trắc nghiệm BJT và FET, mạch phân cực BJT, mô hình tương đương tín hiệu nhỏ, các kiểu ghép tầng khuếch đại (có đáp án)

TT Câu hỏi đáp án Transistor lưỡng cực (BJT) khơng có đặc điểm sau a gồm hai chuyển tiếp p-n b Có ba điện cực c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ d Gồm chuyển tiếp p-n Transistor lưỡng cực (BJT) transistor có dịng a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển điện trường ngồi d Khơng điều khiển Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ khuếch đại a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ tắt a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ bão hịa a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ khuếch đại a I C = β I B b VCE = c I C = d I C ≤ β I B Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ tắt a I C = β I B b VCE = c I C = d I C ≤ β I B Dòng ICBO dòng rỉ a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch Đáp án 10 11 12 13 14 15 d Của transistor Dòng ICEO dòng rỉ a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch d Của transistor Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng tham gia hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số thiểu số d Electron Khi nhiệt độ làm việc transistor thay đổi a Dịng điện chạy transistor bị thay đổi b Dịng điện chạy transistor khơng bị thay đổi c Dòng điện chạy transistor tăng nhiệt độ tăng d Dòng điện chạy transistor giảm nhiệt độ tăng Hình bên cách mắc transistor a Theo kiểu CE b Theo kiểu CB c Theo kiểu CC d A, b v c Để transistor lưỡng cực hoạt động có a cách mắc b cách mắc c cách mắc d cách mắc Đường đặc tuyến vôn –ampe bên a b c d Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CB Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CB IC (mA) Vùng bão hòa IB = 80 I = 70 µA BIB = 60 µA IB = 50 µA µA IB = 40 Vùng tích cực VCE (BH) ICE (a) O 16 17 18 19 20 IB (µA) 10 09 µAIB = 30 07 µAIB = 20 50 Iµ = 10 B A 03 µIBA= 01 µ A V (V 0 ) Vùng0ngưng dẫn CE VCE = 1V VCE = 10V VCE = 20V 0,2 0,4 0,6 0,8 (b) Đường đặc tuyến vôn –ampe bên a Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CE b Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CE c Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CB d Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CB Cấu trúc JFET khơng có đặc điểm sau a Có điện cực b Có kênh dẫn c Có chuyển tiếp p-n d Có hai chuyển tiếp p-n Transistor trường (FET) transistor có dịng a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển ánh sáng d Không điều khiển JFET kênh n có đặc điểm a Điện trở kênh dẫn thay đổi điện áp VGS thay đổi b Điện trở kênh dẫn tăng điện áp VGS âm c Điện trở kênh dẫn giảm điện áp VGS âm d Điện trở kênh dẫn không thay đổi điện áp VGS thay đổi JFET kênh p hoạt động a VGS ≥ VDS > b VGS ≤ VDS < c VGS ≥ VDS < VBE (V) 21 22 23 d VGS ≤ VDS > Các điện cực MOSFET gồm cực a B, C, E b D, S, G c D, S, G, Sub d D, S, B Dòng điện chạy FET chủ yếu dòng a Hạt tải đa số b Hạt tải thiểu số c Electron d Hole Transistor trường có đặc điểm sau a Dịng vào b Dòng vào khác c Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo 24 25 26  V  phương trình Shockley I D = I DSS 1 − GS   V p   d Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo phương trình I C = β I B D_MOSFET FET khơng có đặc điểm sau Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn lớp điện môi Sio2 a Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n b Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S c Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm d E_MOSFET FET có đặc điểm sau Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn lớp điện môi Sio2 a Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n b Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S c Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm d Công thức sau biểu diễn quan hệ ngõ với ngõ vào D_MOSFET  V a I D = I DSS 1 − GS  Vp  b I C = β I B c I D = K (VGS − Vth )     2 27  Vγ   d I D = I DSS 1 −  V  p   Thông số thông số giới hạn BJT a ICmax b VCEmax c PCmax d ICEO 28 29 Thông số thông số giới hạn FET IDmax a VDSmax b PCmax c PDmax d Dòng điện chạy transistor trường dịng a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n TT Câu hỏi đáp án Điện trở RE mạch phân cực transistor lưỡng cực (BJT) có chức a Phân cực cho cực E b Ổn định nhiệt cho trnasistor c a b d a b sai Tụ CE mạch