1. Trang chủ
  2. » Khoa Học Tự Nhiên

Nghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh học (NCKH)

79 576 1
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 79
Dung lượng 2,62 MB

Nội dung

Nghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh họcNghiên cứu chế tạo và tính chất quang của vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1xZnx S) pha tạp Mn và Cu cho các ứng dụng sinh học

ÐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ÐẠI HỌC SƢ PHẠM BÁO CÁO TỔNG KẾT ÐỀ TÀI KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ CẤP ÐẠI HỌC NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU NANO ZnSe1-xS (hoặc Cd1-xZnxS) PHA TẠP Mn Cu CHO CÁC ỨNG DỤNG SINH HỌC Mã số: ÐH2015-TN04-06 Chủ nhiệm đề tài: TS VŨ THỊ HỒNG HẠNH Thái Nguyên, năm 2017 i ÐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ÐẠI HỌC SƢ PHẠM BÁO CÁO TỔNG KẾT ÐỀ TÀI KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ CẤP ÐẠI HỌC NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU NANO ZnSe1-xS (hoặc Cd1-xZnxS) PHA TẠP Mn Cu CHO CÁC ỨNG DỤNG SINH HỌC Mã số: ÐH2015-TN04-06 Xác nhận tổ chức chủ trì Chủ nhiệm đề tài TS Vũ Thị Hồng Hạnh Thái Nguyên, năm 2017 ii DANH SÁCH CÁC THÀNH VIÊN THAM GIA ÐỀ TÀI STT Họ tên TS Vũ Thị Hồng Hạnh Khoa Vật lý Trường ÐHSP-ÐHTN Chế tạo mẫu, nghiên cứu tính chất Quang mẫu TS Vũ Thị Thu Thuỷ Khoa Sinh học Trường ÐHSP-ÐHTN Nghiên cứu Tính chất quang mẫu TS Nguyễn Hữu Quân Phòng KHCN HTQT Trường ÐHSP-ÐHTN Thư kí hành ĐƠN VỊ PHỐI HỢP CHÍNH Tên đơn vị ngồi nƣớc Nội dung phối hợp nghiên cứu Trao đổi, thảo luận Viện Khoa học Vật liệu - Viện hàn lâm vấn đề nghiên cứu, Khoa học Công nghệ Việt Nam tổng hợp số mẫu chấm lượng tử Họ tên ngƣời đại diện đơn vị GS TS Nguyễn Quang Liêm iii MỤC LỤC Trang Danh mục hình Danh mục chữ viết tắt iv vii Thông tin kết nghiên cứu tiếng Việt Information on Research results vii xii MỞ ĐẦU Chƣơng TỔNG QUAN 1.1 Công nghệ nano 1.1.1 Hiệu ứng giam giữ lượng tử 5 1.1.1.1 Chế độ giam giữ lượng tử yếu 1.1.1.2 Chế độ giam giữ lượng tử trung gian 6 1.1.1.3 Chế độ giam giữ lượng tử mạnh 1.1.2 Hiệu ứng bề mặt 1.2 Vật liệu nano 1.2.1 Phân loại vật liệu nano 1.2.2 Các phương pháp chế tạo vật liệu nano 1.2.2.1 Các phương pháp vật lý 1.2.2.2 Các phương pháp hóa học 7 8 11 1.3 Chấm lượng tử 1.3.1 Giới thiệu chấm lượng tử bán dẫn 1.3.2 Giới thiệu chấm lượng tử CdZnS 13 13 16 1.3.3.Tính chất quang nano tinh thể hợp kim CdZnS 1.4 Các nano tinh thể bán dẫn pha tạp kim loại chuyển tiếp 17 20 23 23 Chƣơng THỰC NGHIỆM 2.1 Thực nghiệm chế tạo nano tinh thể CdZnS, CdZnS/ZnS, CdZnS:Mn CdZnS:Cu 2.1.1 Chế tạo nano tinh thể CdZnS, CdZnS:Cu, CuZnS:Mn 2.1.1.1 Chuẩn bị tiền chất 2.1.1.2 Chế tạo nano tinh thể CdxZn1-xS 2.1.1.3 Chế tạo nano tinh thể CdZn:Mn CdZnS:Cu 2.1.2 Chế tạo nano tinh thể CdZnS/ZnS 2.2 Các phương pháp thực nghiệm nghiên cứu cấu trúc tính chất vật liệu 2.2.1 Hiển vi điện tử truyền qua 2.2.2 Nhiễu xạ tia X (XRD) 2.2.3 Phân tích huỳnh quang tia X 24 24 24 25 27 27 28 28 30 iv 2.2.4 Phổ hấp thụ 31 2.2.5 Quang huỳnh quang 32 Chƣơng KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Các nano tinh thể CdZnS 35 35 3.1.1.Đặc trưng hình dạng cấu trúc nano tinh thể CdZnS 3.1.2 Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS CdZnS/ZnS 3.1.3 Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS CdZnS/ZnS 35 38 40 3.2 Tính chất quang nano tinh thể CdZnS:Mn 3.2.1 Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Mn 3.2.2 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdZnS, CdZnS:Mn 44 44 46 3.2.3 Độ dịch Stoke 3.3 Các nano tinh thể CdZnS:Cu 48 49 3.3.1 Đặc trưng cấu trúc 3.3.2 Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Cu 3.3.3 Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS:Cu 49 50 52 57 59 KẾT