báo cáo multisim cấu kiện điện tử bách khoa hà nội

Họ và tên: Phùng Gia Hiến Lớp: Điện tử truyền thông 02.k61 MSSV: 20161496 Họ và tên: Nguyễn Tuấn Anh Lớp : Điện tử truyền thông 02.k61 MSSV: 20160193 Trong bài gồm có: Chỉnh lưu nửa chu kỳ Chỉnh lưu cầu Ổn áp dùng Zener Hạn chế Tranzito Mạch phân cực Bazo Mạch phân cực Emito Mạch phân cực phân áp Mạch phân cực hồi tiếp Colectơ Quy ước: Các đồ thị đường màu đo là điện áp vào và đường màu xanh là điện áp I Mạnh chỉnh lưu nửa chu ki XSC1 Ext Trig + _ B A + _ + _ D1 V1 120Vrms 50Hz 0° T1 10:1 1BH62 R1 1kΩ C1 mF [T491E108M004AT] * Đặc điểm: -Nửa chu ki đầu, diode phân cực thuận nên cho dòng điện qua, nửa chu ki sau, diode phân cực ngược nên không cho dòng điện chạy qua -Sự chênh lệch biên độ điện áp ở đồ thị chưa có tụ là sụt áp qua diode -Khi lắp thêm tụ, tụ điện C1 có tác dụng nạp và phóng để dòng Ur ổn định *Không có tụ C1: *Có tụ C1: II Mạch chỉnh lưu cầu XSC1 Ext Trig + _ B A + D1 1BH62 V1 12Vrms 50Hz 0° + _ D3 1BH62 R1 1kΩ D2 1BH62 _ C1 220 uF [T495D227M004ATE050] D4 1BH62 *Đặc điểm: -Tại nửa chi ki đầu tiên, D3 và D2 sẽ phân cực thuận, cho dòng qua Tiếp theo nửa chu ki tiếp theo, D1 và D4 sẽ phân cực thuận cho dòng qua -Có sụt áp (1,6V ) qua diode -Tụ C để ổn định Ur *Khi chưa lắp tụ C1: *Khi lắp tụ C1: III Mạch ổn áp bằng diode zener XSC1 Ext Trig + _ B A + V1 12Vrms 50Hz 0° R1 R2 1kΩ 1kΩ D1 1N5337BRLG _ + _ *Đặc điểm -Khi E Uz thi Ur=Uz *Đồ thị: IV Mạch hạn chế Mạch hạn chế – dưới bằng diot zener XSC1 Ext Trig + _ B A + _ + _ R1 1kΩ V1 15Vrms 10Hz 0° D1 1N5337BRLG D2 1N5337BRLG *Đặc điểm: - Nửa chu ki đầu, D1 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D2 phân cực thuận cho dòng điện qua -Nửa chu ki sau, D2 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D1 phân cực thuận cho dòng điện qua *Đồ thị V Mạch phân cực Bazơ 20V + - + - 0.043m A 6.494m A V1 Ic DC 1e-009Ohm Rc 2.2kΩ IB DC 1e-009Ohm + Q1 2N3904 Rb 500kΩ + - 6.533m A - 5.712 IE DC 1e-009Ohm *Đặc điểm: - Mạch đơn giản - Điểm làm việc tĩnh chịu nhiều ảnh hưởng nhiệt độ - Ứng dụng chủ yếu chế độ chuyển mạch *Tính tốn : Ở chế đợ mợt chiều EC - IBRB - UBE = V UCE DC 10MOhm -> EC = IBRB + UBE ->IB = (EC - UBE)/RB IC = βIB -> UCE = EC - ICRC Với giá trị R và EC cho hinh vẽ, β = 150 ta có : IB = 0.0386mA, IC = 5.79mA, IE = 5.8286mA, UCE = 7.262 V Các giá trị tính tốn lý thút sai lệch với thực nghiệm là vi q trinh tính tốn ta bo qua điện trở Transistor và một số thông số khác VI.Mạch phân cực Emiter V1 20V R1 2.2kΩ + + - 0.032m A IB DC 1e-009Ohm - 4.748m A U1 DC 1e-009Ohm + Q1 2N3904 R2 500kΩ + - 4.777m A - 4.777 V UCE DC 10MOhm IE DC 1e-009Ohm R3 1kΩ *Đặc điểm - Điểm làm việc chịu ảnh hưởng nhiệt độ mạch phân cực Bazơ - Re chọn không lớn cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khúch đại mạch *Tính tốn : IB = (EC - UBE)/(RB + (β +1)RE) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE) Với giá trị R, EC cho và β = 150 ta có : IB = 0.03mA, IC = 4.5mA, IE = 4.53mA, UCE = 5.57V Các giá trị tính tốn lý thút sai lệch với thực nghiệm là vi trinh tính toán ta bo qua điện trở Transistor và làm tròn mợt số bước tính VII Mạch phân cực bằng phân áp *Đặc điểm : - Điểm làm việc chịu nhiều ảnh hưởng nhiệt độ - Re chọn không lớn cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại mạch *Tính tốn : Dùng thevenin ta tính được : Rth=R1*R2/(R1+R2) Eth=Ec*R2/(R1+R2) IB = (EC - UBE)/(Rth + (β+1)* RE) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE) Với giá trị R, EC cho và β = 150 ta có : IB = 5.65*10-3 mA, IC = 0.848mA, IE = 0.853mA, UCE = 12.248V Các giá trị tính tốn lý thút sai lệch với thực nghiệm là vi q trinh tính tốn ta bo qua điện trở Transistor và làm tròn một số bước tính VIII Mạch phân cực bằng hời tiếp Collector V1 20V RC 2.2kΩ + - + - 0.021m A IB DC 1e-009Ohm RB 3.133m A IC DC 1e-009Ohm Q1 2N3904 500kΩ + - 3.129m A + - 9.974 V UCE DC 10MOhm IE DC 1e-009Ohm RE 1kΩ *Đặc điểm : - Điểm làm việc chịu nhiều ảnh hưởng nhiệt độ - Re chọn không lớn cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khúch đại mạch *Tính tốn : IB = (EC - UBE)/(RB + β(RC + RE)) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE) Với giá trị R, EC cho và β = 150 ta có : IB = 0.0197mA, IC = 2.955mA, IE = 2.9747mA, UCE = 9.6575V Các giá trị tính tốn lý thút sai lệch với thực nghiệm là vi trinh tính tốn ta bo qua điện trở Transistor và làm tròn mợt số bước tính  ... giữ Ur=Uz, D2 phân cực thuận cho dòng điện qua -Nửa chu ki sau, D2 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D1 phân cực thuận cho dòng điện qua *Đồ thị V Mạch phân cực Bazơ... V Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vi trinh tính tốn ta bo qua điện trở Transistor và một số thông số khác VI.Mạch phân cực Emiter V1 20V R1 2.2kΩ + + - 0.032m... 5.57V Các giá trị tính tốn lý thút sai lệch với thực nghiệm là vi q trinh tính tốn ta bo qua điện trở Transistor và làm tròn một số bước tính VII Mạch phân cực bằng phân áp *Đặc điểm