Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 81 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
81
Dung lượng
1,57 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM - TRẦN VĂN THỪA MÔPHỎNGGIẢITHUẬTTÌMĐIỂMCƠNGSUẤTCỰCĐẠICỦAHỆTHỐNGPINQUANGĐIỆNCÓXÉTĐẾNHIỆUỨNGBÓNGRÂM LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành: Kỹ thuậtđiện Mã số ngành: 60520202 TP HỒ CHÍ MINH, tháng 04 năm 2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM - TRẦN VĂN THỪA MƠPHỎNGGIẢITHUẬTTÌMĐIỂMCƠNGSUẤTCỰCĐẠICỦAHỆTHỐNGPINQUANGĐIỆNCÓXÉTĐẾNHIỆUỨNGBÓNGRÂM LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành: Kỹ thuậtđiện Mã số ngành: 60520202 CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS HUỲNH CHÂU DUY TP HỒ CHÍ MINH, tháng 04 năm 2018 CƠNG TRÌNH ĐƯỢC HỒN THÀNH TẠI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHỆ TP HCM Cán hướng dẫn khoa học : PGS TS Huỳnh Châu Duy (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Luận văn Thạc sĩ bảo vệ Trường Đại học Công nghệ Tp HCM ngày … tháng … năm … Thành phần Hội đồng đánh giá Luận văn Thạc sĩ gồm: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị Hội đồng chấm bảo vệ Luận văn Thạc sĩ) TT Họ tên Chức danh Hội đồng Chủ tịch Phản biện Phản biện Ủy viên Ủy viên, Thư ký Xác nhận Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận sau Luận văn sửa chữa (nếu có) Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV TRƯỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHỆ TP.HCM CỘNG HỊA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM VIỆN ĐÀO TẠO SAU ĐẠI HỌC Độc lập – Tự – Hạnh phúc Tp HCM, ngày tháng năm 2018 NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: Trần Văn Thừa Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: Nơi sinh: Chuyên ngành: Kỹ thuậtđiện MSHV: I- Tên đề tài: Môgiảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm II- Nhiệm vụ nội dung: - Nghiên cứu đặc tính pinquangđiện - Nghiên cứu, xây dựng mơ hình hệthốngpinquangđiện - Nghiên cứu hiệuứngbóngrâmhệthốngpinquangđiện - Nghiên cứu đề xuất giảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm - Môhệthốngpinquangđiện - Môgiảithuật đề xuất giảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm III- Ngày giao nhiệm vụ: IV- Ngày hoàn thành nhiệm vụ: V- Cán hướng dẫn: PGS TS Huỳnh Châu Duy CÁN BỘ HUỚNG DẪN (Họ tên chữ ký) KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH (Họ tên chữ ký) LỜI CAM ÐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng Các số liệu, kết nêu Luận văn trung thực chưa đuợc công bố cơng trình khác Tơi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực Luận văn đuợc cảm ơn thơng tin trích dẫn Luận văn đuợc rõ nguồn gốc Học viên thực Luận văn Trần Văn Thừa LỜI CÁM ƠN Đầu tiên, Em xin chân thành cám ơn Trường Đại học Công nghệ TP HCM, Viện đào tạo sau đại học, Viện Kỹ thuật HUTECH hỗ trợ, tạo điều kiện thuận lợi cho em hồn thành khóa học đề tài luận văn Đặc biệt em xin chân thành cám ơn Thầy, PGS TS Huỳnh Châu Duy tận tình giúp đỡ, đóng góp ý kiến quý báo hướng dẫn em thực hoàn thiện luận văn Cuối cùng, xin cảm ơn tập thể lớp 16SMĐ12, đồng nghiệp gia đình