Nâng cao hiệu suất thu hồi monome axit lactic sau quá trình lên men nhằm phục vụ cho tổng hợp vật liệu polyme phân hủy sinh học

ĐAI HOC QUỐC GIA HÀ NỘI TR Ư ỜN G ĐAI HOC K H O A HỌC T ự N H IÊ N ĐỂ TÀI N G H IÊ N CỨU C H Ê TAO C Ả M BIẾN Q U A N G ĐIÊN VÀ CÁC TÍNH C H Ấ T CỦA CH ỨNG Mà SỐ : QT 9X-05 CH Ú CHÌ ĐỀ TÀI : PGS TS N G U Y ỄN THỊ THỤC HIEN CA n r : - TRÍIHGTA.VT HÀ NỊI 2000 ĐỂ TÀI N G H IÊ N CỨU C H Ê TAO C Ả M BIẾN Q U A N G ĐIỆN VÀ CÁC TÍN H C H A T CỦA C H Ú N G Mà SỐ: ỌT98-05 CH Ủ CHÌ Đ Ể Các Cán Bộ Phối T À I: PGS TS N G U Y Ễ N THỊ TH Ụ C HIỂN Hợp : GS Đ àm T rung Đ ổn PGS TS Nguyễn Ngọc Long TS Lê Hổng Hà TS Lê Thanh Bình CN Trần Vĩnh Thắng BÁO C Á O T Ó M TẮT ĐỂ TÀI CẤ P ĐẠI HỌC Q U Ố C GIA T Ê N ĐÊ TÀI : “ N G H IÊ N c ứ u C H Ê TẠ O C Ả M BIẾN Q U A N G ĐIỆN VÀ C Á C TÍNH C H Ấ T CỦA C H Ú N G ” Mà SỐ Q T 98-05 Chủ Chì Đề Tài : Các Cán Bộ Tham Gia PGS TS Nguyẻn Thị Thuc Hiển Đàm Trung Đon GS PGS TS Nguvẻn Ngọc Long Lê Hổng Hà TS Lẽ Thị Thanh Bình TS CN Trần Vĩnh Tháng Mục tiêu nội dung nghiên cứu 4.1 Mục tiêu để tài Từ thiết bị có sẩn, rời rạc, xâv dựng hệ đo phổ quang dẫn có ghép nối với máy tính Phấn mém soạn tháo cho việc sứ dụng dễ dàng thuận lợi Hệ dùng đế đặc (rưng phố đặc trưng tần số tap nội Tạo cám biến quang điện quang trớ photodiode từ vật liệu bán dan có san Kháo sát số thõng số, đặc trưng cảm biến chê tạo bảng đo xây dựng Đó đặc trưng phổ đặc trưng tán số ( thời gian quán tính ) tạp nội Trên sở nghiên cứu vể lý thuyết thực nghiệm, tìm chế độ đế sử dụng cám biến dạng rơle quang nguồn ghi nhận xạ 4.2 Nội d u n s imhiên cứu -Nghiên cứu tiến phần mền đế hoàn thiện trình sứ dụnẹ -Tạo quang trớ từ đon tinh CdTe loại n có điện trớ suất cao (10 Q m ) bước đáu chế tạo màng phương pháp bốc bay nhiệt chán không -Các photodiode chế tạo theo hai loai Loại thứ chế tạo từ chuvến tiếp p -11 cua hán dán Si loại thứ hai tạo tiếp xúc kim loại- bán dẫn Au-CdTe loại n Mục tiêu chù Ỵốu nghiên cứu cam biến quang đẽ sứ d ụ n s làm role quane nen dã xác định độ nhạy, thời uian qn tính Ngồi cũna xem xét tap nội cua cám bièn Đã nghiên cứu phu thuộc cua thõng số trẽn vào kích thước cám biến SƯ gia cơng mặt, độ pha tạp, trờ tái Các kết đạt Đã xây dưng dược hệ phổ quang dần có ghép nối với máy tính tlẽn co SO' mọt sổ thiết bị rời rạc cùa mơn đơn vị han kinh phí đe tài cap Phan men ilnet ké ticn lợi VỚI tiếna Việt Pascal có hướnvỉ dán ty mi lẽn vi ọc sử dụ 11 li rát thuận lọi Voi hệ đo dược xay dựng, có the đo phị quaim dán nhiệt khác tàn sỏ, dặc trung V on-Am pe tạp nội Đã tạo cám biên sau: ■» -Quang trở từ đơn tinh thể CdTe loại n có điện trớ suất cao ( lCT-lO'Qm) với kích thước khác -Các photodiode từ chuyến tiếp p-n Si có sẵn với kích [hước khác tù 2x2x0.5mm đến 5x6x0.5mm photodiode từ tiếp xúc kim loại- bán dản Au-CdTe loại n với loại gia cóng bề mặt khác Tiếp xúc Au bé mặt bán dản thưc phương pháp lãng đọng hóa học bốc bay chán không Đã đo đặc trưng phổ, đặc trưng tần số tạp nội, tìm ảnh hướng lên thơng sỏ dó kết luận chất lượng hướng sử dụng cảm biến c h ế tạo -Đã có sinh viên chuyên nghành vật lý chất rắn làm việc hệ đo báo vệ thành