Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của các cấu trúc nano silic một chiều

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU - HỒ XUÂN VINH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO SILÍC MỘT CHIỆU LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC CHUYÊN NGÀNH : KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ Hướng dẫn khoa học: PGS TS PHẠM THÀNH HUY HÀ NỘI – 2011 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI HỒ XUÂN VINH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO SILÍC MỘT CHIỀU CHUYÊN NGÀNH KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hướng dẫn khoa học: PGS TS PHẠM THÀNH HUY Hà Nôi – Năm 2011 LỜI CẢM ƠN Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới PGS TS Phạm Thành Huy tận tình hướng dẫn, bảo giúp đỡ tơi suốt q trình thực hồn thành luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu (ITIMS), Viện tiên tiến Khoa học công nghệ (AIST) - Đại học Bách khoa Hà Nội, Phịng thí nghiệm quang điện tử cơng ty bóng đèn phích nước Rạng Đơng cho phép tạo điều kiện thuận lợi cho suốt thời gian thực hồn thành luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn thầy giáo Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu - Đại học Bách khoa Hà Nội, bạn nhóm vật liệu quang điện tử bạn lớp cao học khóa 2009 Hà Nội, ngày 09 tháng 09 năm 2011 Hồ Xuân Vinh LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình khác HỌC VIÊN CAO HỌC HỒ XUÂN VINH DANH MỤC CÁC CHỮ CÁI VIẾT TẮT   Ký hiệu Tiếng Anh Tiếng Việt VLS Vapor – Liquid - Solid Hơi - Lỏng - Rắn SLS Solid – Liquid - Solid Rắn – Lỏng – Rắn VS Vapor - Solid Hơi - Rắn SiNWs Silicon nanowires Dây nano silíc SEM Scanning electron microscopy Kính hiển vi điện tử quét TEM Transmission electron microscopy Kính hiển vi điện tử truyền qua Si silicon Silíc DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Trang Chương Hình 1.1: Ơ ngun tử Silíc Hình 1.2: Một số mặt tinh thể lập phương quan trọng Hình 1.3: Sơ đồ vùng lượng silic Hình 1.4: Mơ hình cấu trúc vùng lượng dây nano silic 10 Hình 1.5: Cấu trúc vùng lượng dây nano Si theo định hướng mặt (100), (110) (111) có đường kính khoảng 20 nm 11 Hình 1.6: Sự thay đổi bề rộng vùng cấm theo đường kính dây nano Si theo phương (111), (100) (110) 11 Hình 1.7: Phổ Raman SiNWs C-Si đo nhiệt độ phịng với cơng suất nguồn laser Ar có bước song ánh sáng kích thích 514 nm 12 Hình 1.8: Phổ Raman (a) dây nano Si không ủ nhiệt, (b) dây nano Si có ủ nhiệt, (c)đế Si đơn tinh thể 13 Hình 1.9: Phổ Raman dây nano silic (A) với bước sóng kích thích 514 nm thay đổi công suất nguồn laser, (B) công suất nguồn MW bước sóng kích thích khác 14 Hình 1.10: Phổ huỳnh quang dây nano silic đo nhiệt độ khác 15 Hình 1.11: Ảnh TEM dây nano Si mọc theo chế VLS 16 Hình 1.12: Giản đồ pha hợp kim Cu-Si 16 Hình 1.13: Ảnh đầu dây nano Si mọc đế Si phủ Cu 500 0C 17 Hình 1.14: Dây nano silic mọc đế Ni theo chế SLS 17 Hình 1.15: Mơ hình lị có