LUẬN TÀI LIỆU THAM KHẢO v DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1.1 Hình 1.2 Trang Ví dụ cấu trúc nano nhân tạo vật liệu nano với kích thước điển hình chúng Mô tả mở rộng vùng cấm, liên quan chặt chẽ tới đặc tính quang chấm lượng tử CdSe Hình 1.3 Hình 1.4 Sơ đồ nguyên lí hệ quang khắc 10 Mơ hình chấm lượng tử với cấu trúc vỏ lõi phổ huỳnh quang 14 tương ứng với kích thước tăng dần chúng Hình 1.5 Minh họa chấm lượng tử cấu trúc lõi/vỏ có bước sóng phát 17 xạ thay đổi theo kích thước (a), chấm lượng tử CdSe (b), Hình 1.6 Hình 1.7 Hình 1.8 Hình 1.9 Hình 1.10 Hình 1.11 Hình 2.1 Hình 2.2 Hình 2.3 Hình 2.4 Hình 2.5 Hình 2.6 chấm lượng tử CdZnSe (c) Hình ảnh phát quang bước sóng phát xạ nano 18 tinh thể hợp kim CdZnS Phổ hấp thụ UV-Vis nano tinh thể hợp kim ZnS, CdS 18 CdZnS với tỷ lệ mol Cd-Zn-S khác Hình ảnh minh họa hấp thụ huỳnh quang nano tinh thể 19 hợp kim CdZnS/ZnS Phổ PL nhận trình pha tạp khác nhau: (a) 20 đưa tạp chất vào tiền chất vật liệu nền; (b) đưa tạp chất vào trước giai đoạn tạo mầm NC nền; (c) đưa tạp chất vào lớp vỏ NC bán dẫn có cấu trúc lõi/vỏ (a) Chế tạo NC pha tạp sử dụng oxide tạp chất làm nguồn 21 tạp chất; (b,c) phổ hấp thụ phổ PL NC pha tạp khác Phần (c) khả thay đổi bước sóng phát xạ Cu ZnSe Phổ Abs phổ PL NC Cu:ZnxCd1-xS/ZnS với tỷ lệ 22 Zn/Cd khác Hình ảnh hệ chế tạo nano tinh thể CdxZn1-xS Sơ đồ quy trình chế tạo nano tinh thể CdxZn1-xS a) Sơ đồ nguyên lý kính hiển vi điện tử truyền qua, b) Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM 1010 đặt Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung ương Minh họa mặt hình học định luật nhiễu xạ Bragg Nhiễu xạ kế tia X SIEMENS D5005, Bruker, Đức Sơ đồ nguyên lý hệ phổ kế EDS 24 26 28 29 30 30 vi Hình 2.7 Sơ đồ nguyên lý hệ đo hấp thụ UV-Vis hai chùm tia 32 Hình 2.8 Sơ đồ nguyên lý hệ đo quang huỳnh quang 33 Hình 2.9 Hệ đo huỳnh quang FS 920 hãng Edingbush (Anh) đặt phịng Thí nghiệm Quang học Quang phổ, khoa Vật lý- Trường 34 Hình 3.1 Đại học Sư phạm - Đại học Thái Nguyên Ảnh TEM NC CdZnS với tỷ lệ Cd:Zn = 1:1, 35 chế tạo nhiệt độ 280oC Hình 3.3 Ảnh TEM NC: (a) Cd0.28Zn0.72S; (b) Cd0.46Zn0.54S; (c) 36 Cd0.71Zn0.29S phổ tán sắc lượng(EDX) NC Cd0.57 Zn0.43S (a) Cd0.71 37 Hình 3.4 Zn0.29 S (b) Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu ZnS CdZnS với tỷ lệ Zn/Cd 37 Hình 3.2 Hình 3.7 khác nhau: 0,9/0,1 ; 0,72/0,28 Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS với tỷ lệ Cd:Zn = 1:1 38 chế tạo nhiệt độ 225oC Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS/ZnS với tỷ lệ Cd:Zn = 39 1:1, lõi CdZnS chế tạo nhiệt độ 225oC lớp vỏ chế tạo nhiệt độ 205oC Phổ hấp thụ nano tinh thể CdxZn1-xS với tỷ lệ Zn:Cd thay 40 Hình 3.8 Hình 3.9 đổi từ 1:0 đến 0:1, mẫu chế tạo nhiệt độ 280oC Sơ đồ chế huỳnh quang 41 Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdS CdZnS/ZnS với 42 Hình 3.5 Hình 3.6 Hình 3.10 Hình 3.11 Hình 3.12 Hình 3.13 Hình 3.14 Hình 3.15 tỷ lệ Cd:Zn = 1:1, lõi CdZnS chế tạo nhiệt độ 225oC lớp vỏ chế tạo nhiệt độ 205oC Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdxZn1-xS với x thay 43 đổi Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS: Mn với tỷ lệ pha tạp 44 Mn 5% thời gian 15 phút Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Mn chế tạo nhiệt độ 2800C theo thời gian khác (a); thay đổi đỉnh hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Mn theo thời gian phản ứng (b) Phổ huỳnh quang nano tinh thể Cd0,5Zn0,5S:Mn với tỷ lệ pha tạp Mn 5%, thời gian phút Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS: Mn với tỷ lệ pha tạp Mn 5% theo thời gian chế tạo khác Sự thay đổi đỉnh huỳnh quang dải lượng cao (a); thay đổi cường độ huỳnh quang dải lượng thấp theo 45 46 47 47 vii thời gian phản ứng nano tinh thể Cd0,5Zn0,5S:Mn vởi