Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng Trioctylphosphine (Luận văn thạc sĩ)

Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng TrioctylphosphineChế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể CdSe không sử dụng Trioctylphosphine

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC VŨ THỊ HỒNG NGÂN CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ CdSe KHÔNG SỬ DỤNG TRIOCTYLPHOSPHINE LUẬN VĂN THẠC SĨ QUANG HỌC THÁI NGUYÊN - 2018 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC VŨ THỊ HỒNG NGÂN CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ CdSe KHÔNG SỬ DỤNG TRIOCTYLPHOSPHINE Ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ QUANG HỌC Người hướng dẫn khoa học: TS NGUYỄN THỊ LUYẾN THÁI NGUYÊN - 2018 LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, cho phép em gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới TS Nguyễn Thị Luyến người trực tiếp hướng dẫn khoa học, bảo tận tình tạo điều kiện tốt giúp em suốt trình nghiên cứu thực luận văn Em xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô giáo Khoa Vật Lý Trường Đại học Khoa học Thái Nguyên dạy dỗ trang bị cho em tri thức khoa học tạo điều kiện học tập thuận lợi cho em suốt thời gian qua Cuối xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tình yêu thương tới gia đình bạn bè - nguồn động viên quan trọng mặt tinh thần vật chất giúp tơi có điều kiện học tập nghiên cứu khoa học ngày hôm Xin trân trọng cảm ơn! Thái Nguyên, ngày 10 tháng 10 năm 2018 Học viên Vũ Thị Hồng Ngân i MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i MỤC LỤC ii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT iv DANH MỤC CÁC BẢNG v DANH MỤC CÁC BIỂU ĐỒ, SƠ ĐỒ, HÌNH VẼ vi MỞ ĐẦU Chương TỔNG QUAN CƠNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ BÁN DẪN CdSe .5 1.1 Sự giam giữ lượng tử hạt tải 1.1.1 Biểu giam giữ lượng tử 1.1.2 Cấu trúc vùng lượng bán dẫn .7 1.1.3 Các dịch chuyển quang nano tinh thể bán dẫn 1.2 Công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.2.1 Chấm lượng tử CdSe 1.2.2 Ảnh hưởng điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể 15 1.2.3 Ảnh hưởng điều kiện chế tạo đến tính chất quang .20 1.3 Các đặc trưng phonon quang nano tinh thể bán dẫn 22 CHƯƠNG 28 THỰC NGHIỆM .28 2.1 Công nghệ chế tạo 28 2.2 Các phương pháp khảo sát đặc trưng mẫu 30 2.2.1 Hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 30 2.2.2 Nhiễu xạ tia X (XRD) .32 2.2.3 Hấp thụ quang học 33 2.2.4 Quang huỳnh quang 34 2.2.5 Tán xạ Raman (RS) 36 CHƯƠNG 38 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .38 3.1 Lựa chọn dung dịch tiền chất selene khơng trioctylphosphine 38 3.2.1 Khảo sát hình thái nano tinh thể CdSe .42 3.2.2 Khảo sát cấu trúc tinh thể 44 ii 3.2.3 Khảo sát tính chất hấp thụ quang huỳnh quang 46 3.3 Khảo sát đặc trưng phonon quang 57 KẾT LUẬN 62 TÀI