1. Trang chủ
  2. » Kinh Tế - Quản Lý

Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 11166-6:2015

81 14 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 81
Dung lượng 381,4 KB

Nội dung

Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 11166-6:2015 qui định các đặc tính cho thẻ định danh được định nghĩa trong Điều 4 và việc sử dụng các thẻ này trong trao đổi quốc tế. Tiêu chuẩn này qui định các yêu cầu đối với sọc từ kháng từ cao (bao gồm mọi lớp phủ bảo vệ) trên thẻ định danh, kỹ thuật mã hóa và bộ ký tự mã hóa. Tiêu chuẩn này xem xét cả khía cạnh con người và máy móc và nêu rõ các yêu cầu tối thiểu.

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 11166-6 : 2015 ISO/IEC 7811-6 : 2014 THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 6: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO Identification cards - Recording technique - Part 6: Magnetic stripe -High coercivity Lời nói đầu TCVN 11166-6:2015 (ISO/IEC 7811-6:2014) hồn tồn tương đương với ISO/IEC 7811-6:2014 TCVN 11166-6:2015 (ISO/IEC 7811-6:2014) Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC "Công nghệ thông tin" biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học Công nghệ công bố Hiện nay, TCVN 11166 (ISO/IEC 7811) Thẻ định danh - Kỹ thuật ghi gồm tiêu chuẩn: - Phần 1: Rập nổi; - Phần 2: Sọc từ - Kháng từ thấp; - Phần 6: Sọc từ - Kháng từ cao; - Phần 7: Sọc từ - Kháng từ cao, mật độ cao; - Phần 8: Sọc từ - Kháng từ 51,7 kA/m (650 Oe); - Phần 9: Đánh dấu định danh xúc giác; THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 6: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO Identification cards - Recording technique - Part 6: Magnetic stripe -High coercivity Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn qui định đặc tính cho thẻ định danh định nghĩa Điều việc sử dụng thẻ trao đổi quốc tế Tiêu chuẩn qui định yêu cầu sọc từ kháng từ cao (bao gồm lớp phủ bảo vệ) thẻ định danh, kỹ thuật mã hóa ký tự mã hóa Tiêu chuẩn xem xét khía cạnh người máy móc nêu rõ yêu cầu tối thiểu Kháng từ ảnh hưởng đến nhiều đại lượng qui định tiêu chuẩn, tiêu chuẩn không qui định cho kháng từ Đặc tính sọc từ kháng từ cao khả chống xóa cải thiện Điều đạt nhờ giảm thiểu khả xảy hư hại sọc từ khác tiếp xúc trì khả tương thích đọc với sọc từ qui định TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) Tiêu chuẩn đưa tiêu chí để thẻ hoạt động, không xem xét lượng sử dụng, có cần xem xét lượng thẻ trước thử nghiệm Nếu không phù hợp với tiêu chí qui định, bên liên quan nên thương lượng với ISO/IEC 10373-2 qui định thủ tục thử nghiệm để kiểm tra thẻ so với thông số qui định tiêu chuẩn CHÚ THÍCH Các giá trị số theo hệ đo lường SI và/hoặc hệ đo lường Anh tiêu chuẩn làm trịn, giá trị phù hợp khơng xác Có thể sử dụng hệ đo lường khác không nên dùng lẫn chuyển đổi lẫn Thiết kế ban đầu sử dụng hệ thống đo lường Anh Sự phù hợp Điều kiện tiên để phù hợp với tiêu chuẩn phù hợp với TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) Một thẻ định danh phù hợp với tiêu chuẩn đáp ứng tất yêu cầu bắt buộc qui định tiêu chuẩn Áp dụng giá trị mặc định không qui định giá trị khác Tài liệu viện dẫn Các tài liệu tham khảo thiếu việc áp dụng tài liệu Đối với tham khảo ghi năm, áp dụng nêu Đối với tham khảo không ghi năm, áp dụng tài liệu tham khảo (bao gồm sửa đổi) TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh - Đặc tính vật lý, ISO 