1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Đề tài: Thiết kế mạch nghịch lưu

41 234 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 41
Dung lượng 1,25 MB

Nội dung

Đề tài trình bày về các nội dung: Cơ sở lý thuyết các linh kiện bán dẫn công suất, giới thiệu về Mosfet và cách thiết kế mạch nghịch lưu. Tài liệu tham khảo dành cho các bạn sinh viên ngành Điện - Điện tử. Mời các bạn cùng tham khảo.

PHỤ LỤC LỜI NĨI ĐẦU Trong thời đại ngày nay điện tử  cơng suất đóng một vai trò hết sức quan  trọng trong đời sống. Việc biến đổi năng lượng từ dạng này sang dạng khác nhờ  các mạch cơng suất được ứng dụng rộng rãi. Đặc biệt nhờ có sự phát triển của   van bán dẫn cơng suất mà lĩnh vực này ngày càng phát triển mạnh mẽ.Ta có thể  phân   loại   thành     số   dạng   biến   đổi   sau:   AC→DC   (Chỉnh   lưu)   ;   DC→AC  (Nghịch lưu)  AC→AC (Điều chỉnh điện áp xoay chiều); DC→DC (Điều chỉnh  điện áp một chiều). Mỗi nhóm trên đều có những  ứng dụng riêng của nó trong   từng lĩnh vực cụ thể Q trình thực hiện đồ  án này dưới sự  hướng dẫn của thầy Tạ  Hùng  Cường chúng em đi sâu tìm hiểu mảng biến đổi năng lượng một chiều ra năng   lượng xoay chiều mà cụ  thể  là mạch kích điện áp 12V một chiều lên điện áp  220V xoay chiều cơng suất 300W. Mạch này được  ứng dụng nhiều trong đời  sống sinh hoạt. Mạch có nhiêm vụ  cung cấp nguồn năng lượng cho tải khi xảy      cố     điện.Do   thời   gian   thực  hiện  khơng   nhiều   nên     nhiều   hạn  chế.Chúng em sẽ tiếp tục tìm hiểu và phát triển mở rộng hơn nữa các ứng dụng   của mạch sau này Trong thời gian thực hiện đồ  án  vừa qua em xin chân thành cảm  ơn sự  hướng dẫn và chỉ  bảo tận tình của thầy Tạ  Hùng Cường. Thầy đã giúp chúng  em có được thêm nhiều những kiến thức và kinh nghiệm q báu để  phục vụ  cho việc học tập cũng như cho cơng việc trong tương lai. Sau đây chúng em xin   trình bày về   những kiến thức chúng em đã tìm hiểu được trong thời gian vừa   qua. Vì kiến thức còn hạn chế  và thời gian tìm hiểu cũng chưa nhiều nên đồ  án  của em khơng thể tránh khỏi sai sót. Vậy em rất mong sự góp ý từ thầy để đồ án   được hồn thiện hơn Em xin chân thành cảm ơn! CHƯƠNG 1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1.1. Các linh kiện bán dẫn cơng suất 1.1.1. Mosfet ●  Giới thiệu về Mosfet Hình 1.1: Transistor hiệu ứng trừơng Mosfet Mosfet, viết tắt của "Metal­Oxide Semiconductor Field­Effect Transistor"  trong tiếng Anh, có nghĩa là "transistor hiệu  ứng trường Oxit Kim loại ­ Bán   dẫn", là một thuật ngữ chỉ các transistor hiệu ứng trường được sử dụng rất phổ  biến trong cácmạch số và các mạch tương tự Transistor MOSFET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim   loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic) [1] MOSFET có hai loại: +  N­MOSFET: chỉ  hoạt động khi nguồn điện Gate là