tỷ lệ pha tạp 5% Hình 3.16 Phổ huỳnh quang phổ hấp thụ nano tinh thể 48 Cd0,5Zn0,5S:Mn với tỷ lệ pha tạp Mn 5% thời gian phút (a); Hình 3.17 thời gian (b) TEM ZnxCd1-xS:Cu, 1%,(a)x =0,54 (b) x = 0,43 sau 49 phản ứng Hình 3.18 giản đồ nhiễu xạ Cu: CdxZn1-xS Với tỷ lệ Cu/(Zn+Cd) 1% Hình 3.19 Phổ hấp thụ nano tinh thể bán dẫn CdZnS:Cu với tỉ lệ Cu 50 49 1% Hình 3.20 a) Phổ hấp thụ nano tinh thể hợp kim CdZnS pha tạp Cu 51 1% theo thời gian; b) Độ dịch đỉnh hấp thụ (đường đen) độ dịch bờ hấp thụ (đường đỏ) nano tinh thể hợp kim Hình 3.21 Hình 3.22 Hình 3.23 Hình 3.24 Hình 3.25 Hình 3.26 CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian Phổ hấp thụ chấm lượng tử hợp kim Cd0,46Zn0,54S:Cu với tỉ lệ Cu/(Zn+Cd) khác Phổ huỳnh quang nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% Phổ huỳnh quang nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian Độ dịch đỉnh phát xạ nano tinh thể hợp kim CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian cúa: a) dải phát xạ thứ (phát xạ nền); b) dải phát xạ thứ hai (phát xạ tạp chất) Phổ hấp thụ huỳnh quang chấm lượng tử Zn0,54Cd0,46S : Cu với tỷ lệ Cu khác Vị trí đỉnh phổ huỳnh quang (hình tam giác) tỷ lệ cường độ phát xạ tạp/nền (hình vng) chấm lượng tử Cd0,46 Zn0,54:Cu với Cu/(Zn+Cd) khác 52 53 54 54 55 56 viii DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT STT Chữ viết tắt Chữ viết đầy đủ T Nhiệt độ S Lưu huỳnh Cd Cadmium Eg Năng lượng vùng cấm nm Nano met N2 Khí Nitơ PL Huỳnh quang SA Acid Stearic Zn Kẽm 10 Abs Hấp thụ 11 CdO Cadmium Oxide 12 CdS Cadmi Sunfua 13 NC Nano tinh thể 14 ODE Octadecene 15 TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua 16 XRD Nhiễu xạ tia X 17 HDA Hexadecylamine 18 ZnS Zins Sulfide 19 S2- Ion S2- 20 CdSe Cadmium Selenide 21 Cd2+ Ion Cd2+ 22 Zn2+ Ion Zn2+ 23 EDX Tán sắc lượng 24 FWHM Độ rộng bán phổ 25 QDs Chấm lượng tử 26 PLQY Hiệu suất lượng tử 27 ZnSt2 Zinc Stearate ix ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM THƠNG TIN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU Thơng tin chung: - Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo tính chất quang vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1-xZnx S) pha tạp Mn Cu cho ứng dụng sinh học - Mã số: ĐH2015 – TN04 – 06 - Chủ nhiệm đề tài: TS Vũ Thị Hồng Hạnh - Tổ chức chủ trì: Trường Đại học Sư phạm – Đại học Thái Nguyên - Thời gian thực hiện: Từ tháng 01/2015 đến tháng 12/2016 Mục tiêu: - Chế tạo nano tinh thể ZnSe1-xSx Cd1-xZnxS pha tạp Mn Cu có chất lượng tốt, phát xạ mạnh bền quang - Nghiên cứu cấu trúc tinh thể tính chất quang nano tinh thể chế tạo - Nghiên cứu tương quan trạng thái tạp chất vùng cấm nano tinh thể Giải thích chế Vật lý liên quan - Nghiên cứu ảnh hưởng môi trường sinh học lên tính chất quang nano tinh thể chế tạo kết hợp chúng với DNA số loại trồng Tính sáng tạo: - Nghiên cứu chế tạo nano tinh thể Cd1-xZnx S với x thay đổi khoảng – nano tinh thể Cd1-xZnx S pha tạp Mn Cu với hàm lượng tạp chất khác - Khảo sát ảnh hưởng điều kiện chế tạo đến đặc trưng vật lý (hình dạng, cấu trúc tinh thể, kích thước, đặc trưng phonon, tính chất hấp thụ quang quang huỳnh quang) mẫu nano tinh thể Cd1-xZnx S mẫu nano tinh thể Cd1-xZnx S pha tạp Mn Cu - Giải thích chế chuyển dời quang nano tinh thể thành phần Cd1-xZnx S pha tạp chất Mn Cu 48 phát xạ phía bước sóng dài quy cho dải phát xạ từ mức tạp (Mn) mức bẫy, trạng thái bề mặt Dải phát xạ phía lượng cao có xu hướng dịch nhẹ phía lượng cao (bước sóng ngắn hơn) pha tạp Mn vào chấm lượng tử quy định kích thước nano tinh thể Kết tương tự pha tạp Cu vào mạng CdZnS [28] Dải phát xạ phía lượng thấp có cường độ tăng theo thời gian chế tạo mẫu, chứng tỏ thời gian chế tạo tinh thể lớn giúp cho ion Mn phân tán ổn định mạng 3.2.3 Độ dịch Stoke