả đóng ngắt dịng điện qua nhờ tác dụng tín hiệu điều khiển Về khía cạnh điều khiển ,mạch phức hợp với linh kiện nhóm ba tạo thành nhóm cơng tắc tự chuyển mạch

Hình 1.2 hình dáng diode

Power diodes:

Hình 1.4 Hình dáng học diode

Mô Tả Và Chức Năng

Diode được cấu tạo thành mối nối p_n Lớp p thiếu điện tử chứa phần tử mang điện dạng lỗ trống Tương tự , lớp n thừa điện tử Các lớp p_n cấu trúc diode đạt được cách thêm tạp chất vào phiến silic Để tạo trình dẫn điện qua mối nối p_n ,các hạt mang điện được tạo thành tham gia trình dẫn điện , điện áp được áp dụng cho lớp p mắc vào cực dương lớp n vào cực âm Lực điện trường làm cho lỗ hổng từ lớp p di chuyển vựơt qua mối nối p_n để vào lớp n vào lớp p

Trường hợp phân cực ngược lại, lỗ hổng điện tử bị kéo xa khỏi mối nối tạo thành sức điện động bên mối nối Sức điện động tác dụng không cho dịng điện tích qua dide diode bị ngắt

Chiều thuận chiều nghịch :nếu diode trạng thái dẫn điện chịu tác dụng điện áp thuận dòng điện thuận qua

Khả chịu tải địên áp định mức :được xác định điện nghịch cực đại Urrm thiết kế mạch bảo vệ chống lại áp nghịch ngẫu nhiên , ta dịnh

mức theo điện nghịch lặp lại URSM Khi diode làm việc , ta không

cho phép xuất áp lớn ursm

Dòng điện định mức: diode hoạt động phát sinh tổn hao Tổn hao chủ yếu dòng điện thuận gây Tổn hao dòng nghịch gây không đáng kể công suất tổn hao q trình ngắt có độ lớn đáng kể tần số đóng ngắt lớn khoảng 400hz Cơng suất tổn hao tổng khơng được phép làm nóng mạch diode lên nhiệt độ cực đại,nếu không lớn PN bị phá hỏng

Khả chịu q dịng thơng số khác ảnh hưởng lên khả dòng lượng tiêu hao, xác định tích phân theo thời gian, lượng lượng tỉ lệ với lượng tiêu mà bản bán dẫn có khả hấp thụ dạng nhiệt thời gian qui định (khoảng 10ms) mà không bị hỏng

Các Diode Đặc Biệt

Schottky diode:độ sụt áp theo chiều thuận thấp (khoảng 0,3v) Do ,nó

được sử dụng cho mạch điện áp thấp Điện áp ngược chịu được khoảng 50-100v VD: MBR6030L (Uđm max=30v, Iđm tb=60A)

Diode phục hồi nhanh: áp dụng mạch hoạt động tần số cao Khả

năng chịu áp khoảng vài volt dòng vài trăm ampere, thời gian phục hồi khoảng vài nguy giây VD: 1N3913 (Uđm max=400v, Iđm tb=30A)

Diode tần số công nghiệp: diode tần số công nghiệp được chế tạo để

2. TRANSISTOR

Mạch mắc chung cực E

Mạch mắc chung cực C

Hình 1.5 phân cực hình dáng trans

Có lớp p_n, dựa theo cấu tạo lớp ta phân biệt hai loại transistor: transistor p_n_p transistor n_p_n Các lớp p_n điện cực được gọi lớp emitter lớp collector Mỗi lớp được phân cực theo chiều thuận, chiều nghịch tác dụng điện ngồi Sự dịch chuyển dịng collector Ic qua lớp bị phân cực nghịch chịu ảnh hưởng lớn dònG Ib

dụng nhiều transistor được gọi tượng điều chế độ dẫn điện lớp bị phân cực nghịch

Trong lãnh vực điện tử công suất, transittor BJT được sử dụng cơng tắc (khố) đóng ngắt mạch điện phần lớn được mắc theo dạng mạch có chung emitter

