Nghiên cứu ảnh hƣởng của các loại bức xạ năng lƣợng cao đến các tính chất của chấm lƣợng tử CdTe định hƣớng ứng dụng trong môi trƣờng vũ trụ

Header Page of 237 Nghiên cứu ảnh hƣởng loại xạ lƣợng cao đến tính chất chấm lƣợng tử CdTe định hƣớng ứng dụng môi trƣờng vũ trụ Phùng Việt Tiệp Trƣờng Đại học Công nghệ Luận văn Thạc sĩ ngành: Vật liệu linh kiện Nanô Ngƣời hƣớng dẫn: TS Nguyễn Thanh Bình Năm bảo vệ: 2011 Abstract: Giới thiệu chung CdTe, tính chất chung CdTe ứng dụng chúng đời sống Trình bày phƣơng pháp chế tạo mẫu xử lý mẫu Kỹ thuật đo phổ hấp thụ Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang Kỹ thuật đo thời gian sống huỳnh quang Trình bày kết nghiên cứu ảnh hƣởng xạ: xạ tia X, xạ gamma, xạ nơtron nhiệt xạ photon hãm lên tính chất quang học chấm lƣợng tử CdTe thông qua phép đo phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang, thời gian sống huỳnh quang CdTe Keywords: Công nghệ Nano; Bức xạ lƣợng; Mơi trƣờng vũ trụ Content LỜI NĨI ĐẦU Một ứng dụng chấm lƣợng tử CdTe đƣợc nhà nghiên cứu, công nghệ đặc biệt quan tâm sử dụng làm linh kiện quang - điện tử Các linh kiện quang điện tử sử dụng chấm lƣợng tử CdTe có kích thƣớc nhỏ, hiệu suất cao thích hợp sử dụng điều kiện vũ trụ Tuy nhiên điều kiện vũ trụ, linh kiện, vật liệu chịu tác động điều kiện khắc nghiệt nhƣ thay đổi nhiệt độ lớn, ảnh hƣởng trực tiếp tia vũ trụ nhƣ tia , tia tia X… Nhằm đánh giá khả sử dụng vật liệu CdTe QDs điều kiện vũ trụ chọn “Nghiên cứu ảnh hưởng loại xạ lượng cao đến tính chất chấm lượng tử CdTe định hướng ứng dụng môi trường vũ trụ” đề tài luận văn Luận văn lời mở đầu kết luận, luận văn gồm ba chƣơng: Chương 1: Tổng quan: Giới thiệu chung CdTe, tính chất chung CdTe ứng dụng chúng đời sống Chương 2: Kỹ thuật thực nghiệm: Trình bày phƣơng pháp chế tạo mẫu xử lý mẫu Kỹ thuật đo phổ hấp thụ Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang Kỹ thuật đo thời gian sống huỳnh quang Chương 3: Kết thảo luận: Trình bày kết đo phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang, thời gian sống CdTe chịu ảnh hƣởng điều kiện chiếu xạ khác nhau; biện luận kết thực nghiệm Footer Page of 237 Header Page of 237 CHƢƠNG TỔNG QUAN VỀ NANO TINH THỂ CdTe 1.1 Giới thiệu vật liệu nano Vật liệu có kích thƣớc cấu trúc nano đƣợc hiểu theo nghĩa chung kích thƣớc hạt vật liệu nằm vùng vài nano mét đến nhỏ 100 nm Hình 1.1 Một số thực thể từ nhỏ nguyên tử (kích thước khoảng angstron) đến lớn tế bào động vật (khoảng vài chục micron) [2] Bảng 1.1 Số nguyên tử lượng bề mặt hạt nano cấu tạo từ nguyên tử giống [2] Đƣờng kính Số nguyên tử hạt nano Tỉ số nguyên tử bề (nm) Năng lƣợng bề mặt (erg/mol) mặt (%) Tỉ số lƣợng bề mặt lƣợng toàn phần (%) 10 30.000 20 4,08×1011 7,6 4.000 40 8,16×1011 14,3 250 80 2,04×1011 35,3 90 9,23×1011 82,2 Chẳng hạn, với hạt nano có đƣờng kính nm số ngun tử mà hạt chứa là: 4000 nguyên tử với tỉ số nguyên tử bề mặt 40%, lƣợng bề mặt 8,16×1011 tỉ số lƣợng bề mặt lƣợng toàn phần 14,3% Do vậy, hiệu ứng hoá–lý, quang phổ liên quan tới trạng thái bề mặt cần đƣợc đặc biệt lƣu ý nghiên cứu vật liệu có cấu trúc nano Footer Page of 237 Header Page of 237 Hình 1.2 Mối quan hệ tỉ số nguyên tử bề mặt tổng số nguyên tử với số lớp nguyên tử khác cấu trúc nano.