Trong thực nghiệm, độ dịch Stockes lượng sai khác đỉnh hấp thụ thứ đỉnh phát xạ mẫu Đỉnh phổ phát xạ lệch phía lượng thấp so với đỉnh hấp thụ thứ Sự dịch có nguồn gốc từ cấu trúc tinh tế exciton bờ vùng (a) (b) Hình 3.16 Phổ huỳnh quang phổ hấp thụ nano tinh thể Cd0,5Zn0,5S:Mn với tỷ lệ pha tạp Mn 5% thời gian phút (a); thời gian (b) Từ thực nghiệm, thu độ dịch Stokes theo thời gian nuôi mẫu nano tinh thể CdZnS:Mn Ở nano tinh thể Cd0,5Zn0,5S:Mn với tỷ lệ pha tạp Mn 5%, thời gian phút, 180 phút lượng sai khác đỉnh hấp thụ thứ đỉnh phát xạ thứ nhỏ Đối với nano tinh thể thời gian nuôi 15 phút chênh lệch 72 meV, mẫu 3h chênh lệch lượng 77 meV 49 3.3 Các nano tinh thể CdZnS:Cu 3.3.1 Đặc trưng cấu trúc Hình 3.17 TEM ZnxCd1-xS:Cu, 1%,(a)x =0,54 (b) x = 0,43 sau phản ứng Từ hình 3.17 nhận thấy NC có dạng tựa cầu với biên hạt rõ ràng, kích thước trung bình hạt (tính trung bình cho 300 hạt phần mềm Imagej) biến thiên từ 4,6 nm đến nm khi hàm lượng Cd NC tăng lên 1400 ZnCdS ZnCdS:Cu 1200 x=0,29 (2) Intensity (a.u) 1000 (1) Cd0.71Zn0.29S (1) (2) Cd0.71Zn0.29: 1%Cu 800 600 (4) 400 (3) Cd0.57Zn0.43S (5) (4) Cd0.57Zn0.43S: 1%Cu 200 20 30 40 50 60 2 (degrees) Hình 3.18 Giản đồ nhiễu xạ Cu: CdxZn1-xS Với tỷ lệ Cu/(Zn+Cd) 1% Khi pha tạp kim loại chuyển tiếp với nồng độ 1% tạp Cu (hình 3.18) thay vị trí Zn2+ Cd2+ ion Cu2+ không làm thay đổi đến cấu trúc pha tinh thể, mẫu kết tinh đơn pha không thấy xuất pha lạ, tất NC có cấu trúc Wz, đỉnh nhiễu xạ tia X tương ứng với số Miller (002), (110) (112) dịch phía góc 2θ lớn hàm lượng Zn hợp kim tăng 50 3.3.2 Phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Cu Hình 3.19 Phổ hấp thụ nano tinh thể bán dẫn CdZnS:Cu với tỉ lệ Cu 1% Hình 3.19 phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS pha tạp Cu 1% chế tạo thời gian nhiệt độ 280oC, phân tán dung môi toluen đo nhiệt độ phòng Quan sát phổ hấp thụ ta thấy phổ hấp thụ cho thấy có bờ hấp thụ dốc, đỉnh hấp thụ rõ 405 nm Bờ hấp thụ vào khoảng từ 445nm (tương ứng với lượng 2,79eV), đỉnh hấp thụ nằm bước sóng 405nm (tương ứng với lượng 3,06eV) Đỉnh hấp thụ cho hấp thụ cặp donoraceptor nano tinh thể bán dẫn dạng hợp kim (có từ ba thành phần trở lên) trình chuyển dời hấp thụ, đưa điện tử từ mức lượng vùng hoá trị (mức 1Sh3/2) lên mức lượng cao nằm vùng dẫn (mức 1Se) Độ rộng vùng cấm hiệu dụng nano tinh thể xác định vào cỡ 3,06 eV, có giá trị nằm giá trị độ rộng vùng cấm bán dẫn CdS ZnS thể rõ hiệu ứng giam giữ lượng tử hạt tải điện nano CdZnS:Cu Kết nhóm tác giả cơng bố Hội nghị Vật lí kỹ thuật ứng dụng tồn quốc lần thứ [6] Để khảo sát tính chất hấp thụ nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian chế tạo mẫu tiến hành đo phổ hấp thụ nano tinh thể hợp kim CdZnS:Cu với thời gian phát triển tinh thể khác (từ phút đến giờ) 51 Hình 3.20 a) Phổ hấp thụ nano tinh thể hợp kim CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian; b) Độ dịch đỉnh hấp thụ (đường đen) độ dịch bờ hấp thụ (đường đỏ) nano tinh thể hợp kim CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian Trên hình 3.20a trình bày phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS pha tạp Cu 1% với thời gian phát triển tinh thể từ 15 phút đến dung mơi ODE Có thể nhận thấy, phổ hấp thụ mẫu CdZnS:Cu chế tạo khoảng thời gian khác có hình dạng giống nhau, có bờ hấp thụ dốc Khi thời gian nuôi tinh thể tăng, bờ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Cu dịch phía bước sóng dài (dịch đỏ) thời gian ni mẫu từ phút đến 30 phút Chúng không quan sát thấy dịch đỏ phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Cu chế tạo thời gian từ 30 phút đến (hình 3.20b) Từ phổ hấp thụ thấy thời gian chế tạo tinh thể tăng đỉnh hấp thụ thứ dịch phía bước sóng ngắn quan sát đỉnh hấp thụ không rõ ràng mẫu chế tạo