Trên điện cực BE điện áp điều khiển UBE Các điện cực CE được sử dụng

làm cơng tắc đóng mở mạch công suất Điện điều khiển phải tác dụng tạo dòng Ib đủ lớn để điện áp cổng CE đạt giá trị đặc tính ngõ

transistor mắc chung cực emetter

Các tính chất động

Khảo sát cac tượng độ đóng ngắt transistor có ý nghĩa quan trọng Q trình dịng collecotor Ic kích đóng có dạng xung vng.Thời gian

đóng Ton kéo dài khoảng vài nguy giây,thời gian ngắt toff vượt 10 nguy

giây

Một hệ quả bất lợi tượng độ việc tạo nên cơng suất tổn hao đóng ngắt transistor Công suất tổn hao làm giới hạn dảy tần số hoạt động transistor Gía trị tức thời cơng tổn hao q trình đóng ngắt tương đối lớn, dịng điện qua transistor lớn điện áp transistor trạng thái cao Để theo dõi cách đơn giản , ta hình dung q trình đóng ngắt chuyển đổi điểm làm việc từ vị trí ngắt đến vị trí đóng

Khả chịu tải

Công suất hao tổn :công suất tổn hao tạo nên hoạt động transistor khơng được phép làm nóng bán dẫn vượt giá trị nhiệt độ cho phép 150oc Vì

thế ,cần làm mát transistor tồn cơng suất hao tổn phải nhỏ.Công suất tổn hao chủ yếu công suất tổn hao collector ,Pc =Uce.I

3. MOSFET

* Ký hiệu

* Đặc tính V-A

Hình 1.6 cấu tạo, ký hiệu đặc tuyến diode

Loại transistor có khả đóng ngắt nhanh tổn hao đóng ngắt thấp

được gọi metal-oxede-semiconductor field emffect transistor với công điều khiển điện trường (điện áp) MOSFET được sử dụng nhiều ứng dụng công suất nhỏ (vài kw) khơng thích hợp để sử dụng cho công suất lớn Tuy nhiên, linh kiện MOTFET kết hợp với công nghệ linh kiện GTO lại phát huy hiệu quả cao chúng kết hợp với tạo nên linh kiện MTO có ứng dụng cho tải cơng suất lớn

Linh kiện MOSFETcó thể cấu trúc pnp npn Giữa kim loại mạch cổng mối nối n p có lớp điện môi silicon oxid SiO Điểm thuận lợi bản MOSFET khả điều khiển kích đóng ngắt linh kiện xung điện áp mạch cổng Khi điện áp dương áp đặt lên cổng G Source (emitter ) tác dụng điện trường(FET) kéo electron từ lớp n+và lớp p tạo điều kiện hình thành mơt kênh nối gần cổng ,cho phép dịng điện dẫn từ cực drain (collector) tới cực Source (emiter)

Với tốc độ đóng ngắt nhanh, tổn hao thấp với mức điện áp từ 300v 400v, f = vài chục hz Mosfet có nhiều ưu điểm BJT

Thơng số kỹ thuật mosfet: Điện áp cực đại: 1000v

Dòng điện cực đại vài chục ampere Điện áp điều khiển tối đa 20v

Loại Điện áp định mức

cực đại

Dịng điện trung bình định mức

IRFZ48 IRF510

60 100

50 5.6

IRF540 100 28

IRF740 400 10

APT 5025BN 500 23

4. IGBT

Ký hiệu

Hình 1.7 cấu tạo IGBT

IGBT transistor cơng suất đại, có khả chịu đựng được điện áp dòng điện cao độ sụt áp vừa phải dẫn điện

Việc kích dẫn IGBT được thực xung điện áp đưa vào cực kích G Ưu điểm loại linh kiện khả đóng ngắt nhanh, được sử dụng biến đổi điều chế độ rộng xung có tần số cao IGBT được ứng dụng nhiều công nghiệp với công suất lên đến 10MW

