Thiết kế mạch KĐCS f=4.5g, p =2w ra 15w bộ công 4 cho công suất p =60w, z =50

Thiết kế mạch KĐCS f=4.5g, p =2w ra 15w bộ công 4 cho công suất p =60w, z =50

Trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội Viện Điện Tử Viễn Thông ======o0o====== Báo cáo tập lớn môn học kỹ thuật siêu cao tần Đề tài: Thiết kế Mạch KĐCS f=4.5G, P =2w 15w công cho công suất P =60w, Z =50 Giảng viên hướng dẫn : Nguyễn Khuyến Nhóm sinh viên thực hiện: Họ tên SHSV Lớp Nguyễn Đức Quân 20092119 ĐT 10 –K54 Lê Đức Phương 20092049 ĐT 09 –K54 Hà Nội 05/2014 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Mục lục Phần 1: Yêu cầu đề tài Phần 2: Cơ sở lý thuyết 2.1 Tính toán khếch đại với hệ số khuếch đại lớn 2.2 Tính toán khuếch đại với hệ số khuếch đại định 2.3 Mạch ghép – Cộng công suất WILKINSON : 2.3.1 Mode chẵn 2.3.2 Mode lẻ 10 Phần III :Tính toán ,thiết kế mô mạch chia công suất công cụ ADS 14 3.1 Tính toán thiết kế mạch chia công suất wilkinson -2 14 3.2 Tính toán thiết kế mạch cộng công suất 4-1 15 Phần IV : Tính toán thiết kế mạch theo yêu cầu đề tài 16 4.1 Tính toán thiết kế mạch khuếch đại 16 Phần V: Kết luận 20 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần 1: Yêu cầu đề tài Đề tài yêu cầu : Thiết kế Mạch KĐCS f=4.5G, P =2w 15w công cho công suất P =60w, Z =50 => Như vậy, hệ số khuyếch đại tổng cổng là: G = 10 log (Pout/Pin) = 10 log (15/2) ≈ 8.8(dB) Phần 2: Cơ sở lý thuyết 2.1 Tính toán khếch đại với hệ số khuếch đại lớn Xét mạng khuếch đại sử dụng transistor hình dưới, với tham số tán xạ [S] cho trước tần số công tác, điện trở nguồn Z S, điện trở tải ZL Trước Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần hết ta cần xem xét ổn định mạch để xác định xem mạch cung cấp khuếch đại ổn định hay dao động Zs [S] U1 E Khối khuếch đại Vào Dùng transistor U1- U2ZL U2 Zo Hình Ta biết hệ số phản xạ phía tải: L  Z L  Z0 Z L  Z0 (1) Hệ số phản xạ nhìn phía nguồn: (2) Theo định nghĩa tham số S : U 2   LU 2 ta có : U1  S11U1  S12U 2  S11U1  S12 LU 2 (3) U 2  S21U1  S22U 2  S21U1  S22 LU 2 (4) Từ phương trình ta có : in  S11  S12 S21 L Zin  Z o   S22 L Zin  Z o out  S22  S12 S21 S  S11 S (5) (6) Chia điện áp U1 thành thành phần : Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần U1  U1  U1  U1 (1  in )  U S Zin Z S  Zin (7) Mặt khác ta có : Zin  Z  in   in (8) Thay Γin (5) vào (7) kết hợp với (8) ta tìm U1+ : U1  U S  S   S in (9) Với giả thiết điện áp mạch điện áp đỉnh công suất qua mạch : | U g | |1   S |2 Pin  | U1 | (1 |  L | )  (1 |  S |2 ) 2Z o 8Z o |1   S in | (10) Công suất tải mạch : | U1 |2 PL  (1 |  L |2 ) 2Z o (11)  Từ (4) ta tìm U 2 thay vào (11) sử dụng U1 biểu thức (9) ta có : | U1 |2 | S21 |2 (1 |  L |2 ) | U S |2 | S21 |2 (1 |  L |2 ) |1   S |2 PL   2ZO |1  S221 |2 8ZO |1  S22 L |2 |1   S in |2 (12) Bộ khuếch đại công suất có hệ số khuếch đại : PL | S21 |2 (1 |  L |2 ) G  Pin (1 | in |)2 |1  S22 L |2 (13) Ta có công suất lấy từ nguồn đạt cực đại bằngPSmax trở kháng vào phối hợp trở kháng với trở kháng nguồn PS max | U S |2 (1   S )  Pin | *  in S 8Z O (1 |  S |2 ) (14) Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Công suất tải đạt giá trị cực đại P Rmax trở kháng tải phối hợp phức với mạch PR max | U S |2 (1 | out |2 ) |1   S |2  PL | *  | * L out 8ZO |1  S22*out ||1   S in |2 L out (15) Từ biểu thức (5) & (6) ta có : |1  S11 S |2 (1 | out |2 )2 |1   S in | | *  L out |1  S22out |2 (16) Thay vào biểu thức (15) ta có : PR max | U S |2 | S21 |2 |1   S |2  8ZO |1  S11 S |2 (1 | out |2 ) (17) Độ khuếch đại công suất nhận (Độ khuếch đại công suất sau đầu vào đầu phối hợp trở kháng với nguồn tải) : PR max | S21 |2 (1 |  S |2 ) GA   PS max |1  S11 S |2 (1 | out |2 ) (18) Để đơn giản tính toán người ta đưa đại lượng độ khuếch đại công suất xuyên (Độ khuếch đại công suất đầu vào phối hợp trở kháng với nguồn) Từ (12) (14) Ta có độ khuếch đại công suất xuyên : | S21 |2 (1 |  S |2 )(1 |  L |2 ) PL GT   PS max |1   S in |2 |1  S22 L |2 (19) Trường hợp đặc biệt cửa đầu vào phối hợp trở kháng Khi hệ số khuếch đại công suất xuyên: GT = |S21|2 (20) Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Bộ khuếch đại tầng công suất transistor mô hình hóa Z0 Phối hợp Khuếch đại công suất [S] Go Phối hợp đầu vào Gs Γs Γ in đầu Tải Z0 GL Γout ΓL sau: Hình 2: Mô hình mạch khếch đại transistor Mạch phối hợp đầu vào biến đổi trở kháng vào thành trở kháng nguồn ZL ZS Có thể sử dụng độ khuếch đại công suất xuyên không phối hợp tải nguồn Ta định nghĩa độ khuếch đại đầu vào (nguồn) mạch phối hợp Độ khuếch đại thân transistor độ khuếch đại đầu (tải ) mạch phối hợp: GT = |S21|2 Hệ số khuếch đai toàn bộ: GTmax = Go + GL + Gs 2.2 Tính toán khuếch đại với hệ số khuếch đại định Để có hệ số khuếch đại mong muốn ta cần tính toán để giảm Gs GL Phương pháp thiết kế đánh dấu đường tròn có độ khuếch đại cố định cho giá trị Gs GL chọn cố định Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Trong nhiều trường hợp bỏ qua |S12| nhỏ tính toán đơn giản Ta có Các khuếch đại đạt cực đại khi: Ta định nghĩa hệ số khuếch đại chuẩn hóa: Ta thấy ≤ gs ≤ ; ≤ gL ≤ Với giá trị cố định gs gL đường tròn mặt phẳng Γ s ΓL Để biểu thị điều ta xét: gs|1 – S11 ΓS|2 = (1 - |ΓS|2)(1 - |S11|2) gs |S11|2 + - |S11|2)|Γs|2 – gs (S11Γs + S11* Γs *) = 1- |S11|2 – gs Tâm đường tròn có Gs GL số: Cs = gsS11 /(1- (1 - gs)|S11|2) (21) CL = gL S22* /(1- (1 – gL)|S22|2)) (22) Bán kính: (23) Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần (24) Với việc xác định hai đường tròn cho ta hệ số khuếch đại định đầu vào đầu Ta chọn hệ số ΓS ΓL mong muốn Việc lựa chọn ΓS ΓL , ta thường chọn điểm thích hợp nằm gần tâm đồ thị Smith để tối thiều hóa việc không phối hợp đạt dải thông lớn 2.3 Mạch ghép – Cộng công suất WILKINSON : Hình biểu diễn mạch ghép công suất Wilkinson : Cửa R0 l/4 Vin1 Cửa R R0 Ra R0 Cửa Vin2 Hình : Sơ đồ mạch ghép chia công suất Wilkinson với nguồn cửa Chiều dài nhánh thiết kế l/4, mạch ghép – chia công suất Wilkinson hoạt động ứng với tần số định Mạch sử dụng để chia công suất từ cửa qua cửa 2, ghép công suất từ cửa cửa Cửa có tính đối xứng Do : S13 = S31 = S23 = S32 