4287 Geometrical Product Specifications (GPS) - Surface texture: Profile method - Terms, definitions and surface texture parameters (Đặc tả sản phẩm hình học (GPS) - Kết cấu bề mặt: Phương pháp mặt nghiêng - Thuật ngữ, định nghĩa thông số kết cấu bề mặt); ISO/IEC 10373-1 Identification cards - Test methods - Part 1: General characteristics tests (Thẻ định danh - Phương pháp thử nghiệm - Phần 1: Đặc tính chung); ISO/IEC 10373-2, Identification cards - Test methods - Part 2: Cards with magnetic stripes (Thẻ định danh - Phương pháp thử nghiệm - Phần 2: Thẻ có sọc từ) Thuật ngữ định nghĩa Tiêu chuẩn áp dụng thuật ngữ định nghĩa TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) 4.1 Tiêu chuẩn (primary Standard) Tập thẻ tham chiếu thiết lập Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) trì ban thư kí PTB, Q-Card WG1 để thể giá trị U R IR rõ RM7811-x26 4.2 Tiêu chuẩn phụ (secondary Standard) Thẻ tham chiếu rõ RM7811-6 liên quan đến tiêu chuẩn nêu giấy chứng nhận hiệu chuẩn cung cấp cho thẻ CHÚ THÍCH Các tiêu chuẩn phụ đặt hàng từ Q-Card, 301 Reagan Street, Sunbury, PA 17801, USA Nguồn tiêu chuẩn phụ trì đến năm 2018 4.3 Thẻ không mã chưa sử dụng (unused un-encoded card) Thẻ gồm tất cấu kiện cần thiết cho mục đích sử dụng, khơng lệ thuộc vào thao tác cá nhân hay thử nghiệm lưu giữ môi trường không 48 h phơi ánh sáng ban ngày nhiệt độ từ 5°C đến 30°C độ ẩm từ 10 % đến 90 %, không qua sốc nhiệt 4.4 Thẻ mã chưa sử dụng (unused encoded card) Thẻ theo 4.3 mã hóa liệu yêu cầu cho mục đích sử dụng thẻ (ví dụ mã hóa từ, rập nổi, mã hóa điện tử) 4.5 Thẻ trả lại (returned card) Thẻ theo 4.4 sau cấp cho chủ thẻ trả lại để thử nghiệm 4.6 Chuyển tiếp dòng (flux transition) Vị trí mà tốc độ thay đổi lớn khoảng cách việc từ hóa 4.7 Dịng điện chuẩn (reference current) IR Biên độ dòng điện ghi nhỏ điều kiện thử nghiệm cho, thẻ tham chiếu, biên độ tín hiệu đọc ngược 80 % biên độ tín hiệu chuẩn, UR, với mật độ chuyển tiếp dòng/mm (200 chuyển tiếp dịng/inch) Hình 4.8 Mức dòng chuẩn (reference flux level) FR Mức dòng đầu thử tương ứng với dòng điện chuẩn IR 4.9 Dòng điện ghi thử nghiệm (test recording currents) Có hai dịng điện ghi xác định bởi: - Imin = dòng điện ghi tương ứng với 2,8 FR - Imax = dòng điện ghi tương ứng với 3,5 FR 4.10 Biên độ tín hiệu riêng (individual signal amplitude) Ui Biên độ sở-đến-đỉnh tín hiệu điện áp đọc ngược riêng lẻ 4.11 Biên độ tín hiệu trung bình (average signal amplitude) UA Tổng giá trị tuyệt đối biên độ đỉnh tín hiệu (Ui) chia cho số đỉnh tín hiệu (n) rãnh cho trước chiều dài vùng sọc từ 4.12 Biên độ tín hiệu chuẩn (reference signal amplitude) UR Giá trị biên độ tín hiệu trung bình lớn thẻ tham chiếu hiệu chỉnh tiêu chuẩn 4.13 Mật độ ghi vật lý (physical recording density) Số chuyển tiếp dòng chiều dài đơn vị ghi rãnh 4.14 Mật độ bit (bit density) Số bit liệu lưu trữ đơn vị chiều dài (bits/mm bpi) 4.15 Ô bit (bit cell) Khoảng cách hai chuyển tiếp dòng đồng CHÚ THÍCH Xem Hình 11 4.16 Phân khoảng thời gian (subinterval) Khoảng cách thường nửa khoảng cách chuyển tiếp dịng đồng CHÚ THÍCH Xem Hình 11 4.17 Dịng điện khử từ (demagnetisation current) Id Giá trị dòng điện chiều để giảm biên độ tín hiệu trung bình đến 80 % biên độ tín hiệu chuẩn (UR) thẻ tham chiếu phụ mã hóa mật độ 20 ft/mm (500 ftpi) dịng điện Imin Đặc tính vật lý thẻ định danh Thẻ định danh phải phù hợp với đặc tả TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) CẢNH BÁO - Việc lưu tâm bên phát hành thẻ dẫn đến thực tế thơng tin chứa sọc từ bị vô hiệu thông qua nhiễm bẩn tiếp xúc với bụi bẩn hóa chất thường sử dụng gồm chất làm dẻo Nên ý việc in kiểm tra đỉnh sọc từ không làm hằn vết chức sọc từ 5.1 Độ vênh vùng sọc từ Đặt tải 2,2 N (0.5 lbf) phân bố mặt trước đối diện với sọc từ phải bao gồm toàn sọc từ 0,08 mm (0.003 in) cứng 5.2 Biến dạng bề mặt Khơng có biến dạng bề mặt, bất thường hay vùng mặt trước sau thẻ vùng Hình làm cản trở tiếp xúc đầu từ sọc từ Kích thước tính theo mi-li-mét (in-sơ) Hình - Vùng biến dạng tùy ý thẻ có sọc từ Nếu vùng chữ ký đặt mặt trước sau thẻ, vùng khơng gần với mép thẻ 19,05 mm (0.750 in) CHÚ THÍCH Các vùng biến dạng vùng khác thẻ gây vấn đề truyền tải thẻ với thiết bị xử lý sọc từ gây lỗi ghi đọc Đặc tính vật lý sọc từ 6.1 Chiều cao đường dốc bề mặt vùng sọc từ Vùng sọc từ đặt mặt sau thẻ giống Hình Kích thước tính theo mi-li-mét (in-sơ) Hình - Vị trí vật liệu từ cho thẻ kiểu ID-1 CHÚ THÍCH Trong trường hợp vùng sọc từ sử dụng cho rãnh 2, kích thước a hình phương tiện truyền thơng từ tính nhỏ kích thước lớn b Hình 12 vị trí liệu rãnh thẻ Mong muốn vùng sọc từ mở rộng vượt ngồi rãnh mã hóa 6.1.1 Đường dốc bề mặt vùng sọc từ Độ lệch theo chiều dọc (a) lớn đường dốc bề mặt ngang vùng sọc từ Xem Hình 3, Độ dốc đường cong đường dốc bề mặt giới hạn: -4a/W < độ dốc (slope) < 4a/W Khi giá trị tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) thẻ 20 mm lớn giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ W = 6,35 mm (0.25 in) Theo Hình 3A a ≤ 9,5 µm (375µin) Theo Hình 3B a ≤ 5,8 µm (225µin) W = 10,41 mm (0.41 in) a ≤ 15,4 µm (607µin) a ≤ 9,3 µm (365µin) Khi giá trị tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) thẻ nhỏ 20 mm giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ Theo Hình 3A Theo Hình 3B W = 6,35 mm (0.25 in) a ≤ 7,3 µm (288µin) a ≤ 4,5 µm (175µin) W = 10,41 mm (0.41 in) a ≤ 11,7 µm (466µin) a ≤ 7,3 µm (284µin) Hình - Đường dốc bề mặt Hình - Ví dụ đường dốc bề mặt Các đường dốc khơng cân hình dẫn đến việc mã hóa chất lượng Hình - Ví dụ đường dốc bề mặt khơng cân 6.1.2 Chiều cao vùng sọc từ Độ lệch theo chiều dọc (h) vùng sọc từ liên quan đến bề mặt tiếp giáp thẻ: -0,005 mm (- 200 µin) ≤ □h ≤ □0,038 mm (1500 µin) Phần nhọn đường dốc vật liệu "phun ra" in dấu nóng lên khơng phải phần sọc từ Không mở rộng bên vùng sọc từ có chiều cao (h) qui định 6.2 Tính thơ ráp bề mặt Độ thơ ráp bề mặt trung bình (Ra) vùng sọc từ khơng vượt 0,40 µm(15.9 µin) theo chiều dọc ngang đo theo ISO 4287 6.3 Tính bám dính sọc từ với thẻ Sọc từ không phân tách khỏi thẻ sử dụng bình thường 6.4 Tính mài mòn sọc từ cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau 2000 chu kỳ mài mòn kết quả: UA sau ≥ 0,60 UA trước Ui sau ≥ 0,80 UA sau 6.5 Tính kháng hóa chất Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau tiếp xúc với điều kiện môi trường thời gian ngắn qui định ISO/IEC 10373-1 kết quả: UA sau ≥ 0,90 UA trước Ui sau ≥ 0,90 UA sau Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau tiếp xúc với điều kiện môi trường thời gian dài (24 h) với mồ nhân tạo có a-xít kiềm, xác định ISO/IEC 10373-1 UA sau ≥ 0,90 UA trước Ui sau ≥ 0,90 UA sau Đặc tính hiệu vật liệu từ 7.1 Yêu cầu chung Mục đích Điều đảm bảo khả đổi lẫn từ thẻ hệ thống xử lý Không qui định kháng từ phương tiện truyền thơng Tiêu chí hiệu phương