So với SCR thời gian đóng ngắt IGBT nhanh, khoảng vài nguy giây khả chịu tải lên đến 4,5kv, 2000A IGBT có khả hoạt động tốt khơng cần mạch bảo vệ Mạch kích cho IGBT tương tự mạch kích cho MOSFET

Các thơng số kỹ thuật:

10

mức cực đại bình định mức nguy giây) HGT 32 N60

E2

600 32 0.62

CM400HA-12E

600 400 0.3

5. SCR

Thyristors (SCRs - Silicon Controlled Rectifiers)

Hình 1.8 ký hiệu đặc tuyến SCR

Về mặt cấu tạo linh kiện SCR được học môn linh kiện điện tử Trong phần nói trọng tâm vào số tính chất quan trọng SCR

Các tính chất trạng thái bản:

Hiện tượng đóng SCR được thực thỏa cả hai điều kiện sau: SCR trạng thái khóa Có xung dịng kích vào cực g dương

Hiện tượng ngắt SCR bao gồm hai giai đoạn:

Giai đoạn làm dòng điện thuận bị triệt tiêu thực cách thay đổi điện trở điện áp a not katot

Giai đoạn khôi phục khả khóa SCR Sau dịng thuận bị triệt tiêu cần phải có thời gian để chuyển SCR vào trạng thái khóa

Để đóng SCR khỏang đầu xung dịng kích phải có giá trị đủ lớn Các xung điều khiển được cung cấp từ biến áp xung có nhiệm vụ tách mạch cơng suất khỏi nguồn tạo xung kích

11

Các Tính Chất Động

Tác dụng điện áp khố uv(hoặc uD): bản chất tác dụng điện áp

nghịch lên lớp bán dẫn Lúc đó, hoạt động tụ điện, điện dung phụ thuộc vào độ lớn điện áp đăt vào

Việc đóng thyristor khơng xảy xung dòng iG vào cổng Thoạt

tiên dòng dẫn ivđi qua phần nhỏ tiết diện thyristor chỗ nối

cổng G Sau đó, điện tích dẫn tăng dần lên tiết diện phiến bán dẫn ,điện áp khoá giảm dần Đối với thyristor, thơng thường thời gian đóng điện tgtở

khoảng 10s Khi dịng iv tăng nhanh q, có phần nhỏ tiết diện

chung quanh mạch cổng G dẫn điện dẫn đến tải, làm tăng nhiệt độ lên đến giá trị làm hổng linh kiện

Mạch kích thyristor

12

Hình 1.9 mạch kích SCR

Mạch kích dùng biến áp xung, được vẽ Sau tác dụng áp lên mạch b transistor Q1 Transistor Q1 dẫn bảo hoà làm điện áp Vccxuất

trên cuộn sơ cấp biến áp xung từ xung điện áp cảm ứng xuất phía thứ cấp biến áp Xung tác dụng lên cổng G thyristor Khi khố xung kích, transistor Q1bị ngắt, dòng qua cuộn sơ cấp biến áp xung trì qua mạch cuộn sơ cấp diode Dm

Việc đưa xung kích dài vào cổng G làm tăng thêm tổn hao mạch cổng, thay chuổi xung Muốn vậy, xung điêu khiển kết hợp với tính hiệu điều khiển xung vuông qua mạch cổng logic AND trước đưa vào cổng B transistor Q1 (xem hình b)

Mạch kích chứa phần tử photocouplercó thể phototransistor photothyristor Xung kích ngắn phát từ diode quang ILED (Infrared Light Emiting Diode ) kích dẫn photothyristor từ kích dẫn thyristor cơng suất Mach kích địi hỏi có nguồn DC cung cấp riêng tăng thêm giá thành kích cở mạch điều khiển

Trong nhiều trường hợp ứng dụng, mạch kích đơn giản sử dụng cấu trúc có chứa diac , độ lớn góc kích phụ thuộc vào thời gian nạp điện tích cho tụ (xác định số thời gian ) điện áp tác dụng dia Mạch sử dụng trực tiếp sử dụng nguồn điện cơng suất làm nguồn điện kíc Phạm vi điều khiển góc kích bị hạn chế

