Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 154 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
154
Dung lượng
3,15 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI HỒ SỸ TÁ CÁC ĐẶC TRƯNG PLASMON VÀ TÍNH CHẤT ĐỘNG LỰC HỌC CỦA HỆ ĐIỆN TỬ TRONG GRAPHENE Chuyên ngành : Vật lý kỹ thuật Mã số : 62520401 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ KỸ THUẬT NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS ĐỖ VÂN NAM PGS TS LÊ TUẤN Hà Nội – 2017 LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, xin tỏ lòng chân thành cảm ơn sâu sắc tới tập thể hướng dẫn gồm TS Đỗ Vân Nam PGS TS Lê Tuấn Trong trình làm việc thực Luận án, tơi nhận hướng dẫn tận tình Thầy Các Thầy động viên, khích lệ tơi vượt qua khó khăn cơng việc, đặt toán tạo hứng khởi nghiên cứu để say mê thực đề tài Luận án Tiếp theo xin cảm ơn giúp đỡ, đóng góp ý kiến mặt khoa học động viên tinh thần, tạo điều kiện thuận lợi thủ tục hành đồng nghiệp, Thầy cô viện Tiên tiến Khoa học Công nghệ (AIST), viện Vật lý kỹ thuật, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội Bộ môn Vật lý trường Đại học Xây Dựng Nhân xin cảm ơn cán thuộc trung tâm Khoa học Kỹ thuật tính tốn (ICSE) giúp đỡ, tạo điều kiện việc thực cơng việc tính tốn phục vụ cho Luận án Cuối cùng, tơi xin cảm ơn động viên, tạo điều kiện tốt Gia đình tơi, đặc biệt vợ tơi để tơi tập trung nghiên cứu hoàn thành Luận án Hà Nội, ngày 15 tháng năm 2017 Tác giả LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tôi, thực hướng dẫn tập thể hướng dẫn gồm TS Đỗ Vân Nam PGS TS Lê Tuấn Các kết nêu luận án trung thực chưa tác giả khác công bố TM Tập thể hướng dẫn Hà Nội, ngày 15 tháng năm 2017 Tác giả Mục lục Mục lục i Danh mục ký hiệu chữ viết tắt iv Danh mục hình vẽ v Mở đầu ix Chương 1 Cơ sở lý thuyết nghiên cứu tính chất động lực hệ điện tử tính chất vật lý hệ điện tử hai chiều mạng graphene 1 1.1 Một số khái niệm sở 2 1.1.1 Hệ phương trình Maxwell vĩ mơ số đại lượng quang học đặc trưng 2 1.1.2 Phản ứng vật liệu sóng điện từ phân cực dọc phân cực ngang 6 1.1.3 Dao động tử Lorentz khái niệm hiệu ứng trường địa phương 7 1.1.4 Phương pháp trường tự hợp phép gần pha ngẫu nhiên RPA 9 1.1.5 Hàm điện môi tán sắc plasmon 10 1.2 Tính chất graphene 11 1.2.1 Liên kết hóa học 11 1.2.2 Phân tích cấu trúc mạng tinh thể graphene 12 1.2.3 Cấu trúc điện tử graphene mô tả gần liên kết chặt 13 1.2.4 Độ dẫn quang graphene 29 1.2.5 Tính chất quang siêu mạng graphene 31 1.3 Sự truyền sóng điện từ graphene 38 1.3.1 Các cấu hình TM TE sóng điện từ bề mặt 38 1.3.2 Sóng điện từ SPPs graphene 39 1.4 Gần RPA công thức Lindhard cho hàm điện môi 46 1.5 Kết luận 52 Chương 2 Tính tốn hàm điện mơi gần RPA khảo sát đặc trưng plasmon graphene mơ hình điện tử liên kết chặt với lân cận gần 53 2.1 Phương pháp giải tích tính hàm phân cực giới hạn pha tạp yếu nhiệt độ tuyệt đối 53 2.1.1 Hàm điện môi RPA áp dụng cho graphene 53 2.1.2 Tính phần ảo phần thực P0 q, 56 2.1.3 Tính phần ảo phần thực P q, 57 2.1.4 Tổng hợp kết tính hàm phân cực 61 1 i 2.1.5 Đặc trưng tán sắc bậc hai plasmon 63 2.1.6 Kết thảo luận 66 2.2 Hàm điện môi đặc trưng plasmon graphene điều kiện nhiệt độ nồng độ pha tạp hữu hạn 71 2.2.1 Phương pháp số tính hàm điện mơi RPA 71 2.2.2 Kết thảo luận 72 2.3 Hiệu ứng nhiệt độ tính bất đẳng hướng cấu trúc vùng lượng lên đặc trưng hàm điện môi phổ plasmon graphene 74 2.3.1 Hiệu ứng nhiệt độ 74 2.3.2 Hiệu ứng bất đẳng hướng mặt lượng 76 2.4 Kết luận 77 Chương 3 3.1 Các đặc trưng plasmon graphene chế độ pha tạp cao 78 Năng lượng hàm sóng điện tử gần TB lân cận thứ hai 79 3.1.1 Phương pháp TB lân cận thứ hai 79 3.1.2 Xác định thông số TB tính bất đẳng hướng cấu trúc vùng lượng xung quanh hai điểm K 83 3.1.3 3.2 Mật độ trạng thái 84 Các đặc trưng plasmon graphene độ pha tạp cao 85 3.2.1 Tính hệ số chồng chập 85 3.2.2 Các đặc trưng plasmon 88 3.3 Kết luận 95 Chương 4 Hàm điện mơi có tính đến hiệu ứng trường địa phương Áp dụng cho kích thích plasmon ứng với chuyển trạng thái điểm K graphene 97 4.1 Hàm điện mơi vĩ mơ có tính đến hiệu ứng trường địa phương 97 4.1.1 Hàm điện môi vĩ mô 103 4.1.2 Hằng số điện môi vĩ mô RPA 104 4.2 Đặc trưng plasmon ứng với chuyển trạng thái hai điểm K 106 4.3 Kết luận 109 Kết luận kiến nghị 110 Tài liệu tham khảo 112 Danh mục cơng trình cơng bố luận án 121 Phụ lục 122 A. Biến đổi Fourier Coulomb 2D 123 B. Tính hàm chồng chập trạng thái (2.5) 125 C. Tính tích phân (2.20) 126 ii D. Tính phần thực phần ảo hàm phân cực không pha tạp (2.23) 129 E. Một số tính chất hàm G (2.31) [3] 131 F. Tính phần ảo hàm phân cực RPA 132 G. Tính phần thực hàm phân cực RPA 134 iii Danh mục ký hiệu chữ viết tắt BZ Vùng Brillouin thứ RPA Gần pha ngẫu nhiên SCF Trường tự hợp LFE Trường địa phương TB Liên kết chặt 2DEG Khí electron hai chiều GSL Siêu mạng graphene SPs Plasmon bề mặt SPPs Plasmon – Polaritons EELS Phổ lượng mát chùm electron , , Hằng số điện môi, hàm điện môi, độ dẫn quang ˆ , ˆ Tenxơ điện môi, tenxơ độ dẫn quang Ma trận điện môi M Hằng số điện mơi vĩ mơ , Kích thước hệ, kích thước đơn vị p , p Tần số plasmon, tốc độ phân rã plasmon P, Hàm phân cực, hàm tương quan q, k Vectơ động lượng Rn , Gm Vectơ mạng thực, vectơ mạng đảo Hệ đơn vị sử dụng luận án hệ đo lường quốc tế SI iv Danh mục hình vẽ Hình 1.1 (a) Cấu hình điện tử carbon trạng thái (bên trái) trạng thái kích thích (bên phải), hình mơ tả lai hóa phối trí ba orbital (b) Vị trí loại liên kết mạng tinh thể graphene [137] 11 Hình 1.2 (a) Vật liệu graphene coi vật liệu mẹ thù hình khác carbon Graphene 2D cuộn lại tạo cầu carbon 0D, hay ống carbon 1D, ghép với thành dạng graphite 3D [52] (b) Mạng tổ ong graphene tạo thành từ hai mạng hình tam giác hai loại nguyên tử A B [133] 12 Hình 1.3 Mạng tinh thể hình tổ ong vùng BZ graphene (a) Cấu trúc tinh thể graphene tạo thành hai mạng tam giác hai loại nguyên tử ký hiệu A B đan vào nhau, ô đơn vị nhỏ chọn có dạng hình thoi, tạo vectơ đơn vị a1 a2 Các vectơ nối từ nguyên tử B đến ba nguyên tử A lân cận gần i , i 1,2,3 (b) Vùng BZ tương ứng, tọa độ điểm Dirac, hay góc vùng BZ xác định từ hai điểm không tương đương K K [35] 13 Hình 1.4 (a) Cấu trúc vùng lượng ba chiều graphene theo phương trình (1.92) với s cho thấy dải lượng dẫn dải hóa trị đối xứng tiếp xúc với sáu điểm vùng BZ (b) Cấu trúc vùng lượng bất đối xứng electron – lỗ trống, theo đơn vị t tương ứng với giá trị hữu hạn t , với t 2.7eV , s t 0.2t [25] 20 Hình 1.5 (a) Biểu diễn hai chiều đường đẳng mức cấu trúc vùng lượng graphene rõ vùng BZ dạng lục giác Các điểm đối xứng Γ, M, K hình, (b) đường cong tán sắc lượng vẽ theo vector sóng theo phương hình (a) với s Tại lân cận điểm K, lượng gần phụ thuộc tuyến tính vào vector sóng [35] 24 Hình 1.6 (a) Mạng tinh thể graphene với sở chọn có dạng hình chữ nhật chứa nguyên tử, (b) vùng BZ tương ứng với vùng hình chữ nhật giới hạn đường đứt nét, sáu điểm K cách chọn vùng BZ theo sở hình thoi “gấp” lại thành hai điểm không tương đương K K 26 Hình 1.7 Cấu trúc vùng lượng graphene với sở hình chữ nhật gồm bốn nguyên tử, gồm dải lượng Hình bên trái dải 2, tiếp xúc với hai điểm K, hình bên phải dải 28 Hình 1.8 Cấu trúc vùng lượng graphene với sở hình chữ nhật gồm bốn nguyên tử, gồm dải lượng Hình bên trái tồn dải tách Hình 1.7, hình bên phải vẽ đường lượng theo phương k y 29 Hình 1.9 Độ dẫn quang graphene K: đóng góp Drude (trái) inter-band (phải) Với EF 0.45eV 2.6 meV Đường liền màu xanh (hoặc màu đỏ) biểu diễn phần thực (hoặc phần ảo) độ dẫn quang Trong hình F EF / Đóng góp Drude chủ yếu vùng tần số thấp, đóng góp ngoại dải miền tần số cao [21] 30 Hình 1.10 (a) Một cấu trúc siêu mạng graphene, (b) dạng tĩnh điện tuần hồn gây điện cực phần phóng to cách xếp nguyên tử mạng v sở theo hai cấu hình A-GSL Z-GSL (c) Vùng BZ cấu hình A-GSL với hai điểm K [9] 31 Hình 1.11 Ơ đơn vị A-GSL có dạng hình chữ nhật giới hạn đường màu đỏ Ô chứa N ô màu xanh bao gồn bốn loại nguyên tử a, b, c, d [9] 32 Hình 1.12 Sự thay đổi cấu trúc vùng lượng electron pz mẫu A-GSL với N1 N2 15 với chiều cao rào khác nhau: (a) Ub ; (b) U b U ; (c) Ub 2U0 (d) U b 3U0 , với U0 2 vF L Các đường màu đỏ thêm