Đồ án Thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu một pha

Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên MỤC LỤC GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên LỜI CẢM ƠN Trong trình thực đề tài mặc dù gặp phải rất nhiều những vấn đề khó khăn song với hướng dẫn của thầy Nguyễn Đình Hùng với chỉ bảo của thầy cô giáo Khoa Điện – Điện Tử lỗ lực không ngừng của nhóm, đến chúng em đa hoàn thành đề tài Tuy nhiên, kiến thức của chúng em còn hạn chế, nên không thê tránh khỏi những thiếu sót Vì chúng em rất mong nhận những ý kiến đóng góp chân thành từ phía thầy Nguyễn Đình Hùng, thầy giáo Khoa Điện – Điện Tử bạn đọc đê đề tài của chúng em ngày hoàn thiện phát triên lên mức cao thời gian gần nhất Sau thời gian thực đề tài khoa, chúng em đa học hỏi rất nhiều kinh nghiệm kiến thức Các thầy cô gióa khoa đa nhiệt tình chỉ bảo Đặc biệt hướng dẫn rất nhiệt tình của thầy Nguyễn Đình Hùng đa giúp chúng em hoàn thành đề tài Chúng em xin chân thành cảm ơn! GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Nhận xét giáo viên hướng dẫn GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên LỜI NÓI ĐẦU Ngày với phát triên nhanh chóng của kỹ thuật bán dẫn công suất lớn, thiết bị biến đổi điện dùng linh kiện bán dẫn công suất đa sử dụng nhiều công nghiệp đời sống nhằm đáp ứng nhu cầu ngày cao của xa hội Trong thực tế sử dụng điện ta cần thay đổi tần số của nguồn cung cấp, biến tần sử dụng rộng rai truyền động điện, thiết bị đốt nóng cảm ứng, thiết bị chiếu sáng Bộ nghịch lưu biến tần gián tiếp biến đổi chiều thành xoay chiều có ứng dụng rất lớn thực tế hệ truyền động máy bay, tầu thuỷ, xe lửa Trong thời gian học tập nghiên cứu, học tập nghiên cứu môn Điện tử công suất ứng dụng của nó lĩnh vực của hệ thống sản xuất đại Vì đê có thê nắm vững phần lý thuyết áp dụng kiến thức đó vào thực tế, chúng em nhận đồ án môn học với đề tài: “Thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu pha” Với đề tài giao, chúng em đa vận dụng kiến thức của đê tìm hiêu nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt chúng em tìm hiêu sâu vào tính tốn thiết kế phục vụ cho việc hoàn thiện sản phẩm Dưới hướng dẫn chỉ bảo nhiệt tình của thầy Nguyễn Đình Hùng với cố gắng nỗ lực của thành viên nhóm chúng em đa hoàn thành xong đồ án của Tuy nhiên thời gian kiến thức còn hạn chế nên không tránh khỏi thiếu sót thực đồ án Vì chúng em rất mong nhận nhiều ý kiến đánh giá, góp ý của thầy cô giáo, bạn bè đê đề tài hồn thiện GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên CHƯƠNG GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CƠ SỞ LÝ LUẬN ĐỀ TÀI 1.1 IC ổn áp 7805 1.1.1 Sơ đồ chân Hình 1.1: Sơ đồ chân IC 78XX Nhìn từ trái qua phải chân số 1, 2, của IC - Chân số 1: Input (chân vào) Chân số 2: GND (nối mass) Chân số 3: Output (chân ra) 1.1.2 Chức IC 7805 thuộc họ IC78xx họ IC ổn áp có chức tạo điện áp ở đầu cố định ở mức (+) xx V - 78 họ IC lấy điện áp dương (+) XX số của điện áp lấy Lưu ý: Điện áp đầu vào của IC phải lấylớn điện áp đầu 3V trở lên Ví dụ IC 7805 