13

áp linh kiện đơn giản sử dụng bảng tra cứu cung cấp bới nhà sản xuất

III. SO SÁNH KHẢ NĂNG HOẠT ĐỘNG CỦA CÁC LINH KIỆN:

Khả hoạt động linh kiện bán dẫn cơng suất được so sánh theo hai khía cạnh cơng suất mang tải tốc độ đóng ngắt

GTO công suất lớn được sản suất với khả chịu đựng được dòng/ áp lớn từ 1-6kA/ 2.5-6KV được chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp

Các diode cho nhu cầu thông thường được chế tạo với khả chịu được điện áp từ 500v đến 4kv/ 60A – 3,5Ka Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh khả dịng đạt đến 800-1700A/2800-6000V

Các SCR cho nhu cầu thông thường được chế tạo với khả chịu được điện áp từ 400v đến 12kv/ 1000A – 5Ka Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh khả dòng đạt đến 800-1500A/1200-2500V

Các IGBT dạng mudule được chế tạo với khả chịu được điện áp từ 1,7v đến 3.3kv/ 400A – 1200A Khả chịu đựng điện áp cao lên đến 6Kv

IV. BÀI TẬP

Câu 1:Trình bầy cấu tạo ốt, đặc tuyến V-A phương pháp phân loại

đi ốt

Câu 2:Trình bày cấu tạo nguyên lý hoạt động, đặc tuyến cách

kích Triac?

14

BÀI 02: MẠCH CHỈNH LƯU KHÔNG ĐIỀU KHIỂN Mục tiêu bài:

- Giải thích được nguyên lý hoạt động mạch chỉnh lưu không điều khiển - Lắp ráp, kiểm tra, sửa chữa được hư hỏng trình thực

theo yêu cầu kỹ thuật

- Tính tốn được thơng số kỹ thuật mạch chỉnh lưu Nêu được ứng dụng mạch vào thực tế

- Thực an tồn, tác phong cơng nghiệp qui trình thực

Nội dung

TỔNG QUAN

Bộ chỉnh lưu có nhiệm vụ chuyển đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện chiều, chúng được áp dụng làm nguồn điện áp chiều, nguồn điện áp chiều có điều khiển để cung cấp cho thiết bị mạ, hàn chiều Bộ chỉnh lưu dùng làm nguồn điện cho truyền động động chiều, truyền tải (HVDC), dùng truyền động động xoay chiều Công suất chỉnh lưu lên đến hàng chục MW Bộ chỉnh lưu được chia làm hai loại: chỉnh lưu có điều khiển chỉnh lưu khơng điều khiển ba pha

I. CHỈNH LƯU MỘT PHA NỬA CHU KỲ TẢI RL

1.Lý Thuyết

Xét sơ đồ chỉnh lưu pha nửa chu kỳ hình 2.1 trường hợp trở kháng nhỏ sau:

Hình 2.1 sơ đồ chỉnh lưu pha nửa chu kỳ Với Vac= Vm sin t Vm: biên độ điện áp cực đại = 2pif

15

Hình 2.2 Dạng sóng vào,

Khi tải R

Uac = U2

Ta có: U2 U2msint 2U2sin

Trong khoảng từ 0   U2dương Diode mở cho dòng qua

2 sin d

U  iR U   i 2U2 sin

R 

 đồng pha với U2

Trong khoảng từ  2, U2 âm Diode phân cực nghịch không dẫn  i =

0, Ud =

* Điện áp ngược Diode Umax  2U2

* Giá trị trung bình điện áp chỉnh lưu

2

2

2 sin 0, 45

d

U

U U  d U

 

   

* Giá trị trung bình dịng tải: d 2 d

U U

I

R R

 

* Giá trị trung bình dịng thứ cấp biến áp :

2 2

2 sin 0, 2

U U U

I I d

R R R

              