có chức a ngắn mạch RE nguồn tín hiệu b hở mạch RE nguồn tín hiệu c ngắn mạch RE nguồn phân cực d Giảm hệ số khuếch đại mạch Trong mạch phân cực transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất ổn định nhiệt là: a mạch phân cực theo kiểu định dòng b mạch phân cực theo kiểu phân áp c mạch phân cực có hồi tiếp từ collector d mạch phân cực theo kiểu định dịng có RE Hệ số bất ổn định nhiệt dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn e R B / R E > ( β + 1) f RB / R E < ( β + 1) g RB / R E < h RB / R E = ( β + 1) Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ Đáp án a R B / R E > ( β + 1) b RB / R E < ( β + 1) c RB / R E < d RB / R E = ( β + 1) Sự bất ổn định nhiệt dòng IC thông số bị thay đổi BJT theo nhiệt độ a Vγ b β c ICBO d a, b c điện trở RS mạch phân cực transistor trường có chức e Phân cực cho cực S f Ổn định nhiệt cho transistor g a b h a b sai Trong dạng mạch phân cực sau dạng dạng mạch phân cực cho transistor trường e mạch phân cực theo kiểu định dòng f mạch phân cực theo kiểu phân áp g mạch tự phân cực h mạch phân cực cố định Để phân cực cho E_MOSFET kênh n sử dụng dạng mạch phân cực e mạch phân cực hồi tiếp f mạch phân cực theo kiểu phân áp g mạch tự phân cực h mạch phân cực cố định PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TT Câu hỏi đáp án BJT có mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ Đáp án e Một f Hai g Ba h Bốn Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT sử dụng a BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ b BJT hoạt động với tín hiệu lớn c BJT hoạt động với tín hiệu trung bình d A, b c Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT mắc theo kiểu CE sử dụng mạch khuếch đại dùng BJT e Mắc theo kiểu CE f Mắc theo kiểu CB g Mắc theo kiểu CC h A, b, c Thơng số hib BJT tính theo cơng thức ∆VBE ≅ re e hib = ∆I E ∆V BE ≅ βre f hib = ∆I B ∆V BE ≅ βre g hib = ∆I E ∆V BE ≅ re h hib = ∆I B Thông số hfe hệ số khuếch đại BJT a Dòng điện xoay chiều b Dòng điện chiều c Điện áp xoay chiều d Điện áp chiều Phương trình mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số h biểu diễn e Áp vào dòng theo dòng vào áp f Áp vào áp theo dòng vào dòng g Dòng vào dòng theo áp vào áp h Dòng vào áp theo áp vào dòng Trong mạch khuếch đại sau mạch có hệ số khuếch đại áp lớn Mạch khuếch đại mắc kiểu CE e Mạch khuếch đại mắc kiểu CB f Mạch khuếch đại mắc kiểu CC g Avàb h Mạch khuếch đại có điện trở vào bé mạch khuếch đại mắc kiểu e CE f CB g CC h Cả có tổng trở vào 10 11 12 13 14 Mạch khuếch đại có điện trở nhỏ mạch khuếch đại mắc kiểu a CE b CB c CC d CE CB Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn mạch khuếch đại mắc kiểu a CE b CB c CC d CC CE Mạch khuếch đại có điện áp pha với áp vào mạch a CE b CB c CC d CC CB Phương trình mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y biểu diễn e Áp vào dòng theo dòng vào áp f Áp vào áp theo dòng vào dòng g Dòng vào dòng theo áp vào áp h Dòng vào áp theo áp vào dịng JFET có mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ e Một f Hai g Ba h Bốn Thơng số gm JFET tính theo công thức  VGS   e g m = g mo 1 −  V p   f gm = − I DSS VP  VGS 1 −  Vp      ID I DSS h g g m = g mo 15 16 Trong mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch có hệ số khuếch đại áp nhỏ a Mạch khuếch đại mắc kiểu CD b Mạch khuếch đại mắc kiểu CS c Mạch khuếch đại mắc kiểu CG d b v c Mạch khuếch đại có điện trở ngõ nhỏ mạch khuếch đại mắc kiểu a CD b CS 17 18 c CG d CD v CS Mạch khuếch đại có điện áp ngược pha với áp vào mạch e CD f CS g CG h CC v CG Mơ hình tương đương gần tín hiệu nhỏ hình bên mơ hình e JFET f D_MOSFET g E_MOSFET h a,b, c CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI TT Câu hỏi đáp án Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có hệ số khuếch đại áp toàn mạch n e AV = ∏ AVi i =1 n f AV = ∑ AVi i =1 n g AV =  AVi i =1 n h AV = AVi i =1 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có hệ số khuếch đại dịng tồn mạch n a Ai = ∏ Aii i =1 n b Ai = ∑ Aii i =1 Đáp án n c Ai =  Aii i =1 n d Ai = Aii i =1 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có tổng trở ngõ vào mạch a Z i = Z i1 b Z i = Z in n c Z i = ∑ Z ii i =1 n d Z i = ∏ Z ii i =1 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có tổng trở ngõ mạch Z O = Z O1 e Z O = Z On f Z O = Z O ( n +1) g h Z O = Z O ( n −1) Có cách ghép tầng khuếch đại a Một b Hai c Ba d Bốn Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm a Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua tụ điện b Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua điện trở c Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với trực tiếp d Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua máy biến áp Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm e Khuếch đại tín hiệu DC AC f Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua điện trở g Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với trực tiếp h Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua máy biến áp 10 11 12 13 14 Mạch khuếch đại ghép trực tiếp khơng có đặc điểm a Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp b Các tầng khuếch đại không cách ly DC c Khuếch đại tín hiệu DC AC d Ổn định nhiệt Dạng ghép trực tiếp đặc biệt cho hệ số khuếch đại dòng lớn a Darlington b Vi sai c Cascode d A, b, c sai Mạch khuếch đại vi sai khơng có đặc điểm e Có hai ngõ vào f Ngoõ vi sai khuếch đại tín hiệu vi sai g Ngõ vi sai khuếch đại tín hiệu cách chung (cộng sai) h Triệt nhiễu đồng pha tốt Mạch khuếch đại ghép cascode thường sử dụng e Mạch khuếch đại tần số thấp f Mạch khuếch đại tần số cao g Mạch khuếch đại tín hiệu h Làm mạch khuếch đại đệm Mạch khuếch đại ghép cascode khơng có đặc điểm sau Có ngõ vào e Có hai ngõ vào f Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB g Hệ số khuếch đại tầng khuếch đại h Mạch khuếch đại ghép Darlington khơng có đặc điểm e Gồm hai transistor ghép trực tiếp f Có hệ số khuếch đại dịng điện transistor tương đương tích hệ số khuếch đại dịng điện hai transistor thành ph ần g Có hệ số khuếch đại dòng điện transistor tương đương tổng hệ số khuếch đại dòng điện hai transistor thành phần h Có tổng trở vào lớn Có cách ghép Darlington? e Một f Hai g Ba h Bốn 15 Mạch hình bên mạch khuếch đại ghép a Darlington b Vi sai c Cascode d A,b,c sai 16 Tại mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay cho điện trở RE e Ổn định dòng điện cực E f Tăng hệ số khuếch đại dòng điện g Tăng hệ số khuếch đại tín hiệu vi sai h Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung Tỉ số nén tín hiệu cách chung tính cơng thức: AVD a CMRR = AVC AVD b CMRRdB = 20 lg AVC AVC c CMRR = AVD d a b 17 e Ngân hàng câu hỏi đáp án chi tiết chương tt Loại Câu hỏi Nội dung MẠCH PHÂN CỰC CHO BJT Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) Điểm 1đ 1đ VCC RC RB Ngõ vào ac C1 IB IC C2 + Ngõ ac 10µF VCE − β = 50 Đáp án I BQ = VCC − VBE RB I CQ = βI B VCEQ = VCC − I CQ RC VCC = 15V Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) RC RB IC C2 IB C Vi 1đ V0 β = 50 Si RE VE IE Đáp án VCEQ Câu hỏi VCC − VBE R RE + B β = VCC − I CQ ( RC + RE ) I CQ = Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính xác VCC RB1 IC RC VC C1 VB Vi 10µF RB2 Vo 10µF VCE β = 140 VE IE RE CE 10µF 1đ Đáp án VB = RBB = IB = RB VCC RB1 + RB VCC RB1 RB RB1 + RB RC VBB − VCE RBB + ( β + 1) RE I C = βI B ≅ I E VCE = VCC − I C ( RC + RE ) RBB + RD2 VBB Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính gần 1đ VCC RB1 IC RC VC C1 10µF RB2 Đáp án VB = RB VCC RB1 + RB VE = VB − VBE IE = VE ≅ IC RE VC = VCC − I C RC VCE = VC − VE Vo 10µF VB Vi C2 VCE β = 140 VE IE RE CE 10µF Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) Vcc 1đ Rc C2 Rf + V out C1 V in + - Đáp án - VCC = I CQ RC + I CQ RB + VBE β VCC − VBE RB + RC β = VCC − RC I CQ → I CQ = VCEQ Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) Vcc Rb V in C1 C2V out Re Đáp án VCC = I CQ β VCC − VBE RB + RE β = VCC − I CQ RE → I CQ = VCEQ RB + VBE + I CQ RE 1đ ... tiếp f mạch phân cực theo kiểu phân áp g mạch tự phân cực h mạch phân cực cố định PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TT Câu hỏi đáp án BJT có mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ Đáp án e Một... phân cực theo kiểu định dòng f mạch phân cực theo kiểu phân áp g mạch tự phân cực h mạch phân cực cố định Để phân cực cho E_MOSFET kênh n sử dụng dạng mạch phân cực e mạch phân cực hồi tiếp f mạch. .. hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT sử dụng a BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ b BJT hoạt động với tín hiệu lớn c BJT hoạt động với tín hiệu trung bình d A, b c Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT