CÔNG NGHỆ ĐỒNG PHÁT sử DỤNG NĂNG LƯỢNG mặt TRỜI

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 1/59 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP CÔNG NGHỆ ĐỒNG PHÁT SỬ DỤNG NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 2/59 CHƯƠNG TỔNG QUAN NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO 1.1 Giới thiệu Năng lượng tái tạo hiện là một những ngành phát triển và quan tâm hàng đầu để thay thế các dạng lượng hóa thạch có tự nhiên vốn đã và cạn kiệt và trước sự phát triển toàn cầu hóa lượng tái tạo Nhận thấy Việt Nam có số thời tiết nắng nóng cao và đều độ nên việc phát triển lượng mặt trời là một giải pháp hay và rất hiệu quả Giảm thời gian nước nóng lên Vừa tạo nước nóng vừa tạo điện quan sát và điều khiển internet Phát triền sáng tạo phương tiện giao thông sử dụng NLMT thân thiện môi trường Đơn giản hóa để phát triển lọc nước các tàu biển Đây là các hướng phát triển rất có hiệu quả cho thực tế và thân thiện với môi trường 1.1.1 Lịch sử [2] Tiền Sử  Thế kỷ thứ trước công nguyên: Thời Ai Cập Cổ Đại, các nhà được xây dựng để các xạ mặt trời có thể được thu thập vào ban ngày và được sử dụng vào ban đêm  Thế kỷ thứ trước công nguyên: người Hy Lạp định hướng nhà họ để họ có thể nhận được lượng mặt trời vào mùa đông để sưởi ấm nhà  Thế kỷ thứ trước công nguyên: Archimedes đã sử dụng những tấm gương để phản chiếu xạ mặt trời và để bảo vệ Syracuse từ cuộc xâm lược người La Mã Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 3/59  Thế kỷ thứ trước công nguyên: các cửa sổ đầu tiên làm từ mica suốt đã được chèn vào nhà miền bắc Ý, với mục đích để tăng việc sử dụng xạ mặt trời thời gian mùa đông  Thế kỷ thứ sau công nguyên : các “heliocaminos” được bắt đầu sử dụng Vào khoảng thế kỷ thứ 5, những bồn tắm lượng mặt trời với các cửa sổ mica lớn hướng về phía nam được sử dụng tối đa tại Ý  Thế kỷ thứ 14 : định luật lượng mặt trời đầu tiên được giới thiệu tại Ý  1767 Nga: M.V Lomonossov đề nghị việc sử dụng các thấu kính để tập trung xạ mặt trời  1767 tại Thụy Sĩ: Horace de Saussure khám phá sự khuếch đại và tăng hiệu śt nhiệt các hợp kính nếp gấp loại Matjoshka  1830 tại Nam Phi: J Hershel sử dụng nồi nấu lượng mặt trời đầu tiên  Khoảng 1830: H Repton xây dựng nhà kính đầu tiên châu Âu Lịch sử phát triển quang điện  1839: Alexandre-Edmund Becquerel, một nhà vật lý thực nghiệm trẻ Pháp, phát hiện hiệu ứng quang điện tuổi 19, giúp cha mình, thử nghiệm với các pin điện phân tạo hai điện cực kim loại  1873: W Smith, làm việc tại Anh, phát hiện tính quang dẫn Selenium, đưa đến việc phát minh pin quang dẫn  1876: G W Adams và R.E Day, Mỹ, quan sát thấy hiệu ứng quang điện chất rắn Selenium  1883: Ch Frits, một nhà phát minh người Mỹ, mô tả các pin lượng mặt trời được làm từ những tấm Se-wafer  1887: tại Đức, H Hertz phát hiện ánh sáng tia cực tím thay đổi điện áp thấp nhất mà có khả gây một tia lửa điện giữa hai điện cực kim loại  1888: Ed Weston nhận được sáng chế cho pin lượng mặt trời  1904: W Hallwachs phát hiện sự nhạy cảm ánh sáng cặp đồng và ơxít đồng Cơng nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 4/59  1904: A Einstein xuất bản nghiên cứu lý thuyết tiên phong ông về hiệu ứng quang điện (ông nhận giải Nobel năm 1921 cho cơng trình này)  1916: R.A Millikan cung cấp chứng thực nghiệm các hiệu ứng quang điện  1916: Y Czochralski (nhà khoa học người Ba Lan) phát triển một phương pháp mới để phát triển tinh thể đơn Silicon  1930: W Schottky phát hiện pin quang điện ơxít đồng mới  1931: AF Ioffe hướng dẫn một dự án tại Viện Vật Lý Kỹ Thuật St Petersburg về pin quang thallium sulphide (TI2S), đạt được hiệu xuất kỷ lục > 1% vào thời điểm đó Ơng đã gửi mợt đề nghị tới phủ Xơ viết liên quan đến việc sử dụng mái nhà điện quang để cung cấp điện  1932: Audobert và Stora khám phá hiệu ứng quang điện CdS  1948: W Schottky trình bày các khái niệm lý thuyết đầu tiên cho quang điện bán dẫn  1951: tại phòng thí nghiệm BELL kết nối p-n đầu tiên được tạo germanium  1953: D Trivich cơng bớ những tính toán lý thuyết đầu tiên về hiệu xuất chuyển đổi quang phổ đối với các vật liệu có bandgap khác  1953: G Pearson tại phòng thí nghiệm Bell bắt đầu nghiên cứu pin lượng mặt trời Li-doped Silicon  1953: D Chapin; C Fuller và G Pearson Silicon thực hiện một pin lượng mặt trời rộng cm2 với hiệu xuất 4% (công bố trang bìa NY Times)  1954: D Chapin, C Fuller và G Pearson cải tiến hiệu xuất pin lượng mặt trời lên 6%; pin lượng mặt trời AT & T mắt Murray Hill, NJ  1954: tại Siemens Đức, G Spenke và nhóm ông phát triển một phương pháp hiệu quả cho việc sản xuất poly-Si: Các nhà khoa học và chuyên gia từ Wacker và TU Munich tham gia cơng trình này với Siemens Cái được Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 5/59 gọi là Phương pháp Siemens là cơng nghệ để sản xuất pin lượng mặt trời và bán dẫn loại Si  1954: J.J Loferski và Jenny tại RCA báo cáo về hiệu ứng quang điện rõ nét CdS  1954: Hiệp hội quốc tế về lượng mặt trời -The International Solar Energy Society (ISES)- được thành lập Phoenix, AZ 1970 trụ sở nó sau đó được chuyển tới Melbourne, Australia, và vào năm 1995 nó đã được di chuyển một lần nữa đển Freiburg, Đức  1957-1959: Hoffmann Electronics đạt được 8, và 10% hiệu xuất và phát triển hệ thống các mối nối, giảm điện trở các thiết bị đáng kể  1960: Hoffmann Electronics tăng hiệu xuất pin quang điện đến 14%, chủ yếu được sử dụng cho vệ tinh và các ứng dụng không gian  1960/1961: H Mori Nhật Bản và A.K Zaitseva & O P Fedoseeva Nga độc lập đề xuất module quang điện lưỡng mặt  1961: W Shockley và H Queisser phát triển một lý thuyết về nhiệt động lực học dựa nguyên lý “sự cân chi tiết” cho pin mặt trời mối nối  1961: Hội nghị các chuyên gia quang điện IEEE đầu tiên được tổ chức Philadelphia, Mỹ  1963: Sharp Nhật Bản đã lắp đặt các mạng pin lớn nhất thế giới cho các ứng dụng mặt đất, với công xuất 242 W  1966: Mạng pin mặt trời kW được cài đặt đài quan sát thiên văn quỹ đạo  1966: Zh.I Alferov, V.B Khal n và R.F Kazarinov phát hiện hiệu ứng “super-injection” một double heterostructure (DHS)  1970: Zh.I Alferov, V.M Andreev và một đội Viện Ioffe, St Petersburg mắt pin lượng mặt trời đầu tiên với GaAs heterostructure  1973: Solarex được thành lập tại Hoa Kỳ Công ty này sản xuất thương mại pin lượng mặt trời đa tinh thể và các pin lượng mặt trời vơ định hình Solarex sau đó được mua lại Amoco / Emron và sau đó là BP Solar Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 6/59  1974: Nhật Bản trình bày dự án Sunshine vào đầu c̣c khủng hoảng dầu khí  1976/1977: Thu huỳnh quang đầu tiên dung cho các ứng dụng lượng mặt trời được gợi ý độc lập A Goetzberger và W Greubel, và WH Weber và J Lambe  1976: D Carlson và Ch Wronsky tại RCI, Mỹ trình bày pin lượng mặt trời màng mỏng a-Si: H đầu tiên với hiệu xuất khoảng 1%  1977: Viện Nghiên Cứu Năng Lượng mặt trời (SERI), sau này trở thành Phòng Thí Nghiệm Năng lượng Tái Tạo Quốc Gia (NREL) mở cửa tại Golden, CO, USA  1977: Hội nghị Năng lượng Mặt trời EC PV khởi đầu Luxembourg  Năm 1978: phòng thí nghiệm đầu tiên về lượng mặt trời và các nguồn lượng tái tạo (SENES) khởi đầu hoạt động tại Châu Âu tại Học viện Hàn Lâm Khoa học Bungari tại Sofia  1980: MRiel bắt đầu chương trình tiếng 1000 mái nhà với pin lượng mặt trời Zurich, Thụy Sĩ  1980: BP vào kinh doanh lượng mặt trời  1981: Viện Năng lượng Mặt trời Fraunhofer ISE Freiburg, Đức thành lập Goetzberger A  1981: R Hezel giới thiệu Plasma Silicon Nitride (PECVD) lớp phản chiếu và lớp thụ động, mà hiện được áp dụng cho hầu tất cả pin lượng mặt trời thương mại Silicon  1981: Gương tập trung phản chiếu lượng mặt trời sử dụng lần đầu tiên tại Viện Ioffe St Petersburg  Năm 1982: sản xuất điện quang toàn thế giới đạt giá trị 10 MW  1982: một nhà máy quang điện 1-MW – được xây dựng ARCO Solar với 100 trackers lưỡng trục với c- Si module vào sử dụng tại California  Năm 1983: sản xuất pin mặt trời toàn thế giới vượt mức 20 MW, và doanh số bán vượt mức 250 trieu USD Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 7/59  1984: M.A Green và S Wenham giới thiệu pin lượng mặt trời LaserGrooved Buried-Contact (LGBC)  1985: M Green tại Đại học New South Wales, Australia, phá vỡ rào cản về hiệu xuất 20% cho pin lượng mặt trời c-Si dưới mợt nắng phòng thí nghiệm  1985: R Swanson thành lập Sun Power tại California với mục tiêu để thương mại hóa pin lượng mặt trời c-Si hiệu xuất cao  1986: ARCO Solar bán module quang điện màng mỏng thương mại đầu tiên  1987: The Solar Challenge được khánh thành, và cuộc đua xe dùng pin mặt trời dọc Australia  1989: V.D Rumyantsev tại Viện Ioffe, St Petersburg giới thiệu hệ thớng pin mặt trời dùng thấu kính tập trung với kích thước giảm dần  1990: ARCO Solar được bán cho Siemens và đổi tên thành Siemens Solar  1991: Nukem GmbH (nay Schott Solar) xây dựng thí điểm nhà máy quang điện MW từ pin mặt trời mono- and bifacial MIS-inversion-layer, được phát triển nhóm R.Hezel tại Đại học Erlangen  1991: M Graetzel phát minh pin mặt trời dye-sensitized electrochemical Hiệu xuất > 10% thu được vòng năm sau