tạo điều kiện thuận lợi, giúp đỡ q trình thực luận văn Trần Văn Thừa Tóm tắt Hiệusuất mảng pinquangđiện mặt trời (PV - photovoltaic) bị ảnh hưởng nhiệt độ, độ xạ, bóng râm, cấu hình mảng PV Thông thường, mảng PV nhận bao trùm bóng tối hồn tồn phần, đám mây trơi qua, tòa nhà lân cận, cối, cột điện Trong điều kiện bóng râm, đặc tính P-V phức tạp hơn, với nhiều điểmcực trị Điều làm cho việc theo dõi điểmcôngsuấtcựcđại (MPP - maximum power point) thực tế nhiệm vụ khó khăn Những hạn chế cố hữu chung hệthống gió quangđiện tính chất khơng liên tục chúng mà làm cho chúng cóhiệusuất thấp Để nâng cao hiệusuất độ tin cậy cho hệ PV, nhiều kỹ thuật MPPT nhiều người nghiên cứu phổ biến thuật toán P&O (Perturb and Observe) Luận văn thực nghiên cứu hệ PV điều kiện không đồng tế bào pin mặt trời hay điều kiện môi trường thay đổi PV bị che phần Thuật toán P&O đề xuất áp dụng cho việc tìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệ PV Đề tài luận văn “Mô giảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóng râm” lựa chọn thực mà bao gồm nội dung sau: + Chương 1: Giới thiệu chung + Chương 2: Cơ sở lý thuyết pinquangđiện + Chương 3: Nghiên cứu giảithuậttìmđiểmcôngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm + Chương 4: Mơgiảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm + Chương 5: Kết luận hướng phát triển tương lai Abstract The performance of a photovoltaic (PV) array is affected by temperature, irradiation, shading and configuration Normally, the PV array gets covered in full or partial shadows, by passing clouds, neighboring buildings, trees, poles, etc In shaded conditions, the P-V characteristics are more complex, with many extreme points This makes the monitoring of the maximum power point (MPP) to become a difficult task The inherent limitations of wind and solar systems are their intermittent nature that makes them inefficient To improve the efficiency and reliability of PV systems, there are many MPPT algorithm proposed Among them, the P & O (Perturb and Observe) algorithm is the most popular MPPT technique This thesis studies the PV system under heterogeneous conditions of solar cell or changed environmental conditions such as PV partially shading The P & O algorithm is also proposed to apply for finding the MPP of this PV system under shading conditions The topic thesis, "Simulation on a maximum power point searching algorithm considering partial shading conditions" is selected to implement which includes the following contents: + Chapter 1: Introduction + Chapter 2: Background to photovoltaic systems + Chapter 3: Proposal a maximum power point searching algorithm considering partial shading + Chapter 4: Simulation results + Chapter 5: Conclusions and future works i MỤC LỤC Mục lục i Danh sách hình vẽ iii Chương - Giới thiệu chung 1.1 Giới thiệu 1.2 Mục tiêu nghiên cứu 1.3 Phạm vi nghiên cứu 1.4 Nội dung nghiên cứu 1.5 Ý nghĩa đề tài 1.6 Tổng quan tình hình nghiên cứu 1.7 Bố cục luận văn Chương - Cơ sở lý thuyết pinquangđiện 2.1 Giới thiệu 2.2 Hệthốngpinquangđiện 2.2.1 Nguyên lý hoạt động tế báo quangđiện 11 2.2.2 Ảnh hưởng độ xạ nhiệt độ lên quangđiện 12 2.2.3 Phân loại hệthống PV 14 2.2.4 Ưu khuyết điểm lượng mặt trời 16 2.2.5 Hiệu chỉnh khí 17 2.3 Hiệu chỉnh bám điểmcôngsuấtcựcđại 17 2.3.1 Khảo sát hệ PV điều kiện không bị che 19 2.3.2 Khảo sát hệ PV điều kiện cóbóngrâm 22 Chương - Nghiên cứu giảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm 26 3.1 Giới thiệu 26 3.2 Bộ biến đổi DC/DC 28 ii 3.2.1 Bộ biến đổi Buck 28 3.2.2 Bộ biến đổi Boost 31 3.2.3 Bộ biến đổi Buck - Boost 32 3.3 Điều khiển biến đổi DC/DC 33 3.3.1 Điều khiển điện áp hồi tiếp 34 3.3.2 Điều khiển dòng điện hồi tiếp 34 3.4 Thuật toán xác định điểmcôngsuấtcựcđại 35 3.4.1 Thuật toán Perturbation & Observation (P&O) 35 3.4.2 Thuật toán Incremental Conductance (IC) 38 3.4.3 Thuật toán điện áp không đổi 41 3.4.4 Thuật tốn dòng điện ngắn mạch 42 Chương - Mơgiảithuậttìmđiểmcơngsuấtcựcđạihệthốngpinquangđiệncóxétđếnhiệuứngbóngrâm 44 4.1 Giới thiệu 44 4.2 Xây dựng mơ hình mơhệthốngpinquangđiện 44 4.3 Kết mô cho array pinquangđiện 49 4.3.1 Trường hợp không bị bóngrâm 49 4.3.2 Trường hợp bị bóngrâm 52 4.4 Kết luận 64 Chương - Kết luận hướng phát triển tương lai 65 5.1 Kết luận 65 5.2 Hướng phát triển tương lai 65 Tài liệu tham khảo 67 54 100 90 80 Dien ap, V (Volt) 70 60 50 40 30 20 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.16 Điện áp ngõ hệpinquang điện, trường hợp 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t(ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.17 Cường độ dòng điệnhệpinquang điện, trường hợp Hình 4.15 - 4.17 đặc tuyến công suất, điện áp cường độ dòng điệnhệpinquangđiện tương ứng với module số 19 bị che Trong trường hợp số module bị che không đáng kể tương ứng với lượng xạ giảm không đáng kể Vì vậy, cơngsuất thu hệpinquangđiện không bị ảnh hưởng nhiều 55 VMPP = 65,67 (V); IMPP = 30,97 (A); PMPP = 2033,8 (W) 4.3.2.2 Trường hợp Giả sử array bị che phần với xạ nhận module là: G13 = G19 = G20 = 700 (W/m2), module lại khơng bị che có G = 1000 (W/m2) Hình 4.18 Array pinquangđiện bị bóngrâm Module 13, 19 20 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 Hình 4.19 Đặc tuyến V-I xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp 100 56 2000 1800 Cong suat, P (Watt) 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 100 Hình 4.20 Đặc tuyến V-P xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp Tương tự, Hình 4.19 - 4.20 biểu diễn đặc tuyến V-I V-P hệpinquangđiệnxétđếnhiệuứngbóngrâm module số 13, 19 20 Do ảnh hưởng hiệuứngbóngrâm đặc tuyến V-P, Hình 4.20 xuất nhiều điểmcực trị, số điểmcực trị tồn điểmcựcđại tồn cục mà thuật tốn P&O cần xác định thực điều khiển bám điểmcơngsuấtcựcđại tồn cục này, nhằm đảm bảo côngsuất thu hệpinquangđiệncựcđại 2000 1800 Cong suat, P (Watt) 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.21 Cơngsuất thu hệpinquang điện, trường hợp 57 100 90 80 Dien ap, V (Volt) 70 60 50 40 30 20 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.22 Điện áp ngõ hệpinquang điện, trường hợp 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.23 Cường độ dòng điện ngõ hệpinquang điện, trường hợp Hình 4.21 - 4.23 đặc tuyến công suất, điện áp