zero, các electron bên  trong vẫn tiến hành hoạt động cho đến khi bị ảnh hưởng bởi nguồn điện Input + P­MOSFET: các electron sẽ  bị cut­off cho đến khi gia tăng nguồn điện thế  vào ngỏ Gate ● Cấu tạo và kí hiệu Hình 1.2: Cấu tạo và kí hiệu G: Gate gọi là cực cổng  S: Source gọi là cực nguồn  D: Drain gọi là cực máng Trong đó : G là cực điều khiển được cách lý hồn tồn với cấu trúc bán  dẫn còn lại bởi lớp điện mơi cực mỏng nhưng có độ  cách điện cực lớn dioxit­ silic (Sio2). Hai cực còn lại là cực gốc  (S) và cực máng (D). Cực máng là cực  đón các hạt mang điện Mosfet có điện trở  giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vơ   cùng lớn, còn điện trở  giữa cực D và cực S phụ  thuộc vào điện áp chênh lệch  giữa cực G và cực S ( UGS ) Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi   điện áp UGS > 0 => do hiệu  ứng từ trường làm cho điện trở RDS giảm, điện áp   UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ ● Ngun lý hoạt động Xét loại kênh dẫn n ­ Để JFET làm việc ta phân cực cho nó bởi  2 nguồn điện áp: UDS > 0 và UGS    đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng.  Khi cơng tắc K ngắt, Nguồn cấp vào hai cực GS = 0V nên. Q1 khóa ==>Bóng  đèn tắt Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G khơng tạo ra  dòng GS như trong Transistor thơng thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường  => làm cho điện trở RDS giảm xuống * Các thơng số thể hiện khả năng đóng cắt của Mosfet Thời   gian   trễ     đóng/mở   khóa   phụ   thuộc   giá   trị     tụ   kí   sinh  Cgs.Cgd,Cds. Tuy nhiên các thơng số  này thường được cho dưới dạng trị  số  tụ  Ciss, Crss,Coss. Nhưng dưới điều kiện nhất đinh như là điện áp Ugs và Uds. Ta  có thể tính được giá trị các tụ đó ● Xác định chân, kiểm tra­Mosfet Thơng thường thì chân của Mosfet có quy định chung khơng như Transitor.  Chân của Mosfet được quy định:  chân G  ở bên trái, chân S  ở bên phải còn chân  D ở giữa * Kiểm tra Mosfet Mosfet có thể được kiểm tra bằng đồng hồ vạn năng . Do có cấu tạo hơi   khác so với Transitor nên cách kiểm tra Mosfet cũng khơng giống với Transitor ­ Mosfet còn tốt Là khi đo trở  kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở  bằng vơ  cùng ( kim khơng lên cả hai chiều đo) và khi G đã được thốt điện thì trở kháng   giữa D và S phải là vơ cùng Bước 1 : Chuẩn bị để thang x1KW  Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc  D )  Bước 3 : Sau khi nạp cho G một điện tích ta đo giữa D và S ( que đen vào  D que đỏ vào S ) => kim sẽ lên.  Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để thốt điện chân G Bước 5 : Sau khi đã thốt điện chân G đo lại DS như bước 3 kim khơng  lên.  => Kết quả như vậy là Mosfet tốt ­ Mosfet chết hay chập Bước 1 : Để đồng hồ thang x 1KW Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W là chập Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W là chập D S ­  Đo kiểm tra Mosfet trong mạch Khi kiểm tra Mosfet trong mạch , ta chỉ cần để thang x1W và đo giữa D và  S. Nếu 1 chiều kim lên đảo chiều đo kim khơng lên => là Mosfet bình thường,   Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W là Mosfet bị chập DS ● Ứng dung của Mosfet trong thực tế Mosfet trong nguồn xung của Monitor Hình 1.3: Mosfet trong nguồn xung Trong bộ nguồn xung của Monitor hoặc máy vi tính, người ta thường dùng  cặp linh kiện là IC tạo dao động và đèn Mosfet, dao động tạo ra từ  IC có dạng   xung vng được đưa đến chân G của Mosfet, tại thời điểm xung có điện áp >   0V => đèn Mosfet dẫn, khi xung dao động = 0V Mosfet ngắt => như  vậy dao   động tạo ra sẽ  điều khiển cho Mosfet liên tục đóng ngắt tạo thành dòng điện  biến thiên liên tục chạy qua cuộn sơ  cấp => sinh ra từ  trường biến thiên cảm  ứng lên các cuộn thứ cấp => cho ta điện áp ra 1.1.2. Triac TRIAC (viết   tắt   của TRIode   for   Alternating   Current)     phần   tử bán  dẫn gồm năm lớp bán dẫn, tạo nên cấu trúc p­n­p­n như   ởthyristor theo cả  hai  chiều giữa các cực T1 và T2, do đó có thể dẫn dòng theo cả hai chiều giữa T1 và   T2   TRIAC   có   thể   coi   tương   đương   với   hai   thyristor   đấu   song   song   song  ngược.để điều khiển Triac ta chỉ cần cấp xung cho chân G của Triac ● Cấu tạo Triac là một linh kiện bán dẫn có ba cực năm lớp, làm việc như 2 Thyristor  mắc song song ngược chiều, có thể dẫn điện theo hai chiều Hình 1.4: Cấu tạo Triac Triac có bốn tổ hợp điện thế có thể mở cho dòng chảy qua: ● Đặc tuyến Đặc tuyến Volt – Ampe gồm hai phần  đối xứng nhau qua gốc O, mỗi   phần tương tự đặc tuyến thuận của Thyristor Đặc tính Volt­Ampere của TRIAC bao gồm hai đoạn đặc tính ở góc phần  tư  thứ  nhất và thứ  ba (hệ  trục Descartes), mỗi đoạn đều giống như  đặc tính   thuận của một thyristor TRIAC có thể điều khiển cho mở dẫn dòng bằng cả xung dương (dòng đi  vào cực điều khiển) lẫn xung âm (dòng đi ra khỏi cực điều khiển).Tuy nhiên   xung dòng điều khiển âm có độ nhạy kém hơn, nghĩa là để mở được TRIAC sẽ  cần một dòng điều khiển âm lớn hơn so với dòng điều khiển dương.Vì vậy   trong thực tế để  đảm bảo tính đối xứng của dòng điện qua TRIAC thì sử  dụng   dòng điện dương là tốt hơn cả Hình 1.5: Đặc tuyến của TRIAC ● Ứng dụng Hình 1.6: Mạch điều khiển dòng điện qua tải dùng triac Triac kết hợp với quang trở Cds để tác động theo ánh sáng. Khi Cds được  chiếu sáng sẽ  có trị  số  điện trở  nhỏ  làm điện thế  nạp được trên tụ  C thấp và   diac khơng dẫn điện, triac khơng được kích nên khơng có dòng qua tải. Khi Cds   bị  che tối sẽ  có trị  số  điện trở  lớn làm điện thế  trên tụ  C tăng đến mức đủ  để  triac dẫn điện và triac được kích dẫn điện cho dòng điện qua tải. Tải   đây có  thể là các loại đèn chiếu sáng lối đi hay chiếu