Bài tập kỹ thuật xung bai 6 2 7 4

(kiểm tra lại nhe tơi làm có nhiều chỗ khơng hiểu dựa vào sách làm khơng đóa) 6.2- Cho mạch điện hình (H.6.19) C 3 R 2 C 3 H I A R K 0 ,4 u F V C C C R S T D R R R B C 2 D S C H G T H R O U T T R G C V E L M 5 0 Cho biết a- Hãy nêu tên đoạn mạch AB, BC, CD, DE b- Hãy vẽ dạng tin hiệu A, B, C, D, E ấn khóa K t = t1, nhả khóa K t = t2 c- Tính độ rộng xung sinh E (Vẽ dạng tín hiệu điểm đồ thị hình(H.6.20) ) A B E Giải a- Tên đoạn mạch AB, BC, CD, DE: - AB: Mạch phát cạnh xuống, tạo xung hẹp hướng âm - BC: Mạch đa hài đơn ổn dung cổng logic (NAND), kích xung hẹp mức Tín hiệu xung vng mức - CD: Mạch phát cạnh lên, tạo xung hẹp hướng dương A - DE: Mạch đa hài đơn ổn dung IC định thời 555, kích xung hẹp mức b- Dạng tín hiệu điểm A, B, C, D, E ấn khóa K t = t1, nhả khóa t=t2 D t1 t2 B t’ C t1 t1 E t’ t’ tx c- Độ rộng xung sinh E: => tx = RCLn3 = 1,1RC tx = 1,1x180x103x0,47x10-6 (s) tx = 93x10-3 (s) 7.4- Hãy vẽ sơ đồ chi tiết mạch điện có sơ đồ khối sau: Contact chống dội A B Mạch phát thay đổi mức logic C Mạch đa hài đơn ổn dùng IC 555 E D Mạch dao động đa hài phi ổn dung IC 555 Giản đồ thời gian D A t t t B t2 D t C t t t t1 t2 t t1 t2 VC C GIẢI VC C R R E S IS T O R SW R D IS + Q TH R N E555 A 16 B C V TR + C + VC C D E VC C + D IS TH R TR R AN D Q N E555 C V +