[2] Hình 1.3 Sự thay đổi hình thái từ tinh thể dạng khối tới chấm lượng tử dẫn tới cấu trúc vùng lượng hàm mật độ trạng thái chất bán dẫn thay đổi theo 1.2 Tính chất chung CdTe 1.2.1 Tính chất cấu trúc Bảng 1.2 Các thông số mạng tinh thể số hợp chất thuộc nhóm A 2B6 [4] Hợp chất Loại trúc thể cấu Nhóm tinh xứng gian đối khơng a=b (Ao) ZnS Lập phƣơng F 3m( Td ) Lục giác P63mc( C 6v ) ZnO Lập phƣơng F 3m( Td ) Lục giác P63mc( C 6v ) CdS Lập phƣơng F 3m( Td ) Lục giác P63mc( C 6v ) CdTe Lập phƣơng F 3m( Td ) Lục giác P63mc( C 6v ) ZnSe Lập phƣơng F 3m( Td ) Lục giác P63mc( C 6v ) Hằng số mạng c (Ao) u(Ao) c/a 2 2 Footer Page of 237 5.4000 3.8200 6.2340 4.2700 3.2495 5.2059 5.8350 4.1360 6.7134 1.6230 6.4780 4.5700 7.4370 1.6270 5.6670 4.0100 6.5400 1.6310 1.6360 0.3450 1.6020 Header Page of 237 Hình 1.5 Cấu trúc Hình 1.4 Cấu trúc mạng tinh thể giả kẽm liên kết tứ vùng lượng CdTe diện đối xứng lập phương (a) cấu trúc vùng Bảng 1.3 Các thông số vùng lượng CdTe Brillouin(b) Thông số Giá Trị Tài liệu tham khảo Lattice constant, a(Å) at 298 K 6.4802 [27] Energy gap at K, Eg (eV) 1.622 [17] 1.605, 1.6058 [21, 26] 1.606 [20] 0.0963 ±0.0008 [19] Heavy hole effective mass, m0* mh 0.81 ±0.05 [23] Light hole effective mass, m0* ml 0.12 ±0.02 [8] Spin-orbit splittering, Δ0 (eV) 0.91 [9] P L ER Electron effective mass, m0* me Footer Page of 237 Header Page of 237 1.2.2 Tính chất quang Hình 1.6 Phổ hấp thụ (trái) phổ phát xạ (phải) chấm lượng tử CdTe bọc TGA (thiolglycolic acid) dung môi H2O Màu sắc chấm lượng tử thay đổi từ đỏ đến xanh ứng với giảm dần kích thước trung bình chấm lượng tử [28-29] Hình 1.7 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử keo CdTe kích cỡ khác nhau, tăng khoảng 2-20 nm [15] Hình 1.8 Phổ hấp thụ phổ huỳnh quang QDs tình tổng hợp Footer Page of 237 Header Page of 237 1.2.3 Ảnh hƣởng điều kiện bên ngồi lên tính chất CdTe 1.2.3.1 Ảnh hƣởng cơng suất chiếu xạ lên tính chất quang QDs CdTe Hình 1.9 Phổ hấp thụ (a) vị trí đỉnh phổ (b) mầm chấm lượng tử CdTe sau xử lí nhiệt độ cơng suất khác lị vi sóng [6] Hình 1.10 Phổ huỳnh quang (a) độ bán rộng đỉnh huỳnh quang (b)của mầm chấm lượng tử CdTe sau xử lý nhiệt cơng suất khác lị vi sóng.