LIỆU THAM KHẢO 63 iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT NC Nano tinh thể QD Chấm lượng tử TEM Hiển vi điện tử truyền qua PL Quang huỳnh quang XRD Nhiễu xạ tia X CB Vùng dẫn VB Vùng hóa trị WZ Wurtzite ZB Zincblende OA Axit oleic ODE Octadecene TOP Trioctylphosphine TOPO Trioctylphosphine oxit HDA Hexadecylamine RS Tán xạ Raman LO Phonon quang dọc SO Phonon quang bề mặt PL FWHM Độ rộng bán phổ huỳnh quang PL QY Hiệu suất lượng tử huỳnh quang Se-ODE Selene không trioctylphosphine iv DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 3.1: Hiệu suất lượng tử độ rộng bán phổ huỳnh quang NC CdSe chế tạo thời gian phản ứng 30 phút, nhiệt độ phản ứng 280oC, [OA] = 0,05 M sử dụng dung dịch tiền chất Se-ODE khuấy với thời gian khác 41 Bảng 3.2 Trình bày thơng số đường kính trung bình nồng độ QD CdSe chế tạo 160oC rút từ công thức (3.2) (3.3) 51 Bảng 3.3 Trình bày thơng số đường kính trung bình nồng độ QD CdSe chế tạo 200oC rút từ công thức (3.2) (3.3) 51 Bảng 3.4 Trình bày thơng số đường kính trung bình nồng độ QD CdSe chế tạo 280oC rút từ công thức (3.2) (3.3) 52 Bảng 3.5 Các giá trị nhận từ việc làm khớp phổ thực nghiệm với công thức lý thuyết I() 61 v DANH MỤC CÁC BIỂU ĐỒ, SƠ ĐỒ, HÌNH VẼ Hình 1.1 Sự tăng mức lượng lượng tử hóa mở rộng lượng vùng cấm NC so với tinh thể khối Hình 1.2 Phổ hấp thụ phổ PL QD CdSe có kích thước khác Hình 1.3 Cấu trúc vùng chất bán dẫn có cấu trúc ZB WZ Hình 1.4 Các chuyển dời quang học mức lượng lượng tử hóa điện tử lỗ trống NC bán dẫn Hình 1.5 Mơ hình La Mer trình mọc mầm phát triển NC Hình 1.6 Phổ hấp thụ phổ PL QD CdSe 10 Hình 1.7 Phổ hấp thụ PL QD CdSe thời gian phản ứng khác nhau, nhiệt độ phản ứng 300oC 11 Hình 1.8 Sự phát triển theo thời gian phổ hấp thụ QD CdSe chế tạo 300oC dung môi liên kết TOPO sử dụng tiền chất ban đầu CdO 12 Hình 1.9 Phổ hấp thụ phổ PL QD CdSe thời gian phản ứng khác từ giây đến 180 giây, hệ phản ứng ODE-OA-TOP 13 Hình 1.10 (a) Phổ hấp thụ phổ PL QD CdSe chế tạo trực tiếp khơng khí dung môi ODE, (b) ảnh TEM mẫu QD CdSe 14 Hình 1.11 Hình ảnh dung dịch tiền chất Se-ODE khuấy thời gian khác từ đến 48 nhiệt độ 180 oC 14 Hình 1.12 So sánh hiệu suất phản ứng chế tạo QD CdSe theo thời gian phản ứng sử dụng dung dịch tiền chất Se-ODE vi khuấy nhiệt độ, thời gian khác với dung dịch tiền chất TOPSe 15 Hình 1.13 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe có cấu trúc ZB nhiệt độ phản ứng khác 16 Hình 1.14 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe có cấu trúc WZ chế tạo nhiệt độ phản ứng khác 17 Hình 1.15 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe chế tạo dung mơi liên kết TOPO có cấu trúc WZ; dung mơi khơng liên kết ODE có cấu trúc ZB 17 Hình 1.16 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe chế tạo sử dụng: (A) TOPSe; (B) không TOP; (C) TMPPA-không TOP; (D) TMPPA-TOP 19 Hình 1.17 