Vin phải 8V trở lên 1.1.3 Ứng dụng Được dùng đê thiết kế nguồn đơn giản cung cấp điện áp cho mạch điện không đòi hỏi điện áp ổn định cao 1.1.4 Một vài thông số IC 7805 - Dòng cực đại có thê trì 1A Dòng đỉnh 2,2A Cơng śt tiêu tán cực đại không dùng tản nhiệt: 2W Công suất tiêu tán dùng tản nhiệt đủ lớn: 15W Công suất tiêu tán ổn áp nối tiếp tính sau: GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Pd = (Ui – Uo) I Trong đó: - Ui – áp lối vào ,Uo – áp lối I – dòng sử dụng µA7805C Đặc tính Điều kiện IO = mA to A, Output voltage (Điện VI = V to 20 V PD ≤ 15 W áp ra) TJ† 25°C 0°C to MIN TYP 4.8 MAX 5.2 5.25 4.75 Đơn vị V 125°C Input voltage regulation VI = V to 25 V 25°C 100mV ( Sự ổn áp đầu vào) Output voltage regulation IO = mA to 1.5 A 25°C mV 15 ( Sự ổn áp đầu vào) Temperature IO = mA coefficient of output voltage (Hệ số nhiệt độ điện áp ra) Output noise voltage( f = 10 Hz to 100 kHz 100 0°C 125°C to -1,1 100 mV/°C 25°C 40 µV 25°C V Điện áp tạp nhiễu) Dropout voltage( Điện IO = A áp rơi) Bảng 1.1: Một vài thông số của IC 7805 1.2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 1.2.1 Cấu trúc và ký hiệu Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điêm khác có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter( tương tự cực gốc) với collector(tương tự với cực máng), mà n-n ở MOSFET Vì có thê coi IGBT tương đương với transistor p-n-p với dòng base điều khiên bởi MOSFET Dưới tác dụng của áp điều khiên Uge>0, kênh dẫn với hạt mang điện điện tử hình thành, giống ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyên phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p ở cấu trúc giữa base collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Hình 1.2: a) Cấu trúc IGBT b) Sơ đồ tương đương của IGBT 1.2.2 Nguyên lý làm việc - Phân cực cho IGBT U CE >0,sau đó vào cực G điện áp điều khiên Uge>0 với giá trị đủ lớn Khi đó hình thành kênh dẫn với hạt điện từ giống MOSFET hạt điện tử di chuyên phía cực C, vượt qua lớp tiếp giáp P-N tạo nên dòng Colector - Thời gian đóng cắt của IGBT nhanh transistor thường , trê mở khoảng 0,15ms, trễ khóa khoảng 1ms Công suất điều khiên IGBT rất nhỏ thường mở dạng điện áp điều khiên +-15V Đê mở thường cấp tín hiệu +15V,khóa cấp tín hiệu -15V 1.2.3 Vùng làm việc an toàn (Safe Operating Area) Vùng làm việc an toàn thê dạng đồ thị quan hệ giữa điện áp giá trị dòng điện lớn nhất mà phần tử có thê hoạt động chế độ, dẫn, khóa, trình đóng cắt Khi điện áp đặt lên cực điều khiên emitor dương hình thư hai điện áp âm Khi điện áp điều khiên dương, SOA có dạng hình chữ nhật với góc hạn chế ở phía trên, bên phải, tương ứng với chế độ dòng điện điện áp lớn Điều có nghĩa chu kì đóng cắt ngắn, ứng với tần số làm việc cao khả đóng cắt cơng GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên suất suy giảm Khi đặt điện áp điều khiên âm lên cực điều khiên emitor, SOA lại bị giới hạn ở vùng công suất lớn tốc độ tăng điện áp lớn dẫn đến xuất dòng điện lớn đưa vào vùng p của cực điều khiên, tác dụng giống dòng điều khiên làm IGBT mở