Nghiên cứu thiết kế cảm biến đo áp suất mems kiểu áp trở độ nhạy cao

-1- Lời cam đoan Tôi xin cam đoan với Hội đồng chấm luận văn Thạc sĩ đề tài tự nghiên cứu, tìm hiểu dới hớng dẫn, góp ý bảo tận tình thầy hớng dẫn PGS.TS Đinh Văn Dũng Kết đề tài trung thực không trùng hợp với kết đề tài khác Nếu sai xin chịu hoàn toàn trách nhiệm Tác giả luận văn Trần Đức Tiến -2- Lời cảm ơn Đầu tiên, cho phép đợc bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy PGS.TS Đinh Văn Dũng định hớng, hớng dẫn, giúp đỡ suốt trình làm luận văn Xin chân thành cảm ơn Ban lãnh đạo nhà trờng, phòng Sau đại học, thầy cô Bộ môn Vật lý chất rắn Trờng Đại học S phạm Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi giúp đỡ trình học tập nghiên cứu Xin chân thành cảm ơn ngời thân gia đình, bạn bè giúp đỡ động viên suốt trình học tập hoàn thiện luận văn Tác giả luận văn Trần Đức Tiến -3- Mục lục Trang phụ bìa Lời cam đoan Lời cảm ơn Mục lục Mở đầu Chơng Tổng quan cảm biến ¸p suÊt MEMS kÝch thíc nhá 1.1 áp suất cảm biến áp suất 1.2 C ác dạng cảm biến áp suất MEMS tiªu biĨu .6 1.3 V ật liệu công nghệ chế tạo cảm biến áp suất MEMS 1.4 Cả m biến áp suất MEMS dạng màng vuông kiểu áp trở .23 Chơng Phát triển cấu trúc cảm biến Xây dựng chơng trình mô cấu trúc đặc trng hoạt động cảm biến dựa phần mềm ANSYS 26 2.1 Ph¸t triĨn cÊu tróc c¶m biÕn 26 2.2 Xây dựng chơng trình mô .27 Ch¬ng KÕt mô thảo luận .36 3.1 Độ nhạy cảm biến 36 3.2 Sù phơ thc cđa độ nhạy cảm biến vào thông số cạnh a1 gãc lµm máng 36 3.3 Sự phụ thuộc độ nhạy cảm biến vào thông số cạnh a1 góc làm mỏng 37 3.4 KÝ ch thíc tèi u cđa gãc lµm máng 38 3.5 Sù c¶i thiƯn độ lệch màng .38 3.6 Sù c¶i thiƯn vỊ øng suÊt 40 3.7 Sù phơ thc cđa điện áp vào tải áp suất 43 3.8 Kh ảo sát phụ thuộc độ nhạy vào điện áp nguồn nuôi 44 KÕt luËn 45 Tài liệu tham khảo 46 Phô lôc 48 -3- Mở ĐầU Công nghệ MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) hứa hẹn cách mạng hoá loại sản phẩm cách tích hợp yếu tố vi điện lại với Silic theo công nghệ vi cơ, cách tạo hệ thống chíp hoàn chỉnh (systems on a chip) MEMS đợc dùng để tạo cấu trúc, linh kiện hệ thống phức tạp theo đơn vị micro, công nghệ có khả cho phép phát triển sản phẩm thông minh, tăng khả tính toán yếu tố vi điện tử với vi cảm biến vi kích hoạt có khả nhận biết điều khiển Ngoài ra, MEMS mở rộng khả thiết kế ứng dụng Nghiên cứu mô đặc trng hoạt động linh kiện MEMS hớng nghiên cứu ứng dụng thành tựu công nghệ tin học vào việc xác lập lí thuyết đặc trng hoạt động linh kiện trớc tiến hành thực nghiệm Đây công việc quan trọng hỗ trợ đắc lực cho công nghệ nh»m t×m thiÕt kÕ tèi u cđa linh kiƯn phù hợp với điều kiện công nghệ điều kiện làm việc linh kiện, nhờ tiết kiệm đợc thời gian chi phí cho nghiên