tiện truyền thông không phụ thuộc kháng từ qui định 7.3 Phương pháp sử dụng thẻ tham chiếu mà vật liệu truy nguyên tiêu chuẩn (Xem Điều 4) Tất biên độ tín hiệu từ việc sử dụng thẻ tham chiếu phụ phải hiệu chỉnh yếu tố hỗ trợ thẻ tham chiếu phụ Phải sử dụng phương pháp thử nghiệm ISO/IEC 10373-2 7.2 Môi trường thao tác thử nghiệm Mơi trường thử nghiệm để đo biên độ tín hiệu nhiệt độ 23°C ± 3°C (73°F ± 5°F) độ ẩm tương đối từ 40 % đến 60 % Mặt khác thử nghiệm điều kiện giống nhau, biên độ tín hiệu trung bình đo 8ft/mm (200 ftpi) không lệch 15 % so với giá trị mơi trường thử nghiệm sau tiếp xúc với điều kiện môi trường môi trường hoạt động sau: Nhiệt độ -35°C đến 50°C (-31°F đến 122°F) Độ ẩm tương đối % đến 95 % 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu phương tiện truyền thơng từ tính Các yêu cầu đặc tính ghi thẻ Bảng Hình Các yêu cầu hiệu phương tiện truyền thông qui định 7.3 phải đáp ứng để đạt khả chống xóa cải thiện cho phép khả trao đổi từ thẻ hệ thống xử lý Các thuộc tính Phụ lục C hướng dẫn cho vật liệu từ Phụ lục C tham khảo sử dụng tiêu chí hiệu cho thẻ Bảng - Yêu cầu biên độ tín hiệu cho thẻ khơng mã chưa sử dụng ft/mm (ftpi) Dịng ghi thử nghiệm Kết biên độ tín hiệu Yêu cầu Biên độ tín hiệu (200) Imin UA1 0,8 UR ≤ UA1 ≤ 1,2 UR Biên độ tín hiệu (200) Imin Ui1 Ui1 ≤ 1,26 UR Biên độ tín hiệu (200) Imax UA2 UA2 ≥ 0,8 UR Biên độ tín hiệu 20 (500) Imax Ui2 Ui2 ≥ 0,65 UR Độ phân giải 20 (500) Imax UA3 UA3 ≥ 0,7 UA2 Xóa bỏ Imin, DC UA4 UA4 ≤ 0,03 UR Xung bổ trợ Imin, DC Ui4 Ui4 ≥ 0,05 UR Khử từ Id, UA UA5 ≥ 0,64 UR DC Id, Ui DC Mô tả Khử từ Mật độ Ui5 ≥ 0,54 UR Dạng sóng (75) /max Ui6, UA6 Ui6 ≤ 0,07 UA6 Ui6 giá trị tuyệt đối biên độ tín hiệu lớn vùng đo lường Ui6 Hình Hình - Ví dụ đường cong bão hòa vùng dung sai ft/mm (200 ftpi) CHÚ THÍCH Các đường cong xác định đáp ứng tiêu chuẩn (trên thẻ) Các thơng số cửa sổ xác định thẻ có chức mơi trường máy đọc Tìm trung điểm đỉnh liền kề Tìm điểm giao cho dạng sóng trung điểm đỉnh liền kề Vùng đo lường 1,5 lần a (khoảng cách trung điểm điểm giao 0) Tìm mức biên độ tín hiệu lớn vùng đo lường xác định hình Giá trị tuyệt đối mức Ui6 dạng sóng Hình - Đo lường dạng sóng Kỹ thuật mã hóa Kỹ thuật mã hóa rãnh phương pháp ghi 2-tần số Phương pháp cho phép ghi liệu tự đồng Việc mã hóa bao gồm liệu chuyển tiếp đồng Một chuyển tiếp dòng xảy lần đồng có nghĩa bit "1" việc khơng có chuyển tiếp dịng chuyển tiếp đồng có nghĩa bit "0" (Xem Hình 8) Hình - Ví dụ mã hóa 2- tần số Dữ liệu phải ghi chuỗi đồng ký tự khơng có khoảng trống xen vào CHÚ THÍCH Việc ghi với dịng ghi nhỏ Imin dẫn đến vc mã hóa với chất lượng Yêu cầu chung đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi Góc ghi phải vng góc với mép gần thẻ song song với sọc từ với dung sai ± 20 Góc ghi (a) xác định việc đo góc khe trống đầu ghi biên độ đọc lớn (xem Hình 9) Hình - Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh nghĩa Mật độ bit danh nghĩa cho rãnh phải là: Rãnh 8,27 bits/mm (210 bpi), Rãnh 2,95 bits/mm (75 bpi), Rãnh 8,27 bits/mm (210 bpi), 9.