Mạch chỉnh lưu cầu... Mạch phân cực bằng phân áp.
Trang 1Họ và tên: Phùng Gia Hiến
Lớp: Điện tử truyền thông 02.k61
MSSV: 20161496
Họ và tên: Nguyễn Tuấn Anh
Lớp : Điện tử truyền thông 02.k61
MSSV: 20160193
Trong bài gồm có:
1 Chỉnh lưu nửa chu kỳ
2 Chỉnh lưu cầu
3 Ổn áp dùng Zener
4 Hạn chế Tranzito
5 Mạch phân cực Bazo
6 Mạch phân cực Emito
7 Mạch phân cực phân áp
8 Mạch phân cực hồi tiếp Colectơ
Quy ước: Các đồ thị đường màu đỏ là điện áp vào và đường màu xanh là điện áp ra
I Mạnh chỉnh lưu nửa chu kì
V1
120Vrms
50Hz
0°
XSC1
Ext Trig +
+
_ _ + _
T1
D1 1BH62
C1
1 mF [T491E108M004AT]
* Đặc điểm:
-Nửa chu kì đầu, diode phân cực thuận nên cho dòng điện đi qua, nửa chu kì sau, diode phân cực ngược nên không cho dòng điện chạy qua
-Sự chênh lệch biên độ điện áp ở đồ thị 1 khi chưa có tụ là do sự sụt áp khi qua diode
-Khi lắp thêm tụ, tụ điện C1 có tác dụng nạp và phóng để dòng Ur ổn định hơn
*Không có tụ C1:
Trang 2*Có tụ C1:
II Mạch chỉnh lưu cầu
D1 1BH62
D2 1BH62
D3 1BH62
D4 1BH62
V1
12Vrms
50Hz
0°
C1
220 uF [T495D227M004ATE050]
R1 1kΩΩ
XSC1
Ext Trig +
+
_
*Đặc điểm:
-Tại nửa chi kì đầu tiên, D3 và D2 sẽ phân cực thuận, cho dòng đi qua Tiếp theo nửa chu kì tiếp theo, D1 và D4 sẽ phân cực thuận cho dòng đi qua
-Có sự sụt áp (1,6V ) do đi qua 2 diode
Trang 3-Tụ C để ổn định Ur.
*Khi chưa lắp tụ C1:
*Khi lắp tụ C1:
III Mạch ổn áp bằng diode zener
V1
12Vrms
50Hz
0°
XSC1
Ext Trig +
+
_
D1 1N5337BRLG
R1 1kΩΩ
R2 1kΩΩ
Trang 4*Đặc điểm
-Khi E<= Uz thì Ur =E
-Khi E> Uz thì Ur=Uz
*Đồ thị:
IV Mạch hạn chế
Mạch hạn chế trên – dưới bằng diot zener
V1 15Vrms 10Hz 0°
D1 1N5337BRLG
XSC1
Ext Trig +
+
_ _ + _
D2 1N5337BRLG
R1 1kΩΩ
*Đặc điểm:
- Nửa chu kì đầu, D1 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D2 phân cực thuận cho dòng điện đi qua
-Nửa chu kì sau, D2 phân cực ngược hoạt động ở vùng zener giữ Ur=Uz, D1 phân cực thuận cho dòng điện đi qua
*Đồ thị
Trang 5V Mạch phân cực Bazơ
Q1 2N3904 Rb
500kΩΩ
V1 20V
Rc 2.2kΩΩ
UCE
DC 10MOhm
5.712 V +
-IE
DC 1e-009Ohm
6.533m A +
-IB
DC 1e-009Ohm
0.043m A
+
-Ic
DC 1e-009Ohm
6.494m A +
-*Đặc điểm:
- Mạch đơn giản
- Điểm làm việc tĩnh chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ
- Ứng dụng chủ yếu trong chế độ chuyển mạch
*Tính toán :
Ở chế độ một chiều EC - IBRB - UBE = 0
Trang 6-> EC = IBRB + UBE ->IB = (EC - UBE)/RB
IC = βIB -> UCE = EC - ICRCIB -> UCE = EC - ICRC
Với các giá trị R và EC cho trên hình vẽ, βIB -> UCE = EC - ICRC = 150 ta có :
IB = 0.0386mA, IC = 5.79mA, IE = 5.8286mA, UCE = 7.262 V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vì trong quá trình tính toán ta đã bỏ qua điện trở của Transistor và một số thông số khác
VI.Mạch phân cực Emiter
Q1 2N3904 R2
500kΩΩ
V1 20V R1
2.2kΩΩ
UCE
DC 10MOhm
4.777 V +
-IB
DC 1e-009Ohm
0.032m A
+
-R3 1kΩΩ
IE
DC 1e-009Ohm
4.777m A +
-U1
DC 1e-009Ohm
4.748m A +
-*Đặc điểm
- Điểm làm việc ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ hơn mạch phân cực Bazơ
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại của mạch
*Tính toán :
IB = (EC - UBE)/(RB + (βIB -> UCE = EC - ICRC +1)RE)
IC = βIB -> UCE = EC - ICRCIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và βIB -> UCE = EC - ICRC = 150 ta có :
IB = 0.03mA, IC = 4.5mA, IE = 4.53mA, UCE = 5.57V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vì trong quá trình tính toán ta đã bỏ qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính
VII Mạch phân cực bằng phân áp
Trang 7*Đặc điểm :
- Điểm làm việc ít chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại của mạch
*Tính toán :
Dùng thevenin ta tính được :
Rth=R1*R2/(R1+R2)
Eth=Ec*R2/(R1+R2)
IB = (EC - UBE)/(Rth + (βIB -> UCE = EC - ICRC+1)* RE)
IC = βIB -> UCE = EC - ICRCIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và βIB -> UCE = EC - ICRC = 150 ta có :
IB = 5.65*10-3 mA, IC = 0.848mA, IE = 0.853mA, UCE = 12.248V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vì trong quá trình tính toán ta đã bỏ qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính
VIII Mạch phân cực bằng hồi tiếp Collector
Q1 2N3904 RB
500kΩΩ
V1 20V RC
2.2kΩΩ
UCE
DC 10MOhm
9.974 V +
-IB
DC 1e-009Ohm
0.021m A
+
-RE 1kΩΩ
IE
DC 1e-009Ohm
3.129m A +
-IC
DC 1e-009Ohm
3.133m A +
-*Đặc điểm :
- Điểm làm việc ít chịu nhiều ảnh hưởng của nhiệt độ
- Re chọn không lớn quá sao cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại của mạch
*Tính toán :
IB = (EC - UBE)/(RB + βIB -> UCE = EC - ICRC(RC + RE))
Trang 8IC = βIB -> UCE = EC - ICRCIB
UCE = EC - IC(RC + RE)
Với các giá trị R, EC cho trên và βIB -> UCE = EC - ICRC = 150 ta có :
IB = 0.0197mA, IC = 2.955mA, IE = 2.9747mA, UCE = 9.6575V
Các giá trị tính toán lý thuyết sai lệch với thực nghiệm là vì trong quá trình tính toán ta đã bỏ qua điện trở của Transistor và làm tròn một số bước tính