[6] 1.2.3.2 Ảnh hƣởng nhiệt độ chiếu xạ lên tính chất quang QDs CdTe Phổ hấp thụ phổ huỳnh quang mẫu có thời gian chiếu xạ khác với công suất 300W đƣợc trình bày Hình 1.11 1.12 Hình 1.11 Phổ hấp thụ (a) vị trí đỉnh phổ (b) chấm lượng tử CdTe khảo sát theo thời gian xử lý nhiệt lị vi sóng [6] Footer Page of 237 Header Page of 237 Hình 1.12 Phổ huỳnh quang (a) độ bán rộng đỉnh phổ (b) chấm lượng tử Cdte khảo sát theo thời gian xử lý nhiệt lị vi sóng [6] Bảng 1.4 Ước tính sản lượng loại vật liệu thiết bị nano khác giới sở tổng quan Tạp chí Hóa học Quốc tế ( 2003 - 2004 ) nghiên cứu thị trường (BCC 2001) [7] Sản lượng ước tính ( tấn/năm ) 1.3 Ứng dụng nano tinh thể CdTe Footer Page of 237 Header Page of 237 Hình 1.14 MW CdTe PV Array, Waldpolenz, Đức Bảng 1.5 Sản lượng điện pin mặt trời sản xuất toàn giới [7] CHƢƠNG KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 2.1 Các phƣơng pháp chế tạo vật liệu nano Có hai phƣơng thức để tổng hợp vật liệu nano: phƣơng thức ―xuất phát từ bé‖ (bottom–up) phƣơng thức ―xuất phát từ to‖ (top–down) Phƣơng thức ―xuất phát từ to‖ thƣờng phƣơng pháp vật lý đƣợc thực cách nghiền tinh thể khối thành tinh thể có cấu trúc nano, ngƣời ta chia nhỏ, ―đẽo gọt‖ vật thể lớn để tạo vật liệu có cấu trúc nano có tính chất mong muốn Phƣơng pháp ―xuất phát từ bé‖ thƣờng phƣơng pháp hóa học, ngƣời ta lắp ghép hạt có kích thƣớc cỡ ngun tử, phân tử cỡ nano mét để tạo vật liệu có cấu trúc nano tính chất mong muốn 2.2 Chế tạo mẫu Các mẫu CdTe sử dụng nghiên cứu luận văn đƣợc tổng hợp phƣơng pháp bottom up chế tạo viện Khoa học Vật liệu viện Khoa học Công nghệ Việt Nam Footer Page of 237 Header Page of 237 Hình 2.1 Phổ nhiễu xạ tia x mẫu CdTe QDs tổng hợp 120o sau phút Trên góc ảnh TEM phân giải cao [5] 2.3 Xử lý mẫu Các mẫu sau tổng hợp đƣợc mang chiếu xạ nguồn chiếu xạ khác Chúng sử dụng nguồn chiếu xạ để xử lý mẫu là: phát nơtron, tia-X, xạ photon hãm tia-Gama Các mẫu đƣợc xử lý Viện Vật lý trung tâm gia tố Hình 2.2 Các mẫu CdTe chiếu xạ với điều kiện khác nhau: Chiếu xạ photon hãm, chiếu xạ nơtron, không chiếu xạ, chiếu xạ tia gama, chiếu xạ tia X (từ trái qua phải) với tỉ lệ nồng độ 100µl:1600µl 2.4 Kỹ thuật đo phổ hấp thụ Hình 2.3 Hệ đo phổ hấp thụ Cary 5000 (Viện Khoa học Vật liệu) Footer Page of 237 Header Page 10 of 237 Hình 2.4 Sơ đồ nguyên lý hệ đo hấp thụ quang học UV-VIS-NIR 2.5 Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang Phổ huỳnh quang đƣợc ghi nhận hệ đo phổ huỳnh quang Cary Eclipse phân giải cao Viện Vật Lý (hình 2.5) Nguyên tắc hoạt động phổ kế Cary Eclipse đƣợc cho hình 2.5 Hình 2.5 Hệ đo phổ huỳnh quang Cary Eclipse 2.6 Kỹ thuật đo thời gian sống huỳnh quang Hình 2.7 Nguyên lý phép đo TCSPC Footer Page 10 of 237 10 Header Page 11 of 237 Hình 2.8 Sơ đồ nguyên lý hệ đo TCSPC CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Phổ hấp thụ CdTe chịu ảnh hƣởng điều kiện chiếu xạ khác 460 480 500 520 540 560 580 600 620 640 0.10 0.10 CdTe - CdTe - N CdTe - G CdTe - P CdTe - X ~537 Cuong chuan hoa 0.08 0.06 0.08 0.06 ~522 0.04 0.04 0.02 0.02 0.00 Hình 3.1 Phổ hấp thụ CdTe với điều kiện chiếu xạ khác (sau chiếu tuần) 0.00 500 600 Buoc song(nm) Bảng 3.1 Số