năm vùng nhiệt khác 18 Hình 1.16: Sơ đồ hệ chế tạo dây nano Si phương pháp laser tăng cường 19 Hình 1.17 Pin mặt trời ứng dụng dây nano silic 21 Hình 1.18: Dây nano silic làm điện cực anốt pin Li 22 Hình 1.19: sử dụng cảm biến sinh học kích thước nano để phát DNA 23 Hình 1.20: Cảm biến nano FET phát độ pH dung dịch 24 Hình 1.21: Cảm biến đo độ ẩm tương đối không khí 24 Chương Hình 2.1: Lò bốc bay nhiệt 26 Hình 2.2: Sơ đồ quy trình chế tạo dây nano Si phương pháp bốc bay nhiệt 28 Hình 2.3: Giản đồ pha hợp kim Au – Si 29 Hình 2.4: Giản đồ pha hợp kim Pt – Si 30 Hình 2.5: Quá trình mọc dây nano Si theo chế VLS 31 Hình 2.6: Kính hiển vi điện tử truyền qua JEOL 33 Hình 2.7: Sơ đồ kính hiển vi điện tử quét FESEM 34 Hình 2.8: Nguyên lý phát huỳnh quang 35 Hình 2.9: Hệ đo phổ huỳnh quang Viện Khoa học Vật liệu 35 Hình 2.10: Nguyên lý phổ tán xạ Raman a) Lượng tử lượng tương tác với vật chất b) Quang phổ Raman 37 Chương Hình 3.1: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si(100) phủ kim loại xúc tác Pt quan sát với độ phân giải khác 39 Hình 3.2: Ảnh TEM dây nano Si đế Si (100) phủ kim loại xúc tác Pt 40 Hình 3.3: Đế Si(100) phủ kim loại xúc tác Au vị trí xác định 40 Hình 3.4: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si phủ Au số vị trí 41 Hình 3.5: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si vị trí phủ kim loại xúc tác Au 42 Hình 3.6: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si vị trí khơng phủ kim loại xúc tác Au 43 Hình 3.7: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si phủ Pt 44 Hình 3.8: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si vị trí có phủ Au 45 Hình 3.9: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si vị trí khơng có phủ Au 45 Hình 3.10: Phổ Raman nhiệt độ phịng dây nano Si trên đế Si phủ Pt 47 Hình 3.11: Phổ Raman nhiệt độ phòng dây nano Si trên đế Si phủ Au 47 Hình 3.12: Phổ Raman nhiệt độ phòng dây nano Si trên đế Si không phủ Au 48 MỤC LỤC MỞ ĐẦU Chương 1: TỔNG QUAN 1.1 Vật liệu silic khối 1.1.1 Cấu trúc tinh thể silic 1.1.2 Cấu trúc vùng lượng silic 1.2 Đặc tính dây nano Si 10 1.2.1 Tính chất điện dây nano Si 10 1.2.2 Tính chất quang dây nano silic 12 1.3 Một số phương pháp chế tạo dây nano silíc 15 1.3.1 Phương pháp CVD (Chemical Vapor Deposition) 15 1.3.2 Phương pháp bốc bay nhiệt 17 1.3.3 Phương pháp laser tăng cường 19 1.3.4 Phương pháp epitaxy chùm phân tử 20 1.4 Một số ứng dụng dây nano Silic 21 1.4.1 Pin mặt trời 21 1.4.2 Pin Lithium sử dụng dây nano silic 22 1.4.3 Cảm biến 22 Chương 2: THỰC NGHIỆM 2.1 Thiết bị vật tư - hóa chất sử dụng 25 2.1.1 Hệ thiết bị CVD nhiệt 25 2.1.2 Vật tư - hóa chất 26 2.2 Quá trình thực nghiệm 27 2.2.1 Lắp mẫu kiểm tra đường khí 27 2.2.2 Qui trình chế tạo dây nano Silic 27 2.3 Quá trình hình thành dây nano silic 29 2.3.1 Sự hình thành hạt hợp kim Au-Si Pt-Si 29 2.3.2 Cơ chế mọc dây nano silic VLS (Vapor – Liquid - Solid) 31 2.3.3 Cơ chế mọc dây nano silic VLS (Vapor – Liquid - Solid) 31 2.4 Các phương pháp phân tích 32 2.4.1 Kính hiển vi điện tử truyền qua 32 2.4.2 Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường 33 2.4.3 Phương pháp phân tích huỳnh quang 34 2.4.4 Phương pháp phân tích Raman 36 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Hình thái bề mặt dây nano silic 38 3.1.1 Hình thái bề mặt dây nano silic đế silic có phủ kim loại xúc tác Pt 3.1.2 Hình thái bề mặt dây nano silic đế silic có phủ kim loại xúc tác Au số vị trí vị trí cịn lại khơng phủ xúc tác 40 3.2 Kết đo phổ huỳnh quang 44 3.3 Kết đo phổ Raman dây nano silic 46 KẾT LUẬN 49 TÀI LIỆU THAM KHẢO 50 Luận văn Thạc sĩ   MỞ ĐẦU LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI Công nghệ nano phát triển với tốc độ chóng mặt làm thay đổi diện mạo ngành khoa học Đặc biệt, ngành công nghệ tạo cách mạng ứng dụng lĩnh vực khác Trong thời gian khoảng 20 năm, vật liệu công nghệ nano bước đầu chứng minh ưu điểm trội nhiều ứng dụng phục vụ người lĩnh vực điện tử, y học sinh học Nhiều nhà khoa học phải dùng đến cụm từ “nanoboom” để diễn tả phát triển vũ bão công nghệ nano, thực tế vật liệu nano bước đưa vào ứng dụng nhằm thay vật liệu khối nhờ ưu điểm vượt trội Silic vật liệu bán dẫn quang trọng công nghệ vi điện tử Tuy nhiên ứng dụng silic thiết bị quang điện tử hạn chế cấu trúc vùng cấm xiên Những nghiên cứu gần cho thấy vật liệu dây nano silic có cấu trúc vùng cấm thẳng Tính chất làm cho dây nano silic có khả phát xạ huỳnh quang nhìn thấy nhiệt độ phịng Hiện nay, dây nano silic thu hút quan tâm nghiên cứu ứng dụng lĩnh vực công nghệ vi điện tử, quang điện tử, sinh học…Dây nano silic tổng hợp nhiều phương pháp khác CVD, laser tăng cường (laser ablation),bốc bay nhiệt,…Chúng chọn phương pháp bốc bay nhiệt, dựa chế VLS VS, phương pháp có hiệu suất cao giá thành thấp Từ lý sở trang thiết bị sẵn có Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu (ITIMS), trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, lựa chọn đề tài nghiên cứu luận văn là: “Chế tạo nghiên cứu tính chất quang cấu trúc nano silíc chiều” Trang   Luận văn Thạc sĩ   Hình 3.2: Ảnh TEM dây nano Si đế Si (100) phủ kim loại xúc tác Pt 3.1.2 Hình thái bề mặt dây nano Si đế Si có phủ kim loại xúc tác Au số vị trí vị trí cịn lại khơng phủ xúc tác Dây nano Si chế tạo đế Si có phủ kim loại xúc tác Au số vị trí cịn vị trí cịn lại khơng phủ kim loại xúc tác (hình 3.3) Hình 3.3: Đế Si(100) phủ kim loại xúc tác Au vị trí xác định Trang 40   Luận văn Thạc sĩ   Trên hình 3.4 ảnh hiển vi điện tử quét (FESEM) dây nano Si nhận đế Si phủ kim loại xúc tác Au số vị trí Hình 3.4: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si phủ Au số vị trí Trên hình 3.4, dây nano Si thu đế Si vị trí có kim loại xúc tác vị trí khơng có kim loại xúc tác, dây nano Si mọc vị trí có kim loại xúc tác nhiều vị trí khơng có kim loại xúc tác Ở vị trí có phủ kim loại xúc tác, dây nano Si chế tạo theo chế VLS qua ảnh