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe: (a) khơng sử dụng TOP, (b,c) có sử dụng TOP cho dung dịch tiền chất Se 19 Hình 1.18 (a) Biến thiên [CdSe] theo thời gian với [OA] khác nhau; (b) Biến thiên [CdSe]max [CdSe]∞ theo [OA], hình chèn phải kích thước hạt thời điểm giây với [OA] khác 21 Hình 1.19 (a) Sự thay đổi vị trí đỉnh hấp thụ exciton thứ (b) thay đổi [CdSe] theo thời gian phản ứng NC CdSe chế tạo nhiệt độ phản ứng khác 22 Hình 1.20 Đường cong tán sắc phonon quang phạm vi bất định q vectơ sóng, 2 phạm vi bất định tương ứng tần số 23 Hình 1.21 Hàm giam giữ W(r) NC dạng cầu 23 Hình 1.22 (a) Phổ RS QD CdSe có kích thước 5.2 nm; (b) Phổ RS QD CdSe thay đổi theo kích thước từ 2.5 đến 5.2 nm 26 vii Hình 2.1 Sơ đồ quy trình chế tạo NC CdSe hệ phản ứng ODE OA 29 Hình 2.2 Hệ tổng hợp NC CdSe 29 Hình 2.3 Diễn biến nhiệt độ phản ứng theo thời gian phản ứng 29 Hình 2.4 Sơ đồ khối TEM 31 Hình 2.5 Sơ đồ nguyên tắc phép đo nhiễu xạ tia X 32 Hình 2.6 Sơ đồ nguyên tắc hệ đo hấp thụ quang hai chùm tia 33 Hình 2.7 Sơ đồ chế PL 35 Hình 2.8 Sơ đồ hệ đo quang phổ LABRAM-1B 35 Hình 2.9 Giản đồ lượng tán xạ Rayleigh tán xạ Raman 36 Hình 3.1 (a) Phổ hấp thụ (b) phổ PL NC CdSe chế tạo thời gian phản ứng 30 phút, nhiệt độ phản ứng 280oC, [OA] = 0,05 M sử dụng dung dịch tiền chất Se-ODE khuấy thời gian khác nhau38 38 Hình 3.2 Sự phụ thuộc PL QY PL FWHM NC CdSe chế tạo thời gian phản ứng 30 phút, nhiệt độ phản ứng 280oC, [OA] = 0,05 M sử dụng dung dịch tiền chất Se-ODE khuấy thời gian khác 40 Hình 3.3 Ảnh TEM NC CdSe chế tạo nhiệt độ phản ứng 200oC, thời gian phản ứng 30 phút, [OA] = 0,05 M sử dụng dung dịch tiền chất Se-ODE khuấy thời gian khác nhau: (a): giờ; (b) 23 41 Hình 3.4 Ảnh TEM NC CdSe chế tạo nhiệt độ phản ứng khác nhau: (a) 200oC; (b) 280oC (c) 310oC; cố định [OA] = 0,05 M, thời gian phản ứng 30 phút 42 Hình 3.5 Ảnh TEM NC CdSe chế tạo thời gian phản ứng khác nhau: (a) 0,5 phút; (b) 60 phút cố định nhiệt độ phản ứng 280oC [OA] = 0,05 M 43 viii Thời gian phản ứng (phút) 0,5 Vị trí đỉnh hấp thụ exciton thứ (nm) 481 Đường kính (nm) 2,18 Cường độ hấp thụ 0,044 509 2,44 0,051 0,820 3 554 3,13 0,063 0,523 576 3,69 0,073 0,392 12 589 4,14 0,081 0,320 20 598 4,50 0,085 0,2696 30 601 4,627 0,094 0,2769 40 602 4,672 0,077 0,2211 50 604 4,785 0,080 0,2156 10 60 605 4,812 0,0815 0,2164 STT [CdSe] (  M) 0,952 Bảng 3.4 Trình bày thơng số đường kính trung bình nồng độ QD CdSe chế tạo 280oC rút từ công thức (3.2) (3.3) Thời gian phản ứng (phút) 0,5 Vị trí đỉnh hấp thụ exciton thứ (nm) 572 3,57 Cường độ hấp thụ 0,2 578 3,76 0,2 1,021 3 588 4,1 0,26 1,055 598 4,49 0,13 0,415 12 606 4,76 0,14 0,383 20 612 5,06 0,15 0,349 30 615 5,27 0,182 0,380 40 618 5,49 0,206 0,386 50 620 5,72 0,201 0,3376 10 60 624 5,84 0,15 0,2385 STT Đường kính (nm) [CdSe] (  M) 1,172 Trên Hình 3.15, Hình 3.16 Hình 3.17 tương