cường độ dòng điệnhệpinquangđiện tương ứng với module số 13, 19 20 bị che Trong trường hợp số module bị che đáng kể, 03 module Khi ấy, lượng xạ nhận hệpinquangđiện giảm đáng kể, cơngsuất thu hệpinquangđiện bị ảnh hưởng giảm lượng ∆P = 2095,51 - 1799,87 = 295,64 W VMPP = 65,26 (V); 58 IMPP = 27,58 (A); PMPP = 1799,87 (W) 4.3.2.3 Trường hợp Giả sử array bị che phần với xạ nhận module là: G7 = G13 = G14 = G19 = G20 = G21 = 700 (W/m2), module lại khơng bị che có G = 1000 (W/m2) Hình 4.24 Array pinquangđiện bị bóngrâm Module 7, 13, 14, 19, 20 21 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 Hình 4.25 Đặc tuyến V-I xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp 100 59 1800 1600 Cong suat, P (Watt) 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 100 Hình 4.26 Đặc tuyến V-P xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp Tương tự, Hình 4.25 - 4.26 biểu diễn đặc tuyến V-I V-P hệpinquangđiệnxétđếnhiệuứngbóngrâm module số 7, 13, 14, 19, 20 21 Do ảnh hưởng hiệuứngbóngrâm đặc tuyến V-P, Hình 5.20 xuất nhiều điểmcực trị, số điểmcực trị tồn điểmcựcđại tồn cục mà thuật tốn P&O cần xác định thực điều khiển bám điểmcơngsuấtcựcđại tồn cục này, nhằm đảm bảo côngsuất thu hệpinquangđiệncựcđại 1800 1600 Cong suat, P (Watt) 1400 1200 1000 800 600 400 200 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.27 Cơngsuất thu hệpinquang điện, trường hợp 60 80 70 Dien ap, V (Volt) 60 50 40 30 20 10 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.28 Điện áp ngõ hệpinquang điện, trường hợp Cuong dong dien, I (Ampe) 24 22 20 18 16 14 12 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.29 Cường độ dòng điện ngõ hệpinquang điện, trường hợp Hình 4.27 - 4.29 đặc tuyến công suất, điện áp cường độ dòng điệnhệpinquangđiện tương ứng với module số 7, 13, 14, 19, 20 21 bị che Trong trường hợp số module bị che đáng kể, 06 module Khi ấy, lượng xạ nhận hệpinquangđiện giảm đáng kể, cơngsuất thu hệpinquangđiện bị ảnh hưởng giảm lượng ∆P=2095,51 - 1706,96 = 388,55W VMPP = 72,39 (V); IMPP = 23,58 (A); 61 PMPP = 1706,96 (W) 4.3.2.4 Trường hợp Giả sử array bị che phần với xạ nhận module là: G1 = G7 = G8 = G13 = G14 = G15 = G19 = G20 = G21 = G22 = 700 (W/m2), module lại khơng bị che có G = 1000 (W/m2) Hình 4.30 Array pinquangđiện bị bóngrâm Module 1, 7, 8, 13, 14, 15, 19, 20, 21 22 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 Hình 4.31 Đặc tuyến V-I xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp 100 62 1800 1600 Cong suat, P (Watt) 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 10 20 30 40 50 60 Dien ap, V (Volt) 70 80 90 100 Hình 4.32 Đặc tuyến V-P xétđếnhiệuứngbóng râm, trường hợp Tương tự, Hình 4.31 4.32 biểu diễn đặc tuyến V-I V-P hệpinquangđiệnxétđếnhiệuứngbóngrâm module số 1, 7, 8, 13, 14, 15, 19, 20, 21 22 Do ảnh hưởng hiệuứngbóngrâm đặc tuyến V-P, Hình 4.32 xuất nhiều điểmcực trị, số điểmcực trị tồn điểmcựcđại tồn cục mà thuật tốn P&O cần xác định thực điều khiển bám điểmcôngsuấtcựcđại tồn cục này, nhằm đảm bảo cơngsuất thu hệpinquangđiệncựcđại 1800 1600 Cong suat, P (W) 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.33 