cứu công nghệ khảo sát thực nghiệm tốn Đề tài Nghiên cứu thiết kế cảm biến đo áp suất MEMS kiểu áp trở độ nhạy cao đợc đặt cho luận văn Trên cở sở nghiên cứu cấu trúc, vật liệu chế tạo cảm biến áp suất MEMS truyền thống, đề tài phát triển cấu trúc cảm biến áp suất Dựa phần mềm ANSYS , mô cấu trúc cảm biến, đặc trng hoạt động cảm biến nh mô độ lệch, ứng suất, độ nhạy cảm biến đợc thực Từ rút kÕt ln -4vỊ cÊu tróc c¶m biÕn míi Néi dung luận văn đợc trình bày chơng Chơng Tổng quan cảm biến áp suất MEMS kích thớc nhỏ Chơng tìm hiểu loại cảm biến áp suất MEMS tiêu biểu cấu trúc, nguyên lý hoạt động, vật liệu công nghệ để chế tạo chúng Từ chọn cấu trúc phù hợp để phát triển Chơng Phát triển cấu trúc cảm biến - xây dựng chơng trình mô cấu trúc đặc trng hoạt động cảm biến dựa phần mềm ANSYS Cảm biến áp suất màng vuông dày kiểu áp trở đợc lựa chọn để phát triển cấu trúc Từ viết chơng trình cho toán mô ANSYS Chơng Kết mô thảo luận Trong chơng tìm thông số cạnh làm mỏng tối u, kết mô độ nhạy, độ lệch, ứng suất ba cấu trúc cảm biến màng dày đều, màng có góc mỏng màng góc mỏng tối u đợc so sánh rót kÕt ln Ch¬ng Tỉng quan vỊ cảm biến O áp suất MEMS KIểU áP TRở 1.1 áp suất cảm biến áp suất 1.1.1 áp suất Một chất lỏng hay chất khí đợc chứa bình chứa, chuyển động nhiệt hỗn loạn, phần tử chất lỏng hay chất khí va chạm vào thành bình chứa gây áp lực lên thành bình chứa áp lực vuông góc đơn vị diện tích thành bình chứa áp suất Ta cã c«ng thøc sau: p  F (1.1) S Trong F lực tác dụng, có đơn vị Newton (N), S diện tích bề mặt bị lực tác dụng, có đơn vị mét vuông (m2) Trong hệ SI áp suất có đơn vị N/m2, đơn vị dẫn xuất áp suất Pascal (Pa) (1Pa = 1N/1m2) Một số đơn vị dẫn xuất thờng dùng cđa ¸p st: dyn/cm2 = 0.1 N/m2 = 10-5N/cm2 = 10-7N/mm2 bar = 105 N/m2 = 105 Pa = 1,0197 kG/cm2 = 0.9869 atm atm = 1.01325 bar = 760 mmHg (0oC) = 0.101325 N/mm2 = 1,033 kf/cm2 1.1.2 Cảm biến đo áp suất Cảm biến đo áp suất đợc quan tâm nghiên cứu nhiều trung tâm giới Đã có nhiều loại thành phẩm cảm biến đo áp suất chế tạo dựa công nghệ khác đợc thơng mại hóa thị trờng Trong số đó, cảm biến đo áp suất chế tạo dựa công nghệ MEMS giành đợc thị phần đáng kể thể đợc u điểm trội khả đặc biệt công nghệ nh giá thành sản phẩm Ngày nay, với nhiều công nghệ khác nhau, nhiều loại cảm biến áp suất đời Phổ biến sử dơng mµng Mµng (diaphragm) lµ mét tÊm máng (thêng b»ng chất bán dẫn) có khả bị biến dạng có áp suất đặt lên Khi áp suất bên tác dụng lên màng, tuỳ thuộc vào chênh lệch áp suất cần đo áp suất chuẩn so sánh mà màng bị biến dạng, độ biến dạng màng phụ thuộc vào độ lớn áp suất tác dụng vào B»ng nhiỊu c¸ch kh¸c ngêi ta cã thĨ biÕn đổi độ biến dạng màng thành tín hiệu điện thông qua biến thiên độ tự cảm, biến thiên ®iƯn