ứng trình bày thay đổi đường kính trung bình, PL FWHM nồng độ QD CdSe theo 52 thời gian phản ứng hệ mẫu QD chế tạo nhiệt độ phản ứng khác Các giá trị PL FWHM xác định từ việc làm khớp phổ PL theo hàm hỗn hợp Gauss - Lorentz Có nhận xét chung phút phản ứng (từ 0,5 phút đến 12 phút), tốc độ phát triển kích thước hạt xảy nhanh hơn, đồng thời PL FWHM có xu hướng tăng sau giảm thể phân kì phân bố kích thước Sự mở rộng phân bố kích thước phút phản ứng giai đoạn tạo mầm kéo dài giảm nhiệt độ bơm dung dịch tiền chất Se-ODE Trong giai đoạn tiếp theo, từ 20 phút đến 60 phút kích thước hạt có xu hướng phát triển chậm PL FWHM có xu hướng thay đổi chậm, thể hội tụ phân bố kích thước Hình 3.15 Sự thay đổi đường kính trung bình QD CdSe theo thời gian phản ứng chế tạo nhiệt độ phản ứng khác nhau: 160oC, 200oC 280oC 53 Hình 3.16 Sự thay đổi PL FWHM theo thời gian phản ứng hệ mẫu QD CdSe chế tạo nhiệt độ phản ứng khác nhau: 160oC, 200oC 280oC Mặt khác, nghiên cứu phát triển kích thước theo nhiệt độ cho thấy rằng, nhiệt độ phản ứng cao kích thước QD CdSe lớn phát triển nhanh (Hình 3.15) Điều lý giải rằng, nhiệt độ phản ưng cao, tạo mầm xảy nhanh số mầm tạo nhiều Kết nghiên cứu phù hợp với kết nghiên cứu trước [6] Kết khảo sát thay đổi PL FWHM theo nhiệt độ (Hình 3.16) cho thấy nhiệt độ phản ứng cao điểm hội tụ PL FWHM đạt giá trị nhỏ nhất, phân kỳ kích thước xảy rõ ràng trường hợp nhiệt độ thấp Trên Hình 3.17 trình bày biến thiên nồng độ QD CdSe theo thời gian phản ứng hệ mẫu chế tạo nhiệt độ phản ứng khác Nồng độ QD CdSe tính theo cơng thức (3.3) Kết cho thấy nhiệt độ phản ứng cao hơn, nồng độ hạt tạo nhiều Trong giai đoạn phản ứng (0,5 phút đến phút), nồng độ hạt giảm mạnh, 54 thể giai đoạn tạo mầm, sau nồng độ hạt gần không đổi giai đoạn Sự giảm nhanh nồng độ NC giai đoạn đầu lý giải phát triển nhanh kích thước hạt phút không chế mọc khuếch tán mà kết tụ hạt nhỏ dung dịch (cơ chế phát triển theo mơ hình La Mer) [9] Hình 3.17 Sự thay đổi nồng độ QD CdSe theo thời gian phản ứng chế tạo nhiệt độ phản ứng khác nhau: 160oC, 200oC 280oC Để kiểm chứng ổn định độ lặp lại cơng nghệ hóa ướt chế tạo QD CdSe hệ phản ứng ODE - OA, chúng tơi tiến hành thí nghiệm chế tạo hai hệ mẫu QD CdSe 280oC, [OA] = 0,05 M Các mẫu QD CdSe lấy thời gian phản ứng khác nhau: 0,5 phút, phút, phút, phút, 12 phút, 20 phút, 30 phút, 40 phút, 50 phút 60 phút Trên Hình 3.18 (a,b,c) tương ứng trình bày thay đổi đường kính trung bình, nồng độ QD PL FWHM hệ mẫu QD CdSe theo thời gian phản ứng chế tạo điều kiện công nghệ 55 Hình 3.18 (a) Sự thay đổi kích thước; (b) nồng độ QD CdSe (c) PL FWHM theo thời gian phản ứng hệ mẫu QD CdSe chế tạo điều kiện công nghệ: 280oC, [OA] = 0,05 M Có thể nhận thấy thay đổi theo thời gian phản ứng đường kính trung bình, nồng độ QD CdSe PL FWHM hai thí nghiệm tương tự, điều chứng tỏ lặp lại ổn định điều kiện thực