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho rãnh 1,2 Yêu cầu biên độ tín hiệu rãnh 1, sau: - Thẻ mã chưa sử dụng: 0,64 UR ≤ Ui ≤ 1,36 UR - Thẻ trả lại: 0,52 UR ≤ Ui ≤ 1,36 UR Khơng có đỉnh tín hiệu yêu cầu tối thiểu (0,64 UR Cho thẻ mã chưa sử dụng 0,52 UR Cho thẻ trả lại) 0,07 UR(xem Hình 10) Hình 10 - Tạp nhiễu dạng sóng tín hiệu 9.4 Cấu hình bit Trong cấu hình bít ký tự vùng từ tính, bít nghĩa (2°) phải mã hóa bit kiểm tra chẵn lẻ cuối 9.5 Hướng ghi Việc mã hóa phải phía bên phải nhìn từ phía sọc từ 9.6 Các số đầu đuôi Đầu vào bit liệu phải ghi với số khoảng trống sau bit cuối phải ghi với số Các số trước 3,30 mm (0.130 in) sau 82,17 mm (3.235 in) từ mép phải thẻ quan sát từ đằng sau không cần đáp ứng đặc tả qui định 10 Đặc tả mã hóa 10.1 Rãnh chữ số, rãnh 10.1.1 Mật độ bit trung bình Mật độ bit trung bình (Ba) 8,27 bits/mm (210 bpi) ± % đo song song dọc theo chiều với mép tham chiếu 10.1.2 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Các biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Bảng thẻ mã chưa sử dụng Bảng thẻ trả lại Xem Hình 11 Hình 11 - Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Bảng - Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cho thẻ mã chưa sử dụng - Rãnh Số hạng Mô tả Yêu cầu Biến đổi Ba Chiều dài trung bình chuyển tiếp dịng ghi tốc độ 111 µm (4381 µin) ≤ Ba ≤ 131 µm (5143 µin) ±8% 109 µm (4286 µin) ≤ Bin ≤ 133 µm (5238 ≤in) ±10% 0,90 Bin ≤ Bin+1 ≤ 1,10 Bin ±10% Bin Chiều dài riêng chuyển tiếp dòng ghi tốc độ Bin+1 Biến bit-đến-bit liền kề Sin Chiều dài phân khoảng thời gian 53 µm (2095 µin) ≤ Sin ≤ 68 µm (2667 µin) ±12 % Sin+1 Chiều dài phân khoảng thời gian liền kề 0,88 Bin/2 ≤ Sin+1 ≤ 1,12 Bin/2 ±12 % Bảng - Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cho thẻ trả lại - Rãnh Số hạng Mô tả Yêu cầu Biến đổi Ba Chiều dài trung bình chuyển tiếp dịng ghi tốc độ 111 µm (4381 µin) ≤ Ba ≤ 131 µm (5143 µin) ±8% Chiều dài riêng chuyển tiếp dịng ghi tốc độ 103 µm (4048 µin) ≤ Bin ≤ 139 µm (5476 µin) ±15% 0,85 Bin ≤ Bin+1 ≤ 1.15 Bin ±15% Bin Bin+1 Biến bit đến bit liền kề Sin Chiều dài phân khoảng thời gian 48,4 µm (1905 µin) ≤ Sin ≤ 72,6 µm (2857 µin) ±20 % Sin+1 Chiều dài phân khoảng thời gian liền kề 0,70 Bin/2 ≤ Sin+1≤ 1,30 Bin/2 ±30 % 10.1.3 Bộ ký tự mã hóa Bộ ký tự mã hóa cho rãnh phải có chữ-số Bảng Các ký tự sau có ý nghĩa đặc biệt việc sử dụng bị hạn chế qui định Các ký tự !"&'*+,:;@_ Ý nghĩa sử dụng Sử dụng cho mục đích điều khiển phần cứng; không sử dụng cho nội dung liệu A S C I I ) C H Ú T H Í C H B ộ k ý t ự m ã h ó a n y h o n t o n t n g đ n g v i b ộ k ý t ự t r o n g I S O / I E C 1 x ( đ ợ c t o t A S C I I ) C H Ú T H Í C H B ộ k ý t ự m ã h ó a n y h o n t o n t n g đ n g v i b ộ k ý t ự t r o n g I S O / I E C 1 x ( đ ợ c t o t A S C I I ) C H Ú T H Í C H B ộ k ý t ự m ã h ó a n y h o n t o n t n g đ n g v i b ộ k ý t ự t r o n g I S O / I E C 1 x ( đ ợ c t o t A S C I I ) C H Ú T H Í C H B ộ k ý t ự m ã h ó a n y h o n t o n t n g đ n g v i b ộ k ý t ự t r o n g I S O / I E C 1 x ( đ ợ c t o t A S C I I ) C H Ú T H Í C H B ộ k ý t ự m ã h ó a n y h o n t o n t n g đ n g v i b ộ k ý t ự t r o n g I S O / I E C 1 x ( đ ợ c t o t A S C I I ) 10.2.4 Số ký tự lớn cho thể loại ID-1 Các ký tự liệu, ký tự điều khiển, cờ hiệu bắt đầu, cờ hiệu kết thúc ký tự kiểm tra dư thừa theo chiều dọc không vượt 40 ký tự 10.3 Rãnh số, rãnh 10.3.1 Mật độ bit trung bình Mật độ bit trung bình (Ba) phải 8,27 bits/mm (210 bpi) ± % đo song song dọc theo chiều với mép tham chiếu đầu 10.3.2 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Bảng cho thẻ mã chưa sử dụng Bảng cho thẻ trả lại Xem Hình 11 10.3.3 Bộ ký tự mã hóa Bộ ký tự mã hóa cho rãnh phải có bit số Bảng Các ký tự sau có ý nghĩa đặc biệt việc sử dụng bị hạn chế qui định Ký tự : Ý nghĩa sử dụng Sử dụng cho mục đích điều khiển phần cứng; khơng sử dụng cho nội dung liệu ; Cờ hiệu bắt đầu = Phân tách trường ? Cờ hiệu kết thúc 10.3.4 Số ký tự lớn cho thẻ loại ID-1 Các ký tự liệu, ký tự điều khiển, cờ hiệu bắt đầu, cờ hiệu kết thúc ký tự kiểm tra dư thừa theo chiều dọc không vượt 107 ký tự 11 Phát lỗi Hai kỹ thuật phát lỗi, mô tả đây, phải mã hóa Trong hai kỹ thuật, số đầu đuôi không coi kí tự liệu 11.1 Cặp chẵn lẻ Phải sử dụng bit chẵn lẻ cho ký tự mã hóa Giá trị bit chẵn lẻ xác định tổng số bit ghi, cho ký tự, bao gồm bit chẵn lẻ, phải lẻ 11.2 Kiểm tra dư thừa theo chiều dọc (LRC) Ký tự kiểm tra dư thừa theo chiều dọc (IRC) phải xuất cho rãnh liệu Ký tự LRC phải mã hóa sau cờ hiệu kết thúc thẻ đọc theo hướng đưa cho cờ hiệu bắt đầu đầu tiên, liệu cờ hiệu kết thúc, cấu hình bit ký tự LRC phải trùng với cấu hình bit ký tự liệu Ký tự LRC tính cách sử dụng thủ tục sau: Giá trị bit ký tự LRC, ngoại trừ bit chẵn lẻ, xác định tổng bit mã hóa vị trí bit tương ứng tất ký tự rãnh liệu, bao gồm cờ hiệu bắt đầu, liệu, cờ hiệu kết thúc ký tự LRC Bit chẵn lẻ ký tự LRC bit chẵn lẻ cho bit chẵn lẻ riêng rãnh liệu, mà bit chẵn lẻ cho ký tự LRC mã hóa mơ tả 11.1 12 Vị trí rãnh mã hóa Mỗi rãnh mã hóa phải đặt hai dịng Hình 12 Điểm bắt đầu mã hóa đặt đường bit "một" cờ hiệu bắt đầu Điểm kết thúc mã hóa đặt đường bit cuối ký tự kiểm tra dư thừa theo chiều dọc (bit cuối bít chẵn lẻ) Số hạng Rãnh Rãnh Rãnh 8,33 (0,328) nhỏ 11,63 (0,458) nhỏ 5,79 (0,228) lớn 9,09 (0,358) lớn 12,65 (0,498) lớn 8,33 (0,328) nhỏ 11,63 (0,458) nhỏ 15,19 (0,598) nhỏ 9,09 (0,358) lớn 12,65 (0,498) lớn 15,82 (0,623) lớn c 7,44 ± 1,00 (0,293 ± 0,039) 7,44 ± 0,50 (0,293 ± 0,020) 7,44 ± 1,00 (0,293 ± 0,039) d 6,93 (0,252) nhỏ 6,93 (0,252) nhỏ a b CHÚ THÍCH Tất rãnh có chiều rộng nhỏ 2,54 (0.100) Hình 12-Vị trí rãnh mã hóa khơng u cầu CHÚ THÍCH Tất rãnh có chiều rộng nhỏ 2,54 (0.100).CHÚ THÍCH Tất rãnh có chiều rộng nhỏ 2,54 (0.100).CHÚ THÍCH Tất rãnh có chiều rộng nhỏ 2,54 (0.100) PHỤ LỤC A (tham khảo) Khả tương tích đọc sọc từ (TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) tiêu chuẩn này) Mục đích phụ lục giải thích cho người sử dụng hạn chế thuật ngữ "khả tương tích đọc" đề cập phạm vi áp dụng tiêu chuẩn áp dụng cho cho TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) tiêu chuẩn Về lý thuyết, sọc từ kháng từ cao phải cải thiện đáng kể khả chống tẩy xóa phải tương đương đặc tính tín hiệu đọc ngược với sọc từ "kháng từ thấp" (ví dụ, Các sọc từ phù hợp với tiêu chuẩn TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2)) Tuy nhiên, thực tế, khác biệt đặc tính từ sọc từ kháng từ cao kháng từ thấp dẫn đến đặc tính tín hiệu đọc ngược khác biệt đáng kể để thực việc đánh giá biên độ tín hiệu đọc ngược phụ thuộc vào thiết bị đo Nói chung, mong muốn hệ thống phụ đọc ngược có độ nhạy lớn bước sóng ghi lại ngắn để làm tăng biên độ tín hiệu đọc ngược có kháng từ cao liên quan đến biên độ tín hiệu đọc ngược có kháng từ thấp Do đó, người sử dụng tiêu chuẩn cần lưu ý thực tế việc đạt biên độ tín hiệu đọc ngược so sánh từ sọc từ phù hợp với tiêu chuẩn phụ thuộc vào việc tái tạo điều kiện xác phép đo ISO/IEC 10373-2 PHỤ LỤC B (tham khảo) Mài mòn sọc từ Mục đích phụ lục để giải thích ngun nhân thuộc tính mài mịn sọc từ liên quan đến tuổi thọ đầu đọc khơng nằm số đặc tính vật lý qui định tiêu chuẩn Việc khơng có đặc tả thuộc