vào để thấy thay đổi cấu trúc vùng lượng GSL dịch chuyển điểm Dirac graphene Các đường màu đen để điểm cố định mặt lượng [9] 35 Hình 1.13 Độ dẫn quang GSL graphene (đường màu đỏ) Đường màu xanh nước biển màu xanh tương ứng cho phân cực dọc ngang photon [9] 37 Hình 1.14 Sự suy giảm độ dẫn quang graphene pha tạp phạm vi lượng 0, 2EF Hình nhỏ mơ tả chế khóa Pauli trình chuyển inter-band [9] 38 Hình 1.15 (a) Đối xứng hệ graphene mang SPPs, phương truyền sóng SPPs theo trục x hệ tọa độ Descartes (b) Các thành phần tiếp tuyến pháp tuyến vectơ trường hai môi trường biểu diễn, hai mơi trường tiếp xúc mặt mang SPPs có số điện môi 1 [21] 39 Hình 1.16 (a) Mơ tả loại kích thích đơn hạt: mũi tên màu hồng ứng với kích thích ngoại dải, mũi tên màu xanh ứng với kích thích nội dải (b) So sánh phổ tán sắc tính theo phương pháp RPA phương pháp bán cổ điển Đường màu đen liền nét kết RPA, đường màu đen đứt nét kết bán cổ điển với 1 , tương tự đường màu xanh đứt nét ứng với kết RPA, màu xanh chấm chấm tính theo lý thuyết bán cổ điển với 1 Vùng màu xanh phía màu hồng phía tương ứng với vùng kích thích đơn hạt nội dải ngoại dải [68] 45 Hình 2.1 Phân vùng điều kiện để tính tích phân theo phương pháp giải tích, hình vẽ ta chọn , vF 59 Hình 2.2 So sánh giá trị kF với giá trị đặc biệt để tính tích phân 60 Hình 2.3 Hình vẽ màu giá trị hàm phân cực P(1) với đơn vị vF2 từ phương trình (2.45) theo đại lượng khơng thứ ngun x q kF y Hình bên trái thể phần thực, bên phải phần ảo 67 Hình 2.4 Hình vẽ màu giá trị hàm phân cực tái chuẩn hóa PRPA với đơn vị vF2 từ phương trình (2.8) theo đại lượng không thứ nguyên x q kF y Hình bên trái thể phần thực, bên phải phần ảo 67 Hình 2.5 Hình bên trái hình vẽ màu giá trị ImP1 graphene , vùng kích thích đơn hạt electron – lỗ trống ứng với vùng xanh nước biển Vùng xanh vùng có phần ảo hàm phân cực khơng, nên khơng có kích thích đơn hạt Hình bên trái biểu diễn đại lượng tương tự cho khí 2DEG, vùng kích thích đơn hạt ứng với vùng có màu [25, 53] 68 vi Hình 2.6 Đồ thị hàm số f y x Re P 1 x, y xa với x q kF 0.6;0.8;1.0 Theo phương trình (2.53), giao điểm với trục hoành tương ứng với giá trị yp p (hình bên trái), với x q kF 1.1;1.3;1.5 (hình bên phải) 69 Hình 2.7 Phổ tán sắc plasmon tính giải tích ứng với 1.0 (hình bên trái) 2.4 (hình bên phải) Đường liền nét thể mối quan hệ p vào q kF , đường đứt nét chấm quan hệ (2.57), y x Các đường đứt nét gạch biểu diễn vùng điều kiện tương tự Hình 2.1 69 Hình 2.8 Sự phụ thuộc tốc độ phân rã plasmon vào vector sóng với 1.0 (hình bên trái) với 2.4 (hình bên phải) theo phương trình (2.66) 70 Hình 2.9 Hình vẽ màu giá trị hàm điện mơi RPA q, thu từ phép gần lân cận điểm Dirac theo phương pháp SCF với 2.4 