nghiệm 56 Thời gian sống QD CdSe tính tốn từ việc làm khớp mơ hình phân rã hàm e mũ theo công thức sau: −𝑡 𝐼 = ∑𝑛 𝑎𝑛 exp ( ) 𝜏 (3.4) 𝑛 Trong đó: I cường độ huỳnh quang thời gian t; an biên độ, 𝜏𝑛 thời gian sống huỳnh quang, với n ≤ Thời gian sống trung bình tính tốn theo cơng thức: 〈𝜏〉 = ∑𝑛 𝑎𝑛 𝜏𝑛 (3.5) ∑𝑛 𝑎𝑛 Trên Hình 3.19 trình bày phổ PL phân giải theo thời gian mẫu QD CdSe chế tạo thời gian phản ứng khác nhau: phút, 20 phút 60 phút Các mẫu chế tạo nhiệt độ 280oC, [OA] = 0,05 M Các đường liền nét màu đen đường làm khớp sử dụng tổng hai hàm phân giã e mũ Dựa vào kết làm khớp mơ hình hàm e mũ cơng thức 3.5, chúng tơi tính thời gian sống trung bình QD CdSe thời gian phản ứng phút, 20 phút 60 phút tương ứng 9,19 giây; 9,94 giây 11,71 giây Hình 3.19 Phổ PL phân giải thời gian mẫu QD CdSe chế tạo nhiệt độ 280oC, [OA] = 0,05 M với thời gian phản ứng khác nhau: phút, 20 phút 60 phút 3.3 Khảo sát đặc trưng phonon quang 57 Trên Hình 3.20 (a) trình bày phổ RS QD CdSe đo nhiệt độ phòng Q trình tán xạ nhiều phonon (đến cấp 3) ghi nhận cách rõ ràng cho phép nghiên cứu ảnh hưởng hiệu ứng kích thước đến phổ dao động chúng Để thấy đặc trưng phổ RS phụ thuộc mạnh vào kích thước QD, Hình 3.20 (b) trình bày phổ RS vùng số sóng từ 125 đến 260 cm-1 QD CdSe với kích thước khác nhau, kí hiệu từ Q1 đến Q5 : Q1(d = 5,06 nm), Q2(d = 5,27 nm), Q3(d = 5,49 nm), Q4(d = 5,72 nm), Q5(d = 5,84 nm) Các mẫu QD CdSe chế tạo nhiệt độ phản ứng 280oC, [OA] = 0,05 M Các phép đo RS thực dạng rắn Đỉnh xuất phía tần số thấp qui cho đặc trưng phonon quang bề mặt (SO) Hình 3.20 (a) Phổ RS QD CdSe, (b) Phổ RS QD CdSe có kích thước khác vùng số sóng từ 125 đến 260 cm-1 Vị trí đỉnh phonon quang dọc (LO) dịch phía tần số thấp (dịch đỏ) so với tinh thể CdSe khối (213 cm -1), đồng thời với mở rộng bất đối xứng phía tần số thấp Sự thay đổi đặc trưng đỉnh LO hệ giam giữ phonon quang QD [25] Sự mở rộng bất đối xứng phía tần 58 số thấp đỉnh LO đóng góp phonon quang bề mặt [26,27] Khi kích thước giảm, dịch đỏ mở rộng bất đối xứng đỉnh phonon LO tăng thể tăng hiệu ứng giam giữ phonon Phổ RS làm khớp với mơ hình giam giữ lượng tử phonon Campell Fauchet (CF) [24], kết hợp với hàm Lorent đặc trưng cho đóng góp phonon SO: I() = ILO() + ISO() Trong đó: ILO() mơ hình CF I SO    B SO   SO    2SO (3.6) Với B hệ số tỉ lệ; SO SO FWHM tần số phonon SO Kết làm khớp đường liền nét trình bày Hình 3.21, phonon LO đường đứt nét phonon SO đường chấm chấm 59 Hình 3.21 Phổ RS QD CdSe với kích thước khác Đường liền đường làm khớp, đường đứt nét đường chấm chấm đỉnh LO SO 60 Các giá trị làm khớp cho Bảng 3.5 Kích thước QD nhận từ việc làm khớp có tăng tương đối so với kết nhận từ phương pháp thực nghiệm Yu Sai số nhỏ khơng tính đến phân bố kích thước mơ hình CF Cường độ phonon SO giảm, phản ánh giảm phonon bề mặt kích thước tăng Bảng 3.5 Các giá trị nhận từ việc làm khớp phổ thực nghiệm với công thức lý thuyết I() Mẫu d (nm) ISO/ILO SO (cm-1) SO (cm-1) Q1 5,2 0,44 180 38 Q2 5,4 0,39 180 44 Q3 5,8 0,38 184 54 Q4 6,1 0,36 192 55 Q5 6,3 0,26 196 62 61 KẾT LUẬN Đã chế tạo QD CdSe có kích thước khác hệ phản ứng ODE - OA phương pháp hóa ướt, sử dụng dung dịch tiền chất Se ODE khuấy nhiệt độ 180oC Đây phương pháp chế tạo QD CdSe không sử dụng ligand trioctylphosphine - loại ligand có giá thành cao độc hại Trong hệ phản ứng ODE - OA, cấu trúc tinh thể QD CdSe nhận hồn tồn có cấu trúc ZB, ligand OA đóng vai trò ảnh hưởng đến hình thành pha cấu trúc tinh thể ZB QD CdSe Đã khảo sát ảnh hưởng nhiệt độ phản ứng, thời gian phản ứng đến kích thước, nồng độ QD PL FWHM Tại nhiệt độ phản ứng cao (280 oC), trình phát triển kích thước xảy nhanh hơn, điểm hội tụ PL FWHM đạt giá trị nhỏ Đã khảo sát thời gian sống huỳnh quang QD CdSe có kích thước khác nhau, thời gian sống huỳnh quang lâu QD CdSe có kích thước lớn Đã quan sát thấy đặc trưng phonon quang bề mặt tần số thấp QD có kích thước khác Khi kích thước giảm, dịch đỏ LO tăng thể hiệu ứng giam giữ phonon 62 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Y.-J Lee, Y.-C Yao, M.-T Tsai, A.-F Liu, M.-D Yang, J.-T Lai, Current matching using CdSe quantum dots to enhance the power conversion efficiency of InGaP/GaAs/Ge tandem solar cells, Opt Express 21 (2013) A953 doi:10.1364/OE.21.00A953 [2] K Surana, P.K Singh, H.W Rhee, B Bhattacharya, Synthesis, characterization and application of CdSe quantum dots, J Ind Eng Chem 20 (2014) 4188-4193 doi:10.1016/j.jiec.2014.01.019 [3] C.B Murray, D.J Norris, M.G Bawendi, Synthesis and Characterization of Nearly Monodisperse CdE (E = S, Se, Te) Semiconductor Nanocrystallites, J Am Chem Soc 115 (1993) 8706-8715 doi:10.1021/ja00072a025 [4] Z.A Peng, X Peng, Formation of high-quality CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals using CdO as precursor, J Am Chem Soc 123 (2001) 183184 doi:10.1021/ja003633m [5] C Bullen, P Mulvaney, Nucleation and growth kinetics of CdSe nanocrystals in octadecene, Nano Lett (2004) 2303-2307 doi:10.1021/nl0496724 [6] J Wang, H Zhao, Y Zhu, Y Song, Shape-Controlled Synthesis of CdSe Nanocrystals via a Programmed Microfluidic Process, J Phys Chem C 121 (2017) 3567-3572 doi:10.1021/acs.jpcc.6b10901 [7] J Li, J.-B Xia, Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots, Phys Rev B 61 (2000) 15880-15886 doi:10.1103/PhysRevB.61.15880 [8] B Ma, A.Y K, Quantum Confinement Effects on Absorption Spectrum Line Broadening of CdSe Artificial Atoms, 14 (2016) 1-12 [9] V LaMer, R Dinegar, Theory, production and mechanism of formation of monodispersed hydrosols, J Am Chem … 72 (1950) 4847-4854 doi:10.1021/ja01167a001 63 [10] D V Talapin, A.L Rogach, A Kornowski, M Haase, H Weller, Highly Luminescent Monodisperse CdSe and CdSe / ZnS Nanocrystals Synthesized in a Hexadecylamine − Trioctylphosphine Oxide − Trioctylphospine Mixture, Nano Lett (2001) 207-211 doi:10.1021/nl0155126 [11] W.W Yu, X Peng, Formation of high-quality CdS and other II-VI semiconductor nanocrystals in noncoordinating solvents: Tunable reactivity of monomers, Angew Chemie - Int Ed 41 (2002) 2368-2371 doi:10.1002/1521-3773 [12] Q Dai, D Li, S Jiang, H Chen, Y Wang, S Kan, B Liu, Q Cui, G Zou, Synthesis of monodisperse CdSe nanocrystals directly open to air : Monomer reactivity tuned by the selenium ligand, 292 (2006) 14-18 doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.04.097 [13] C Bullen, J Van Embden, J Jasieniak, J.E Cosgriff, R.J Mulder, E Rizzardo, M Gu, C.L Raston, High activity phosphine-free selenium precursor solution for semiconductor nanocrystal growth, Chem Mater 22 (2010) 4135-4143 doi:10.1021/cm903813r [14] B Xing, W Li, H Dou, P Zhang, K Sun, Systematic study of the properties of CdSe quantum dots synthesized in paraffin liquid with potential application in multiplexed bioassays, J Phys Chem C 112 (2008) 14318-14323 doi:10.1021/jp8045577 [15] L Liu, Q Peng, Y Li, Preparation of CdSe quantum dots with full color emission based on a room temperature injection technique, Inorg Chem 47 (2008) 5022-5028 doi:10.1021/ic800368u [16] K.P Rice, A.E Saunders, M.P Stoykovich, Seed-mediated growth of shape-controlled wurtzite CdSe nanocrystals: Platelets, cubes, and rods, J Am Chem Soc 135 (2013) 6669-6676 doi:10.1021/ja402240m [17] D V Talapin, J.H Nelson, E V Shevchenko, S Aloni, B Sadtler, A.P Alivisatos, Seeded growth of highly luminescent CdSe/CdS nanoheterostructures with rod and tetrapod morphologies, Nano Lett (2007) 2951-2959 doi:10.1021/nl072003g 64 [18] J Jasieniak, C Bullen, J Van Embden, P Mulvaney, Phosphine-free synthesis of CdSe nanocrystals, J Phys Chem B 109 (2005) 2066520668 doi:10.1021/jp054289o [19] A Nag, A Hazarika, K V Shanavas, S.M Sharma, I Dasgupta, D.D Sarma, Crystal Structure Engineering by Fine-Tuning the Surface Energy :, (2011) 706-712 [20] J Van Embden, P Mulvaney, Nucleation and growth of CdSe nanocrystals in a binary ligand system, Langmuir 21 (2005) 1022610233 doi:10.1021/la051081l [21] Q Dai, S Kan, D Li, S Jiang, H Chen, M Zhang, S Gao, Y Nie, H Lu, Q Qu, G Zou, Effect of ligands and growth temperature on the growth kinetics and crystal size of colloidal CdSe nanocrystals, Mater Lett 60 (2006) 2925-2928 doi:10.1016/j.matlet.2006.02.015 [22] W Luan, H Yang, S.T Tu, Z Wang, Open-to-air synthesis of monodisperse CdSe nanocrystals via microfluidic reaction and its kinetics, Nanotechnology 18 (2007) doi:10.1088/0957- 4484/18/17/175603 [23] A.K Arora, M Rajalakshmi, T.R Ravindran, Phonon Confinement in Nanostructured Materials, (2015) [24] I.H Campbell, P.M Fauchet, The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors, Solid State Commun 58 (1986) 739-741 doi:10.1016/0038-1098(86)90513-2 [25] a Singha, B Satpati, P V Satyam, A Roy, Electron and Phonon Confinement and New Surface Phonon Modes in CdSe-CdS Core-Shell Nanocrystals, Coating 17 (2004) 19 doi:10.1088/0953-8984/17/37/008 [26] C Lin, D.F Kelley, M Rico, A.M Kelley, The “surface optical” phonon in CdSe nanocrystals, ACS doi:10.1021/nn5008513 65 Nano (2014) 3928-3938 [27] S.A Cherevkov, A V Fedorov, M V Artemyev, A V Prudnikau, A V Baranov, Anisotropy of electron-phonon interaction in nanoscale CdSe platelets as seen via off-resonant and resonant Raman spectroscopy, Phys Rev B - Condens Matter Mater Phys 88 (2013) 1-5 doi:10.1103/PhysRevB.88.041303 [28] T.K Das, P Ilaiyaraja, C Sudakar, Whispering Gallery Mode Enabled Efficiency Enhancement: Defect and Size Controlled CdSe Quantum Dot Sensitized Whisperonic Solar Cells, Sci Rep (2018) 1-12 doi:10.1038/s41598-018-27969-y [29] X Zhong, Y Feng, Y Zhang, Facile and Reproducible Synthesis of RedEmitting CdSe Nanocrystals in Amine with Long-Term Fixation of Particle Size and Size Distribution, (2007) 526-531 [30] A.T.R Williams, S.A Winfield, J.N Miller, Relative Fluorescence Quantum Yields Using a Com puter-controlled Luminescence Spectrometer *, 108 (1983) 1067-1071 [31] J.T Siy, E.H Brauser, T.K Thompson, M.H Bartl, Synthesis of bright CdSe nanocrystals by optimization of low-temperature reaction parameters, J Mater Chem C (2014) 675-682 doi:10.1039/c3tc32343a [32] M.L Landry, T.E Morrell, T.K Karagounis, C.H Hsia, C.Y Wang, Simple syntheses of CdSe quantum dots - SI, (2014) [33] B Hou, D Benito-Alifonso, R Webster, D Cherns, M.C Galan, D.J Fermín, Rapid phosphine-free synthesis of CdSe quantum dots: promoting the generation of Se precursors using a radical initiator, J Mater Chem A (2014) 6879-6886 doi:10.1039/C4TA00285G [34] A Al Salman, Spectroscopy and Kinetic Studies of Electron-Hole Recombination in CdSe Nanoparticles : Effect of Size , Shape , and Lattice Structure, 3767 (2007) [35] W.W Yu, L Qu, W Guo, X Peng, Experimental determination of the extinction coefficient of CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals, Chem Mater 15 (2003) 2854-2860 doi:10.1021/cm034081k 66 ... tài luận văn: Chế tạo nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể CdSe không sử dụng trioctylphosphine Mục tiêu nghiên cứu Chế tạo NC CdSe hệ phản ứng ODE - OA, tức hệ phản ứng không sử dụng TOP... KHOA HỌC VŨ THỊ HỒNG NGÂN CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ CdSe KHÔNG SỬ DỤNG TRIOCTYLPHOSPHINE Ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ QUANG HỌC Người hướng dẫn... chế tạo NC CdSe hệ phản ứng ODEOA phương pháp nghiên cứu sử dụng để khảo sát đặc trưng quang mẫu Chương thảo luận kết đạt Chương TỔNG QUAN CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