phát hiện  1992: BP thương mại hoá pin mặt trời Laser Grooved c-Si (bằng sáng chế MA Green và S.Wenham)  1994: NREL phát triển và đời pin mặt trời đầu với hiệu xuất cao GaInAsP /GaAs, với hiệu xuất >30% dưới 180 nắng Thế hệ thứ ba CPV đời  1997: PV mái nhà dùng pin quang điện lớn nhất, với >3 MW được lắp đặt tại Munich, Đức  1997: Sanyo bắt đầu sản xuất hàng loạt pin mặt trời hiệu xuất cao HIT cSi/a-Si: H  1998: SolarWorld AG được thành lập Đức, là cơng ty quang điện tích hợp theo chiều dọc đầu tiên Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 8/59  1999: M.A Green và J Zhao đạt được hiệu xuất kỷ lục 24,7% phòng thí nghiệm với pin mặt trời c-Si  1999: Tổng số quang điện được cài đặt toàn thế giới vượt mức 1GW  2000: Đức giới thiệu luật EEG mới (luật feed-in), 2008, luật này được dịch sang 40 ngôn ngữ Đức trở thành thị trường quang điện lớn nhất thế giới  2002: Hội nghị Solar Silicon đàu tiên đối phó với cuộc khủng hoảng Si nguyên liệu được tổ chức Photon tại Munich, Đức  2002: Cypress Corp và Sun Power USA bắt đầu sản xuất thí điểm pin mặt trời hiệu xuất cao c-Si Sun Power Sản xuất hàng loạt thành lập ởPhilippines  2002: Siemens Solar được bán cho Shell Solar, 2004 Shell Solar c-Si chuyển nhượng cho SolarWorld  2004: General Electric vào thi trường quang điện (PV), sau trở thành chủ sở hữu AstroPower  2005: Sharp là nhà sản xuất pin quang điện (PV) lớn nhất toàn thế giới PV  2005: Q-Cells, được thành lập vào năm 2002, là nhà sản xuất tế pin PV phát triển nhanh nhất toàn thế giới  2006: Lợ trình PV cho Châu Âu được đề xuất WCRE  2006: Hơn 25% các module PV sản xuất toàn thế giới được lắp đặt Đức  2006: SolFocus tại Mỹ, Concentrix-Solar Freiburg, Đức, và SolarTec AG Munich, Đức, bắt đầu sản xuất thí điểm Concentrator III-V PV (CPV) CPV Mô-đun bao gồm các pin bộ ba GaAs Ge substrate với hiệu xuất > 35%, và thấu kính Fresnel tập trung làm từ silicon kháng UV , có khả cung cấp lên đến 800 nắng  2006: Wacker mở rộng sản xuất pin lượng mặt trời poly-Si tại Burghausen, Đức, lên đến 16.000 tấn / năm để trở thành công ty lớn thứ hai Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 9/59 lĩnh vực này toàn thế giới Việc đầu tư mới là khoảng 500 trieu Euro  2006: Hội nghị quốc tế đầu tiên về Solar Glass được tổ chức Photon tại Munich  2007: Hemlock thông báo mở rộng với qui mô lớn về sản xuất poly-Si lên đến 3.600 tấn/năm tại MI, Mỹ, và bắt đầu sản xuất vào năm 2010 Việc đầu tư là khoảng tỷ USD, Hemlock là nhà sản xuất poly-Si lớn nhất toàn thế giới  2006: InterSolar, Hội chợ quốc tế về lượng mặt trời lớn nhất diễn lần thứ 10 và lần gần nhất là Freiburg, Đức  2007: SunPower và Sanyo thông báo hiệu xuất cao nhất cho sản xuất hàng loạt pin mặt trời nắng là 22%  2007: Al Gore và IPCC nhận giải Nobel Hòa Bình  2007: Hợi nghị Liên hiệp q́c dành cho biến đổi khí hậu diễn tại Bali  2008: Q-Cells vượt qua Sharp để trở thành nhà sản xuất PV lớn nhất thế giới https://solarpower.vn/lich-su-phat-trien-cua-nang-luong-mat-troi-va-chuyen-doiquang-dien/ 