Đường màu đen mô tả quy luật bậc hai (2.57), đường màu trắng tập hợp điểm có giá trị khơng hàm điện môi RPA q, thu từ việc tính số phương trình Re RPA q, 70 Hình 2.10 So sánh phổ tán sắc plasmon thu hai phương pháp tính số giải tích 73 Hình 2.11 Phổ tán sắc plasmon thu việc tính số tồn vùng BZ mức pha tạp khác nhiệt độ K 73 Hình 2.12 Phổ plasmon tính số tồn vùng BZ nhiệt độ khác graphene không pha tạp 74 Hình 2.13 Các đóng góp inter intra vào hàm phân cực RPA q, Hình vẽ ứng với trường hợp q 0.1 nm 1 , , T K (hình bên trái) T 300 K (hình bên phải) 75 Hình 2.14 Sự bất đẳng hướng mặt Fermi graphene mức pha tạp cao 76 Hình 2.15 Phổ tán sắc plasmon tính số vùng BZ nhiệt độ K với giá trị pha tạp khác nhau, theo phương đặc trưng q khác 77 Hình 3.1 (a) Cấu trúc vùng lượng TB lân cận bậc hai vẽ cách chọn ngun thủy hình thoi để so sánh với kết DFT Hình bên mô tả ô chữ nhật graphene (b) Độ lệch hai kết TB lân cận bậc hai DFT (c) Trường vectơ vận tốc nhóm v g k k Ec k vẽ đường đẳng mức lượng (d) Mơ tả vận tốc nhóm trạng thái mức Fermi xung quanh hai điểm K 83 Hình 3.2 (a) Hình bên trái mô tả đường lượng theo phương k y , đường màu đỏ ứng với cách chọn ô sở hình chữ nhật, đường màu xanh tương ứng với cách chọn sở hình thoi, với thơng số TB: t 2.67eV; t 0.15; s 0.08; s 0.001 Hình bên phải hàm DOS tương ứng (b) Hình biểu diễn mật độ số electron theo mức pha tạp Hình bên phải hàm DOS tương ứng 85 Hình 3.3 Hình nhìn từ xuống (theo phương [001]) mặt hàm EELS trường hợp (a) (b) có độ pha tạp tương ứng với EF 0.5eV (c), (d) với EF 1.0eV theo vii nghiệm đơn phương trình x với xs Xét phương trình cos =0 đoạn 0, 2 ta có hai nghiệm 1 2 3 Suy 3 2 cos 3 2 Thay vào (A4) ta có V q e2 4 qL2 2 d 3 , lại dùng tính chất b a f x0 : a x0 b f x x x0 dx : x0 a, x0 b 0 suy ra: e2 V q 2 qL2 Đây biểu thức Coulomb 2D khơng gian động lượng 124 (A5) B Tính hàm chồng chập trạng thái (2.5) Xét hàm riêng graphene dạng s k i , se k (B1) i s ' e k q (B2) trạng thái chồng chập với có dạng s ' k q Số hạng chồng chập có dạng F ss ' k , q s k s ' k q (B3) Thay (B1) (B2) vào (B3), biến đổi ta có F ss ' k , q 1 ss 'cos , với góc k k q , k q k y q ky k q k k q x kx Với góc k thỏa mãn k arctan k y k x Từ hình vẽ ta thấy cos cos k k + q cos k cos k + q sin k sin k + q k x k x qx k y k y q y k k x qx k y q y k k q k k q k k q k 2kq cos k k q k q cos k q (B4) 125 C Tính tích phân (2.20) Trong phép tính tốn, để đơn giản ta qui định ; vF ; ; k F Khi , ta có I k q cos k d 1 k k q 2 k q 2 (C1) Xét phương trình k k q , hay k q k (C2) Ta có điều kiện k k q , suy k q (C3) Ta có k q k q 2kq cos k , suy cos0 = q 2 k 2kq (C4) Kết hợp thêm điều kiện 1 cos 0 , suy q q 2k q q 2k (C5) Tổng hợp điều kiện