Chương 3.2) Giả sử Vo>Vγ1, Vo>Vγ2 => a)R=10K => I1=0.0125(A), I2=-0.0025(A) b)R=1K => I1=0.057(A), I2=0.042(A) 3.3 a) Vi = VR +Vz Vz = 50V -> VR =200 – 50 = 150V Ii = Iz + IL nên Iz max IL ngược lại Khi Iz = 40mA -> IL =0 -> Ii =40mA R = 150V/40mA = 3750 Ohm Imax = Ii – Iz = 40mA - 5mA = 35mA b) IL = 25mA, Iz = 5-40mA -> Ii = 30 - 65mA -> VR = 82.5 - 178.75 V -> giới hạn tầm Vi 132.5 – 228.75 V 3.4) R=100K a) b) - Khi - Khi c) d) Nếu kể đến điện dung tiếp giáp Cd đầu diode ta phải giải bt độ + t = 0- Vi = -12 D off Vo = R/(R+Rr) Vi = 105/(105+103) (-12) = -1.1 Vd(0-) = Vi –V0 = -10.9 V + < t < T1 < = 1ms: D off Vod(0-) = -10.9 Cd đảo chiều điện tích tai thời điểm T1 Vod(T2) = V γ + 0.5 => D on Vo = Vi – [vc(t)] = Vi + 10.9 = 1.09 + 21.8 Gọi t= T1- , Vcd = Vγ = 0.5V => Vo = 12-0.5=11.5 11.5 = 1.09+ 21.8 => T1= 0.67ns + T1< t < = 1µs : Vi=12 V, Vcs(T1-)= 0.5V D on Vo = Vi + + Vcd(T2) Với τ1 = (R7 // R).Cd = ( 1K // 100K) 10pF = 9,9 10-5 µs Vo(t) = 12 – [0.619 – 0.119 ] Vo(1µs-) = 12- 0.619 = 11.581 +Tp < tRC =1170 Ohm I1= (V1 – VBES)/R1 = (3 – 0.7)/R1 = 0.4Ma ->R1 = 5750 Dùng CT (vd3.4.5) V1 = [(VCC - VCES)/(RCβ) + (VBES + VBB)/R2]R1 +VBES ->R2 >2333.3 ->R2 =2400 b) biên độ mức thấp V2 = VOL = 0.4V, I2 = IOL = 4mA dung CT (vd 3.4.6) VT = (R2V2 – R1VBB)/(R1+R2) = (2400X0.4)/(5750 + 2400) = 0.118 RB = (R1R2)/(R1+R2) = 1693 Điều kiện tắt: ICBORB – VT = VBEOFF ICBO < VT/RB = 0.07mA ICBO tăng lần nhiệt độ tăng 10 độ C ICBO = 100nA T=25 độ C ICBO = 0.0515mA T=115 độ C ICBO = 0.102mA T=125 độ C Để thỏa điều kiện , chọn ICBO = 0.0515 ->nhiệt độ cực đại mạch hoạt động 115 độ C c) IC = 50mA , β= 100 I2 = VBES/R2 = 0.7/2400 = 0.3mA ->IB = 0.1mA ->IC = 50Ma > ΒIB = 10Ma ->Q khơng bão hòa ->mạch hoạt động sai -> tăng trở RC để giảm dòng Ic cho phù hợp 3.7 a =0 Va = Vt = =0 để off: Vt + Icbo.Rb < Vbe off (1) mà Rb = (R1+R2) // R2 = Vz < b tương tự câu a Vi=0 Vt = ; Rb= Ib= = Ic = = => Rc = = 123 Qsat => Ic = Ib.β => Ib = = 10-3 = Chọn Rb = 1/10 beta Rc = 1230 Vt = 11.47 Do rz bỏ rz Vt = = 11.47 Rb = = 1230 mà Vz=0 (do Vi=0 , zener off) R1= 27853 R2=1287 3.8 β = 100, Ies = 20mA, Vcc = 12 Vces = 0.3 Vγ = 0.5 Vbes = 0.7 β = 100 => α= => Ic = Ie = 20mA β = Ic/ Ib => Ib = 0.2mA Vi = Rb Ib + Vbes + Re Ie (1) = Rb 0.2.10-3 + 0.7 + Re 20 10-3 Vcc = Ic Rc +Vces + Ie Re (2) Rb = 1/10 β Re (3) (1) (2) (3) => Rb = 1955, Re = 195.5, Rc= 389.5 ... – 11.4 (V µs) Vo(2µs)= -4. 93 Vo (3 s)= -2 .37 5 3. 5) a) b) 3. 6 a) giá trị phân cực để Qsat xung tích cực mức cao V1 = VOH = 3V, I1 = IOH = 0.4mA bán dẫn Si {VCES = 0.3V, VBES = 0.7V, VBEOFF = 0}... VCES)/RC = (12 – 0 .3) /RC = 10Ma ->RC =1170 Ohm I1= (V1 – VBES)/R1 = (3 – 0.7)/R1 = 0.4Ma ->R1 = 5750 Dùng CT (vd3.4.5) V1 = [(VCC - VCES)/(RCβ) + (VBES + VBB)/R2]R1 +VBES ->R2 > 233 3 .3 ->R2 =2400 b)... Vo = Vi-[-0.119 (1- ) + 0.5 (1- ) + 0.5] = -12 –[0 .38 1 + 0. 238 = -12 .38 1 – 0. 238 Tại t= T2: Vcd(i2-) = 0.5V Vo = -12 - 0.5 = -12 .38 1 – 0. 238 T2 = 1.007µs + T1< t Vi= - 12 D off Vcd( T2- )=0.5V