dung sư dơng hiƯu øng ¸p ®iƯn, dao ®éng điện, dùng phơng pháp transistor áp điện v.v 1.2 Các dạng cảm biến áp suất MEMS tiêu biểu Trong công nghệ MEMS có hai phơng pháp đợc sử dụng rộng rãi cảm biến kiểu áp trở cảm biến kiểu tụ đợc trình bày dới 1.2.1 Cảm biến đo áp suất MEMS kiểu áp trở Cấu trúc cảm biến sử dụng thờng màng vuông có cấy áp điện trở kiểu cầu Wheatstone kiểu điện trở điện cực Cầu điện trở Wheatstone: Mô hình phổ biến ứng dụng hiệu ứng áp điện trở việc chuyển đổi tín hiệu - điện sử dụng cầu điện trở Wheatstone nh mô tả hình R1 R2 Vout R4 R3 Vin Cầu gồm bốn điện trở có giá trị tĩnh nh đợc đặt vị trí có hiệu ứng áp trở cực đại màng silic Trong phơng pháp lấy hiệu lối ra, nguồn nuôi cầu điện trở khoảng vài vôn đợc cấp cho cầu qua điểm 3, hiệu lối đợc lấy điểm Các điện trở R1, R2, R3, R4 đợc tạo phơng pháp cấy tạp chất phần tử nhạy Vì giá trị tĩnh KếT LUậN Các kết đạt đợc từ luận văn Nghiên cứu thiết kế cảm biến đo áp suất MEMS kiểu áp trở độ nhạy cao cho phép rút số kết luận sau: - Đã phát triển đợc cấu trúc cảm biến áp suất dựa cấu trúc màng cảm biến áp suất MEMS dạng phẳng màng góc mỏng Đó cấu trúc màng có góc mỏng tối u Trên cấu trúc màng cảm biến áp suất phẳng hay góc mỏng, khu vực góc màng nơi xuất ứng suất học nhỏ khu vực tâm màng khu vực trung điểm cạnh màng, bề dày đợc thiết kế nhỏ phần khác Điều làm cho khu vực đặt áp điện trở có phân bố ứng suất vừa lớn vừa Đã khảo sát lựa chọn đợc kích thớc cạnh a1 a2 góc làm mỏng giá trị tối u Đó lµ a1 = 400 m vµ a2 = 370 m ứng với cảm biến có kích thớc màng x mm2 - Đã mô đặc trng tính màng cảm biến dới tải áp suất nh phân bố độ lệch, phân bố ứng suất màng vùng làm việc tuyến tính dựa phần mềm ANSYS So với cấu trúc màng phẳng hay màng góc mỏng, màng cảm biến góc mỏng tối u có đặc trng đáp ứng học dới tải áp suất đợc cải thiện tốt Dới tải áp suất, màng có góc làm mỏng tối u có độ lệch màng cao hơn, có phân bố ứng uất vùng đặt áp điện trở đồng hơn, có độ nhạy cao so với cấu trúc lại - Dựa thiÕt kÕ tèi u, c¸c nhãm thùc nghiƯm cã thĨ triển khai quy trình công nghệ chế tạo cảm biến với đặc trng linh kiện đợc xác định cải thiện tốt so với cấu trúc tơng tự Tài liệu tham khảo Tiếng Việt [1] Đinh Văn Dũng(2004), Nghiên cứu chế tạo cảm biến vi së hiƯu øng ¸p trë, Ln ¸n tiÕn sÜ VËt lý, Th viện Trờng ĐHSP Hà Nội [2] Đ V Dòng, V N Hïng, L V D Kh¬ng , T Q Thông, N Đ Chiến (6/ 2000), Kỹ thuật giải toán độ lệch màng khảo sát số thông số vật lý sensor áp suất kiểu áp trở phơng pháp số, Tạp chí Khoa học công nghệ, số 25 +26/2002, tr 23 – 27 [3] § V Dòng, V N Hïng, T Q Thông, N Đ Chiến (12/ 2001), Nghiên cứu thiết kế sensor áp suất kiểu cầu điện trở, Hội nghị Khoa học lần thứ 19 Trờng Đại học Bách Khoa Hà nội, Tuyển tập Công