BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI ĐIỆN TỬ CĂN BẢN MẠCH PHI TUYẾN TÍNH

Tính mạch tương đương Thevenin của H.2.2 mạch nối với diod.. Giả sử mô hình lý tưởng diod được phân cực bởi nguồn điện 0,6V.. Tính điện trở diod chung quanh điểm tỉnh Q xác định ở câu

Bài tập Ch.2

2.1 Cho mạch theo H.2.1 với diod có I s = 1 pA, V T = 0,025V

Tính:

1 I D

2.  i D i d

3 r d

Giải:

1 Tính ID :

H.2.1

  12  12 12

1, 45

A



2 Tính i d

Tuyến tính hoá trong chế độ tín hiệu nhỏ cho:

   

1

D T

T

v V S

T

I

V I

V





  

Mặt khác, nguồn tác động AC cho bởi:

v VI    I vI 0,7 V  0,001sin  t   V

Nên cho:

 

Tính được:

12 0,7 0,025 10

0,001sin 0.025

1, 45 0,001sin 0,058sin 0,025

D T

S

T





3.Tính rd,

1

0, 025

0,017

1, 45

D T

v V s

d

T D D

I

r

;

Có lại:

 

 

0,001sin

0, 059sin 0,017

D D d

t V v

r









-+

-=0.001sinwt

vi

iD

+ D +

=0,7VVB

2.2.Cho mạch H.2.2

R1 = R2 = R4 = 1 k,

R3 = 0,5 k Diod D 1 có

dòng điện cho bởi:

 v V D T 1

với dòng bảo hoà

I S = 1.10 -9 A và

điện thế nhiệt

V T = 25 mV

1 Tính mạch tương đương Thevenin của H.2.2

mạch nối với diod

2 Giả sử mô hình lý tưởng diod được phân cực bởi nguồn điện

0,6V Tính v D vá i D khi V I = 4V.

3 Tính điện trở diod chung quanh điểm tỉnh Q (xác định ở câu 3)

trong mô hình tuyến tính của diod ở chế độ tín hiệu nhỏ.

4 Dùng mô hình ở phần c, tính vd(t) nếu có

v I = 4V + 0,004 V cos t V

Giải:

1 Mạch điện tương đương Thevenin:

 

I

TH

k







2 Tính thế và dòng :

Vaa’ = (¼) VI= 4/4 = 1V

0,6

1 0, 6

0,8 0,5

D D

k







+ -vI

R1 1k

R2 1k

R3 0.5k

1k

+

-VI

a'

a

R1

1k

R2 1k

R3 0.5k

R4 1k

RTH

a'

a

1k 0.5k+0.5k

RTH

0.5k 1k

R2 1k

R1 1k

+ VI

b' b

RTH a'

a

1k

0.5k 0.5k

+ VI/2

3 Mô hình tuyến tính của diod có giá trị với hoạt động tín hiệu nhỏ chung quanh điểm tỉnh Q xác định ở câu 2:

D T V V D T 9, 44.10 4

d

3 Tính vd(t)

4 3

9, 44.10

0,004 cos 0,5.10

18,88.10 0,004 7,552.10 cos

d

d TH

r

t









v d 7,55.10 cos 9 t

2.3 Cho mạch ở H.2.3 có chứa phần tử phi tuyên với đặc tính sau:

4 2

N

N

i

khi v





i N ( A) và v N (V)

Điện thế ngõ ra v o được viết

gần đúng là tổng hai số hạng:

v V vO  O o

với V O là thành phần điện thế DC

tạo ra do V B và v o diện thế gia tăng

tạo nên do nguồn tín hiệu nhỏ v i H.2.3 Giả sử v i = 10 -3 sinwt V và V B cũng như thành phần phi

tuyến hoạt động với v N = 10V Tính điện thế gia tăng ngõ ra

v o

Giải:

4

3

2 10

1000

500 2

10 sin 500

N

N N

N N

N

di

v dv

dv r







-+

-vi

iN

+ VB

+ vN

VoR