1.1.2 Lý thuyết lượng mặt trời [1] - Việt Nam vốn là một những vùng có cường độ xạ mặt trời tương đối cao thế giới Hơn nữa, nước ta là mợt q́c gia phát triển, người dân nghèo nhiều, khơng phải có khả sử dụng điện sinh hoạt với mức giá hiện Vì thế, lượng mặt trời được coi là một giải pháp hoàn toàn phù hợp nếu được ứng dụng rộng rãi đời sống hàng ngày - Vị trí địa lý đã ban tặng cho Việt Nam một nguồn “năng lượng tái tạo “ vô lớn đặc biệt là NLMT Lãnh thổ Việt Nam trải dài từ vĩ độ 027’ – 23023’Bắc, kinh độ 10208’-109027’ Đông Việt Nam nằm khu vực có cường độ BXMT tương đối cao Trong đó nhiều nhất là thành phớ Hồ Chí Minh, kế đến là các vùng Tây Bắc (Lào Cai, Lai Châu, Sơn La) và vùng Bắc Trung Bộ (Hà Tĩnh , Thanh Hóa, Nghệ An) Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 10/59 - Việt Nam là một nước có tiềm NLMT và phát triển bền vững Trung bình xạ mặt trời năm khá cao: 5,2kWh/m cho ngày Đó là một yếu tố thuận lợi để có thể phát triển điện NLMT quy mô công nghiệp Các công nghệ mới không cho phép sảm xuất điện NLMT được phát vào lưới điện, đồng thời đảm bảo cung cấp điện bền vững địa phương với giá thấp Tổng lượng xạ trung bình:kWh/m.mngày Thứ tự Tên địa phương Đông Bắc ,đồng sông Hồng 3,91 Vùng núi Tây Bắc 4,44 Bắc Trung Bộ 4,8 Tây Nguyên, Nam Trung Bộ 5,61 Nam Bộ 4,8 Bảng 1.1 : Tổng nắng trung bình năm Thứ tự Tên địa phương Vùng núi Đông Bắc Bộ đồng sông Hồng Vùng núi Tây Bắc Bộ Bắc Trung Bộ Nam Trung Bộ Ninh Thuận , Bình Thuận Tây Nguyên Nam Bộ Cả nước Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Tổng lượng xạ trung bình:kWh/m.mnăm 1427 1549 1799 2084 1799 Số nắng TB/năm 1631 1452 1818 2294 2961 2431 2411 1854 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 45/59 Hình 2.20 : Hoàn thành và tiến hành thu thập dữ liệu mơ hình Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 46/59 CHƯƠNG KẾT QUẢ THU THẬP SỐ LIỆU Sau hoàn thành mơ hình chúng em đã cho chạy thực tế để lấy được kết quả sát với thực tế nhất 3.1 Ngày 5/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở ( van dầu ) và đóng van nước Hình 3.1: Dữ liệu thu thập ngày 5/1/2019 Thống kê số liệu nhận được : Ngày 5/1/2019 Giờ 1h57 2h02 2h07 2h12 2h17 Nhiệt độ dầu 48.68 48.96 49 49.13 49.23 Nhiệt độ nước 49 49.5 49.5 49.5 49.56 Bảng 3.2: Số liệu thu được ngày 5/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Nhiệt độ trước dầu vào 43.25 43.5 43.67 43.5 44 Nhiệt độ sau dầu 45.25 45.5 45.5 46 46.13 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 47/59 Biểu đồ thể hiện số liệu nước và dầu Bảng 3.3: Số liệu thu được ngày 5/1/2019 Biểu đồ thể hiện số nhiệt độ và vào dầu Bảng 3.4: Số liệu thu được ngày 5/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 48/59 3.2 Ngày 6/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở ( van dầu ) và đóng van nước Hình 3.5: Dữ liệu thu thập ngày 6/1/2019 Ta tiến hành chạy mô hình với van được mở ( van dầu ) và đóng van nước Ngày 6/1/2019 Giờ 12h30 12h35 12h40 12h45 12h50 12h55 13h 13h05 13h10 13h15 13h20 13h25 Nhiệt