thời gian ngắn (5 phút, 30 phút, giờ) Nguyên nhân thời gian phát triển tinh thể ngắn kích thước hạt phát triển chưa đồng đều, tăng thời gian chế tạo nano tinh thể dẫn đến mẫu nano tinh thể kết tinh tốt thời gian phản ứng dài dẫn đến kích thước nano tinh thể không đồng sát nhập hạt nhỏ vỡ hạt to mẫu [8] phần ion Cu2+ không phân tán vào mạng làm ức chế tăng trưởng hạt, làm kích thước nano tinh thể giảm xuống Kết nhóm tác giả báo cáo Hội nghị Vật lí kỹ thuật ứng dụng toàn quốc lần thứ [6] C-êng ®é (®.v.t.y) 52 2.0 0% 0,2% 0,4% 0,5% 0,7% 1,5% 5% 2.5 3.0 3.5 Năng l-ỵng (eV) Hình 3.21 Phổ hấp thụ chấm lượng tử hợp kim Cd0,46Zn0,54S:Cu với tỉ lệ Cu/(Zn+Cd) khác [6] Bên cạnh việc khảo sát phát triển NC CdZnS:Cu theo thời gian chế tạo, khảo sát phụ thuộc tính chất quang NC theo nhiệt độ chế tạo Khi hàm lượng Cu/(Zn+Cd) tăng từ 0% đến 5%, quan sát dải hấp thụ hẹp thứ tương ứng trình chuyển dời hấp thụ, đưa điện tử từ mức lượng vùng hoá trị 1Sh3/2 lên mức lượng cao nằm vùng dẫn 1Se, hàm lượng Cu tăng lên dải hấp thụ thứ mở rộng ra, khơng cịn quan sát thấy cấu trúc phổ hẹp chân phổ hấp thụ vùng bước sóng dài (năng lượng thấp) nâng lên, điều giải thích hàm lượng Cu tăng, ion Cu2+ thay vào vị trí ion Zn2+, Cd2+ mạng tinh thể chấm lượng tử tăng lên, khác bán kính ion Cu 2+ so với bán kính ion Zn2+ Cd2+ nên gây ứng suất cục [6] 3.3.3 Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS:Cu Trên hình 3.22 trình bày phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS pha tạp Cu 1% chế tạo thời gian nhiệt độ 280oC phân tán dung mơi toluen đo nhiệt độ phịng Quan sát phổ huỳnh quang ta thấy xuất hai đỉnh phổ, đỉnh phát xạ thứ nằm bước sóng 417nm (tương ứng với lượng ~2,97 eV) quy cho tái hợp phát xạ điện tử từ vùng dẫn với lỗ trống vùng hóa trị nano tinh 53 thể bán dẫn nền, đỉnh phát xạ thứ mạnh nằm bước sóng 621nm (tương ứng với lượng ~2 eV) cho điện tử sau nhận photon lên trạng thái kích thích, điện tử chuyển mức xuống trạng thái T2 ion Cu2+, sau tái hợp phát xạ với lỗ trống vùng hóa trị nano tinh thể nền, gây phát xạ tạp chất có lượng phát xạ nhỏ so với độ rộng vùng cấm nano tinh thể bán dẫn Hình 3.22 Phổ huỳnh quang nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% Để khảo sát tính chất phát xạ nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian chế tạo mẫu tiến hành đo phổ huỳnh quang nano tinh thể hợp kim CdZnS:Cu với thời gian phát triển tinh thể khác (từ phút đến giờ) Trên phổ huỳnh quang hình 3.22 3.23 cho thấy thay đổi vị trí đỉnh phát xạ nano tinh thể hợp kim CdZnS:Cu Quan sát ta thấy phổ huỳnh quang nano tinh thể hợp kim có hai đỉnh phát xạ, đỉnh phát xạ phía lượng thấp (bước sóng dài) phát xạ tạp chất, dải phát xạ có xu hướng dịch chuyển phía bước sóng ngắn (năng lượng cao) thời gian phản ứng lâu tốc độ dịch đỉnh huỳnh quang xảy chậm Cụ thể đỉnh phát xạ tạp chất dịch từ bước sóng 637nm đến 600nm (tương ứng với lượng từ 1,95eV đến 2,07eV) (hình 3.21b) Ngun nhân dịch phía bước sóng ngắn phát xạ Cu phụ thuộc nhiều vào bán dẫn nền, lượng độ rộng vùng cấm nano tinh thể tăng kéo theo lượng phát xạ tạp chất Cu tăng ion Cu phân tán mạng 54 Hình 3.23 Phổ huỳnh quang nano tinh thể bán dẫn CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian Dải phát xạ phía lượng cao có xu hướng dịch phía lượng cao (bước sóng ngắn hơn) (hình 3.24a) pha tạp Cu vào nano tinh thể quy định kích thước nano tinh thể Hình 3.24 Độ dịch đỉnh phát xạ nano tinh thể hợp kim CdZnS pha tạp Cu 1% theo thời gian cúa: a) dải phát xạ thứ (phát xạ nền); b) dải phát xạ thứ hai (phát xạ tạp chất) Dải phát xạ phía lượng thấp có cường độ tăng theo thời gian chế tạo mẫu, chứng tỏ thời gian chế tạo tinh thể lớn giúp cho ion Cu phân tán ổn định mạng Chúng tiến hành so sánh phổ hấp thụ huỳnh quang cường độ huỳnh quang mẫu Cd0,46Zn0,54S:Cu với nồng độ Cu thay đổi (hình 3.25 55 3.26) Hình 3.25 cho thấy phổ hấp thụ huỳnh quang chấm lượng tử Cd0,46Zn0,54S:Cu với tỷ lệ Cu/(Zn+Cd) khác (từ 0% đến 15% Cu) để thấy rõ trình truyền lượng phát xạ cho phát xạ tạp: chấm lượng tử Cd0,46Zn0,54S phổ huỳnh quang quan sát thấy đỉnh có cường độ mạnh bước sóng 435nm (~2,85 eV), pha tạp ion Cu2+ vào chấm lượng tử Cd0,46Zn0,54S xuất thêm đỉnh phát xạ bước sóng khoảng 620 nm (~2 eV) với cường độ mạnh dần lên, cường độ đỉnh phát xạ bước sóng 620 nm tăng tăng nồng độ Cu/(Zn+Cd) tăng từ 0,2% đến 1,5%, đồng thời vị trí đỉnh phổ huỳnh quang dịch phía lượng cao (dịch xanh) hàm lượng Cu2+ tăng lên Hình 3.25 Phổ hấp thụ huỳnh quang chấm lượng tử Zn0,54Cd0,46S : Cu với tỷ lệ Cu khác [6] Nguyên nhân dịch xanh phổ huỳnh quang chấm lượng tử pha tạp do: (i) Khi pha tạp Cu vào chấm lượng tử Cd0,46Zn0,54S, có khác bán kính ion Cu2+ với ion Zn2+ ion Cd2+ làm biến dạng mạng tinh thể, điều làm ảnh hưởng đến trạng thái lượng chấm lượng tử Cd0,46Zn0,54S; (ii) Khi hàm lượng tạp Cu tăng lên phần Cu có lẽ khơng thay vào mạng Cd0,46Zn0,54S làm ức chế tăng trưởng hạt, làm kích thước chấm lượng tử giảm xuống [6] 56 2.6 2.4 ICu/Ihost PL peak position (eV) 2.5 2.3 2.2 2.1 2.0 Cu/(Zn+Cd)(%) Hình 3.26 Vị trí đỉnh phổ huỳnh quang (hình tam giác) tỷ lệ cường độ phát xạ tạp/nền (hình vuông) chấm lượng tử Cd0,46 Zn0,54:Cu với Cu/(Zn+Cd) khác [6] Đường đen hình 3.26 thấy rõ trình truyền lượng phát xạ exciton chấm lượng tử cho phát xạ tạp Khi hàm lượng Cu/(Zn+Cd) tăng đến 1,5% tỷ số cường độ phát xạ huỳnh quang tạp so với cường độ phát xạ huỳnh quang chấm lượng tử tăng nhanh đạt giá trị cực đại 1,5%, tỷ số cường độ giảm hàm lượng Cu/(Zn+Cd) từ 2% trở lên, nguyên nhân mạng tinh thể chấm lượng tử bắt đầu quan sát thấy có xuất Cu2S [6] 57 KẾT LUẬN Sau thời gian nghiên cứu, thu số kết sau: Đã chế tạo thành công nano tinh thể hợp kim CdxZn1-xS với x thay đổi từ đến 1, CdZnS/ZnS, nano tinh thể CdZnS pha tạp Mn Cu phương pháp hoá ướt Các nano tinh thể hợp kim CdxZn1-xS chế tạo có kích thước từ – 11 nm, phụ thuộc vào điều kiện chế tạo Các nano tinh thể hợp kim chế tạo có đặc tính bán dẫn CdS ZnS Đã khảo sát hình thái, cấu trúc mẫu nano tinh thể chế tạo Kết cho thấy: - Ảnh TEM cho thấy, hạt CdZnS CdZnS pha tạp (Mn Cu) có kích thước nm (từ nm đến 11 nm, tùy mẫu), hạt có biên hạt rõ ràng, có hình tựa cầu, phân bố kích thước hạt hẹp - Thành phần cấu tạo hợp kim xác đinh phổ EDS cho thấy hợp kim CdZnS tổng hợp thành cơng Kết tính tốn lý thuyết thành phần cấu tạo hợp kim kết thực nghiệm từ phổ EDS gần tương đương - Kết phân tích nhiễu xạ tia X cho thấy nano tinh thể CdZnS có cấu trúc tinh thể phụ thuộc vào tỷ lệ Cd/Zn Khi tỷ lệ Cd/Zn tăng, cấu trúc tinh thể chuyển từ Zinc Blende sang Wurtzite - Chế tạo, nghiên cứu hình dạng, kích thước tính chất quang NC ZnxCd1-xS:Cu, hàm lượng Cd tăng lên kích thước NC tăng lên hoạt tính hóa học ion Cd2+ mạnh hoạt tính hóa học ion Zn2+, NC có cấu trúc Wz Đã khảo sát tính chất quang nano tinh thể hợp kim CdZnS, CdZnS:Mn CdZnS:Cu Kết cho thấy: - Phổ hấp thụ nano tinh thể hợp kim có bờ hấp thụ nằm độ rộng vùng cấm bán dẫn CdS ZnS phụ thuộc vào thành phần cấu tạo hợp kim Cụ thể tỷ lệ Zn/Cd tăng, với kích thước hạt phổ hấp thụ dịch phía sóng ngắn (năng lượng cao) - Thời gian phản ứng lâu phổ hấp thụ nano tinh thể CdZnS:Cu bờ hấp thụ đỉnh phổ dịch chuyển phía bước sóng ngắn (dịch xanh) ion Cu2+ làm ức chế tăng trưởng hạt - Phổ huỳnh quang nano tinh thể bao gồm hai dải phát xạ: dải thứ có cường độ mạnh phía lượng cao tái hợp phát xạ cặp điện tử - lỗ trống từ mức 1Se tới mức lỗ trống 1Sh3/2, chuyển dời exciton bản; dải phát xạ thứ hai, có cường độ yếu phía lượng thấp tái hợp phát xạ liên quan 58 đến trạng thái