cơng luận vãn tốt nghiệp Hàng năm, iưỏn có khống đến sinh viên năm thứ ba tập dượt hệ đo Trong sơ có sinh viên đạt giải nhì hội nghị khoa học cấp Đ H Q G Hà Nội Đã có báo cáo tai hội nghị khoa học bao gồm Một báo cáo hội nghị “Đào tạo nghiên cứu ứng dụng khoa học công nghệ vật liệu” 8-2000 Huế Hai báo cáo tai hội nghị khoa học tai trường Đ H K H T H -Đ H Q G H N 11-2000 Tinh hình kinh phí Tống kinh phí cáp 16 triệu hai năm 1998-1999 Kinh phí dã chi theo hạn mục đãng ký Xác nhận han chủ nhiệm khoa (Ký ghi rõ họ tên) [ V ( Chu trì để tài ( Kv ghi rõ họ tên ) KÁ — Y Xác nhận trườn a > > S vP h Ĩ Hlìu TR'JCN’O / BR IE F R E P O R T The title of the project IN V E S T IG A T IO N OF P R E P A R A T IO N O F P H O T O D E T E C T O R S A N D T H E IR C H A R A C T E R IS T IC S CODE: Q T98-05 Main responsible person : Main implementation mem ber N guyen T hi T h u c H ien Đani Trung Đon Nguyen Ngoc Long Le H ong Ha Le Thanh Binlĩ Tran Vinh Thang Objects and content of research ] The objects -Setting up a interface photoconductivity spectrum m easurement based on the facility of lab o rato ries equipment The softway must be composed with the convenient By the setting up apparatus one can measure the response and frequence spectra The intrinsic noise and IV charateristics arc also measured -To make some photodelectors such as photoresistors, photodiodes upon on responsible sem iconductor materials -To measure some characteristics and parameters of the photodetectors such as response characteristics, relaxation time, noise -To find out the ability for application of made photodetectors 4.2 The content of research -To find the best softway for composition -To make pholoreristois and photodiodes from photosensitivity semiconductors such as CdTe, Si The photoresistors have been made from a single crystal CdTe n-tvpe with rather high resistivity (p = 104H-lA\1 M Ọ ' Q U O r r ] | / \ ‘r | - \ (N|ộ| I I' M( ) N( I I )Ạ I I [( )( K I I O A I l(){ ■ I ỉ I NI I I P N K l i o n Vi t l I V ' I H 1> (■M Ml , \ Nil ' \ I I Y { I I I |> A LUẶM VÁH TổT NGÌ-IIẼH V D e J s ii : < il II í ’ N( )| III | ) ( ) n i l ) () \ ! A N< i I VAN V( j| M A Y I I NI I V A Si I I )l I| K i n r I )() X/ \ ( Oi NI I M O I s o í 11< >N( Ỉ S ( ) ( , ) l \ N( ; ( I IA ( 'I n ỉ \ I N I U P I’ N ( ( \m h \ /I n hi1 liiin ! ' /I " \ h'n 11 \ I 'h'n ' M I ’m :< )l I’i i S l ’ I S N m I \ (II T i m e Mi n i P I S I c I 111 I I mi i h I’ inl) HI I 11; IM>J> I '>(» KI|o;ih,i< | f)'IS M UC L UC li'ing ỈM(Í ( h i ll Than I Ỉ Ỉ V lluivci S i r l i í ì p ( l ụ i n u l l S;Í||U c i ’i.M c: ;k’ c l i í ì ì b n (IÃ11 it I in li cliAI (1iỌn VÌIf| iiíing c ù a c h u y ể n liếp p 11 II i )ạc I m u g ( ' V Cj I I iện ling (|iiniijỊ ;i|) -ì í );ẶC Im'ng V A ■1 t )ọi m y línli 12 ( Yx' k ẽ l tị Mil fill IV Mi;liiỌm vh (Irínli gi;ì l\('l C|II;’\ I] I i í ' mo n i à u ( l o \ Kêt CỊ1IÍ1 (Ici đ;i< 11 n g V - A lí KOI d o (i;V h n g C - V I5 K ế t (In ( lặ c l u m p p h ổ (7 KOI qtin (In (lặc 1Àn s(: 20 r i m lỉ /1 ( C h u ô n g I n n h g l ic p nơi ) 25 rin m KếMimn J íìi ỉic u thiim kh ả o , 31 32 DẠI I K K