Cơngsuất thu hệpinquang điện, trường hợp 63 100 90 80 Dien ap, V (Volt) 70 60 50 40 30 20 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.34 Điện áp ngõ hệpinquang điện, trường hợp 35 Cuong dong dien, I (Ampe) 30 25 20 15 10 0 0.5 1.5 2.5 Thoi gian, t (ms) 3.5 4.5 x 10 Hình 4.35 Cường độ dòng điện ngõ hệpinquang điện, trường hợp Hình 4.33 - 4.35 đặc tuyến cơng suất, điện áp cường độ dòng điệnhệpinquangđiện tương ứng với module số 1, 7, 8, 13, 14, 15, 19, 20, 21 22 bị che Trong trường hợp số module bị che đáng kể, 10 module Khi ấy, lượng xạ nhận hệpinquangđiện giảm đáng kể, cơngsuất thu hệpinquangđiện bị ảnh hưởng giảm lượng, ∆P=2095,51 - 1668,21 = 427,30 (W) VMPP = 71,63 (V); 64 IMPP = 23,29 (A); PMPP = 1668,21 (W) 4.4 Kết luận Trong trường hợp xétđếnhiệuứngbóng râm, cơngsuất thu ln nhỏ trường hợp khơng bị bóngrâm Tùy theo tỷ lệ bóngrâm mà cơngsuất thu hệpinquangđiện bị suy giảm tương ứng Bằng việc sử dụng thuật toán P&O phục vụ cho việc tìm kiếm điểmcơngsuấtcựcđại tồn cục thực điều khiển bám điểmcôngsuấtcựcđại tồn cụcthơng qua chuyển đổi côngsuất DC/DC, côngsuất thu hệpinquangđiện đảm bảo giá trị cựcđại 65 Chương Kết luận hướng phát triển tương lai 5.1 Kết luận Luận văn đạt kết bao gồm: - Nghiên cứu khảo sát đặc tính hệpinquangđiện điều kiện nhiệt độ xạ mặt trời khác - Nghiên cứu khảo sát đặc tính hệpinquangđiện điều kiện khơng xétxétđến tượng bóngrâm - Nghiên cứu thuật toán điều khiển bám điểmcơngsuấtcựcđại Trong số thuật tốn nghiên cứu, luận văn sử dụng thuật toán P&O thuật toán đơn giản hiệu để tìm kiếm điểmcơngsuấtcựcđại tồn cục - Các kết mơ cho thấy hiệuthuật toán sử dụng cho việc tìm kiếm điều khiển bám điểmcôngsuấtcựcđại tương ứng với trường hợp che khuất khác Khi ấy, côngsuất thu hệpinquangđiện bị suy giảm tương ứng với tỷ lệ che khuất khác 5.2 Hướng phát triển tương lai Có thể nhận rằng, phạm vi nghiên cứu đề tài giới hạn số điểm mà sở nghiên cứu phát triển tương lai: - Hệpinquangđiện nghiên cứu nghiên cứu mở rộng để cung cấp cho tải AC thông qua biến đổi côngsuất DC/AC với chất lượng điện AC đảm bảo giá trị biên độ dạng sóng điện áp tần số - Hệpinquangđiện nghiên cứu nghiên cứu mở rộng để kết nối với lưới điện quốc gia - Khảo sát nghiên cứu ảnh hưởng ổn định hệthốngđiện kết nối nguồn pinquangđiện vào lưới điện quốc gia 66 - Nghiên cứu tiếp tục phát triển cho thuật tốn bám điểmcơngsuấtcựcđại khác mà nâng cao hiệu khai thác nguồn lượng mặt trời - Nghiên cứu tiếp tục phát triển mà xem xét cho trường hợp hiệuứngbóngrâm khác mà ảnh hưởng đếnhiệusuất khai thác nguồn lượng mặt trời 67 Tài liệu tham khảo [1] N Femia, D Granozio, G Petrone, G Spaguuolo, M Vitelli, “Optimized one-cycle control in photovoltaic grid connected applications”, IEEE Trans Aerosp Electron Syst., Vol 2, No 3, 2006 [2] W Wu, N Pongratananukul, W Qiu, K Rustom, T Kasparis and I Batarseh, “DSP-based multiple peak power tracking for expandable power system”, Proc APEC, 2003 [3] C Hua and C Shen, “Comparative study of peak power tracking techniques for solar storage system”, Proc APEC, 1998 [4] D P Hohm and M E Ropp, “Comparative study of maximum power point tracking