trình Khoa học 2001, Ph©n ban VËt lý Kü thuËt, tr 33 – 37 [4] Đinh Văn Dũng (2010), Cải thiện phân bố ứng suất nâng cao độ nhạy cảm biến áp suất MEMS kiểu áp trở dựa giải pháp màng góc mỏng, Tạp chí Khoa học Công nghệ, ISSN 0868 3980, Các trờng Đại học Kĩ thuật [5] Nguyễn Văn Phái, Trơng Tích Thiện, Nguyễn Tờng Long, Nguyễn Định Giang (2006), Giải toán kỹ thuật chơng trình ANSYS, Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật Hà nội [6] Phan Quốc Phô, Nguyễn Đức Chiến (2008), Giáo trình cảm biến, Nhà xuất Khoa học kỹ thuật [7] Đinh Bá Trụ, Hoàng Văn Lợi(2003), Hớng dẫn sử dụng ANSYS, NXB Giáo dục, Hà Nội [8] Nguyễn Thành Long (2009) Nghiên cứu mô hình hóa cấu trúc mô đặc trng hoạt động cảm biến áp suất MEMS kích thớc nhỏ, Th viện Trờng ĐHSP Hà Nội Tiếng Anh [9] Alavi M, Buttgenbach S, Schumacher A, and Wagner H J (1992), “Fabrication of Microchannels by Laser Manchining and Anisotropic Etching of Silicon”, Sensors and Actuators, vol A 32, pp 299 – 302 [10] Boukabache A, Pons P, Blasquez G and Dibi Z (2000), “Characterization and modeling of the mismatch of TCRs and their effects on the drift of the offset voltage of piezoresistive pressure sensors”, Sensors and Actuators, vol A 84, pp 292 – 296 [11] D V Dung, T Q Thong , V N Hung and N D Chien (9/2001), “Design and silicon fabrication of four – terminal pressure sensor”, Communications in Physics, ISSN 0868 – 3166, vol 11, no 3, pp 169174 [12] D V Dung, T Q Thong, V N Hung and N D Chien (11/1999), “Using finitedifference method to calculate membrane deflection, stress distribution and pressure sensitivity of piezoresistive sensors”, Proceedings of the Third International Wordshop on Materials Science (IWOMS’99), Ha noi, pp 853 – 856 [13] Dzung Viet Dao (2003), Study on Silicon Piezoresistive Six – Degree of Freedom Micro Force – Moment Sensors and Application to Fluid Mechanics, Doctoral Program in Science and Engineering Ritsumeikan University [14] Kloeck B, Collins S D, de Rooij N F and Smith R L (1989), “Study of electronchemical etch – stop for high precision thickness control of silicon membranes”, IEEE Transaction Electron Devices, vol 36, no 4,pp 663 – 669 [15] Marc Madou (1997), Fundamentals of Microfabrication, CRC Press LLC, USA Phụ lục Chơng trình mô cảm biến áp suất! Phụ lục /title,pressure sensor /units,user_micromet !chieu dai theo micromet /prep7 !Cac hang so ve tinh chat dien cua silic p11=6.6e-5 !don vi micromet2/ (micromet.kg/s2) p12=-1.1e-5 ! p44=138.1e-5 ! c11=1.66e+5 ! (micromet.kg/s2)/micromet2 c12=0.64e+5 ! c44=0.8e+5 ! !Khoi luong rieng cua silic dens_silic=2.329e-15 ! kg/micromet3 E_silic=1.7e+5 ! (micromet.kg/s2)/micromet2 Poi_silic=0.28 !he so poisson ! Khai bao ansys ve vat lieu Si