trên: k , q, , k q q q 2k q q 2k (C6) q q k (C7) Giải (C6): Thay (C2) (C4) vào (C1) ta có 126 k q cos 0 2 k q 1 k q 2k k (C8) x xn , với Dùng cơng thức tính chất hàm delta-Dirac: y x y ' xn n y xn , y ' xn , ta có k k q k k q 2kq cos , đặt y k k q 2kq cos , xét phương trình y , tương đương với cos0 = q 2 k 2kq Trong khoảng 0, 2 có hai nghiệm 0 Ta có y ' 2kq sin k q 2kq cos 2 2kq sin 0 k (C9) Với sin 0 cos 20 xác định từ (C4) sin 0 q 2k q 2kq (C10) Thay (C10) vào (C9): y ' 0 q 2k q k (C11) Vậy k k q 2 y ' 0 y ' (C12) Xét (C1), dùng (C7), (C8), (C11) (C12): I 2 k q k d 2 k k 2 cos cos0 q 2k q k Suy 1/2 I 2 k 2 q q2 q q k Tương tự cho trường hợp , ta có 127 (C13) 2 k q cos I k d k k q , k q (C14) điều kiện toán q q k q 2 (C15) Suy 1/2 I 2 k q q2 q q q k k 128 (C16) D Tính phần thực phần ảo hàm phân cực không pha tạp (2.23) Ta có q g Im P q, 4 1 1/2 2k 2 q dk q q 2 q 2k dk 1 q q q g 4 q 2 Đổi biến số 2k q (D1) q , suy ra: d dk ; dk d ; 1 Thay vào (D1) ta có q g Im P0 q, 8 q 1 Chú ý dạng tích phân 1/2 1/2 d 1 1 q2 1/2 d 1 1/2 2 d 1 Im P01 q, (D2) 1 Ta có kết g q2 q 16 q (D3) Để tính phần thực hàm phân cực, ta dùng mối liên hệ Kramers–Kronig Im P01 q, ' Re P0 q, P d ' ' 1 (D4) Thay (D3) vào (D4), thu g q2 ' q 16 '2 q Re P01 q, P d ' ' gq P d 16 q q 1 q , có điểm cực đơn trục thực , áp q dụng lý thuyết thặng dư, ta có giá trị Cauchy tích phân Xét hàm số F 129 m P F d i ResF Z , 11 i lim q q 1 i lim q i 2 q q2 q 2 Do Re P01 q, gq 16 q 130 q (D5) E Một số tính chất hàm G (2.31) [3] G x x x ln x x G x G x iG x i G x x 1 x 1 Trong G x x x cosh 1 x , x G x x x cos1 x , x x iln x i x x 1 cosh 1 x ln x x 1 x cos1 cos1 x cos1 x 131 F Tính phần ảo hàm phân cực RPA q Vùng 1A: Vùng ta có điều kiện q kF dkI k , q, 1/ 2k q dk q q kF 1/ 2k dk q 1 q q kF q 1/ 2k q dk q q kF g 4 g 4 : kF g Im P q, 4 1 g 4 1/2 2k dk q 1 q q g 4 kF q 2 2k 2k 2 ;v du dk ; dv dk cận tích phân tương ứng: q q q q 2k 2k u 1 F ;v 1 F , thu q q Đặt u Im P 1 q, g 8 Xét nguyên hàm dạng q k F q q x 1dx g Im P q, 16 1 1/2 du u 1 g Im P q, 4 1 q 1/2 dv v 1 (F1) 2 2 G G q2 q q q2 g q 16 q Vùng 2A: 132 (F2) q 1/2 q 2k q dk q q g 8 1 x x ln x x G x Ta có 2 Vùng 1B: Trong vùng ta có q kF q k F q 2 g 8 q2 q 2 du 1 u 1 1/ (F3) g Im P q, 4 1 kF g q dkI k , q, 4 q2 g 8 1/ 2k q dk q q kF q2 2 k F q 1/ dv v 1 (F4) 2 G q Vùng 2B: g Im P q, 4 1 kF g dkI k , q, 4 q 1/ 2k q dk q q kF kF q2 g 8 q2 q 1/2 dv 1 v (F5) 2 G q Vùng 3A: g Im P q, 4 kF g Im P q, 4 kF 1 dkI k , q, (F6) Vùng 3B: 1 dkI k , q, Tổng hợp kết ta kết (2.32) 133 (F7) G Tính phần thực hàm phân cực RPA Ta có 2 F F kdk Re P q, P 0 k k q k k q 4 0 g 1 Chú ý là: F F ; F F (G1) k q cos , suy ra: k q F F kdk 0 0 k k q k k q 2 2 0 kdk d 2k