Khi tải R+L

Cuộn cảm sinh suất điện động tự cảm : L

di

e L

dt  

Theo định luật Ohm viết phương trình mạch điện

2 L

U e  Ri

Hoặc : Ldi Ri Ud 2U2sin t dt    

Đặt : X LZsin RZ.cos ; 2

Z  R X

Trong thực tế với mạch tải R+L người ta thường dùng diode hoàn lượng đấu song song ngược với tải R+L để bảo vệ Diode trì dịng tải chu kỳ âm điện áp nguồn Khi khơng có D điện áp chỉnh lưu Ud

mất đoạn mang giá trị âm

16

Hình 2.3 Khi trở kháng lớn:10H

2. Áp dụng

Hãy dùng nguồn AC pha ( Ui = 94v ) kết nối với mạch chỉnh lưu bán kỳ

1 pha không điều khiển để tạo nguồn DC cung cấp cho tải R=270 Ω, thực hiện yêu cầu sau:

a Tính P, Ud, Id theo cơng thức

b Dùng VOM để đo Ud, Ui

c Dùng gói phần mềm PHACON để hiển thị P, Ud, Ui, Id

Danh mục thiết bị thực hành

Các phận lắp ráp hệ thống được cung cấp thành khối panel riêng biệt, dễ hiểu đồng thời cho phép panel được kết nối với dây nối ngắn

Bảng liệt kê toàn panel được sử dụng thực hành, đồng thời với thiết bị kiểm tra, dây nối, v.v

17

Bảng1 : thiết bị đo thành phần hệ thống

Tên số lượng số

hiệu

Khối điều khiển đa SO3636-1A

Khối van/bộ biến đổi dòng SO3636-1F

Tải RLC SO3636-2A

Bộ khuyếch đại sai lệch SO3636-1V

Cấp nguồn DC SO3538-8D

Biến áp ba pha cách ly SO3636-2G

Đồng hồ RMS SO5127-1L

Đồng hồ Watt SO5157-1R

Khối bàn phím (keypad) LM8921

Oscilloscope số LM6205

Ổ cắm điện an toàn 19/4 mm, màu trắng 30 SO5126-9X Ổ cắm điện an tồn 19/4 mm, có khố SO126-9Z Dây nối an toàn, 4mm, 25cm, trắng SO5126-8F Dây nối an toàn, 4mm, 50cm, trắng SO5126-8Q Dây nối an toàn, 4mm, 100cm, xanh SO5126-9A Dây nối an toàn, 4mm, 100cm, đỏ SO5126-8U

Dây kiểm tra, BNC/BNC LM9034

Phần mềm: Power Electronic SO6006-1A

- Đối với khối điều khiển SO3636-1A

Cáp nối nối tiếp 9/9 chân LM9040

Cáp nối LM6119

- Bài thực hành phân tích:

Phần mềm :Fourier analysis SO6006-1H

Quy trình thực hiện:

Bước 1: Đọc phân tích cho chọn thiết bị để kết nối thành

sơ đồ mạch

Bước 2: Kết nối sơ đồ mạch

Bước 3: Kiểm tra kết nối

Bước 4: Mở nguồn pha, dùng VOM đo P,Ud, Ui So sánh với kết quả tính

toán

Bước 5: Sử dụng phần mềm PHACON để hiển thị dạng sóng Ud, Ui, Id

trên máy tính

18

Chú ý:

Bài thực hành được hồn tất mà khơng có PC Chế độ hoạt động phải được đặt “Mode PHASE CONTROL” Ở chế độ hoạt động này, khơng thể hiển thị được cơng suất, giá trị trung bình thành phần hài bản

Chọn vị trí công tắc chuyển khối khuếch đại sai lệch (the differential amplifier ) sau:

Vị trí Tham số được đo Dải

A Điện áp đầu 150V

B Điện áp đầu vào 150V

C Dòng điện đầu vào 2.5V

19 Sơ đồ mạch kết nối hình 2.4

Hinh 2.4 : sơ đồ mạch chỉnh lưu bán kỳ

điện tử học c biến đổi à điều khiển điện áp à dòng điện , tần số, điều khiển hồi tiếp à cực tiểu s ai lệch à van bán dẫn,