algorithms using an experimental, programmable, maximum power point tracking test bed”, Proc Photovoltaic Specialist Conference, 2000 [5] K H Hussein, I Muta, T Hoshino and M Osakada, “Maximum power point tracking: an algorithm for rapidly chancing atmospheric conditions”, IEE Proc Gener Transm Distrib., Vol 142, No 1, 1995 [6] X Sun, W Wu, X Li and Q Zhao, “A research on photovoltaic energy controlling system with maximum power point tracking”, Power Conversion Conference, 2002 [7] T L Kottas, Y S Boutalis and A D Karlis, “New maximum power point tracker for PV arrays using fuzzy controller in close cooperation with fuzzy cognitive network”, IEEE Trans Energy Conv., Vol 21, No 3, 2006 [8] J Jiang, T Huang, Y Hsiao, and C Chen, “Maximum power tracking for photovoltaic for power systems”, Tamkang Journal of Science and Engineering, Vol 8, No 2, 2005 [9] D Sera, T Kerekes, R Teodorescu and F Blaabjerg, “Improved MPPT algorithms for rapidly changing environmental conditions”, IEEE Conference, 2008 68 [10] M A Younis, T Khatib, M Najeeb and A M Ariffin, “An improved maximum power point tracking controller for PV systems using Artificial neural network”, Malaysian Journal, 2012 [11] B Das, A Jamatia, A Chakraborti, P R Kasari and M Bhowmik, “New perturb and observe MPPT algorithm and its validation using data from PV module”, International Journal of Advances in Engineering and Technology, IJAET, Vol.4, Iss 1, pp 579-591, 2012 [12] M Abdulazeez and I Iskender, “Simulation and experimental study of shading effect on series and parallel connected photovoltaic PV modules”, IEEE Conference, pp I28-I32 [13] R Ramaprabha, B L Mathur, “Impact of partial shading on solar PV module containing series connected cells”, International Journal of Recent Trends in Engineering, vol 2, no 7, pp 56-60, 2009 [14] G Venkateswarlu and P S Raju, “Maximization of electrical energy in PV cell using MPPT under partial shaded conditions with uniform isolations”, International Journal of Advanced Engineering Research and Studies, pp 98101, 2011 [15] Trang thông tin điện tử - Dự án lượng tái tạo www.renewableenergy.org.vn [16] Đặng Đình Thống, Cơ sở lượng tái tạo, Nhà xuất khoa học kỹ thuật, 2006 [17] Phạm Văn Để, Điều khiển tối ưu hệthốngpinquang điện, Luận văn Thạc Sĩ, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp HCM, 2014 [18] Trầm Minh Tuấn, Nghiên cứu thiết kế hệthốngđiện mặt trời thích nghi tối ưu, Luận văn Thạc Sĩ, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp HCM, 2013 ... mô hình hệ thống pin quang điện - Nghiên cứu hiệu ứng bóng râm hệ thống pin quang điện - Nghiên cứu đề xuất giải thuật tìm điểm công suất cực đại hệ thống pin quang điện có xét đến hiệu ứng bóng. .. quang điện + Chương 3: Nghiên cứu giải thuật tìm điểm cơng suất cực đại hệ thống pin quang điện có xét đến hiệu ứng bóng râm + Chương 4: Mơ giải thuật tìm điểm cơng suất cực đại hệ thống pin quang. .. quang điện + Chương 3: Nghiên cứu giải thuật tìm điểm cơng suất cực đại hệ thống pin quang điện có xét đến hiệu ứng bóng râm + Chương 4: Mơ giải thuật tìm điểm cơng suất cực đại hệ thống pin quang