bề mặt trạng thái bẫy - Với nano tinh thể CdZnS pha tạp Mn quan sát thấy phát xạ đặc trưng liên quan đến trạng thái d Mn (6A1 4T1), chứng tỏ ion Mn2+ đưa vào mạng tinh thể CdZnS - Phổ huỳnh quang nano tinh thể CdZnS:Cu 1% bao gồm hai dải phát xạ: dải thứ có cường độ yếu (ở phía lượng cao) quy cho tái hợp phát xạ điện tử từ vùng dẫn với lỗ trống vùng hóa trị nano tinh thể bán dẫn nền, chuyển dời exciton bản; dải phát xạ thứ hai có cường độ phát xạ mạnh phía có lượng thấp điện tử sau nhận photon lên trạng thái kích thích, điện tử chuyển mức xuống trạng thái T2 ion Cu2+, sau tái hợp phát xạ với lỗ trống vùng hóa trị nano tinh thể - Thời gian phản ứng lâu dải phát xạ dịch phía bước sóng ngắn pha tạp Cu vào chấm lượng tử quy định kích thước chấm lượng tử này, dải phát xạ tạp chất có xu hướng dịch chậm phía bước sóng ngắn ion Cu phân tán ổn định vào mạng 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt: Bùi An Đông (2007), Mô ba chiều chấm lượng tử bán dẫn sử dụng Matlab, Luận văn thạc sĩ vật lý, Đại học khoa học tự nhiên - Đại học quốc gia thành phố Hồ Chí Minh Dương Thị Hà (2011), Chế tạo tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn CdSe/ZnS CdSe/ZnSe/ZnS, khóa luận tốt nghiệp đại học, Đại học Sư phạm – Đại học Thái Nguyên Nguyễn Ngọc Hải (2014), Nghiên cứu chế tạo tính chất chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc nhiều lớp CdSe/ZnSe/ZnS, chức hóa bề mặt nhằm ứng dụng chế tạo cảm biến huỳnh quang xác định số loại thuốc trừ sâu Luận án tiến sĩ, Viện Khoa Học Vật Liệu, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam Vũ Thị Hồng Hạnh (2005), nghiên cứu chế tạo tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn pha tạp với cấu trúc lõi/vỏ, Luận văn thạc sĩ Vật lý, Viện Vật lý, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam Vũ Thị Hồng Hạnh (2011), Nghiên cứu chế tạo tính chất chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS CdSe/ZnSe/ZnS, Luận án tiến sĩ, Viện Vật lý, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam Hoàng Thị Lan Hương , Nguyễn Huyền Trang , Vũ Thị Hồng Hạnh , Nguyễn Thị Thu Trang , Nguyễn Thị Thúy Liễu , Nguyễn Xuân Nghĩa (2015), “Nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn ZnxCd1-xS : Cu với hàm lượng tạp Cu lớn”, Advances in Applied and engineering physics IV, Publishing House for Science and Technology, tr 349-353 Nguyễn Quốc Khánh (2012), Chế tạo khảo sát tính chất quang vật liệu tổ hợp nano CdSe/PMMA, Luận văn thạc sĩ vật liệu linh kiện nano, Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội Nguyễn Ngọc Long (2007), Vật lý chất rắn, Nxb Đại học quốc gia Hà Nội Trần Anh Quang (2015), Nghiên cứu quy trình cơng nghệ quang khắc phòng sử dụng chế tạo linh kiện kích thước micro, Luận văn thạc sĩ vật liệu linh kiện nano, Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội 10 Đỗ Thị Như Quỳnh, Trần Thị Thoa Vượng (2016), Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang chấm lượng tử CdZnS, Đề tài NCKH Sinh viên, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Thái Nguyên 60 11 Hồng Kim Sinh, Nguyễn Thị Thanh Bình (2015), Tìm hiểu tính chất vật lý chấm lượng tử ZnS pha tạp, Đề tài nghiên cứu khoa học sinh viên, Đại học Sư phạm – Đại học Thái Nguyên 12 Nguyễn Thị Minh Thủy (2014), Nghiên cứu chế tạo tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn hợp chất ba nguyên tố I – III - VI2 (CuInS2), Luận án tiến sĩ, Viện Khoa Học Vật Liệu, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam Tiếng Anh: 14 John Petera A and Chang Woo Leea (2012), “Electronic and optical properties of CdS/CdZnS nanocrystals”, Korea, India, revised manuscript received April 2012, pp.75-81 15 Acharya S and Pradhan N (2011), “Insertion/Ejection of Dopant Ions in Composition Tunable