sáng bảo vệ, khi trời tối thì đèn tự  động sáng Chú ý khi sử dụng: Những dụng cụ điện tải thuần trở làm việc tốt với các  giá trị  trung bình nhờ  tác dụng san làm đồng đều. Nhưng các dụng cụ  điện tải   điện kháng sẽ  bị   ảnh hưởng đáng kể, ví dụ  động cơ  sẽ  bị  phát nóng hơn mức   bình thường, tiêu tốn năng lượng cao hơn Kết luận: Triac có  ưu điểm trong mọi vấn đề  như  gọn nhẹ, rẻ  tiền …   Dùng Triac làm biến dạng sin là nhược điểm chính trong sử dụng 1.1.3. Thyristor  ● Cấu tạo Thyristor gồm bốn lớp bán dẫn P­N ghép xen kẽ và được nối ra ba chân: A : Anode : cực dương K : Cathode : cực âm G : Gate : cực khiển (cực cổng) Thyristor có thể xem như  tương đương hai BJT gồm một BJT loại NPN  và một BJT loại PNP ghép lại như hình vẽ sau: Hình 1.7: Cấu tạo Thyristor ● Ngun lý hoạt động * Mở thyristor Khi được phân cực thuận, Uak>0, thyristor có thể  mở  bằng hai cách. Thứ  nhất, có thể  tăng điện áp anode­cathode cho đến khi đạt đến giá trị  điện áp thuận  lớn nhất,Uth,max.Điện trở  tương đương trong mạch anode­cathode sẽ  giảm đột  ngột và dòng qua thyristor sẽ hồn tồn do mạch ngồi xác định. Phương pháp này  trong thực tế khơng được áp dụng do ngun nhân mở khơng mong muốn và khơng  phải lúc nào cũng tăng được điện áp đến giá trị Uth,max. Hơn nữa như vậy xảy ra   trường hợp thyristor tự  mở  ra dưới tác dụng của các xung điện áp tại một thời   điểm ngẫu nhiên, khơng định trước Phương pháp thứ  hai, được áp dụng trong thực tế, là đưa một xung dòng  điện có giá trị nhất định vào các cực điều khiển và cathode. Xung dòng điện điều  khiển sẽ  chuyển trạng thái của thyristor từ  trở  kháng cao sang trở  kháng thấp  ở  mức điện áp anode­cathode nhỏ. Khi đó nếu dòng qua anode­cathode lớn hơn một  giá trị nhất định gọi là dòng duy trì (Idt) thyristor sẽ tiếp tục  ở trong trạng thái mở  dẫn dòng mà khơng cần đến sự  tồn tại của xung dòng điều khiển, nghĩa là có thể  điều khiển mở các thyristor bằng các xung dòng có độ rộng xung nhất định, do đó   cơng suất của mạch điều khiển có thể  là rất nhỏ, so với cơng suất của mạch lực   mà thyristor là một phần tử đóng cắt, khống chế dòng điện * Trường hợp cực G để hở hay VG = OV Khi cực G và VG  = OV có nghĩa là transistor T1 khơng có phân cực ở cực B  nên T1ngưng dẫn. Khi T1 ngưng dẫn IB1 = 0, IC1 = 0 và T2 cũng ngưng dẫn. Như  vậy trường hợp này Thyristor khơng dẫn điện được, dòng điện qua Thyristor là  IA = 0 và VAK ≈ VCC Tuy nhiên, khi tăng điện áp nguồn VCC lên mức đủ lớn là điện áp VAK tăng  theo đến điện thế  ngập VBO (Beak over) thì điện áp VAK giảm xuống như  diode  và dòng điện IAtăng nhanh. Lúc này Thyristor chuyển sang trạng thái dẫn điện,  dòng   điện   ứng   với   lúc   điện   áp   VAK giảm   nhanh   gọi     dòng   điện     trì  IH (Holding). Sau đó đặc tính của Thyristor giống như một diode nắn điện Trường hợp đóng