Nghiên cứu chế thử thiết bị chẩn đoán bệnh ghép nối máy tính : Đề tài NCKH. QT.00.05

Đ ẠI H Ọ C Q U Ố C GI A H À NỘI Ill: TRUÒNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊN TAI: NGHIÊN CỨU CHÊ' THỬ THIẾT Bị ■ CHẨN ĐỐN BỆNH GHÉP NỐI MÁY TÍNH M ã số: Q T - 0 - 05 CHU TRÌ ĐỂ TÀI : TS P h m Q u ố c Triệu ( ÁC CÁN B ộ THAM GIA : T S N g u y ễ n Đ ú c V in h T liS N g u y ễ n T h ố N g h ĩa T liS N g u y ễ n V in h Q u a i l ” ■* M fõiA MA NOI » THÚíin :;n r -iirv : k ữ ĩ /0 0 3 HÀ N Ộ I - 2001 ỳ BÁO CÁO TÓM TẮT Đ ề tà i: NGHIÊN CỨU CHẾ THỬ THIẾT BỊ CHẨN ĐỐN BỆNH GHÉP Nốl MÁY TÍNH Mã sị : Q T - 00 - 05 C hú trì (lé till : TS Phạm Quác Triệu M ục tiêu để tài Xuất phát từ thực tế c h ẩ n đ o n b ệ n h n h â n d ự a c c sô liệu đ o nhiệt đ ộ h u y ệ t tiên c h An tay xuất phát c sờ đ o n n h ậ n hoạt đ ộ n g c c c hức n n c c từ việc x lý tổ h ợ p s ố liệu đ o đượ c , thay th u ô c đ ô n g \ O ' ihc xác đ ịn h b ệ n h từ nội tạng T loán thực tê m ụ c tiêu để tài n g h i ê n cứu chê Ihư thiết bị xác đ ịn h nhiệt đ ộ h u y ệ t da tay, c hân với đ ộ c h ín h xác c h o p h é p bời tlinv thuốc Đ ề tài c ũ n g h n g tới việc tự đ ộ n g khủu c h ẩ n đ o n b ệ n h với SƯ trự g iú p cu a tháy thuốc Với hạn c h ẻ thời lượng, kinh phí, đ ề tài chi giới hạ n m ụ c tiêu c h ẽ llur thiết bị Đ ể tài c òn n h iều vấn đ ề phải giải q u y ế t đ ể c ó thè dưa thiết bị thành sàn p h ẩ m c h ắ n đ o n b ệ nh gia đình Nội (lung nghiên cứu Đ é thực m ục đích trên, đé tài phái tập tiling nghiên cứu sò van đề: + Lưa c h ọ n , k h ả o sát c a m biên nhiệt đ ộ nhiệt d u n s nhò: V iệc xác dịn h c h in h xác nhiệt đ ộ m ột đ i ể m da (huvệt) đòi hòi c a m biên du n h ậ y nhiệt d i m e n h ó đ ế k h ô n g làm n h iễu loạn giá trị + L.ìp ráp thiết bị đo hiệu chỉnh •f N u h i ê n cứu Ihuật toán c h u y ế n đổi việc xứ lv s ố liệu đ o tlược với c ;k [mil chãi b ệ n h liên qunn theo th uyết đ ô n g y + L.ip trình g ia o d iệ n m v tính n gư i sử du n g + T h e o dõi n g h i ệ m lai sô liệu m ộ t s ố b ệ n h n h ã n đư ợ c c h n đ o n phirơnt: p h p d o n s y táy Y C ác két quà (lạt dược + Đ ã n g h i ê n cứu, lựa c h ọ n c ả m b iế n p h ù hợp + Đ ã lap ráp, hiệu c h ỉn h đư ợ c thiết bị đ o nhiệt đ ộ n h iệ t d u n g nhỏ + Đ ã x â y d ự n g khối A D C g h é p nối tín hiệu a n a lo g với m y tính 4- Đ ã xâ v d ự n g m ộ t giao d iệ n người sử d ụ n g + Đ o tạo: H n g d ẫ n k h o luận sinh viên tốt nghiệp + N s h i ê n cứu: C ó bá o c o khoa h ọ c H ộ i n g h ị tồn q u c " Đ o lao n g h i ê n cứu ứ ng d ụ n g kliơa họ c vật liệu, H u ê / 0 " Hội nghị Vật l\ tồn q u o c 3/2001 Tình hình sử dụ ng kinh phí T o n e kinh phí dược cấp : 0 0 đ (Bav triệu d n g ) T h a n h toán h ợ p đ n g t h u ê c h u y ê n gia : 0 0 0 đ T r a il s thiết bị k h ô n g phải T S C Đ : I -OOO.OOOđ Đ ã thònsi q u a c h ứ n g tìr P hịnơ tài vụ \ \< NHẬN CỦA BCN KHOA IKy vò Xhi rõ họ ten) CHỈ) TRÌ ĐỂ TÀI (Ký vlìi l õ họ tên) U ' TS Phạm Quác Triệu X Á ^ N H Ậ N CÙA TR ƯỜN íỉ Study on