liệu đo phổ hấp thụ thời điểm sau chiếu tuần thời điểm sau chiếu tuần ST T Kí hiệu mẫu Tên mẫu M1org 100:1 600 M1-N 100:1 600 Mẫu CdTe chƣa xử lý Mẫu CdTe chiếu tia Nơtron Mẫu CdTe chiếu tia Gama Mẫu CdTe Footer Page 11 of 237 M1-G 100:1 600 M1-X 100:1 Cƣờng độ tƣơng đối đỉnh hấp thụ (a.u) Ngay Sau sau chiếu chiếu tháng 0.04 0.24 Bƣớc sóng đỉnh hấp thụ (nm) Ngay Sau sau chiếu chiếu tháng 523 523 0.042 0.26 522 522.5 0.044 0.17 522 521 0.043 0.23 522.5 520.5 11 Header Page 12 of 237 600 M1-P 100:1 600 chiếu tia X Mẫu CdTe chiếu xạ photon hãm 0.085 0.43 537 530 3.2 Phổ huỳnh quang CdTe chịu ảnh hƣởng điều kiện chiếu xạ khác 1.0 CdTe -0 CdTe - G CdTe - N CdTe - X CdTe - P ~589 ~563.5 Cuong chuan hoa 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 450 500 550 600 650 700 Buoc song (nm) Hình 3.2 Phổ huỳnh quang CdTe với điều kiện chiếu xạ khác bước sóng kích thích λkt= 488nm (sau chiếu tuần) ~563 1.0 CdTe -0 CdTe - G CdTe - N CdTe - X CdTe - P ~581 Cuong chuan hoa 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 450 500 550 600 650 700 Buoc song (nm) Hình 3.3 Phổ huỳnh quang CdTe với điều kiện chiếu xạ khác sau tháng (8 tuần) CdTe -0 CdTe - P (ngay sau chieu) CdTe - P (sau thang) 1.2 ~563 Cuong chuan hoa 1.0 ~581 ~589 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 450 500 550 600 650 700 Buoc song (nm) Hình 3.4 Phổ huỳnh quang CdTe trước sau chiếu xạ chùm photon hãm tuần tuần (2 tháng) Footer Page 12 of 237 12 Header Page 13 of 237 3.2.2 Phổ huỳnh quang CdTe chiếu xạ tia Gama theo thời gian 2-564.02 3,4,5-562.98 1-561.04 Cuong chuan hoa 1.0 CdTe-Org-1 CdTe-G2-16h1608-2 CdTe-G2-sau4h-3 CdTe-G2-sau1ngay-4 CdTe-G2-sau2ngay-5 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 480 500 520 540 560 580 600 620 640 Buoc song (nm) Hình 3.5 tuần CdTe-Org CdTe-G2-sau tuan CdTe-G2-sau tuan CdTe-G2-sau tuan Cuong chuan hoa 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 450 500 550 600 650 Buoc song (nm) Hình 3.6 Phổ huỳnh quang mẫu CdTe trƣớc chiếu xạ sau chiếu xạ tia Gama (CdTe-G2) tuần, tuần tuần CdTe-Org(1) CdTe-G1(2) CdTe-G1-sau1ngay(3) CdTe-G1-sau2ngay(4) (3),(4)-561.94 Cuong chuan hoa 1.0 (1)-561.04 (2)-562.98 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 480 500 520 540 560 580 600 620 640 Buoc song (nm) Hình 3.7 tuần Tóm lại, so sánh phổ huỳnh quang mẫu CdTe QDs trƣớc sau chiếu xạ thấy mẫu sau chiếu xạ không bị thay đổi cấu trúc phổ độ rộng phổ nhiên đỉnh phổ bị dịch phía bƣớc sóng dài Theo thời gian đỉnh phổ lại hồi phục vị trí trƣớc chiếu xạ Điều giải thích lệch mạng tinh thể chiếu xạ theo thời gian mạng tinh thể CdTe hồi phục trạng thái cân nhƣ trƣớc chiếu xạ Footer Page 13 of 237 13 Header Page 14 of 237 3.3 Thời gian sống CdTe chịu ảnh hƣởng điều kiện chiếu xạ khác 3.3.1 Thời gian sống CdTe chịu ảnh hƣởng điều kiện chiếu xạ khác Photon counts (chuan hoa) M1_Org M1_Gray