DẠY BÀI LIÊN KẾT CỘNG HÓA TRỊ

Ng­êi so¹n:Bïi ThÞ LuyÕn Ng­êi so¹n:Bïi ThÞ LuyÕn Líp K32A Hãa Líp K32A Hãa Ngµy so¹n:02/05/2009 Ngµy so¹n:02/05/2009 TR­êng §¹i häc s­ ph¹m hµ néi 2 liªn kÕt céng ho¸ trÞ liªn kÕt céng ho¸ trÞ • I. Sù h×nh thµnh liªn kÕt céng ho¸ trÞ b»ng cÆp electron chung. • II. Liªn kÕt céng ho¸ trÞ vµ sù xen phñ c¸c obitan nguyªn tö: Bµi 17: Bµi 17: 1. Sự xen phủ của các obitan nguyên tử khi hình 1. Sự xen phủ của các obitan nguyên tử khi hình thành các phân tử đơn chất: thành các phân tử đơn chất: a)Sự hình thành phân tử H 2 H: 1s 1 H: 1s 1 H 1s H 1s + H H H H Vùng xen phủ hình thành Liên kết. Thực nghiệm thấy rằng ở khoảng cách d=0,074nm,các lực hút và lực đẩy cân bằng nhau,phân tử H2 có năng lương thấp hơn tổng năng lư ợng 2 nguyên tử riêng rẽ. Kết luận:Phân tử H2 được hình thành nhờ sự xen phủ 2 AO 1s của 2 nguyên tử H. b) Sù h×nh thµnh ph©n tö b) Sù h×nh thµnh ph©n tö Cl 2 • Cl: [Ne]3s 2 3p 5 • Cl: [Ne]3s 2 3p 5 • Kết luận: phân tử Cl 2 được hình thành nhờ sự xen phủ của 2AO 3p có chứa electron độc thân của mçi nguyên tử Cl. Cl Cl + Vùng xen phủ tạo thành liên kết. Cl - Cl 2. Sù xen phñ cña c¸c obitan nguyªn tö khi h×nh 2. Sù xen phñ cña c¸c obitan nguyªn tö khi h×nh thµnh c¸c ph©n tö hîp chÊt. thµnh c¸c ph©n tö hîp chÊt. a) Sù h×nh thµnh ph©n tö HCl: • H: 1s 1 Cl: [Ne]3s 2 3p 5 Liªn kÕt trong ph©n tö HCl ®­îc h×nh thµnh nhê sù xen phñ cña obitan 1s cña nguyªn tö H víi obitan 2p cña nguyªn tö Cl cã chøa 1 electron ®éc th©n. H + Cl H -Cl Vïng xen phñ h×nh thµnh liªn kÕt. b) Sù h×nh thµnh ph©n tö b) Sù h×nh thµnh ph©n tö H H 2 2 S S • H: 1s 1 • S: [Ne] 2s 2 2p 4 • Ph©n tö H 2 S ®­îc h×nh thµnh nhê sù xen phñ gi÷a 2AO 1s cña 2 nguyªn tö H víi 2 AO 2p cña 1 nguyªn tö S,mçi AO cã chøa mét electron ®éc th©n. H H + + H H S H-S-H S . • Kết luận: phân tử Cl 2 được hình thành nhờ sự xen phủ của 2AO 3p có chứa electron độc thân của mçi nguyên tử Cl. Cl Cl + Vùng xen phủ tạo thành liên kết. . phân tử H 2 H: 1s 1 H: 1s 1 H 1s H 1s + H H H H Vùng xen phủ hình thành Liên kết. Thực nghiệm thấy rằng ở khoảng cách d=0,074nm,các lực hút và lực đẩy