Trắc nghiệm, bài giảng pptx các môn chuyên ngành Y dược và các ngành khác hay nhất có tại “tài liệu ngành Y dược hay nhất”; https://123doc.net/users/home/user_home.php?use_id=7046916. Slide bài giảng môn điện tử công suất ppt dành cho sinh viên chuyên ngành công nghệ - kỹ thuật và các ngành khác. Trong bộ sưu tập có trắc nghiệm kèm đáp án chi tiết các môn, giúp sinh viên tự ôn tập và học tập tốt môn điện tử công suất bậc cao đẳng đại học chuyên ngành công nghệ - kỹ thuật và các ngành khác
CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.1 Giới thiệu: Transistor lưỡng cực BJT dẫn dòng điện theo chiều có dịng điện bazơ thích hợp Dịng điện định mức cho phép từ – 500A, điện áp – 1200V, thời gian chuyển mạch từ 0.5 - 100µs 1.4.2 Cấu trúc hoạt động 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.2 Cấu trúc hoạt động Cấu trúc BJT gồm lớp bán dẫn pnp (bóng thuận) npn (bóng ngược) tạo chuyển tiếp pn Mỗi tranzistơ có ba điện cực ngồi gồm: cực phát hay emitơ (E), cực gốc hay bazơ (B) cực góp hay cơléctơ (C) 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.2 Cấu trúc hoạt động Với ba điện cực theo quan điểm mạch tranzistơ có ba dịng điện, dịng cực phát (I E) tổng dịng cực góp (IC) dịng cực gốc (IB), nghĩa là: IE = I C + I B Với ba dịng điện chọn đại lượng điều khiển (đại lượng ra) đại lượng điều khiển (đại lượng vào) Từ dễ dàng nhận thấy tranzistơ điều khiển theo ba phương pháp: 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.2 Cấu trúc hoạt động Nếu dòng điều khiển IC, dịng điều khiển IB phương pháp điều khiển gọi chung phát, sơ đồ cấp nguồn tương ứng có tên chung phát Nếu dòng điều khiển IE, dòng điều khiển IB phương pháp điều khiển gọi chung góp, sơ đồ cấp nguồn tương ứng có tên chung góp Nếu dịng điều khiển IC, dịng điều khiển IE phương pháp điều khiển gọi chung gốc, sơ đồ cấp nguồn tương ứng có tên chung gốc 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.2 Cấu trúc hoạt động Chế độ khuyếch đại: tranzistơ giải thích theo ngun lý trung hồ (cân điện tích) Theo tổng điện tích trái dấu miền bán dẫn chế độ xác lập phải không, ta xét miền cực gốc, điện tích vào khỏi miền gốc từ ba phía: miền phát qua J E, miền góp qua JC cực gốc B n=m+q • • • m: số e thoát khỏi cực gốc để tạo IB q: số e rơi vào miền điện tích JC để tạo nên dịng IC n: số e phun vào từ miền E tạo dịng IE Tỷ số dịng góp Ic dòng gốc Ib gọi hệ số khuếch đại dòng điện tranzistơ thường ký hiệu β : β= Ic q = Ib m 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.2 Cấu trúc hoạt động • Chế độ bão hồ (chuyển mạch): Tranzistơ làm việc chuyển mạch hai trạng thái xác lập: 1) 2) trạng thái khoá, ứng với điện trở tương đương hai điện cực góp phát lớn; trạng thái dẫn, ứng với điện trở tương đương hai điện cực nhỏ 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính tĩnh (vơn/ampe) 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính động (chuyển mạch) Quá trình dẫn: 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính động (chuyển mạch) Q trình dẫn: • • • (1): BJT trạng thái khố • • • (4): Ứng với trạng thái gần bão hoà BJT, (2): Quá trình dẫn BJT bắt đầu với vBE tăng lên VBE,on (3): vBE = vBE,on dịng điện iC bắt đầu tăng lên xâm nhập e từ miền E vượt qua JB JE để tạo dũng iC, iC tăng theo hàm mũ (5): Giai đoạn hồn tất q trình bão hồ tồn e xuyên qua vùng hoá trị (6): Chế độ bão hoà dẫn BJT Thời gian chuyển mạch dẫn tcmd tổng thời gian giữ chậm tgc thời gian gia tăng tgt : tcmd = t2 + t3 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính động (chuyển mạch) Q trình khóa: 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính động (chuyển mạch) Q trình khóa: • (7): Giảm dòng điều khiển i B IB,off với tốc độ -diB/dt điện tích tích tụ chuyển tiếp mà vBE bước đầu suy giảm nhẹ • (8): vBE tiếp tục giảm vCE bắt đầu tăng, iC chưa giảm • (9): vBE giảm nhanh vBE,off dũng iC giảm vCE = điện áp đặt Tương tự , trình khố xảy qua hai giai đoạn: 1) 2) giai đoạn trì dịng bão hồ ICBH, kéo dài thời gian t7 + t8 giai đoạn suy giảm dòng điện từ giá trị ICBH đến 0, kéo dài thời gian t9 Thời giam chuyển mạch khố tcmk tổng thời gian trì tgc thời gian suy giảm tsg : tcmk = t7 + t8 + t9 ... 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.3 Đặc tính động (chuyển mạch) Q trình dẫn: 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT...1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bibolar Junction Transistor) 1975 1.4.1 Giới thiệu: Transistor lưỡng cực BJT dẫn dịng điện theo chiều có dịng điện bazơ thích hợp... bán dẫn pnp (bóng thuận) npn (bóng ngược) tạo chuyển tiếp pn Mỗi tranzistơ có ba điện cực gồm: cực phát hay emitơ (E), cực gốc hay bazơ (B) cực góp hay côléctơ (C) 1.3 CHUYỂN MẠCH BÁN DẪN BA LỚP