khóa K: VG = VDC – IGRG, lúc này Thyristor dễ  chuyển  sang trạng thai dẫn điện. Lúc này transistor T1 được phân cực ở cực B1 nên dòng  điện IG chính là IB1  làm T1 dẫn điện, cho ra IC1 chính là dòng điện IB2 nên lúc đó  I2 dẫn điện, cho ra dòng điện IC2 lại cung cấp ngược lại cho T1 và IC2 = IB1. Nhờ  đó mà Thyristor sẽ tự duy trì trạng thái dẫn  mà khơng cần có dòng IG liên tục IC1 = IB2    ; IC2 = IB1 Theo ngun lý này dòng điện qua hai transistor sẽ  được khuếch đại lớn  dần và hai transistor chạy ở trạng thái bão hòa. Khi đó điện áp VAK giảm rất nhỏ  (≈ 0,7V) và dòng điện qua Thyristor là: Thực nghiệm cho thấy khi dòng điện cung cấp cho cực G càng lớn thì áp  ngập càng nhỏ tức Thyristor càng dễ dẫn điện * Trường hợp phân cực ngược Thyristor Phân cực ngược Thyristor là nối A vào cực âm, K vào cực dương của  nguồn VCC. Trường hợp này giống như  diode bị  phân cự  ngược.Thyristor sẽ  khơng dẫn điện mà chỉ có dòng rỉ rất nhỏ đi qua. Khi tăng điện áp ngược lên đủ  10 * Sơ đồ chân và ngun lý hoạt động của IC SG 3525 Hình 2.5: Sơ đồ chân SG3525  •8.0 V to 35 V Operation  •5.1 V ±1.0% Trimmed Reference  •100 Hz to 400 kHz Oscillator Range  •Separate Oscillator Sync Pin  •Adjustable Deadtime Control  •Input Undervoltage Lockout  •Latching PWM to Prevent Multiple Pulses  •Pulse–by–Pulse Shutdown  •Dual Source/Sink Outputs: ±400 mA Peak  27 Hình 2.6: Sơ đồ khối và chức năng  Chức năng các chân : + Pin 1­Inv.input : Đầu vào đảo  + Pin 2­Noninv.Input : Đầu vào khơng đảo + Pin 3­Sync : Chân đồng bộ  hóa,cho phép đồng bộ  xung với các đơn vị  khác hoặc với bộ dao động gắn ngồi + Pin 4­OSC Output : Đầu ra xung của bộ tạo dao động gắn trong + Pin 5­CT :Chân này gắn với một tụ điện quyết định tần số dao động của  bộ dao động dẫn đến quyết định xung ra,CT =0.001uF­0.2uF + Pin 6­RT : Gắn với một điện trở  để  quyết định tần số  của bộ  tạo dao   động quết định xung ra,RT=2.0 kΩ ­ 150 kΩ + Pin 7­ Discharge : Chân xả  tụ  ,chân này được nối với tụ  và 1 điện trở  gắn với CT sẽ quyết định thời gian cách giữa các xung  + Pin 8­Soft­Start : Chân này nối với 1 tụ  giúp khởi động êm hơn và chế  độ soft­start được kích hoạt khi so sánh với điện áp tham chiếu Vref + Pin 9­Compensation : Chân bù này được hồi tiếp về  chân đầu đảo góp   phần điều chỉnh xung ra sẽ bù nếu có sai lệch về xung  + Pin 10­ Output A : Đầu ra A, xung vng đương + Pin 12­ Grond : Nối đất 28 +  Pin   13­Vc   :Điện   áp   collector     trasistor   mắc   Dralington     SG   3525.Điện áp cấp vào Pin này từ 4.5 đến 35v + Pin 14­ Output B : Đầu ra B,xung vuông dương nhưng lệch so với xung  ra ở chân A + Pin 15­Vcc: Điện áp vào.Dải điện áp hoạt động từ 8V ­ 35V + Pin 16­Vref : Điện áp tham chiếu có giá trị thấp nhất là 5.0v cao nhất là  5.2v   thơng   thường     5.1   V   dòng   lớn     vào   pin       50mA   tối   ưu     20mA.