ap tro -cac dien tro si1=1 et,1,solid226,101 mp,dens,si1,dens_silic !mp,ex,si1,E_silic !mp,ey,si1,E_silic !mp,ez,si1,E_silic !mp,nuxy,si1,Poi_silic mp,rsvx,si1,7.8e+16 !don vi (micromet2.kg/s3A2).micromet mp,rsvy,si1,7.8e+16 mp,rsvz,si1,7.8e+16 TB,PZRS,1 TBDATA,1,p11,p12,p12 TBDATA,7,p12,p11,p12 TBDATA,13,p12,p12,p11 TBDATA,19,0,0,0,p44,0, TBDATA,25,0,0,0,0,p44, TBDATA,36,p44 tb,anel,Si1,1 !tinh chat nhiet o mot nhiet TBDATA,1,c11,c12,c12,0,0,0 TBDATA,7,c11,c12,0,0,0,c11 TBDATA,13,0,0,0,c44,0,0 TBDATA,19,c44,0,c44 ! Khai bao ansys ve Vat lieu Si de - phan mang cam bien si2=2 et,Si2,solid18 mp,dens,si2,dens_silic !mp,ex,si2,E_silic !mp,ey,si2,E_silic !mp,ez,si2,E_silic !mp,nuxy,si2,Poi_silic tb,anel,Si2,1 !tinh chat nhiet o mot nhiet TBDATA,1,c11,c12,c12,0,0,0 TBDATA,7,c11,c12,0,0,0,c11 TBDATA,13,0,0,0,c44,0,0 TBDATA,19,c44,0,c44 !Mang chinh a=1000 !chieu rong mang h=10 !be day mang h1=h-5 !be day mang ghep c=2 !be day dien tro !Dien tro l1=100 !chieu dai dien tro truc x l2=50 !chieu dai dien tro truc y w=10 !chieu rong dien tro kc=10 !khoang cach tu mep mang den dau dien tro kc1=20 !cach y m=50 !cach x !mang ghep a1= 400 !chieu dai a2=370 !chieu rong !Mo hinh bo tri cac dien tro ! -! y1-y2 ! -! x1 x2 -! -! y3-y4 ! -LOCAL,11 LOCAL,12,,,,,4 CSYS,11 !Ve mang co day phan vung rectng,-a/2+a1,a/2-a1,a/2,-a/2 ! rectng,-a/2,a/2,a/2-a2,-a/2+a2 ! rectng,a/2,a/2-a1,a/2,a/2-a2 ! rectng,-a/2,-a/2+a1,-a/2,-a/2+a2 ! rectng,-a/2,-a/2+a1,a/2,a/2a2 ! rectng,a/2,a/2-a1,-a/2,-a/2+a2 ! !Ve than cac dien tro rectng,-w-kc1,-kc1,a/2-kc-w,a/2-kc-w-l2 rectng,kc1,kc1+w,a/2-kc-w,a/2-kc-w-l2 ! ! rectng,-(w+kc1),-kc1,-a/2+kc+w,a/2+kc+w+l2 ! rectng,kc1,kc1+w,a/2+kc+w,-a/2+kc+w+l2 ! rectng,-a/2+kc,-a/2+kc+w,m,-m ! rectng,a/2-kc,a/2-kc-w,m,-m ! !Ve dau cua cac dien tro rectng,-(3*w/2+kc1),-kc1+w/2,a/2-kc,a/2-kc-2*w ! rectng,-(3*w/2+kc1),-kc1+w/2,a/2-kc-l2,a/2-kc-l22*w ! rectng,kc1-w/2,(3*w/2+kc1),a/2-kc,a/2-kc-2*w ! rectng,kc1-w/2,(3*w/2+kc1),a/2-kc-l2,a/2-kc-l2-2*w ! rectng,-(3*w/2+kc1),-kc1+w/2,-a/2+kc,-a/2+kc+2*w ! rectng,-(3*w/2+kc1),-kc1+w/2,-a/2+kc+l2,a/2+kc+l2+2*w ! rectng,kc1-w/2,(3*w/2+kc1),a/2+kc,-a/2+kc+2*w ! rectng,kc1-w/2,(3*w/2+kc1),-a/2+kc+l2,a/2+kc+l2+2*w ! rectng,-a/2+kc-w/2,-a/2+kc+3*w/2,m+w,m-w ! rectng,-a/2+kc-w/2,-a/2+kc+3*w/2,-m+w,-m-w ! rectng, a/2-kc+w/2,a/2-kc-3*w/2,m+w,m-w ! rectng, a/2-kc+w/2,a/2-kc-3*w/2,-m+w,-m-w ! !Cac diem tiep xuc rectng,-(w+kc1),-kc1,a/2-kc-w/2,a/2-kc-3*w/2 ! rectng,-(w+kc1),-kc1,a/2-kc-l2-w/2,a/2-kc-l23*w/2 ! rectng,kc1,w+kc1,a/2-kc-w/2,a/2-kc3*w/2 ! rectng,kc1,w+kc1,a/2-kc-l2-w/2,a/2-kc-l23*w/2 ! rectng,-(w+kc1),-kc1,-a/2+kc+w/2,a/2+kc+3*w/2 ! rectng,-(w+kc1),-kc1,-a/2+kc+l2+w/2,a/2+kc+l2+3*w/2 ! rectng,kc1,w+kc1,a/2+kc+w/2,-a/2+kc+3*w/2 ! rectng,kc1,w+kc1,-a/2+kc+l2+w/2,a/2+kc+l2+3*w/2 ! rectng,-a/2+kc,a/2+kc+w,m-w/2,m+w/2 ! rectng,-a/2+kc,-a/2+kc+w,-m+w/2,-m-w/2 rectng,a/2-kc,a/2-kc-w,m-w/2,m+w/2 rectng,a/2-kc,a/2-kc-w,-m+w/2,-m-w/2 !Ghep cac than va tiep xuc dien tro aadd,7,13,14 ! aadd,8,15,16 ! aadd,9,17,18 ! aadd,10,19,20 ! aadd,11,21,22 ! ! ! ! aadd,12,23,24 ! !Ghep mat chinh de aadd,1,2 ! !Tao the tich khoi vext,3,6,1,0,0,-d1 ! vext,12,,,,,-d ! vext,7,11,1,0,0,-c ! vext,37,37,1,0,0,-c ! vext,25,36,1,0,0,-c ! !Lam trung cac the tich giao vovlap,all ! vsel,all !Chia luoi !Su dung he toa toan cuc esys,12 type,1 mat,1 !Chia khoi cac diem tiep xuc o dau dien tro esize,2*c/1 mshape,1,3-D vmesh,12,23,1 !Chia luoi than dien tro esize,2*c/1 mshape,1,3-D vmesh,24,29,1 !Chia luoi de type,2 mat,2 mshape,1,3 -D esize,2*h1/ vmesh,30,3 0,1 esize,2*h1/ vmesh,1,4, ! -ksel, all nsel, all esel, all nummrg,kp,5e10 nummrg,elem,5e -10 nummrg,node,5e -10 nummrg,all ! fini ! ===================================== ======== /solu antype,stat,ne w ! !Noi cau dien tro, dat diue kien bien ve dien asel,s,area,,29 asel,a,area,,3 nsla,s,1 cp,1,volt,all *get,V_in,node,0,num,min d,V_in,volt,5*(1e+12) ! micromet2.kg/s3A ! asel,s,area,,2 asel,a,area,,3 nsla,s,1 cp,2,volt,all ! *get,V_G,node,0,num,mi n d,V_G,volt,0 ! asel,s,area,,3 asel,a,area,,3 nsla,s,1 cp,3,volt,all *get,V_Out_Neg,node,0,num,min ! asel,s,area,,3 asel,a,area,,2 nsla,s,1 cp,4,volt,all *get,V_Out_Pos,node,0,num,min ! asel,s,area,,2 asel,a,area,,2 nsla,s,1 cp,4,volt,all ! asel,s,area,,3 asel,a,area,,3 nsla,s,1 cp,4,volt,all ! - !Dat dieu kien bien ve co nsel,s,loc,x,a/2,-a/2 d,all,ux,0 d,all,uy,0 d,all,uz,0 nsel,s,loc,x,a/2 ,a/2 d,all,ux,0 d,all,uy,0 d,all,uz,0 nsel,s,loc,y,-a/2,-a/2 d,all,ux,0 d,all,uy,0 d,all,uz,0 nsel,s,loc,y,a/2 ,a/2 d,all,ux,0 d,all,uy,0 d,all,uz,0 ! -Phô lôc !dat tai ap suat pres_p_in=0.8 ! pres_p=pres_p_in*(1.01325e7)*(1e+6) ! asel,s,loc,z,0,0 sfa,all,,pres,pres_p ! -!giai bai toan nsel,all esel,all vsel,all allsel,all solve fini Phô lôc /post1 Pressure=pres_p_in V1=volt(V_out_Pos) V2=volt(V_out_Neg) V_output=abs(V1-V2)*1000/(1e+12) !dien ap tinh bang milivolt ... phơng pháp đợc sử dụng rộng rãi cảm biến kiểu áp trở cảm biến kiểu tụ đợc trình bày dới 1.2.1 Cảm biến đo áp suất MEMS kiểu áp trở Cấu trúc cảm biến sử dụng thờng màng vuông có cấy áp điện trở kiểu. .. tốn Đề tài Nghiên cứu thiết kế cảm biến đo áp suất MEMS kiểu áp trở độ nhạy cao đợc đặt cho luận văn Trên cở sở nghiên cứu cấu trúc, vật liệu chế tạo cảm biến áp suất MEMS truyền thống, đề tài... 0.101325 N/mm2 = 1,033 kf/cm2 1.1.2 Cảm biến đo áp suất Cảm biến đo áp suất đợc quan tâm nghiên cứu nhiều trung tâm giới Đã có nhiều loại thành phẩm cảm biến đo áp suất chế tạo dựa công nghệ khác