M1_Nray M1_Xray M1_Photon 0.1 0.01 50 100 150 200 250 Thoi gian (ns) Hình 3.8 Đường cong suy giảm huỳnh quang mẫu CdTe/CdS colloidal QDs chiếu xạ khác (sau chiếu tuần) Trên hình ảnh đƣờng cong suy giảm huỳnh quang mẫu CdTe/CdS colloidal QDs chiếu xạ khác Thời gian sống huỳnh quang mẫu chiếu xạ xạ khác khơng có thay đổi nhiều (từ 21 đến 22ns) ngoại trừ mẫu chiếu xạ photon hãm có thay đổi đáng kể 27ns, kết phù hợp với kết đo huỳnh quang giải thích thay đổi tinh thể dƣới điều kiện chiếu xạ 0.1 0.01 M1_Photon1 M1_Photon2 Photon counts - chuan hoa Photon X_ray Gamma Neutron Photon counts - Chuan hoa 0.1 0.01 50 100 150 200 250 Thoi gian (ns) Hình 3.9 Đường cong suy giảm huỳnh quang mẫu CdTe/CdS colloidal QDs chiếu xạ khác (sau chiếu tuần) 50 100 150 200 Thoi gian (ns) 250 Hình 3.10 Đường cong suy giảm huỳnh quang mẫu CdTe - P sau chiếu tuần sau chiếu tuần Thời gian sống huỳnh quang mẫu chiếu xạ xạ photon hãm CdTe – P hai thời điểm khác khơng có thay đổi nhiều: 27.04ns (sau chiếu tuần) 26.21ns (sau chiếu tuần) 3.3.2 Thời gian sống CdTe chịu ảnh hƣởng chiếu xạ Gama theo thời gian Footer Page 14 of 237 14 Header Page 15 of 237 Hình 3.11 (a)Đường cong suy giảm phát quang phát xạ exciton từ chấm lượng tử CdSe 620 nm ± nm, (b) tốc độ phát xạ exciton phụ thuộc vào tần số phát quang chấm lượng tử CdTe[12] λ CdTeorg 480 21.317 23.39 908 24.018 26.90 64 76 28.615 30.10 78 217 28.377 30.60 18 035 490 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 610 620 29.105 68 30.446 89 31.092 42 31.127 14 31.154 48 31.491 48 32.149 21 32.589 35 32.959 27 33.807 33.926 89 Footer Page 15 of 237 30.89 42 31.44 081 31.99 557 31.92 931 31.91 584 31.99 596 32.96 375 33.45 33.80 997 34.32 601 35.25 302 CdTeGama16h17 0811480 24h (1ngay ) 23.216 89 26.294 04 29.639 81 30.392 15 30.920 15 31.393 84 31.369 55 31.203 04 31.765 61 31.788 76 32.559 93 32.947 59 33.351 47 34.205 67 34.933 07 CdTeGama16h18 0811480 7ngay CdTeGama16h19 0811480 14nga y CdTeGama16h24 0811480 30 22.653 64 26.010 77 29.466 30.343 16 21.445 24 25.596 29.214 92 30.255 31 21.404 37 24.538 48 28.672 30.942 30.903 16 31.121 42 31.107 15 31.419 27 31.747 73 32.489 41 32.784 92 33.305 38 34.121 29 34.530 16 30.704 75 30.767 71 31.127 08 31.311 41 31.667 71 31.815 68 32.259 67 32.455 45 32.968 58 34.023 05 34.540 81 15 29.576 25 29.923 77 30.823 68 31.180 31.334 84 31.580 31.645 33 32.223 71 32.218 83 33.088 69 33.732 34.798 58 Bảng 3.2: Các giá trị khớp theo hàm stretchedexponential đường cong suy giảm phát quang chấm lượng tử CdTe theo bước sóng, mẫu khơng xử lý mẫu CdTe chiếu xạ tia Gama CdTe-Org CdTe-gama(0h) CdTe-gama(1ngay) 36 34 32 Thoigiansong ns CdTeGama16h16 0811480 0h 30 28 26 24 22 20 460 480 500 520 540 560 580 600 620 640 Buocsong nm CdTe-gama(7ngay) CdTe-gama(14ngay) CdTe-gama(30ngay) 36 34 32 Thoigiansong ns CdTeorg 30 28 26 24 22 20 460 480 