trở lại tác dụng cấu trúc của thyristor Tuy nhiên khả chịu đựng tốc độ tăng áp ở IGBT lớn nhiều so với ở phần tử bán dẫn công suất khác Giá trị lớn nhất của dòng cho phép collector cho phép Icm chọn cho tránh tượng chốt giữ dòng, không khóa lại được, giống ở thyristor Hơn nữa, điện áp điều khiên lớn nhất Uge phài chọn đê có thê giới hạn dòng điện Ice giới hạn lớn nhất cho phép điều kiện có ngắn mạch cách chuyên đổi bắt buộc từ chế độ bao hòa sang chế độ tuyến tính Khi đó dòng Ice giới hạn khơng đổi, không phụ thuộc vào điện áp Uce lúc đó Tiếp theo IGBT phải khóa lại điều kiện đó, nhanh tốt đê tránh phát nhiệt mạnh Tránh tượng chốt giữ dòng cách liên tục theo dõi dòng collector điều cần thiết thiết kế IGBT 1.3 IC IR2110 IGBT phần tử bán dẫn có tính nắng ưu việt khả đóng cắt nhanh, công suất điều khiên nhỏ, thay cho transistor cơng śt thường Vì thế, điều kiện mở khóa của nó có những yêu cầu đặc biệt.Khó khăn việc điều khiên với sườn xung dựng đứng Thờigian tạo sườn xung chỉ cỡ 0.1us hoặc nhỏ Nhưng tụ kí sinh giữa cực điều khiên với gốc S, giữa cực G với cực máng D cản trở tốc độ thay đổ của tín hiệu điều khiên 1.3.1 Sơ đồ chân IR2110 Hình 1.3: Sơ đồ chân IR 2110 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Hình 1.4: Sơ đồ khối IR2110 Hình 1.5: Giản đồ sóng Input Output của IC IR2110 Chân 1: Cổng điều khiên cho mức thấp Chân 2: Phản hồi ở mức thấp Chân 3: Chân nối với nguồn đê cấp cho IC từ 10 đến 20 V Chân 5: Điện áp treo trả mức cao Chân 6: Điện áp treo mức cao Chân 7: Cổng điều khiên cho mức cao Chân 9: Điện áp cấp theo mức từ Vss+3 đến Vss+20 Chân 10: Tín hiệu vào cho cổng điều khiên ở mức cao Chân 11: Đầu vào theo mức đê tắt Chân 12: Tín hiệu vào cho cổng điều khiên ở mức thấp Chân 13: Chân cấp mass cho IC GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên 1.3.2 Chức Các vi mạch chuyên dụng phục vụ cho khâu xung điều khiên cuối driver Tuy nhiên, thời gian khóa của IGBT bị kéo dài tải có thê bị kéo khỏi chế dộ bao hòa, tổn thất phần tử tăng vọt, gây pha hỏng phần tử vật, driver cho IGBT thường mạch lái(hybrid)- tức driver thường kết hợp mạch bảo vệ tải Đặc biệt, những driver cho IGBT công nghiệp những mạch ghép phức tạp đê đảm bảo an toàn cho van bán dẫn chế độ làm việc IGBT sử dụng mạch nghịch lưu có tần số đóng cắt cao từ đến hang chục nghìn KHz Sự cố thường xảy nhất dòng ngắn mạch từ phía tải hoặc từ phía phần tử đóng cắt Vì vậy, đê điều khiên cho IGBT ta dung IC chuyên dụng IR2110 1.4 IC SG3525 1.4.1 Sơ đồ chân Hình 1.6: Sơ đồ chân IC SG 3525 - Điện áp hoạt động đến 35VDC - Dải tần số của dao động từ 100HZ tới 400 KHz 10 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng n CHƯƠNG TÍNH TỐN, THIẾT KẾ MẠCH NGHỊCH LƯU ÁP PHA 2.1 Sơ đồ khối toàn mạch 19 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên KHỐI KHỐI ĐIỀU KHIỂN KHUẾCH ĐẠI NGUỒN 220VAC KHỐI CHỈNH LƯU KHỐI LỌC KHỐI CƠNG SUẤT NGUỒN ĐIỀU KHIỂN Hình 2.1: Sơ đồ khối tồn mạch 20 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng n 2.2 Tính tốn, thiết kế mạch động lực 2.2.1 Sơ đồ nguyên lý mạch động lực Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý mạch động lực 21 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng n 2.2.2 Tính tốn chọn IGBT - Điện áp đặt vào van: U=310V Coi tải trở ta có dòng qua van I= P 500 = = 2.3A U 220 Coi van công suất chọn phải vào thông số dòng điện điện áp mạch Cụ thê van công suất tính chọn phải thỏa điều kiện nhà sản xuất quy định Trong đó thông số thường phải ưu tiên hàng đầu tính chọn va cơng suất điện áp làm việc của van Uv; dòng điện hiệu dụng chảy qua van dòng điện trung bình chảy qua van Trong đó điện áp van c chn phi tha man iu kin =(1.6ữ2) => 2ì310 = 620V Còn dòng điện của van sông suất chọn phụ thuộc vào điều kiện làm mát Nếu va bán dẫn công chỉ làm mát tản nhiệt đối lưu tự nhiên khả chịu dòn điện chỉ 25÷30% dòng định mức ghi van Nếu van bán dẫn công suất làm mát tản nhiệt có quạt gió làm mát khả chịu dòng điện 50÷70% dòng định mức ghi van Nếu van bán dẫn công dược làm mát tản nhiệt có dung dịch làm mát khả chịu dòng điện có thê đạt 100% dòng định mức ghi van.Theo cách ta chọn điều kiện làm mát tản nhiệu đối lưu tự nhiên Vì ta có : I = (25÷30%) IVRMS  IVRMS =(2.3*100)/25=9,2A Chọn van có: = 600V = 10A Căn vào tính tốn ta có thê chọn IGBT : FGA25N120AN Tính của FGA25N120AN: - Tốc độ chuyên mạch nhanh - Điện áp bao hòa thấp: VCE(sat) =2.5 V, IC =25A - Trở kháng vào cao Hình 2.3: IGBT FGA25N120AN 22 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Ký hiệu Mô tả VCES Điện áp emitter khóa VGES Điện áp gate-emitter FGA25N120AN collector- Đơn vị 1200 V ± 20 V IC Dòng điện colltter chiều (TC=100oC) 25 A ICM Dòng điện đỉnh collectter lặp lại 75 A PD Công suất tiêu tán cực đại (TC=100oC) 125 W TJ Nhiệt độ chuyên tiếp Ký hiệu Định nghĩa - o 55 đến +150 Điều kiện Type C Đơn vị VGE(th) Điện áp gate-emitter ngưỡng 5.5 V VCE(sat) Điện áp collector-emitter bao VCC= 600 V, Ic= 25A, 2.5 hòa RG= 10Ω , VGE= 15V, V td(on) Thời gian trễ mở 60 ns td(off) Thời gian trễ đóng 170 ns tr Thời gian tăng trưởng 60 ns TC = 25°C Bảng 2.1: Một số thông số của FGA25N120A 2.2.3 Bảo vệ IGBT Thông thường IGBT sử dụng những mạch đóng cắt tần số cao, từ đến hàng chục kHz Ở tần số đóng cắt cao vậy, những cố có thê phá hủy phần tử rất nhanh dẫn đến phá hỏng toàn thiết bị Sự cố thường xảy nhất dòng ngắn mạch từ phía tải hoặc từ phần tử có lỗi chế tạo hoặc lắp ráp Có thê ngắt dòng IGBT cách đưa điện áp điều khiên giá trị âm Tuy nhiên tải dòng điện có thê đưa IGBT khỏi chế độ bao hòa dẫn đến công suất phát nhiệt tăng đột ngột, phá hủy phần tử sau vài chu kỳ đóng cắt Mặt khác khóa IGBT lại 23 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên thời gian rất ngắn dòng điện rất lớn dấn đến tốc độ tăng dòng lớn, gây áp collector, emiter, đánh thủng phần tử Bên cạnh đó sảy cố bất ngờ, những ảnh hưởng nhiễu Chính ta phải tính tốn bảo vệ cho van bán dẫn sảy cố… Đê bảo vệ ngắn mạch tải dòng điện dùng Aptômat hoặc cầu chì - Nguyên tắc chọn thiết bị theo dòng điện với Ibv = (1,1÷1,3)Ilv -Dòng bảo vệ của Aptômat không vượt dòng ngắn mạch của máy biến áp Từ ta chọn cầu chì dê bảo vệ với: Ibv = (1,1÷1,3)Ilv= 1.3*2.3=2.99 (A) Ta chọn cầu chì 3A đê bảo vệ dòng cho IGBT 2.2.4 Tính tốn làm mát cho IGBT Thiết bị bán dẫn rất nhạy cảm với nhiệt độ Nếu làm việc nhiệt độ mặt ghép lớp nhiệt độ cho phép Tjm , có thê gây phá hỏng thiết bị bán dẫn Vì việc tính tốn tỏa nhiệt cho mặt ghép rất cần thiết: + Khi tính tốn sơ đồ đẳng trị nhiệt thê sau: Trong đó: Tj: Là nhiệt độ mặt ghép Tv: Là nhiệt độ vỏ thiết bị bán dẫn Tr: Là nhiệt độ cánh tản nhiệt Ta: Là nhiệt độ khơng khí của môi trường làm việc Rjv: Nhiệt trở giữa mặt ghép vỏ thiết bị bán dẫn Rvt: Nhiệt trở giữa vỏ cánh tán nhiệt Rra: Nhiệt trở cánh tản nhiệt khơng khí mơi trường 24 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Hình 2.4: Sơ đồ đẳng trị nhiệt + Nhiệt độ truyền từ vùng nóng sang vùng lạnh, công suất nhiệt truyền tỉ lệ thuận với nhiệt sai tỉ lệ nghịch với nhiệt trở Rth ∆P= Trong đó T1 nhiệt độ vùng nóng, T2 nhiệt độ vùng lạnh, nhiệt trờ Rth = Rjv + Rvr + Rra tính - Trong toán nhiệt thường đưa cho chúng ta biết Tjm, Ta, Rth, ∆P Yêu cầu xác định biện pháp làm mát đối lưu tự nhiên hay phải quạt mát m/s Hình 2.5: a) Đặc tính vol-ampe b ) Đường cong biêu diễn nhiệt trở cánh tản nhiệt tốc độ quạt làm mát c) Đường cong biêu diễn nhiệt trở cánh tản nhiệt môi trường Với những dữ kiện ta chọn tản nhiệt tản nhiệt đối lưu có T1 = 155 oC, T2 = 30 oC, ∆P = 125 => Rth=1oC/W ta có thê chọn loại tản nhiệt đây: 25 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Hình 2.6: Tản nhiệt tiêu chuẩn 2.2.5 Khuếch đại tín hiệu điều khiển cho IGBT Đê khuếch đại tín hiệu điều khiên IGBT có phương án: - Biến áp xung IC chuyên dụng Transistor Khuếch đại biến áp xung có khả cách ly khó khăn cách sử dụng chế tạo Khuếch đại transistor nhỏ gọn biến áp xung chỉ dùng cho mạch công suất nhỏ Khuếch đại IC chuyên dụng mạch sử dụng IC IR2110 vừa đáp ứng tần số lớn vừa sử dụng dễ không đòi hỏi kiến thức chuyên sâu 26 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng n 2.3 Tính tốn, thiết kế mạch điều khiển 2.3.1 Sơ đồ nguyên lý mạch điều khiển Hình 2.8: Sơ đồ ngyên lý mạch điều khiên 2.3.2 Tính tốn tần số đầu mạch điều khiển Tần số của nghịch lưu f=50Hz ta phải tính tốn tần số xung của IC SG3525 cho có tần số 50Hz 27 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Hình 2.9: Sơ đồ khối của IC SG3525 Tần số của dao động IC SG3525 tính theo cơng thức (theo datasheet): f = CT (0.7.R T + 3RD ) Như tần số của dao động phụ thuộc vào CT, RT RD Tần số của dao động gấp đôi tần số đầu nên đê muốn tần số của đầu 50Hz fosc=100Hz Ta chọn CT=0.1uF RD=220 Ω thay vào công thức trên: 100 = 0.1.10 (0.7.R T + 3.220) −6 ta suy RT=141.9 kΩ  Chúng ta chọn RT biến trở 100k trở thường 100k 2.4 Sơ đồ nguyên lý và nguyên lý hoạt động toàn mạch 2.4.1 Sơ đồ nguyên lý toàn mạch Hình 2.10: Sơ đồ ngun lý tồn mạch 28 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên 29 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên 2.4.2 Nguyên lý hoạt động toàn mạch Khi cấp nguồn SG3525 hoạt động tạo