Mạch phối hợp trở kháng đồng thời cửa với điện trở chuẩn R0 Do đó, S11 = S22 = S33 = Như : Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần S11 S12 S13 S12 S13 [S] = S21 S22 S23 = S12 S13 S31 S32 S33 S13 S13 Phân tích mạch hình thành mode : mode chẵn mode lẻ R0 l/4 Ra Vin1 -Vin2 + R R0 R0 l/4 Vin1+Vin2 R0 R R0 Ra R0 -(Vin1-Vin2) Even mode (Common mode) Odd mode (Differential mode) Hình : Mạch ghép – chia công suất Wilkinson chia thành mode 2.3.1 Mode chẵn Vì nguồn nối vào cửa có giá trị (Vin1 + Vin2)/2 nên dòng điện qua điện trở R 0, đo hở mạch đoạn nối cửa thông qua R Khi đó, Mode chẵn chia thành thành phần độc lập hình l/4 Cửa 2R0 Ra Cửa V1 R0 Vin1+Vin2 R/2 V3 Hở mạch Hở mạch Rine1 Hình : Mode chẵn chia thành thành phần độc lập Trở kháng nhìn vào cửa : Rine1  Ra R0  jR a tg (  l )  Ra l R0 Ra  j R0 tg (  ) (   2 l : hệ số pha [rad/m] ) Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Để phối hợp trở kháng cửa : Rine1 = R0  Ra  R0 Để tính S13(hoặc S31), ta phải tính V1 V3, từ suy V3 V1 Quan sát đường truyền sóng không tổn hao Ra, ta có biểu thức điện điểm x : V ( x)  Ve jx  Ve jx Chọn x = cửa Khi hệ số phản xạ điểm tải 2R0 cửa : (l )  R0  Ra   R0  Ra  Ta có :  j l V V e  V e S 31    V1 V   V j l   j (V  V )  jV  (1  )  j   V   V V (1  ) Do tính đối xứng mạch ta suy S22 = S23 = S32 = S13 = S31 = j 2.3.2 Mode lẻ Vì nguồn nối vào cửa đối nhau, tính đối xứng mạch chia công suất Wilkinson nên ta xem mode lẻ gồm phần đối xứng qua điểm đất l/4 Cửa 2R0 Ra Cửa R0 Vin1 -Vin2 R/2 Rino1 Hình : Mode lẻ chia thành thành phần độc lập 10 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Đoạn truyền sóng l/4 có cửa nối đất nên trở kháng đầu vào đường truyền cửa hở mạch Do Rino1= R/2 Để phối hợp trở kháng cửa 1(S11 = 0) : Rino1 = R0  R = 2R0 Tương tự, cửa ta có S22 = S11 = Ngoài ra, ta nhận thấy cửa cửa luôn cách ly mode chẵn lẻ cấu trúc hở mạch nối đất mạch phẳng đối xứng mạch Do : S12 = S21 = Hệ số lại cần tìm S33, hệ số phản xạ nhìn vào cửa cửa gắn tải trở phối hợp R0 l/4 Cửa R0 Cửa Vin3 R0 R Ra R0 Cửa Hình : Sơ đồ mạch ghép chia công suất Wilkinson với nguồn cửa Do tính đối xứng cửa 2, đặt nguồn vào cửa tín hiệu cửa giống nhau, nên điện trở R = 2R0 nối cửa bị hở mạch l/4 Cửa Vin3 R0 Rin Cửa R0 Hở mạch Ra R0 Cửa Hình : Sơ đồ mạch ghép chia công suất Wilkinson với nguồn cửa (R bị hở mạch) 11 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Vì đường truyền phần tư bước sóng nên điện trở nhìn vào đường đứng cửa : Rin1 = Rin2 = Ra/R0 = 2R0 Suy điện trở nhìn vào cửa : Rin = R0  S33 = (phối hợp trở kháng cửa 3) Từ phân tích trên, ta viết ma trận tán xạ [S] mạch chia công suất Wilkinson sau : [S] =  j/  j/  j/  j/ 0 = j 0 1 Nhận xét :  [S] đối xứng qua đường chéo  Phối hợp trở kháng cửa  Không thỏa mãn điều kiện Kronecker Do có tổn hao Chú ý :  Khi dùng để ghép công suất từ cửa đến cửa 3, có thành phần mode lẻ bị tiêu tán công suất điện trở R = 2R0 Còn thành phần tín hiệu mode chẵn không bị tiêu hao công suất  Khi dùng để chia công suất 3dB từ cửa đến cửa PHTK tín hiệu không