FESEM quan sát thấy đầu dây có dạng hình cầu có kích thước lớn đường kính dây (hình 3.5) Trang 41   Luận văn Thạc sĩ   Hình 3.5: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si vị trí phủ kim loại xúc tác Au Ở vị trí đế Si khơng có kim loại xúc tác, dây nano Si chế tạo theo chế VS hay mơ hình OAG (Oxide - Assisted - Growth), qua ảnh FESEM quan sát thấy đầu dây có khơng dạng hình cầu mà có kích thước đường kính dây (hình 3.6) Trang 42   Luận văn Thạc sĩ   Hình 3.6: Ảnh FESEM dây nano Si đế Si vị trí khơng phủ kim loại xúc tác Au Ở vị trí có khơng có phủ kim loại xúc tác, dây nano silic chế tạo theo chế VS qua ảnh FESEM quan sát thấy đầu dây khơng có dạng hình cầu có kích thước khơng lớn đường kính dây vị trí đế silic có xúc tác kim loại, mà đầu dây nano silic có kích thước kích thước dây Điều chứng tỏ dây nano silic hình thành theo chế VS hay chế OAG (oxide – assisted growth) Ưu điểm dây nano Si chế tạo theo mơ hình dung kim loại xúc tác nhiệt độ nuôi thấp, chất lượng dây tốt Tuy nhiên, sử dụng xúc tác kim loại gây vấn đề dây nano Si bị nhiễm bẩn tạp chất kim loại Do đó, làm ảnh hưởng đến tính chất điện quang vật liệu Mơ hình mọc dây nano Si khơng dùng xúc tác kim loại tránh nhược điểm này, nhược điểm mơ hình u cầu nhiệt độ cao có hiệu suất thấp Trang 43   Luận văn Thạc sĩ   3.2 Kết đo phổ huỳnh quang Để khảo sát tính chất quang vật liệu chế tạo được, trước tiên tiến hành đo phổ huỳnh quang dây nano Si hệ đo huỳnh quang phân giải cao sử dụng nguồn laser He-Cd, phổ kế Spectrograph Microspec 2300 Viện Khoa học Vật liệu Các thông số cần thiết thiết bị trình đo mẫu thiết lập sau: sử dụng bước sóng kích thích 442 nm từ nguồn laser He-Cd, đo nhiệt độ phòng khoảng 300 K Chúng tiến hành đo phổ phát xạ huỳnh quang dây nano Si đế Si phủ Pt đế Si phủ Au số vị trí số vị trí khơng phủ Au Hình 3.7: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si phủ Pt Trang 44   Luận văn Thạc sĩ   Hình 3.8: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si vị trí có phủ Au Hình 3.9: Phổ huỳnh quang dây nano Si đế Si vị trí khơng có phủ Au Trang 45   Luận văn Thạc sĩ   Kết đo phổ huỳnh quang mẫu mà dây nano Si chế tạo theo chế VLS với kim loại xúc tác Pt, Au dây nano Si chế tạo theo chế VS cho thấy có xuất phổ huỳnh quang thuộc vùng ánh sáng đỏ khoảng 500 nm đến 900 nm (tương ứng từ 3,1eV đến 1,38 eV) với đỉnh phổ vị trí ứng với bước sóng 700 nm (tương ứng 1,77 eV) Theo lý thuyết, phát xạ huỳnh quang dây nano Si vùng ánh sáng nhìn thấy hiệu ứng giam giữ lượng tử khí bán kính dây nhỏ bán kính exciton Si từ 4nm đến nm Tuy nhiên, bán kính dây nano Si mà chế tạo từ 50 nm đến 100nm lớn bán kính Bohr exciton Si nhiều Do phát xạ huỳnh quang tái hợp xạ từ tâm sai hỏng lớp vỏ SiO2, bề mặt lõi Si với lớp vỏ SiO2 nút khuyết ôxy [10, 32, 33] 3.3 Kết đo phổ Raman dây nano Si Tiếp theo, tiếp tục tiến hành khảo khát đặc tính quang dây nano Si đế Si phủ Pt đế Si phủ Au số vị trí số vị trí khơng phủ Au