producing micrnproccessing instrument f o r diagnosing deseas Code: Q T - 00 - 05 Pham Qnnc Trial M ĩiiII resp on sib le person Milin im plem entation m em b er : N guyen Due Vinli N guyen T h e Nghia N guyen Yinh Q u a n g I lie O b jects Study on p r o d u c i n s m i c r o p r o c c e s s i n g in str u m e n t foi' d i a s n o s i n a d e s e a s ba s ed on the m e t h o d o f m e a s u r in g the t e m p e t u re o f t e n d e r points ill the h r ã i 0 ■ j • J •/ Ị Ị QjO ỌỈK: ị 0 * V ” 00 00 -0 « J CO 00 ô0 ã HJC Bm i 00 ã ' •• ■ ■ v jjr I • V ••• : • : : ■ ỳ '' •: - •• V : : :ỉ4 ặ t m * V i m i W Ýị ; r - ss y • :: 0 00 00 0 0: Ỉ Ĩ t ^ :: V ' ••• V f " ■S f: I l l i c 0 : v " - '• i t : - - ; ' i : *4 | l:-i= ■ ix ' " i • ' •' » ^ '*•* 0 > W e l< t e * < « o t N f t e n m ■ 00 •0 B h j 0 * : D 00 •0 B-4 U 0 0 00 - 0 B H'J 0 0 - 0 Bm o 0 0 00 0 0 m I m % f m S i a HỈ Õ B m u '■ & »ip 0 ỉ*t« - IB-fl H* - l£ * c * ' u» - Ũ -« 482 - BE-06 ft Tuy nhiên, để khẳng định kết tìm hiểu thêm thòng sò khác đặc trưng I-V, profile tập, thay đổi điện dung tiếp xúc dã tiến hành thêm sô' phép đo Trên hình đường đặc trưng vơn - ampe (I-V) đo nhiệt độ 296.5 K Đổ thị cho thấy tiếp xúc có tính chình lưu tốt Tuy nhiên hộ số lý tườne thấp Điều có nghĩa tiếp xúc Schottky lý tưởng Profile tạp độ sâu lớp điên tích theo phân cực n g ợ c khảo sát Trên hình profile tạp hình dộ sâu vùng điên tích Um - ĩ*2ST2~V£ir IUU - 2B 12.2000 - »-C4Ie-» 16 - ID~fì Com - Si/ip ta □ ■ ftrM ■ 0HE-01 Cfi2 K, - 2.91I*U cn » Tanr - 236.6 K A ^ sa - e -e _ - - - -68 62 •epth Cun] —> Hình Profile tạp I 1ỀM CUJ —> Hình Đ ộ sâu vùng điện tích theo íhẻ phan cực riiỊưih ĐỔ thị hình cho thấy miền sát lớp chuyển tiếp có bất thường nồng độ độ rộng vùng điên tích khơng gian Ngun nhân đo n guyên từ Au khuếch tán vào miền bán dản Tuy nhién cho miền khôn g vào sâu bán dẫn tác dụng xung lèn lớp tiẽp xúc tâm n ằ m miền luôn nằm ừên mức Fermi khơng đóng góp vào thay đổi điên dung trình độ Vì ảnh hường nêu trên, đường cong C-V mău có dạng bất bình thường sát lớp tiếp xúc Trên hình đường cong C-V tối đo nhiột độ phịng (323 K) Vì CdTe nhạy quang nên đo đặc trưng C-V chiếu ánh sáng khoảng 500 lux vào mẫu Trên hình dặc tn m g C-V sáng Hình Đ ặc trưng C-V tơi 323K I i ũ cyi —> Hình Đ ặc trưng C-V s n g ỏ 3 K Tuy nhiên, để nghiên cưu tinh chất quang mẫu cần có phép đo bổ xung Ở tập trung thảo luân đãc trưng eV ùm thấy phép đo DLTS J Để lam sang to tâm sâu 0.4 eV, so sánh VỚI sỏ kết công bô trước gần cùa số tác giả Bằng phương pháp DLTS, Verity cộng [3] thu khổng tâm Ec - 0.4 eV (ký hiêu EG3) m cịn có thêm tâm EG2 (0.23 eV) EG4 (0.54 eV) với đãc trưng giỏng Các tác gia cho tâm tâm riêng biệt liên quan tới VỚI cung tốc độ phát xạ nhiêt tâm tác giả thấy có q trình bãt phát xạ nhiêt nhiêt độ 142K Khác VỚI tác giả cùa [3], thu đươc tâm ứng với EG3 trình bắt phát xạ nhiệt xảy nhiệt độ 173K Theo [4], sai hỏng vói mức lượng 0.4 eV gây nên nguyên tử Te nằm vị trí cùa Cđ (TeCd) donor có ion hố kép Nhưng