Đang tải... (xem toàn văn)
Transistor BJT có thể hoạt động ở nhiều chế độ khác nhau tuỳ thuộc vào cách phân cực các mối nối BE và CB. Chế độ BE CB[r]
(1)Chương
(2)I Tổng quan transitor
Transistor thiết bị đa cực có khả năng: + Tăng (khuếch đại) dòng
+ Tăng (khuếch đại) áp
+ Tăng (khuếch đại) tín hiệu – cơng suất
Transistor lưỡng cực BJT (BJT- Bipolar Junction Transistor) transistor hệ phát minh năm 1947 Bardeen, Brattain
(3)(4)I Tổng quan transitor
Name Signification Year Transistors nu
mber[19]
Logic gates number[
20]
SSI small-scale
integration 1964 to 10 to 12
MSI medium-scale
integration 1968 10 to 500 13 to 99
LSI large-scale
integration 1971 500 to 20,000 100 to 9,999
VLSI very large-scale
integration 1980 20,000 to 1,000,000 10,000 to 99,999 ULSI ultra-large-scale integration
1984 1,000,000 and
more
(5)II.1 Cấu trúc transitor
BJT (Bipolar Junction Transistor) tạo nên từ lớp bán dẫn p n xen kẽ
Ba vùng bán dẫn transistor gọi : vùng Phát (Emitter - E) ; Nền (Base - B) Thu (Collector - C)
P n P
E C
B
0.150 in
0.001 in
n p n
E C
B
0.150 in
(6)Mối nối pn vùng vùng thu gọi mối nối nền-thu (BC) Tương tự mối nối pn vùng vùng phát mối nối phát (BE)
(7)II.1 Cấu trúc transitor
(8)II.2 Nguyên lý hoạt động transitor BJT
Transistor BJT hoạt động nhiều chế độ khác tuỳ thuộc vào cách phân cực mối nối BE CB
Chế độ BE CB
Ngưng dẫn Phân cực nghịch Phân cực nghịch Tích cực Phân cực thuận Phân cực nghịch Bão hoà Phân cực thuận Phân cực thuận
(9)(10)Xét hoạt động transitior npn chế độ tích cực
Transistors 20] Logic gates