độ dầu 45.69 46 46.3 46.76 47 47.32 47.56 48 48.6 48.78 49 49.5 Nhiệt độ nước 59.75 60 61.25 62 62.45 63 63.26 63.58 64 65 65.35 65.5 Bảng 3.6: Số liệu thu được ngày 6/1/2019 Biểu đồ thể hiện số liệu nước và dầu Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Nhiệt độ trước dầu vào 44.75 45 45 45.35 45.72 46 46.5 46.25 46.9 47 47.4 47.9 Nhiệt độ sau dầu 45.25 45.5 45.5 46 46.13 47 47.2 47.5 48 48.3 48.8 49 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 49/59 Bảng 3.7: Số liệu thu được ngày 6/1/2019 Biểu đồ thể hiện số nhiệt độ và vào dầu Bảng 3.8: Số liệu thu được ngày 6/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 50/59 3.3 Ngày 8/1/2019 Hình 3.9: Dữ liệu thu thập ngày 8/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở van dầu và van nước Ngày 8/1/2019 Giờ 12h30 12h35 12h40 12h45 12h50 12h55 13h 13h05 13h10 13h15 13h20 13h25 Nhiệt độ dầu 52.47 53.7 53.73 54 54.49 54.75 55.2 55.65 56 57 57.2 57.4 Nhiệt độ nước 66 66.5 67 67.56 67.8 68.25 68.25 68.9 68.7 69 70 70.6 Biểu đồ thể hiện số liệu nước và dầu Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Nhiệt độ trước dầu vào 48.25 48.5 49 49.5 50 50.6 51.5 51.9 52.7 52.7 53 54 Nhiệt độ sau dầu 48.75 48.75 49.25 50 50.35 50.6 51.9 52 53 53.6 54 54 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 51/59 Bảng 3.10: Số liệu thu được ngày 8/1/2019 Biểu đồ thể hiện số nhiệt độ và vào dầu Bảng 3.11: Số liệu thu được ngày 8/1/2019 3.4 Ngày 9/1/2019 10/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở van dầu và van nước ngày 9/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 52/59 Hình 3.12: Dữ liệu thu thập ngày 9/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở van dầu và van nước Ngày 9/1/2019 Giờ 12h30 12h35 Nhiệt độ dầu 49.4 51.41 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Nhiệt độ nước 67.75 69 Nhiệt độ trước dầu vào 55.5 55.65 Nhiệt độ sau dầu 56 56 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 53/59 12h40 12h45 12h50 12h55 13h 13h05 13h10 13h15 13h20 13h25 53.73 55.81 57.14 58.71 61.55 62.06 63.4 64.32 65.62 66.04 70.25 70.5 70.75 71.25 71.25 72 73 73.5 73 74 Bảng 3.13: Số liệu thu được ngày 9/1/2019 Biểu đồ thể hiện số liệu nước và dầu Bảng 3.14: Số liệu thu được ngày 9/1/2019 Biểu đồ thể hiện số nhiệt độ và vào dầu Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời 55.65 56 58 59 63.65 64 64.76 65 66.5 67.48 56.98 57 58.5 59.6 64.7 65 65.2 66.1 67 68 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 54/59 Bảng 3.15: Số liệu thu được ngày 5/1/2019 Ta tiến hành chạy mơ hình với van được mở van dầu và van nước đóng ngày 10/1/2019 Hình 3.16: Dữ liệu thu thập ngày 10/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 55/59 Số liệu : Ngày 10/1/2019 Giờ 12h30 12h35 12h40 12h45 12h50 12h55 13h 13h05 13h10 13h15 13h20 13h25 Nhiệt độ dầu 48.58 48.73 48.82 49.02 49.23 49.4 49.47 49.84 50.29 51.07 51.79 52.13 Nhiệt độ nước 81.75 82.25 82.25 81.75 82.75 83 82.75 83 83.75 83.75 83.5 84 Bảng 3.17: Số liệu thu được ngày 10/1/2019 