điều kiện nhiệt độ phòng phương pháp đo phổ Raman mẫu Viện khoa học Việt Nam với bước sóng kích thích 632,8 nm từ nguồn laser He-Ne trình đo mẫu Kết phân tích phổ Raman hình 3.7 Trang 46   Luận văn Thạc sĩ     Hình 3.10: Phổ Raman nhiệt độ phòng dây nano Si trên đế Si phủ Pt   Hình 3.11: Phổ Raman nhiệt độ phịng dây nano Si trên đế Si phủ Au Trang 47   Luận văn Thạc sĩ   Hình 3.12: Phổ Raman nhiệt độ phịng dây nano Si trên đế Si khơng phủ Au Kết phân tích phổ Raman nhiệt độ phòng mẫu mà dây nano Si chế tạo theo chế VLS VS cho thấy đỉnh phổ Raman dịch phía tần số thấp cỡ cm-1 mở rộng phổ bất đối xứng so với đỉnh phổ đế Si dạng khối (đỉnh phổ Si khối khoảng 521 cm-1) Như dây nano chế tạo dây nano silic Sự dịch chuyển đỉnh phổ Raman bất đối xứng phổ Raman mẫu so với phổ Raman chuẩn Si đơn tinh thể giải thích giam giữ phonon dây nano Si sai hỏng [8] Tuy nhiên, dây nano Si chế tạo với kích thước lớn vài chục nanomet, hiệu ứng giam giữ phonon thể giam giữ lượng tử yếu Vậy dịch chuyển phổ Raman trường hợp cho tâm sai hỏng lớp vỏ SiO2 bề mặc lớp vỏ SiO2 lõi Si   Trang 48   Luận văn Thạc sĩ   KẾT LUẬN Sau thời gian làm luận văn Viện ITIMS Cơng ty Bóng Đèn Phích Nước Rạng Đơng, chúng tơi thu số kết sau: Đã nghiên cứu chế tạo thành công dây nano Si phương pháp bốc bay nhiệt vật liệu nguồn SiO đế Si có phủ kim loại xúc tác đế Si không phủ kim loại xúc tác Đã tiến hành khảo sát tính chất quang dây nano Si vừa chế tạo Ở nhiệt độ phịng, chúng tơi thu dải xạ huỳnh quang vùng ánh sáng đỏ có bước sóng từ 500 nm đến 900 nm với đỉnh phổ vị trí bước sóng 700 nm Chúng tơi tiến hành đo phổ Raman mẫu cho thấy dịch chuyển đỉnh phổ Raman phía tần số thấp khoảng cm-1 so với đỉnh phổ Raman vật liệu Si khối Trên sở kết đạt được, dự kiến tiếp tục nghiên cứu theo hướng: • Nghiên cứu chế tạo dây nano Si theo chế VS để thu dây nano Si khơng bị nhiễm bẩn kim loại có chất lượng hiệu suất mọc tốt • Nghiên cứu cách pha tạp nguyên tố đất Er3+ vào vật liệu dây nano Si • Khảo sát tính chất quang vật liệu vừa nhận Trang 49   Luận văn Thạc sĩ   TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Phùng Hồ, Phan Quốc Phơ, “Giáo trình vật liệu bán dẫn”, 2008, Nhà xuất khoa học kỹ thuật [2] Y Zheng, C Rivas, R Lake, 2005, “Electronic Properties of Silicon Nanowires”, IEEE transactions on electron devices, Vol 52, pp 1097-1103 [3]  Clive Harris, E.P O’Reilly, 2006,’’  Nature of the band gap of silicon and germanium nanowires’’, Physica E, Vol 32, pp 341-345 [4] M Bruno, M Palummo, S Ossicini, R Del Sole, 2007, ‘’First-principles optical properties of silicon and germanium nanowires’’, Surface Science, Vol 601, pp 2707-2711 [5] Chun Li, Guojia Fang, Su Sheng, Zhiqiang Chen, Jianbo Wang, Shuang Ma, Xingzhong Zhao 2005, ‘’Raman spectroscopy and field electron emission properties of aligned silicon nanowire arrays’’, Physica E, Vol 30, pp 169173 [6] J M Huang, C C Weng, M T Chang, 2010, “An investigation of the phonon