bị tiêu hao công suất Chỉ cửa không PHTK gây sóng phản xạ cửa tín hiệu bị tiêu hao công suất điện trở R = 2R0 12 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần  Các đặc tính phân chia công suất phối hợp trở kháng mạch Wilkinson tần số hoạt động f0 định trước (do chiều dài đường l/4 f0) Tại tần số khác, đặc tính này, phối hợp trở kháng cửa, thay đổi 13 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần III :Tính toán ,thiết kế mô mạch chia công suất công cụ ADS 3.1 Tính toán thiết kế mạch chia công suất wilkinson -2 l/4 Cửa R0 Cửa Vin3 R0 R Ra R0 Cửa +Với P0 công suất đầu vào mạch; +P1 p2 công suất đầu chia -Theo yêu cầu toán ta có : p1 = ½ p0; P2 = ½ P0; Ma trận tán xạ mạch chia -2 có dạng; Với Ro =50 ohm, +Kích thước đường vi dải tương ứng với Ro,tần số 4.5 Ghz theo công thức (5.159 ktsct) W=3.08467mm; L = 31.4778mm; Tại thành phần Z =70.7 độ dài lamda/4 ta có kích thước vi dải tương ứng: W=1.6355mm; L=lamda(g)/4=7.88357mm; 14 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần 3.2 Tính toán thiết kế mạch cộng công suất 4-1 Ta có ma trân tán xạ mạch cộng công suất 4-1với mức công suất Pi =4P0; Sơ đồ mô mạch chia công suất ADS Hình 9: Mạch cộng công suất 4-1 15 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần IV : Tính toán thiết kế mạch theo yêu cầu đề tài 4.1 Tính toán thiết kế mạch khuếch đại Yêu cầu: Pin = 2W, Pout = 15W, tần số f = 4.5GHz => hệ số khuếch đại tổng cộng G = 10 log(15/2) ≈ 8.8(dB) Lựa chọn linh kiện: Với yêu cầu độ khuếch đại trên, nhóm chúng em tìm hiểu định sử dụng transistor trường CGH40010 10W, RF power GaN HEMT làm khuếch đại chính, với tham số ma trận tán xạ 4,5 GHz (tại VDS = 28V, IDset = 500mA) là: Tần số S11 S21 S12 S22 (Ghz) 0.899 131.40 2.33 4.5 1.99 0.016 -24.780 0.489 175.30  Tính toán: Ta có = /(1 – 0.8992) = 5.2 = 7.16 dB = 1/( – 0.4892) =1.3= 1.4 dB G0 = |S21|2 = 2.332 = 5.4 = 7.3 dB Độ khuếch đại xuyên đơn hướng: 16 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần GTU = 7.16+1.4+7.3 = 15.86 dB Ta thấy độ khuếch đại lớn mong muốn 7.06 dB Ta lựa chọn Gs =1,5dB GL = dB G0 = 7.3 dB Sử dụng công thức (21), (22), (23), (24) ta tính số liệu đường tròn có độ khuếch đại cố định đồ thị Smith: gs = Gs/ Gsmax = 0.252 gl = Gl / Glmax = 0.769 Cs = 0,252 0.899∟131.4o / ( – (1 – 0,252) 0,8992) = 0.573∟131.4o Rs = 0.42 CL = 0,769 0,489∟175,3o /(1 – (1 – 0,769) 0,4892) = 0,398∟175,3o RL = 0.387 Lần lượt dựng đường tròn tâm (CS ;RS) (CL ; RL) ta xác định được: ΓS = 0,153∟131.4o ΓL =0,011∟175.3o  Phối hợp đầu vào phía nguồn Sử dụng phương pháp dây chêm song song hở mạch, ta có: Γin = Γs* = 0,153∟131.4o Từ Γin ta xác định Zin , đường tròn có Γ = const, ta xác định điểm dẫn nạp Yt = Yin cách lấy đối xứng với Zin qua tâm đường tròn,từ Yt quay theo chiều kim đồng hồ tới vị trí cắt đường tròn có r = 17 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần điểm – j0,3 Vậy ta tính chiều dài từ đầu vào transistor tới điểm mắc dây chêm song song hở mạch 0,138ƛ Để triệt tiêu phần điện kháng – j0,3 cần mắc thêm dây chêm hở mạch song song có giá trị j0,3 Chiều dài dây chêm 0,18ƛ  Phối hợp đầu phía tải Γout = ΓL* = 0.011∟175,3o Tương tự, ta tính Gs = 1.5 dB gs = 0,252 Cs = 0,573 / 131.4o Rs = 0,42 GL = dB gL = 0,769 CL = 0.398 / 175o RL = 0.387 Trên đường tròn này, ta chọn Γs ΓL để giảm khoảng cách tới tâm đồ thị ( vị trí Γs ΓL nằm bán kính 131.4º 175º) Vậy Γs = 0,153/ 131.4º ΓL = 0,011 / 175º mạch ghép thiết kế với dây chêm song song, hình Ngoài ra, để có VDS = 28V, ID = 500mA, ta tính toán chế độ chiều để cấp thiên áp cho transistor với giá trị điện trở sau: R2 = 67 Ohm R1 = 650 Ohm R3 = 100 Ohm Như vậy, ta có sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại yêu cầu sau: 18 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần 0,18ƛ 0,138ƛ Hình 10: Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại Nhóm chúng em sử dụng sơ đồ sau để mô mạch khuếch đại 19 Báo cáo tập lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần V: Kết luận Trên toàn nhóm chúng em tìm hiểu tính toán thông số cho đề tài tập lớn chúng em Hiện chúng em chưa thể mô mạch phần mềm Chúng em cố gắng để mô mạch để trình bày buổi báo cáo cuối vào tuần tới Kính mong thầy giáo xem xét cho chúng e nhận xét, đánh giá để chúng em hoàn thành tập lớn Chúng em xin chân thành cám ơn! Nhóm sinh viên thực 20 [...]... toán và thiết kế mạch cộng công suất 4- 1 Ta có ma trân tán xạ của mạch cộng công suất 4- 1với mức công suất đều nhau Pi = 4P0 ; Sơ đồ mô phỏng mạch chia công suất trên ADS Hình 9: Mạch cộng công suất 4- 1 15 Báo cáo bài t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần IV : Tính toán thiết kế mạch theo yêu cầu của đề tài 4. 1 Tính toán thiết kế mạch khuếch đại Yêu cầu: Pin = 2W, Pout = 15W, tần số f = 4. 5GHz => hệ... l /4 tại f0) Tại các tần số khác, các đặc tính này, nhất là sự phối h p trở kháng tại các cửa, đều thay đổi 13 Báo cáo bài t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần III :Tính toán ,thiết kế và mô phỏng mạch chia công suất trên công cụ của ADS 3.1 Tính toán và thiết kế mạch chia công suất wilkinson 1 -2 l /4 Cửa 1 R0 Cửa 3 Vin3 R0 R Ra R0 Cửa 2 +Với P0 là công suất đầu vào của mạch; +P1 và p2 lần lượt là công. .. là công suất đầu ra của bộ chia -Theo yêu cầu bài toán ta có : p1 = ½ p0 ; P2 = ½ P0 ; Ma trận tán xạ của mạch chia 1 -2 khi đó sẽ có dạng; Với Ro =50 ohm, +Kích thước đường vi dải tương ứng với Ro,tần số 4. 5 Ghz theo công thức (5.159 ktsct) W=3.0 846 7mm; L = 31 .47 78mm; Tại thành phần Z =70.7 và độ dài lamda /4 ta có kích thước vi dải tương ứng: W=1.6355mm; L=lamda(g) /4= 7.88357mm; 14 Báo cáo bài t p lớn... chẵn không bị tiêu hao công suất  Khi dùng để chia công suất 3dB từ cửa 3 đến cửa 1 và 2 đều được PHTK thì tín hiệu không bị tiêu hao công suất Chỉ khi cửa 1 và 2 không được PHTK thì sẽ gây sóng phản xạ tại 2 cửa này và tín hiệu bị tiêu hao công suất trên điện trở R = 2R0 12 Báo cáo bài t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần  Các đặc tính phân chia công suất và phối h p trở kháng của mạch Wilkinson chỉ đúng... hở mạch l /4 Cửa 3 Vin3 R0 Rin Cửa 1 R0 Hở mạch Ra R0 Cửa 2 Hình 8 : Sơ đồ mạch gh p và chia công suất Wilkinson với nguồn tại cửa 3 (R bị hở mạch) 11 Báo cáo bài t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Vì đường truyền phần tư bước sóng nên điện trở nhìn vào mỗi đường khi đứng tại cửa 3 là : Rin1 = Rin2 = Ra/ R0 = 2R0 Suy ra điện trở nhìn vào cửa 3 : Rin = R0  S33 = 0 (phối h p trở kháng tại cửa 3) Từ các phân... lẻ do cấu trúc hở mạch hoặc nối đất của mạch phẳng đối xứng của mạch Do đó : S12 = S21 = 0 Hệ số còn lại cần tìm là S33, là hệ số phản xạ nhìn vào cửa 3 khi cửa 1 và 2 được gắn tải trở phối h p R0 l /4 Cửa 1 R0 Cửa 3 Vin3 R0 R Ra R0 Cửa 2 Hình 7 : Sơ đồ mạch gh p và chia công suất Wilkinson với nguồn tại cửa 3 Do tính đối xứng giữa cửa 1 và 2, khi đặt nguồn vào cửa 3 thì tín hiệu ra tại cửa 1 và 2 là... hiểu và quyết định sử dụng transistor trường CGH40010 10W, RF power GaN HEMT làm bộ khuếch đại chính, với các tham số của ma trận tán xạ ở 4, 5 GHz (tại VDS = 28V, IDset = 500mA) là: Tần số S11 S21 S12 S22 (Ghz) 0.899 131 .40 2.33 4. 5 1.99 0.016 - 24. 780 0 .48 9 175.30  Tính toán: Ta có = 1 /(1 – 0.8992) = 5.2 = 7.16 dB = 1/( 1 – 0 .48 92) =1.3= 1 .4 dB G0 = |S21|2 = 2.332 = 5 .4 = 7.3 dB Độ khuếch đại xuyên... 0 .42 CL = 0,769 0 ,48 9∟175,3o /(1 – (1 – 0,769) 0 ,48 92) = 0,398∟175,3o RL = 0.387 Lần lượt dựng các đường tròn tâm (CS ;RS) và (CL ; RL) ta sẽ xác định được: ΓS = 0,153∟131.4o ΓL =0,011∟175.3o  Phối h p đầu vào phía nguồn Sử dụng phương ph p dây chêm song song hở mạch, ta có: Γin = Γs* = 0,153∟131.4o Từ Γin ta xác định được Zin , trên đường tròn có Γ = const, ta xác định điểm dẫn n p Yt = Yin bằng cách... xạ [S] của mạch chia công suất Wilkinson như sau : 0 [S] = 0  j/ 2 0  j/ 2 0  j/ 2  j/ 2 0 0 0 1 = j 2 0 0 1 1 1 0 Nhận xét :  [S] đối xứng qua đường chéo  Phối h p trở kháng tại các cửa  Không thỏa mãn điều kiện Kronecker Do đó có tổn hao Chú ý :  Khi dùng để gh p công suất từ cửa 1 và 2 đến cửa 3, chỉ có thành phần mode lẻ bị tiêu tán công suất trên điện trở R = 2R0 Còn thành phần tín hiệu... cáo bài t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần V: Kết luận Trên đây là toàn bộ những gì nhóm chúng em đã tìm hiểu và tính toán được các thông số cho đề tài bài t p lớn của chúng em Hiện tại chúng em vẫn chưa thể mô phỏng được mạch trên phần mềm Chúng em sẽ cố gắng hết sức để có thể mô phỏng được mạch để có thể trình bày trong buổi báo cáo cuối cùng vào tuần tới Kính mong thầy giáo xem xét và cho chúng ... 16 Phần V: Kết luận 20 Báo cáo t p lớn môn kỹ thuật siêu cao tần Phần 1: Yêu cầu đề tài Đề tài yêu cầu : Thiết kế Mạch KĐCS f =4. 5G, P =2w 15w công cho công suất P =60w, Z =50 =>... toán thiết kế mạch chia công suất wilkinson -2 14 3.2 Tính toán thiết kế mạch cộng công suất 4- 1 15 Phần IV : Tính toán thiết kế mạch theo yêu cầu đề tài 16 4. 1 Tính toán thiết kế mạch. .. toán thiết kế mạch chia công suất wilkinson -2 l /4 Cửa R0 Cửa Vin3 R0 R Ra R0 Cửa +Với P0 công suất đầu vào mạch; +P1 p2 công suất đầu chia -Theo yêu cầu toán ta có : p1 = ½ p0 ; P2 = ½ P0 ; Ma