Biểu đồ thể hiện số liệu nước và dầu Bảng 3.18: Số liệu thu được ngày 10/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời Nhiệt độ trước dầu vào 44.5 44.7 44.86 45 46.5 46.87 47 47.34 48.3 48.9 49 50.3 Nhiệt độ sau dầu 46.5 46.5 47 47.3 47.5 47.9 48.2 48.6 49 49.3 50.4 51.2 ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 56/59 Biểu đồ thể hiện số nhiệt độ và vào dầu Bảng 3.19: Số liệu thu được ngày 10/1/2019 Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 57/59 CHƯƠNG NHẬN XÉT 4.1 Nhận xét - Mơ hình chạy và thu được sớ liệu thực tế tại lầu 6C trường đại học Tôn Đức Thắng - Nhiệt độ tăng dự kiến đề - Qua chạy mơ hình và lấy sớ liệu thực tế ta có thể thấy được ta đồng thời gia nhiệt nước và dầu (mở cả van dầu và van nước) nhiệt độ tăng nhanh và mạnh tăng thêm về mặt diện tích tiếp xúc hấp thụ xạ mặt trời => giảm thời gian tăng nhiệt độ - Khi chạy dầu hoặc nước tốc độ gia nhiệt khơng nhanh - Cần thực hiện xác về mặt kĩ thuật làm máng để có thể hấp thu tớt xạ mặt trời - Tìm hiểu cách giải quyết vấn đề nhiễu truyền thông để thu nhận thơng tin thực tế xác nhất - Cần nghiên cứu thêm về bơm dầu để mô hình có thể chạy hoàn thiện Cơng nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 58/59 CHƯƠNG KẾT LUẬN 5.1 Kết luận 5.1.1 Kết luận - Đầu tư phát triển lượng tái tạo (NLTT) là cần thiết cho sự phát triển Việt Nam thời kì đổi mới 5.1.2 Kết luận -Công nghệ đồng phát là một công nghệ mới nên được quan tâm và cải tiến nữa tương lai 5.2 Hướng phát triển - Có thể tích hợp nghiên cứu thêm đơn giản hóa mơ hình, tăng hiệu cơng nghệ, giảm giá thành tối đa để có thể sử dụng rộng rãi công nghiệp, nông nghiệp giao thông vận tải Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 59/59 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt: [1] Giáo trình lượng tái tạo TS Nguyễn Dáo [2] Quá khứ và tương lai nhiệt điện (https://solar4viet.wordpress.com) Tiếng Anh : [1] Lawrence Livermore National Laboratory DOEs 2015, (https://flowcharts.llnl.gov/commodities/energy) [2] J P Heremans et al., When thermoelectrics reached the nanoscale, Nature Nanotechnology 8, 471–473 (2013) [3] G J Snyder et al., Complex thermoelectric materials, Nature Materials 7, 105 – 114 (2008) [4] N T Hung et al., Quantum effects in the thermoelectric power factor of low- dimensional semiconductors, Phys Rev Lett 117, 036602 (2016) Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ... nóng nước Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 19/59 1.2.2 Bộ thu nhiệt ống dầu Hình 1.10 : Bợ thu nhiệt ớng dầu Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN... thường Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 21/59 1.2.3 Bộ thu nhiệt dạng phẳng Hình 1.12 : Bợ thu nhiệt tấm phẳng Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ... tạo pin nhiệt điện Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Trang 28/59 Hình 1.19 : Kết quả test mợt cell pin Công nghệ đồng phát sử dụng lượng mặt trời ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP