Malvino-EP-11- Mạch KDCS

Chương 11 ấMạch KĐ công suất (KĐCS)(KĐCS) Từ Vựng (1/3) • Audio amplifier = KĐ âm tần • Bandwidth = BW = băng thông• Bandwidth = BW = băng thông • Capacitive coupling = ghép tụ • Class A operation = hoạt động lớp A • Class B o peration = hoạt động lớp Bp g p • Class C operation = hoạt động lớp C • Current drain = dòng (điện) tiêu thụ• Current drain = dòng (điện) tiêu thụ • Dc amplifier = mạch KĐ DC ế• direct coupling = ghép trực tiếp = ghép DC Từ Vựng (2/3) • Duty cycle = chu kỳ làm việc (nhiệm vụ) • Efficiency = hiệusuất• Efficiency = hiệu suất • harmonics = hài • Large-signal operation= hoạt động tín hiệu lớn •Maximum peak (MP) voltage = điện áp đỉnh cực đạip() g p • Maximum peak-to-peak (MPP) voltage = điện áp đỉnh-đỉnh cực đạiđỉnh đỉnh cực đại • Narrowband amplifier = mạch KĐ băng (thông) hẹp P lifi hKĐCS• Power amplifier = mạch KĐCS Từ Vựng (3/3) • Power gain = độ lợi CS • Preamp = tiềnKĐ (KĐ trước)• Preamp = tiền KĐ (KĐ trước) • Push-pull circuit = mạch đẩy-kéo • Radio frequency (RF) amplifier = mạch KĐ vô tuyến • Transformer coupling = ghép (bằng) biến áp • Tuned RF amplifier = mạch KĐ cộng hưởng RFTuned RF amplifier mạch KĐ cộng hưởng RF = mạch KĐ điều hợp RF Wid b d lifi hKĐ bă (thô ) ộ• Wideband amplifier = mạch KĐ băng (thông) rộng GiớithiệuGiới thiệu • Trong TV, radio, , tín hiệu vào nhỏ. Tuy nhiên hiề ầ KĐ hì í hiệ ở êlớ àqua nhiều tầng KĐ thì tín hiệu trở nên lớn và dùng toàn bộ đường tải. Ở những tầng sau của hệ thống dòng thu lớnhơn nhiềuvìtổng trởhệ thống, dòng thu lớn hơn nhiều vì tổng trở tải nhỏ hơn nhiều, thí dụ loa có tổng trở 8 Ω! • Transistor tín hiệunhỏ có định mứcCS<1W• Transistor tín hiệu nhỏ có định mức CS < 1W và thường được sử dụng ở phần đầu của hệ thống, ở đây CS tín hiệuthấp.thống, ở đây CS tín hiệu thấp. • Transistor tín hiệu lớn có định mức CS > 1W và được dùng ở gầnphầncuốicủahệ thống vìvà được dùng ở gần phần cuối của hệ thống vì CS tín hiệu và dòng lớn. Nội dung chương 11Nội dung chương 11 1. Thuật ngữ mạch KĐậ g ạ 2. Hai đường tải 3 Hoạt động lớpA3. Hoạt động lớp A 4. Hoạt động lớp B 5. Hoạt động lớp C 6 Các công thứclớpC6. Các công thức lớp C 7. Định mức công suất transistor 11 1Thuậtngữ mạch KĐ11-1 Thuật ngữ mạch KĐ Thuậtngữ mạch KĐThuật ngữ mạch KĐ • Các hoạt động lớp A, B, và C (phân loại theo dạng dòng collector trong 1 chu kỳ)dạng dòng collector trong 1 chu kỳ) • Các kiểu ghép: tụ (AC), biến áp, trực tiếp (DC) • Dãi tần(số):• Dãi tần (số): – Âm tần: 20Hz Æ 