500 520 540 560 580 600 620 640 Buocsong nm Hình 3.12 Đồ thị phụ thuộc theo bƣớc sóng thời gian sống chấm lƣợng tử CdTe khơng xử lý CdTe chiếu xạ tia Gama Header Page 16 of 237 KẾT LUẬN Sau tiến hành thí nghiệm kết nhƣ sau: - Thực chiếu xạ mẫu CdTe QDs dƣới điều kiện chiếu xạ khác nhau: Bức xạ nơtron nhiệt Bức xạ tia X Bức xạ gamma Bức xạ photon hãm - Các mẫu sau chiếu xạ đƣợc nghiên cứu phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang thời gian sống huỳnh quang Các kết nghiên cứu cho thấy rằng: Sau chiếu xạ phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang mẫu CdTe QDs không bị thay đổi dạng nhiên đỉnh phổ bị dịch phía bƣớc sóng dài Các mẫu chiếu xạ photon hãm có độ dịch đỉnh lớn (25nm sau chiếu) Điều giải thích mẫu chiếu xạ mạng tinh thể bị căng (strain) Các kết đo thời gian sống huỳnh quang cho thấy mẫu sau chiếu xạ thời gian sống huỳnh quang bị thay đổi nhiên thay đổi không nhiều ngoại trừ mẫu chiếu xạ photon hãm phép đo thời gian sống xác định đƣợc tập hợp CdTe QDs có kích thƣớc khác Sau chiếu xạ, theo thời gian đỉnh phổ huỳnh quang CdTe QDs có xu hƣớng dịch vị trí cũ nhƣ trƣớc chiều xạ Điều nói nên hồi phục mạng tinh thể CdTe QDs theo thời gian References Tiếng Việt: [1] PGS.TS Phạm Văn Bền, 2002, Bài giảng huỳnh quang, Trƣờng đại học khoa học tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội [2] Trịnh Thị Kim Chi, 2010, “Hiệu ứng kích thước ảnh hưởng lên tính chất quang CdS, CdSe CuInS2”, luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu, Viện khoa học công nghệ Việt Nam, Hà Nội [3] Trịnh Đình Huy, “Nghiên cứu ứng dụng điều khiển thành công hệ máy phổ kế huỳnh quang Cary Eclipse”,luận văn thạc sỹ vật lý, quang học K15, Viện Vật lý [4] Vũ Thị Thắm, ―Chế tạo, nghiên cứu khảo sát số tính chất quang vật liệu nano ZnS:Mn‖, luận văn thạc sĩ khoa học vật lý, ĐHKHTN – ĐHQGHN, Hà Nội [5] Ứng Thị Diệu Thúy, Phạm Song Toàn, Nguyễn Quang Liêm, Trần Thị Kim Chi, Đinh Duy Khang, Nguyễn Quang Liêm; 2010; ―CdTe quantum dots for an application in the life sciences‖, Nanosci Nanotechnol (2010) 045009 (5pp) [6] Dƣơng Anh Tuấn, Trịnh Đức Thiện, Nguyễn Văn Hùng Phạm Văn Vĩnh, 2009, “Ảnh hưởng việc chiếu xạ sóng Viba lị vi sóng lên tính chất quang chấm lượng tử CdTe nước”, Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 6, khoa Vật lý, Trƣờng Đại học Sƣ phạm Hà Nội, Hà Nội [7].http://hoahoctvu.forumvi.com/search?search_author=langthang&show_results=posts Tiếng Anh: [8] M Cardona, K L Shaklee, and F H Pollak, Phys Rev 154 (1967) 696 Footer Page 16 of 237 16 Header Page 17 of 237 [9] Patrick Ted-Khong Chin ―Luminescent Properties of Semiconductor Nanocrystals‖ Eindhoven University of Technology [10] B O Dabbousi et al., "(CdSe)ZnS Core-Shell quantum dots: synthesis and characterization of a size series of highly luminescent nanocrystallites", J Phys Chem B Vol 101, p 9463 (1997) [11] C de Mello Donegá, M Bode, and A Meijerin (2006), Phys Rev B 74, 085320 [12] A F van Driel, G Allan, C Delerue, P Lodahl, W L Vos, and D Vanmaekelbergh (2005), Phys Rev Lett 95, 236804 [13] Drummen G P C (2010), "Quantum Dots—From Synthesis to Applications in Biomedicine and Life Sciences", International Journal of Molecular Sciences 11, pp 154-163 [14] Al L Efros and M Rosen (1996), Phys Rev B 54, 4843 [15] http://en.wikipedia.org/wiki/Cadmium_telluride [16] R Leon, G M Swift, B Magness, W A Taylor, Y S Tang, K L Wang, P Dowd, and Y H Zhang,"Changes in Luminescence Emission Induced by Proton Irradiation: InGaAs/GaAs Quantum Wells and Quantum Dots", Appl Phys Lett 76, 2071 (2000) [17] N Magnea, J L Pautrat, Properties of narrow gap semiconductors, London: Phys 71 (1992) 4523 [18] Mahto S K., Park C., Yoon T H., Rhee S W (2010), "Assessment of cytocompatibility of surface-modified CdSe/ZnSe quantum dots for BALB/3T3 fibroblast cells", Toxicology in Vitro 24, pp 1070-1077 [19] A L Mears and R A Stradling, Solid State Commun (1969) 1267 [20] D de Nobel, Philips Res Rept 14 (1959) 430 [21] K Oettinger, D M Hofmann, A L Efros, B K Meyer, M Salk, and K W Benz, J Appl [22] P G Piva, R D Goldberg, I V Mitchell, D Labrie, R Leon, S Charbonneau, Z R Wasilewski, and S Fafard, "Enhanced degradation resistance of quantum dot lasers to radiation damage", Appl Phys Lett 77, 624 (2000) [23] R Romestain and C Weisbuch, Phys Rev Letters 45 (1980) 2067 [24] M Saraf, A Sashchiuk and E Lifshitz, (2009) 012024, “Energy Transfer among CdTe tetrapod nanocrystals”, IOP Conf Series: Materials Science and Engineering [25] Smith A M., Mohs A M., Nie S (2009), "Tuning the optical and electronic properties of colloidal nanocrystals by lattice strain", Nature Nanotechnology 4, pp 56-63 [26] S P Tobin and et al, J Electron Mater (1995) 697 ISPEC (1994) 339 [27] M G Williams, R D Tomlinson, and M J Hampshire, Solid State Commun (2003) 1831 [28] A Wolcott, D Gerion, M Visconte, J Sun, A Schwartzberg, S.W Chen and J.Z Zhang (2006), J Phys Chem B 110, 5779 [29] Jin Zhong Zhang (2009), Optical properties and spectroscopy of nanomaterials, World Scientific Publishing Co Pte Ltd., Singapore Footer Page 17 of 237 17 ... 237 1.2.3 Ảnh hƣởng điều kiện bên ngồi lên tính chất CdTe 1.2.3.1 Ảnh hƣởng công suất chiếu xạ lên tính chất quang QDs CdTe Hình 1.9 Phổ hấp thụ (a) vị trí đỉnh phổ (b) mầm chấm lượng tử CdTe sau... nhau: Bức xạ nơtron nhiệt Bức xạ tia X Bức xạ gamma Bức xạ photon hãm - Các mẫu sau chiếu xạ đƣợc nghiên cứu phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang thời gian sống huỳnh quang Các kết nghiên cứu cho thấy... (b )của mầm chấm lượng tử CdTe sau xử lý nhiệt cơng suất khác lị vi sóng.[6] 1.2.3.2 Ảnh hƣởng nhiệt độ chiếu xạ lên tính chất quang QDs CdTe Phổ hấp thụ phổ huỳnh quang mẫu có thời gian chiếu xạ