tính mài mịn phản ánh khó khăn việc xác định thơng số mài mòn vật liệu việc đưa thử nghiệm lặp lại, xác để đo đặc tính mài mịn Mặc dù khơng có phương pháp thử nghiệm lặp lại, có cơng nghệ biết kéo dài tuổi thọ đầu đọc vật liệu đầu đọc tăng cường, chất bổ sung hình thành sọc từ, lớp phủ sọc từ Tính mài mịn sọc từ định lượng điều kiện tiên cho cố gắng để dự đoán tuổi thọ đầu từ Tuy nhiên, có biến đổi đáng kể chất mài mịn sọc từ tính khác nhau, có môi trường đọc/ghi sọc từ Sự đa dạng việc kết hợp ảnh hưởng tính phức tạp dạng thức ảnh hưởng đến tính mài mịn gây khó khăn việc dự đoán tuổi thọ đầu từ điều kiện mơi trường, máy móc sọc từ qui định Việc thử nghiệm tính mài mòn thiết bị cụ thể thời thực sở so sánh túy Đó thời gian tiêu thụ chi phí số lượng thẻ sử dụng Các kết thử nghiệm đơn giản xếp hạng phân cấp để sọc từ bị mài mòn mức độ nhiều hay sọc từ khác tùy theo điều kiện cụ thể thử nghiệm Không có giá trị tuyệt đối xác xếp hạng phân cấp thay đổi từ tập hợp điều kiện khác Thực thành công thao tác đọc ghi sọc từ đòi hỏi sọc từ đầu từ phải tiếp xúc với toàn thao tác Chuyển động tương đối đầu từ sọc từ tạo chịu mòn hai Tính mài mịn ban đầu sọc từ giảm nhanh với số đầu rãnh cán, vậy, tính mài mịn sọc từ chưa sử dụng lớn nhiều so với sọc từ ghi lần, trừ số đầu rãnh cán tăng tốc độ thay đổi việc giảm tính mài mịn Những ảnh hưởng tác động đến tính mài mịn sọc từ gồm nhiệt độ, độ ẩm, vật liệu đầu từ (và trạng thái chịu mòn kết thúc), áp lực đầu đọc, tốc độ thẻ, đặc tính vật lý cụ thể bề mặt sọc từ tiếp xúc với đầu đọc, tính thơ ráp nhiễm bẩn sọc từ Dưới điều kiện bụi bẩn dầu mỡ từ môi trường đọng lại giao diện đầu đọc/ sọc từ thường tạo khác biệt lớn khả chịu mòn đo điều kiện phịng thí nghiệm thực tế đạt Do đó, thấy rõ khơng có khó khăn I việc đạt mức khơng đảm bảo đo chấp nhận thử nghiệm tính mài mịn mà cịn có nghi ngờ đáng kể khả ứng dụng kết thử nghiệm tính mài mịn thẻ điều kiện phịng thí nghiệm để dự đốn hiệu thực tế Khơng thể có đặc tả kỹ thuật tiêu chuẩn thử nghiệm trừ vấn đề giải PHỤ LỤC C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu Phụ lục đưa định nghĩa giá trị đặc tính từ tĩnh sọc từ kháng từ cao Các thơng số hữu ích sản xuất vật liệu từ không trực tiếp liên quan đến đặc tính hiệu từ Bảng thẻ Khơng đảm bảo sọc từ có giá trị đưa Phụ lục phù hợp với yêu cầu bắt buộc đưa Bảng Tuy nhiên, sọc từ không tuân thủ giá trị từ tĩnh đề xuất có khả khơng phù hợp với đặc tính Bảng C.2 Thuật ngữ định nghĩa C.2.1 Trường lớn (maximum field) Hmax Cường độ từ trường tuyệt đối lớn áp dụng miêu tả phương pháp thử nghiệm C.2.2 Vòng lặp tĩnh M(H) (static M(H) loop) Vịng lặp trễ thơng thường mà cường độ từ trường có chu kỳ -Hmax đến +Hmax tốc độ thay đổi thấp để vịng lặp khơng bị ảnh hưởng tốc độ thay đổi C.2.3 Kháng từ (Coercivity) H'cM = H'cJ Từ tường áp dụng liên tục giảm từ tính xuống từ trạng thái từ tính lớn trước theo hướng ngược lại, đại lượng đo song song với trục dài sọc từ C.2.4 Cảm ứng từ dư (remanence) Mr Giá trị từ tính (M) theo hướng cho từ trường (H= 0) sau đặt gỡ bỏ trường lớn (Hmax) theo hướng tương tự C.2.5 Kháng từ cảm ứng từ dư (remanence coercivity) Hr Từ trường áp dụng mà gỡ bỏ quay vật liệu trở lại có trạng thái từ tính từ trạng thái từ tính lớn trước theo hướng ngược lại, đại lượng đo song song với trục dài sọc từ C.2.6 Oxtet (Oersted) Oe Đơn vị Gau-xơ cgs cường độ từ trường sử dụng phổ biến công nghiệp ghi từ xấp xỉ 79,578 A/m C.2.7 Khử từ tĩnh (static demagnetisation) S160 Giảm từ tính cảm ứng dư từ ảnh hưởng từ trường đối ngược; đặc trưng [Mr - M+(160)]/Mr C.2.8 Vng góc dọc (longitudinal squareness) SQ = Mr/M at (Hmax) Tỉ lệ giá trị cảm ứng dư từ (Mr) sau áp dụng từ bỏ trường mạnh (Hmax) từ tính (M) trường lớn áp dụng (Hmax) đo dọc theo trục dọc sọc từ C.2.9 Tỉ lệ cảm ứng dư từ (remanence ratio) RM = (MrP / MrL) Tỉ lệ cảm ứng dư từ vng góc đo vng góc với bề mặt sọc từ (MrP) cảm ứng dư từ đọc đo theo hướng dọc sọc từ (MrL) C.2.10 Trường chuyển đổi độ dốc (switching field by slope) SFS (/H2/-/H1/)/ H'cM M(-/H1/)=0,5Mr and M(-/H2/) = -0,5 Mr; khác giá trị trường phân đoạn vòng lặp từ tính tĩnh M(H) với M(H) = 0,5 Mr and M(H) = -0,5 Mr, chia kháng từ C.2.11 Trường chuyển đổi đạo hàm (switching field by derivative) SFD Chiều rộng nửa chiều cao đường cong từ tính tĩnh khác biệt M(H) chia giá trị kháng tử đường cong tương tự CHÚ THÍCH Các định nghĩa đặc tính từ tính tĩnh định có nguồn gốc từ IEC 50-221 (được thay IEC 600050-221) ISO 31-5:1992 (được thay TCVN 7870-6 (IEC 80000-6)) C.3 Đặc tính khuyến nghị Các đặc tính tĩnh khuyến nghị sọc từ kháng từ cao bảng C.1 Bảng C.1 - Đặc tính tĩnh vật liệu từ kháng từ cao TT Thông số Ký hiệu Kháng từ H'cM Giá trị 335 kA/m (420 Oe) lớn 200 kA/m (250 Oe) nhỏ Khử từ tĩnh S160 0,20 lớn Vng góc dọc SQ 0,80 nhỏ Tỉ lệ cảm ứng dư từ RM 0,35 lớn Chuyển đổi trường độ dốc SFS 0,30 lớn Chuyển đổi trường đạo hàm SFD 0,50 lớn MỤC LỤC Lời nói đầu Phạm vi áp dụng Sự phù hợp Tài liệu viện dẫn Thuật ngữ định nghĩa Đặc tính vật lý thẻ định danh 5.1 Độ vênh vùng sọc từ 5.2 Biến dạng bề mặt Đặc tính vật lý sọc từ 6.1 Chiều cao đường dốc bề mặt vùng sọc từ 6.2 Tính thơ ráp bề mặt 6.3 Tính bám dính sọc từ với thẻ 6.4 Tính mài mịn sọc từ cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi 6.5 Tính kháng hóa chất Đặc tính hiệu vật liệu từ 7.1 Yêu cầu chung 7.2 Môi trường thao tác thử nghiệm 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu phương tiện truyền thơng từ tính Kỹ thuật mã hóa Yêu cầu chung đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh nghĩa 9.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho rãnh 1, 9.4 Cấu hình bit 9.5 Hướng ghi 9.6 Các số đầu đuôi 10 Đặc tả mã hóa 10.1 Rãnh chữ số, rãnh 10.2 Rãnh số, rãnh 10.3 Rãnh số, rãnh 11 Phát lỗi 11.1 Cặp chẵn lẻ 11.2 Kiểm tra dư thừa theo chiều dọc (LRC) 12 Vị trí rãnh mã hóa Phụ lục A (tham khảo) Khả tương tích đọc sọc từ Phụ lục B (tham khảo) Mài mòn sọc từ Phụ lục c (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu C.2 Thuật ngữ định nghĩa C.3 Đặc tính khuyến nghị ... rõ RM7811-x26 4.2 Tiêu chuẩn phụ (secondary Standard) Thẻ tham chiếu rõ RM7811-6 liên quan đến tiêu chuẩn nêu giấy chứng nhận hiệu chuẩn cung cấp cho thẻ CHÚ THÍCH Các tiêu chuẩn phụ đặt hàng... pháp thử nghiệm - Phần 2: Thẻ có sọc từ) Thuật ngữ định nghĩa Tiêu chuẩn áp dụng thuật ngữ định nghĩa TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) 4.1 Tiêu chuẩn (primary Standard) Tập thẻ tham chiếu thiết lập Physikalisch-Technische... chiều dài vùng sọc từ 4.12 Biên độ tín hiệu chuẩn (reference signal amplitude) UR Giá trị biên độ tín hiệu trung bình lớn thẻ tham chiếu hiệu chỉnh tiêu chuẩn 4.13 Mật độ ghi vật lý (physical recording

Ngày đăng: 27/10/2020, 18:05

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

  • Đang cập nhật ...

TÀI LIỆU LIÊN QUAN