xung 50Hz xung của SG3525 phụ thuộc vào điện trở RT ,RD, CT Đê có thê điều chỉnh tần số phát ta mắc biến trở 150k chân đó ta thay đổi dài tần số của nó Tín hiệu xung ở chân 11 chấn 14 lệch pha 180 độ Tín hiệu ở hai chân đưa vào chân 10 12 của IR2110 ( chân H IN LIN ) khuếch đại cách ly với mạch điều khiên Tín hiệu của IR2110 HO LO kích cho cặp IGBT mạch cầu Q1 Q2 Q3 Q4 Khi có xung điều khiên vào van Giả sử nửa chu kì đầu Q1 Q4 mở cho dòng chạy qua tải đấy Q2 Q3 bị khóa lại, dòng điện qua Q1 đến tải qua Q4 nguồn Nửa chu kì sau Q3 Q2 mở còn Q1 Q4 khóa lại dòng từ Q4 đến tải qua Q1 nguồn Khi đóng cắt liên tục van khôn thê đảo chiều cách đột ngột Nên diode nội bên van có nhiệm dẫn giòng suy giảm dần, khiến van kịp thời khóa lại Quá trình đóng cắt liên tục tạo dòng điện qua tải biến thiên ngược chiều 30 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên CHƯƠNG KHẢO SÁT, ĐÁNH GIÁ 3.1 Khảo sát tín hiệu mạch điều khiển Hình 3.1: Ouput driver của SG3525 Tín hiệu của Sg3525 ở chân 11 (tín hiệu màu đỏ) 14 (tín hiệu màu vàng) Hai xung điều khiên lệch pha 180 độ Tần số 50Hz duty 47% đa đảm bảo tần số thời gia mở van 3.2 Khảo sát tín hiệu mạch khuếch đại Hình 3.2: Tín hiệu LO của IR2110 31 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên Tín hiệu đầu của LO của IC IR 2110 tín hiệu màu đỏ tín hiệu của LO vào điều khiên Q2 Còn tín hiệu màu vàng tín hiệu vào điều khiên Q4 Hai tín hiệu ở LO đầu giống tín hiệu Lin đầu vào ( tín hiệu Hin đầu vào lấy từ chân 14 của Sg3525 ) có tần số giống 50Hz, duty 47% Bên cạnh đó tín hiệu lệch pha 180 độ đảm bào điều kiện Q2 mở Q4 khóa ngược lại Hình 3.3: Tín hiệu HO của IR2110 Tín hiệu đầu của HO cuar IR2110 khơng đo lúc nên ta khảo sát từng kênh Trên hình tín hiệu của IR2110 tín hiệu của IC tương tự lệch pha Tín HO giống với tín hiệu đầu vào Hin ( lấy từ chân 11 của SG3525 ) có tần số 50Hz duty 47% 32 GVHD:Nguyễn Đình Hùng Khoa Điện_Điện Tử ĐH SPKT Hưng Yên 3.3 Tài liệu tham khảo [1] Lê Văn Doanh: Điện tử công suất, NXB Khoa học Kỹ Thuật, 2009 [2] Võ Minh Chính, Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh: Điện tử cơng suất, NXB Khoa học Kỹ Thuật, 2005 [3] Trần Trọng Minh: Điện tử công suất, NXB Giáo Dục, 2004 [4] Nguyễn Bính: Điện tử cơng śt, NXB Kỹ Thuật, 2007 [6] Vũ Trung Học: Điện tử công suất, NXB Kỹ Thuật, 2004 [6] Nguyễn Đình Hùng: Giáo trình điện tử cơng śt [7] Đỡ Cơng Thắng: Giáo trình điện tử cơng śt 33 GVHD:Nguyễn Đình Hùng ... số pha tùy ý Tần số điện áp nghịch lưu nói chung có thê điều chỉnh 1.5.2 Mạch nghịch lưu pha nguồn dòng dùng máy biến áp có điểm a) Sơ đồ ngun lý Hình 1.8: Sơ đồ nguyên lý mạch nghịch lưu. .. phần lý thuyết áp dụng kiến thức đó vào thực tế, chúng em nhận đồ án môn học với đề tài: Thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu pha Với đề tài giao, chúng em đa vận dụng kiến thức của đê tìm... thuộc vào nhịp phát xung mở T1,T2 1.5.3 Mạch nghịch lưu nguồn dòng dùng sơ đồ cầu H a) Sơ đồ nguyên lý Hình 1.9: Sơ đồ nguyên lý mạch nghịch lưu dòng pha sơ đồ cầu H b) Nguyên lý làm việc Các tín