Điện áp này sẽ  dùng để  so sánh với điện áp vào chân Soft­Start để  tham  chiếu chế độ Sorft­Start và Sutdown  *  MOSFET IRF3205 là MOSFET loại N(MOSFET ngược) khi điện áp được  đưa vào cực G đủ để mở MOSFET thì dòng từ D về S.IRF3205 được chế tạo  có diode từ S  về D để trả cơng suất phản kháng về nguồn * Các thơng số cơ bản quan trọng của MOSFET V : Điện áp đánh thủng tiếp giáp giữa cực máng D(Drain) và cực  DSS nguồn S(Source) I : Dòng liên tục tối đa qua cực máng 110A ( ở điện áp 10V ) D I : Dòng xung tối đa qua cực máng 390A DM 29 * Hình vẽ minh hoạ: Hình 2.7 : Sơ đồ thay thế Hình 2.8: Bố trí chân Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source Pin 4 : Drain 2.3.3. Ngun lý hoạt động tồn hệ thống:  ­ Tồn bộ  hệ  thống mạch sử  dụng nguồn 12v từ   ắc quy.Ắc quy trong   mạch sử dụng với thơng số là điện áp đầu ra 12v   ­ Khi được cấp nguồn SG3525 sẽ  hoat động tạo xung 50Hz và lệch pha  nhau 180 độ, xung của SG3525 phụ thuộc vào điện trở và 1 tụ Trang: 30  ­ Để có thể điều chỉnh được tần số  phát ra ta mắc 1 biến trở 50k chân 6   để có thể dễ dàng giải tần số của nó   ­ Điều chỉnh điện áp đầu ra bằng biến trở từ chân 1 điều chỉnh độ  rộng  của xung cấp vào cực G của IRF góc điều khiển từ 0 ÷ π2  ­ Tín hiệu xung ra  ở 2 chân 11 và 14 ln lệch pha nhau 180 độ. Qua trở  100Ω   tín   hiệu   xung   lúc     khoảng   5v     cấp   trực   tiếp   vào   cực   G     IRF3205 khi IRF dẫn sẽ cấp điện áp 12v cho cuộn sơ cấp của biến áp. Do xung   ở chân 11 và 14 lệch nhau 1800 nên biến áp điểm giữa tạo ra 2 điện áp ngược pha  nhau trong 1chu kì. Từ thơng móc vòng và cho điện áp ra thứ cấp của biến áp 2.3.4. Mạch điều khiển và mạch lực  ● Nhiệm vụ và chức năng của mạch điều khiển  Nhiệm vụ  ­ Điều chỉnh được độ rộng xung trong nửa chu kì dương của điện áp đặt  lên colector và emitor của van    ­ Khố van trong nữa chu kì còn lại   ­ Xung điều khiển phải có đủ  biên độ  và năng lượng để mở và khố van  chắc chắn   ­ Tạo ra được tần số và điều chỉnh độ rộng xung  ­ Dễ dàng lắp ráp, thay thế khi cần thiết, vận hành tin cậy, ổn định . Yêu  cầu chung về mạch điều khiển là :   ­ Mạch điều khiển là khâu quan trọng trong hệ  thống, nó là bộ  phận   quyết định chủ  yếu đến chất lượng và độ  tin cậy của bộ  biến đổi nên cần có  những u cầu sau :  + Về  độ  lớn của dòng điện và điện áp điều khiển: Các giá trị  lớn   nhất khơng vượt q giá trị cho phép. Giá trị nhỏ nhất cũng phải đảm bảo  được rằng đủ  cung cấp cho các van mở  và khố an tồn. Tổn thất cơng  suất trung bình ở cực điều khiển nhỏ hơn giá trị cho phép  + u cầu về  tính chất của xung điều khiển : Giữa các xung mở  của các cặp van phải có thời gian chết, thời gian chết này phải lớn hơn   hoặc bằng thời gian khơi phục tính chất điều khiển của van . + u cầu   về độ tin cậy của mạch điều khiển : Phải làm việc tin cậy trong mọi mơi  trường như trường hợp nhiệt độ thay đổi , có từ truờng + Yêu cầu về lắp ráp và vận hành: Sử dụng dễ dàng , dễ thay thế ,  lắp ráp . .  ● Nhiệm vụ và chức năng của mạch lực Nhiệm vụ  ­ Cấp mass cho 2 đầu cuộn dây sơ cấp của máy biến áp điểm giữa ­ Đóng cắt theo xung điều khiển vào cực G.  Yêu cầu Trang: 31 ­ Mạch lực chịu tần số đóng cắt lớn ­ Mosfet xả hết điện khi ngưng dẫn ● Sơ đồ mạch lực Hình 2.9a. Sơ đồ mạch lực * Thuật tốn PWM,dựa trên sơ đồ m(t): Là sóng sin chuẩn Hình 2.9b. Sơ đồ theo van Trang: 32 VGE: Xung đóng mở theo van 2.3.5.  Phương pháp điều chế  PWM1 Phương pháp điều chế PWM1 cho phép tạo ra dạng dòng điện trên tải tùy  ý, kể cả dạng hình sin. Ngun lý điều chế của sơ đồ (hình 2.10.a) để đơn giản  hóa sẽ được thay bằng sơ đồ thay thế (hình 2.10.b) Hình 2.10. Nghịch lưu áp một pha (a) và sơ đồ thay thế (b) Khóa S giữ chức năng như hai tranzito T1 và T2. Khi S ở vị trí 1 tương ứng  với T1 dẫn và T2 khóa Ngược lại khi S   vị  trí 2 tương  ứng với T2   dẫn và T1 khóa. Khóa S sẽ  được chuyển từ vị trí 1 sang 2 và ngược lại với tần số cao và được gọi là tần số  chuyển mạch fs (hoặc tần số mang) như trên hình 6.6 Nếu coi Δt1 là thời gian khóa S ở vị trí 1 và Δt1 là thời gian khóa S ở vị trí 2  thì giá trị trung bình của điện áp trên tải (Z) là:   (5.9) Nếu tần số chuyển mạch khơng đổi (fs = const) và thay đổi tỷ lệ giữa Δt1  và Δt1 theo quy luật hình sin:   (5.10) Thì giá trị  trung bình  UTB  trong một chu kỳ  tần số  chuyển mạch (TS) sẽ  thay đổi theo quy luật hình sin là (hình 6.7.)   Ω ­ tần số góc của PWM (tần số ra của nghịch lưu)  ­ hệ số điều chế; = 1 thì Δt1 và Δt2 sẽ thay đổi giá trị từ 0 đến TS . Tuy nhiên do các khóa điện tử có  qn tính nên  P= S2/1,44  Vậy để cơng suất tầm 352W trở lên thì lõi sẽ là  S=1,2x352=22,5 (cm2);  Chiều dài , chiều rộng của lõi sẽ là 4.5 cm và 5 cm.  Dòng cuộn sơ cấp  I=P/US( U sơ cấp ).  Dòng chạy qua cuộn sơ cấp là =29.3 (A).  Thiết diện dây sơ cấp Asc( 2.5 là mật độ dòng điện )  Đường kính dây sơ cấp Asc=π. dsc . =>dsc =4. Asc. π Với cơng suất 352W   Asc== 0.085;  dsc= 0.27 cm ( ta chọn dây 2.5 mm, hay 2.5 li) Từ mối quan hệ đại lượng I,U và N ta có:  Itc = =1.59 (A) Thiết diện dây thứ cấp  Atc =  Đường kính dây thức cấp :  Atc = π.dtc  => dtc =4 Atc.π  =>dtc = 0.7 (mm)  Số vòng cần quấn cho cuộn sơ cấp   NSC=  Số vòng bên thứ cấp  NTC= =  Với K ( lấy từ 38 đến 45 ở đây chọn 45) Số vòng ở cuộn sơ cấp là 22 vòng Số vòng ở cuộn thứ cấp là 440 vòng Để quấn máy biến áp cơng suất 352W ta chọn Chiều dài lõi 4,5cm rộng 5cm Sơ cấp quấn 2 cuộn mỗi cuộn 22 vòng dây đường kính 2.5cm Trang: 36 Thứ cấp quấn 440 vòng đường kính 0.7cm 2.4.2. Mạch lực  ● Chọn van Với dòng làm việc của máy biến áp I=15A, P = 352W, ta chọn mosfet cơng   suất IRF3205, Id=110A. Dòng làm việc của IRF cao vì đó là dòng làm việc của  IRF trong điều kiện cực G được kích mở  liên tục. Còn với dòng gián đoạn IRF  chịu được lại rất thấp thấp (IAS = 62A) so với dòng liên tục. Trong IRF cũng có   tụ  ký sinh để  xả  điện nhưng trên thực tế  khi làm việc với tần số  đóng cắt cao   phải mắc thêm mạch hỗ trợ van.Nên khi chọn IRF phải chú ý đặc điểm này.  ● Hình dạng và kí hiệu  ● Thơng số  Trang: 37 ● Tính tốn mạch điều khiển Ta tính tốn để có được xung ra là 50Hz như sau:  Rt và Rd tính bằng Ω ,CT tính bằng F,f tính bằng Hz với f = 50hz ta chọn:  Ct = 0.1 uF Rd= 100Ω  Rt = 284 ,428 kΩ Để điều chỉnh điện áp dung 1 biến trỏ 100kΩ măc vào chân 1.  2.5. Kết quả mơ phỏng ● Mơ phỏng mạch lực bằng phần mềm Matlab                                  Hình 2.14. Sơ đồ mơ phỏng mạch lực Trang: 38 Hì nh 2.15: Sơ đồ khối PWM          Hình 2.16. Kết quả mơ phỏng mạch lực bằng phần mềm matlab Trang: 39 Hình 2.18. Phổ sóng hài  KẾT LUẬN Sau một khoảng thời gian thực hiện đồ  án mơn học Điện Tử  Cơng Suất   với đề  tài“ Nghiên cứu và mơ phỏng bộ  nghịch lưu điện áp 1 pha 12V DC­ 220V AC” em đã đạt được một số kết quả sau Hiểu được ngun lý hoạt động của mạch  nghịch lưu điện áp và hiểu  được tầm quan trọng của nó trong thực tế sản xuất cơng nghiệp.  Biết cánh thiết kế và tính tốn mạch lực.  Biết cách thiết kế và tính tốn mạch điều khiển.  Biết cách mơ phỏng và kiểm tra hoạt động của mạch bằng phần mềm   matlab Trang: 40 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1]  Võ Minh Chính, Trần Trọng Minh , Phạm Quốc Hải ,  Giáo trình điện tử   cơng suất, Nhà xuất bản khoa học kỹ thuật Hà Nội, 2004 .                      [2]. Trần Trọng Minh , Giáo trình điện tử cơng suất, Nhà xuất bản giáo dục Việt  Nam                     [3]  Phạm Quốc Hải, Dương Văn Nghi, Phân tích và giải mạch điện tử  công   suất,  NXB khoa học kỹ thuật, 1997 [4]. Phạm Quốc Hải, Hướng dẫn thiết kế mạch điện tử công suất, Nhà xuất bản  khoa học kỹ thuật Hà Nội, 2009 Trang: 41 ... của các thiết bị điện khi xảy ra sự cố, đảm bảo an tồn dữ liệu và an tồn hệ  thống 19 CHƯƠNG 2 THIẾT KẾ MẠCH NGHỊCH LƯU 2.1. Phân tích u cầu thiết kế mạch nghịch lưu Ta đưa ra thơng số và u cầu bộ nghịch lưu cần thiết kế như sau Nguồn cấp là  Acquy 12VDC... Cơng suất tối đa của mạch sẽ là:P=12.40=480 w chạy được một ti vi,2 quạt và 3  bóng típ 40w * Phân loại: Nghịch lưu chia làm 2 loại chính: Nghịch lưu phụ  thuộc và  nghịch lưu độc lập   Trong đó nghịch lưu phụ  thuộc là nghịch lưu có điện áp, tần số, góc pha  và thứ tự pha phụ thuộc vào lưới điện mà đầu ra của nó mắc song song vào. ... Với nguồn cấp là Acquy nên ta sử  dụng mạch nghịch lưu độc lập.Như  vậy ta có ba sự chọn lựa : Nghịch lưu độc lập nguồn áp, nguồn dòng và cộng   hưởng Mạch nghịch lưu độc lập dòng điện được cấp từ nguồn dòng, ở đây ta sử 

Ngày đăng: 13/01/2020, 15:53

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w