20KHz – RF: F > 20KHz (thường >> 20KHz)RF: F 20KHz (thường 20KHz) – Theo BW: •Băng (thông) hẹp: TD: F= 450 Æ 460KHz Æ•Băng (thông) rộng: TD: F= 0 Æ 1MHz •Mức tín hiệu: Tín hiệunhỏ:MPPcủaI <01I– Tín hiệu nhỏ: MPP của I C < 0.1 I CQ –Tín hiệu lớn: MPP của I C sử dụng gần hết đường tải I C I C Các lớp hoạt động AB t t I C I C I SAT C D t t C D Class A : Linear t t Class A : Linear Class B, AB: Linear* (Complementary) Class C: Nonlinear (RF, Tuned) Class D and E: Switching (Linear Audio) ac dc ac dc Tụ Trực tiếp ac ac Biến áp Biến áp cộng hưởng Các kiểu ghép [...]... động lớp A Mạch KĐ lớp A • Độ lợi CS: G = pou/pin • Tiêu tán công suất ở transistor: PD=VCEQICQ 14 12 10 IC [mA] 8 6 4 2 100 μA 80 μA 60 μA A 40 μA Q 20 μA vrms2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 pout = VCE [V] t R pout = L vpp2 8RL 0 μA MPP2 pout(max) = 8RL Hiệu suất • Công suất nguồn DC cung cấp cho mạch KĐ là Pdc = VCCIdc • Hiệ suất = η = ( out/Pdc ) 100% Hiệu ất (p )x • Hiệu suất cực đại của các mạch KĐ lớp... kềnh và đắt tiền • Có thể bỏ các biến áp ể ế 11-5 11 5 Hoạt động lớp C A Mạch KĐ lớp C Amax 1 fr = 2π LC +VCC C L f fr RL vin RB DCLL và ACLL của Mạch KĐ lớp C ạ p IC dc load line VCC rc Q VCC VCE Kẹp âm tại cực nền làm cho dòng ó ó dạng xung dò góp có d IC +VCC C t + VP 0 - VP L 0 -2 VP RB RL 11-6 11 6 Các công thức lớp C Hình 11 8 Mạch tương đương cuộn dây 11-8 .. .Mạch cộng hưởng RF (a ) Ghép tụ (b) Ghép biến áp ế 11-2 11 2 Hai đường tải Đường tải DC và đường tải AC (DCLL và ACLL) • Hoạt động tín hiệu nhỏ: điểm Q không quan trọng lắm • Hoạt động tín hiệu lớn: điểm Q phải ở giữa ACLL để có được thay đổi tín hiệu ra lớn nhất (max swing) • TD: Xem hình 11-4 cho thấy Q cùng DCLL và ACLL Hình 11-4 Mạch KĐ có 2 đường tải +VCC R1 RC... – 1.1V = 3.07V PDQ = VCEQICQ = 3.07V x 1.62mA = = 4.97mW c) Idc = 10V/12.2 KΩ + 1.62mA = 2.44 mA Pdc=VCCIdc=10V x 2.44mA = 24 4 mW 24.4 W η = pout/Pdc = 1.02mW/24.4mW = 4.2 % 11-4 11 4 Hoạt động lớp B Mạch đẩy-kéo lớp B ạ y p T1 vin Q1 T2 +VCC Q2 Ở bán kỳ dương của tín hiệu, Q1 dẫn và Q2 tắt T1 vin Q1 T2 +VCC Q2 Ở bán kỳ âm của tín hiệu, Q1 tắt và Q2 dẫn Hoạt động lớp B • Mỗi transistor dẫn trong . 7. Định mức công suất transistor 11 1Thuậtngữ mạch KĐ11-1 Thuật ngữ mạch KĐ Thuậtngữ mạch KĐThuật ngữ mạch KĐ • Các hoạt động lớp A, B, và C (phân loại. cộng hưởng RFTuned RF amplifier mạch KĐ cộng hưởng RF = mạch KĐ điều hợp RF Wid b d lifi hKĐ bă (thô ) ộ• Wideband amplifier = mạch KĐ băng (thông) rộng GiớithiệuGiới