properties of silicon nanowires”, International Journal of Thermal Sciences, Vol 49, pp 1095-1102 [7] Jifa Qi, John, M White, Angela M Belcher, Yasuaki Masumoto, 2003, “Optical spectroscopy of silicon nanowires”, Chemical Physics Letters, Vol 372, pp 763-766 Trang 50   Luận văn Thạc sĩ   [8] Y H Tang, Y F Zheng, C S Lee, S T Lee, 2000, ‘’A simple route to annihilate defects in silicon nanowires’’, Chemical Physics Letters, Vol 328, pp 346-349 [9] S Piscanec, C A Ferrari, M Cantoroa, S Hofmanna, A J Zapienb, Y Lifshitz, T S Lee, J Robertson, 2003, “Raman Spectrum of silicon nanowires”, Physcial Review B, Vol 68, 241312(R) [10] Jifa Qi, John M White, Angela M Belcher, Yasuaki Masumoto, 2003, “Optical spectroscopy of silicon nanowires”, Chemical Physics Letters, Vol 372, pp 763-766 [11] Van Tuan Pham, Van Ngoc Le, Anh Tuan Chu, Toan Thang Pham, Ngoc Khiem Tran, Hong Duong Pham and Thanh Huy Pham, 2011, ‘’Silicon nanowires prepared by thermal evaporation and their photoluminescence properties measured at low temperatures’’, Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, Vol 2, pp 15-16 [12] Jun-Jie Niu, Jian-Nong Wang, 2008, ‘’A study in the growth mechanism of silicon nanowires with or without metal catalyst’’, Materials letters, Vol 62, pp 767-771 [13] Y Yao, S Fan, 2007, ‘’Si nanowires synthesized with Cu catalyst’’, Materials letters, Vol 61, pp 177-181 [14] Hyoun Woo Kim, Seung Hyun Shim, Jong Woo Lee, 2007, ‘’Characteristics of SiOx nanowires synthesized via the thermal heating of Cu-coated Si substrates’’, Physica E, Vol 37, pp 163-137 [15] H.F Yan , Y.J Xing, Q.L Hang, D.P Yu, Y.P Wang, J.Xu ,Z.H Xi, S.Q Feng a, 2000, ‘’ Growth of amorphous silicon nanowires via a solid - liquid solid mechanism’’, Chemical Physics Letters, Vol 323, pp 224-228 Trang 51   Luận văn Thạc sĩ   [16] R Q Zhang, Y Lifshitz, S T Lee, 2003, ‘’Oxide-asisted growth of semiconducting nanowires’’, Advances Materials, Vol 15, pp 635-640 [17] Z W Pan, Z R Dai, L Xu, S T Lee, 2001, ‘’Temperature-Controlled Growth of Silicon-Based Nanostructures by Themal Evaporation of SiO Powders, Journal of Physical Chemistry B, Vol 105, pp 2057-2514 [18] Gautam Gundiah, F L Deepak, A Govindaraj, C N R Rao, 2003, ‘’Carbonassisted synthesis of silicon nanowires’’, Chemical Physics letters, Vol 381, pp 579-583 [19] Sabar D Hutagalung, Khatijah A Yaacob, Azma F Abdul Aziz, 2007, ‘’Oxide-assisted growth of silicon nanowires by carbothermal evaporation’’, applied surface science, Vol 254, pp 633-637 [20] T Noda, H Suzuki, H Araki, W Yang, Ying Shi, M Tosa, 2005, ‘’Microstructures and IR spectra of long amorphous SiO2/Si nanowires’’, Applied surface science, Vol 241, pp 231-235 [21] N Wang, Y H Tang, Y F Zhang, C S Lee, I Bello, S T Lee, 1999, ‘’Si nanowires grown from silicon oxide’’, Chemical Physics letters, Vol 299, pp 237-242 [22] Y H Tang, Y F Zhang, H Y Peng, N Wang, C S Lee, S T Lee, 1999, ‘’ Si nanowires synthesized by laser ablation of mixed SiC and SiO2 powders’’, Chemical Physics Letters, Vol 314, pp 16-20 [23] Yi-Han Yang, Sheng-Jia Wu, Hui-Shan Chiu, Ping-I Lin, and Yit-Tsong Chen, 2004, ‘’Catalytic Growth of Silicon Nanowires Assisted by Laser Ablation’’, Physical Chemistry B, Vol 108, pp 846-852 [24] N Wang, Y Cai, Q R Zhang, 2008, “Growth of nanowires”, Materials Science and Engineering R, Vol 60, pp 1-51 Trang 52   Luận văn Thạc sĩ   [25] Y Wan, J Sha, B Chen, Y Fang, Z Wang, Y Wang, 2009, “Nanodevices Based on Silicon Nanowires” , Recent Patents on Nanotechnology 2009, Vol 3, pp 1-9 [26] B Tian, X Zheng, J T Kempa, Y Fang, N Yu, G Yu, J Huang, M C Lieber, 2007, “Coaxial silicon nanowires as solar cells and nanoelectronic power sources”, Nature, Vol 449, pp 885-889 [27] Peters H C, Guichard R A, Hryciw C A, Brongersma L M, McGehee D M, 2009, “Energy transfer in nanowire solar cells with photon-harvesting shells”, Journal of Applied Physics, Vol 105, pp 1-6 [28] Y Cui, Q Wei, H Park, M C Lieber, 2001, “Nanowire nanosensors for highly sensitive and selective detection of biological and chemical species”, Science, Vol 293, pp 1289-1292 [29] J G Zhang, H Z Henry Luo, J M Huang, K G Ignatius Tay, J E Andy Lim, 2010, “Morpholino-functionalized silicon nanowire biosensor for sequence-specific label-free detection of DNA”, Biosensors and Bioelectronics, Vol 25, pp 2447-2453 [30] J O Zhang, L Zhang, J M Huang, H Z Henry Luo, K G Ignatius Tay, J E Andy Lim, G T Kang, Y Chen, 2010, “Silicon nanowire biosensor for highly sensitive and rapid detection of Dengue virus”, Sensors and Actuators B, Vol 146, pp 138-144 [31] F Demami, L Ni, R Rogel, C A Salaun, L Pichon, 2010, “Silicon nanowires synthesis for chemical sensor applications”, Procedia Engineering, Vol 5, pp 351-354 [32] Q S Feng, P D Yu, Z H Zhang, G Z Bai, Y Ding, 2000, “The growth mechanism of silicon nanowires and their quantum confinement effect”, Journal of Crystal Growth, Vol 209, pp 513-517 Trang 53   Luận văn Thạc sĩ   [33] Hiroyuki Nishikawa, Taiji Shiroyama, Ryuta Nakamura, Yoshimichi Ohki, 1992, ‘’Photoluminescence from defect centers in high-purity silica glasses observed under 7.9-eV excitation’’, Physical Review B ,Vol 45, pp 586-591 Trang 54   ... đề tài nghiên cứu luận văn là: ? ?Chế tạo nghiên cứu tính chất quang cấu trúc nano silíc chiều? ?? Trang   Luận văn Thạc sĩ   MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU ™ Nghiên cứu chế tạo cấu trúc dây nano silic phương...BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI HỒ XUÂN VINH CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO SILÍC MỘT CHIỀU CHUYÊN NGÀNH KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU... nano silic phương pháp bốc bay nhiệt ™ Nghiên cứu tính chất cấu trúc, tính chất quang cấu trúc dây nano silic PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU ƒ Phương pháp nghiên cứu lý luận ƒ Phương pháp thực nghiệm