q cos k k q 2 4k 2 k 2kq cos dk d k k q 2 0 0 Xét mẫu số k k q k 2 k k q 2kq cos q 2 k 2kq cos 2 k q 2 k 4k 2kq cos Tử số: 2 4k 2 k 2kq cos 2 k q k k q , suy Re P 1 q, 2 2 k q P dk d 2 8 cos k q k k kq 0 g g g dkJ k , q, 2 8 Trong 134 (G2) 2 k q J k , q, d 2 k q k k kq cos 2 2 k q d 2 2 k q 2 k 4k 2kq cos (G3) A 2 k q 2 k k , B 2kq (G4) 2 Đặt Xét tích phân L k , q, 2 d A B cos , (G5) ei ei 1 Z Khi biến thiên từ đặt Z e , dZ ie d iZd , cos = 2 Z 2 Z biến thiên đường trịn đơn vị S 0,1 Do i i L k , q, S 0,1 dZ iZ A B Z Z dZ i S 0,1 BZ AZ B (G6) có hai điểm cực nghiệm mẫu BZ AZ B số nó, theo định lý Vi-ét, tích nghiệm nên nghiệm nghiệm đường trịn S : Hàm dấu tích phân, f Z Z1,2 Theo định lý Res f Z , Z A B thặng A2 B A A2 1 B B B2 dư, ta có (G7) L k , q , 2 iRes f Z , Z , với , Z nghiệm đường trịn đơn vị Hay BZ A L k , q, 2 i 2 i BZ A BZ A (G8) Bây ta xét điều kiện tốn, từ (G4) ta có B 0; A q 2 k Để có nghiệm (G7) ta phải có điều kiện q 2 k 2kq A B ' A B 2 A B q 2 k 2kq 2 Giải hệ ta có điều kiện 135 i ii q q q i q q ; ii q k q k k 2 Khi nghiệm đường tròn đơn vị Z2 Z1 A A2 1 B B2 A B; A A2 A B Ta có BZ1 A A2 B ; BZ A A2 B , với B B q A2 B 2 k 2kq q 2 q 2 k Thay vào (G3) ta có 1/2 2 k 2 q q k J k , q, 2 q 2 q q q q k k Trong (G2) ta gọi J k , q, 2 J k , q, 1/ 2k 2 q q k q q 2 q 1/2 2k q q k q 2 q (G9) q q q k k Từ kết ta tính Re P 1 q, g g dkJ k , q, 2 4 0 (G10) Để tính tích phân ta xét theo vùng Hình 2.1 dùng kết (G9) sau: Vùng 1A: 136 Re P 1 q, g g 2 4 q 1/2 2k q dk 2 q q g 4 1/2 2k q dk 2 q (G11) g f q, 2 Vùng 1B Re P 1 q, g g 2 4 1/2 2k q 0 dk q kF g 4 g 4 q 1/ 2k q dk 2 q 1/ (G12) 2k q dk q q kF 2 2 g f q, G G 2 q q Vùng 2A: Re P1 q, q 1/2 2k q 0 dk q 2 g f q, G 2 q g g 2 4 g 4 1/2 2k q 0 dk q kF (G13) Vùng 2B: Re P1 q, g 2 g 2 1/2 2k q g dk 4 0 q 2 f q, G q kF g 4 q 1/2 2k q dk 2 q (G14) Vùng 3A: g g Re P q, 2 4 1 2k q 0 dk q kF 1/ g 4 2 2 g f q, G G 2 q q 137 1/ 2k 2 q 0 dk q kF (G15) Vùng 3B: g g Re P q, 2 4 1 2k q 0 dk q kF 1/ g 4 2 2 g f q, G G 2 q q Tổng hợp kết ta thu (2.34) 138 1/ 2k 2 q 0 dk q kF (G16) ... Phương pháp nghiên cứu Đề tài thực theo phương pháp nghiên cứu lý thuyết kết hợp với mô vật liệu Cụ thể, vi? ??c nghiên cứu hiệu ứng dao động tập thể electron vật liệu graphene thực theo hai cách tiếp... qua vi? ??c nghiên cứu đồng thời không điểm hàm điện môi cấu trúc hàm phổ mát lượng (electron energy loss spectrum – EELS) Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài Đề tài giải toán vật lý nghiên cứu tính. .. [104], cao gấp hai bậc so với vật liệu làm từ silicon, gấp 20 lần so với GaAs) vi? ??c không tồn khe lượng cấu trúc điện tử cản trở vi? ??c sử dụng graphene làm kênh dẫn điện cấu trúc linh kiện MOSFET (do