theo Krsmanovic [5] báo gần nhát sai hịng Te nãm vị trí Cd có mức nãng lượng nằm mức Fermi bẫy lỗ trống khơng thể donor tác giả [4] để xuất Theo chúng tôi, tâm 0.4 eV mà thu với tâm 0.4 eV tác giả Legros cộng [6] Chúng có đặc trưng giống tâm bắt hạt tải nhiột độ thấp 175K Điều có nghĩa tổn q trình bắt kích thích nhiệt Kết hợp với kết nhóm tác giả đo phương pháp quang diện đung, chúng tơi cho tâm 0.4 eV tâm tái hợp gây nên sai hỏng tinh thể Tuy nhiên trình bắt hạt tải kích thích nhiêt vẩn cịn chưa rõ ràng Tâm 0.4 eV cần thảo luân tiếp III K Ế T L U Ậ N Đã phát tâm sâu với mức lượng Ec - 0.4 eV bán dẫn CđTe loại n T âm có q trình bắt hạt tải kích thích nhiệt nhiệt đố 173K Nguồn gốc tâm chưa làm sáng tỏ Đã khảo sát chuyển tiếp Au-CdTe phép đo I-V, C-V, profile tạp để khẳng định kết Các tác giả xin chân thành cảm ơn Trung tâm Khoa học Vật liệu (CMS) thuộc khoa Vật lý, trường ĐH KH TN , Đ H Q G H N tạo điều kiện để phá DLTS Các tác giả xin trân thành cảm cm TS Nguyễn Vãn Khải trao đổi thảo luận vấn dề có liên quan đến vật liêu CdTe IV TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] A Castaldini, A Cavallini and B Fraboni J A ppl.phys ,2 (1998) [2] D V Lang, J Appl phys 45, 3023 (1974) [3 D Verity et al J phys c Solid state phys., 15 L573 (1998) 41 M A Berding, phys Rev B 60, 8943 (1999) [5] N Krsmanovic et al., phys Rev B, 62, R 16279 (2000) [6]" R Legros, Y Marfaing and R Triboulet J phys chem Solids 39, 179 (1978) PHIẾU ĐẢNG KÝ KẾT QUẢ NGHIÊN cứu KH - CN T ê n đ ẽ tài: NGHIÊN CỨU CHẾ THỪ THIẾT Bị C H Ẩ N Đ O Á N BỆNH GHÉP NỐI MÁ Y TÍNH M ã số: Q T - 0 - 05 C q u a n trì đề tài: Đ học Q u ố c gia Hà Nội Đ ịa chi: 144 đ n g X u â n T huỷ, Cáu G iấy, Hà Nội Tel: Co q u a n q u n lý đẽ tài: T rư n g Đại học K hoa học Tư nhiên Địa chi: 33 đ n g N g u y ề n Trãi, Hà Nội Tel: T o n s kinh phí thực chi: T ro n g đó: - T n g n sách N h nước triệu - K in h phí nhà trường K ho nil - V a y tín d ụ n g K h ò n eú - V ố n tư có : KJlƠll£ cr Khoiìii - T h u hổi Thời Cgia n n gc h i ê n cứu : ỉ năm Thoi iỉian bá! đ u : /2 0 T hòi giiin kẽ ill lie I 4/2001 T ên cán phối hợp n g h iê n cứu: TS N g u y ề n Đ ức V inh ThS N g u y ê n Thè Níihìa ThS N g u y ê n Vinh Q u a n g T ó m tắt kết q u ả n g h i ê n cứu: - C h ọ n lựa c a m b iế n đ o nhiệt độ nhiệt d u n g nhỏ loại PN (S ) - L âp ráp hiệ u c h ỉn h thiết bị đo chi thị số Thiêt bị hoại d ộ n g ổn định - T h n g h i ệ m khối g h é p nối tín hiệu đo vào m y tính - X â y d ự n g phấn m ề m xử lý sô' liệu K iên nghị q u y m ó đối tượng áp d ụ n g nghiên cứu: Néu kêt q u n g h iê n cứu đáu tư đê hồn thiện, áp dim e cho n s n h y tê ( đ ỏ n g y) c ũ n g áp d ụ n g cho gia đình có PC\ m u ố n iư chán đoán bệnh h a y k iế m tra sức khoẻ nhà Thủ trương quan chủ trì đé tài Chủ nhiêm đề tài Thu trương co quail quàn 1) đẽ tài tịch Hỏi đồng đánh aiá thức Ơ ÌL1 H /ỊrtLoTý Họ â r titỊ f t ° c Học hàm P ỉ T í Học vị / ĩ r v : ' s' ° p tó 7T /0¥ \ \ { Ký tên ' Đóiiii»» dấu * \ ^ V ỊmV • /S '/J x" »