Semiconductor Nanocrystals”, J Phys Chem C, 115, pp.19513–19519 16 Bhargava R N., Gallagher D., Hong X., Nurmikko A (1994) “Optical Properties of Manganese-Doped Nanocrystals of Zinc Sulfide”, Phys Rev Lett 72, pp 416-419 17 Cao Y C, Wang J (2004), “One – Pot Synthesis of High – Quality Zinc Blence CdS Nanocrystal”, J Am, Chem Soc 126, pp 14336 – 14337 18 Clemens Burda, Xiaobo Chen, Radha Narayanan, and Mostafa A El-Sayed (2005), “Chemistry and Properties of Nanocrystals of Different Shapes”, Chem Rev., 105 (4), pp 1025–1102 19 Frantsuzov P Kuno M Janko B and Marcus R A (2008), "Universalemission intermittency in quantum dots, nanorods and nanowires", Nat Phys 4, pp 519522 20 Helen Hsiu-Ying Wei (2015), Synthesis of Colloidal Semiconductor Quantum Dots: Gradient Alloy Core and Tunable Surface Composition, Doctor of Philosophy, University of Rochester Rochester - New York – USA 21 Karan N S., Sarma D D., Kadam R M., Pradhan N (2010)., “Doping Transition Metal (Mn or Cu) Ions in Semiconductor Nanocrystals”, J Phys Chem Lett 1, pp 2863-2866 22 Le Anh Thi, Dang Ngoc Toan, Nguyen Minh Hoa, Nguyen Xuan Nghia, Vu Xuan Quang (2015), The effect of the composition change on optical properties and phonon mode in alloyed quantum dots, International Conference on Spectroscopy & Materials Science ICS&M-2015, pp 95-100 61 23 Lingyunn Liu, Lin Yang, Yunti Pu, Ding Quang Xiao, Jiang uo Zhu, (2012), “Syntheses, Structures, and Photoluminescence of Three Coordination Polymers of Cadmium Dicarboxylates” , Matterials Letters, pp 121-124 24 RegulacioM D, Han M Y (2010), “Composition-Tunable Semiconductor Nanocrystals”, Acc Chem Res 43, pp.621-630 Alloyed 25 Mohammed A Draz (2014), Optical Studies on Transition Metals Doped ZnS Nanoparticles, Thesis of Master of chemistry, Al-Azhar University of Gaza, State of Palestine 26 Nguyen Hai Yen, Willy Daney de Marcillac, Clotilde Lethiec, Phan Ngoc Hong, Catherine Schwob, Agnès Mtre, Nguyen Quang Liem a, Le Van Vu, Paul Bénalloul, Laurent Coolen, Pham Thu Nga (2014), “1-Synthesis and optical properties of core-shell ternary-ternary CdZnSe-ZnSeS quantum dots”, Optical Material 36, pp 1531-1541 27 Norris D J, Yao N, Charnock F T, Kennedy T A, (2001).“High Quality Manganese-Doped ZnSe Nanocrystals”, Nano Lett 1, pp 3-7 28 Pham Nam Thang, Le Xuan Hung, Nguyen Hai Yen, Hoang Van Nong, Vu Thi Hong Hanh, Nguyen Ngoc Hai, Phan Ngoc Hong, Pham Thu Nga (2016), “Study on the fabrication and properties of alloyed quantum dots and graphene quantum dots”, Conference report CASEAN-4, Bangkok, Thái Lan, pp 20-28 29 Pradhan N., Goorskey D, Thessing J, Peng X (2005), “An Alternative of CdSe Nanocrystal Emitters: Pure and Tunable Impurity Emission in ZnSe Nanocrystalsz”, J Am Chem Soc 127, pp.17586-17587 30 Shuming Nie, Robert E Bailey (2013), “Alloyed semiconductor quantum dots and concentration-gradient alloyed quantum dots”, series comprising the same and methods related thereto, pp 16 – 20 31 Wan Ki Bae, Min Ki Nam, Kookheon Char and Seonghoon Lee (2008), “GramScale One-Pot Synthesis of Highly Luminescent Blue Emitting Cd1−xZnxS/ZnS Nanocrystals”, School of Chemical and Biological Engineering, NANO Systems Institute, National Core Research Center, Seoul National University, Seoul, pp.151-747 32 Wang X, Ren X, Kahen K, Hahn, Rajeswaran M A M, Zacher S M, Silcox J, Cragg G E., Efros A L., Krauss T D (2009), Recent Advances in Nanotechnology Applied to Biosensors, Sensors 9, pp 1033-1053 62 33 Xinhua Zhong, Yaoyu Feng, Wolfgang Knoll, and Mingyong Han (2013) , “Alloyed ZnxCd1-xS Nanocrystals with Highly Narrow Luminescence Spectral Width”, Contribution from the Department of Materials Science and Chemistry and the Department of Civil Engineering, National University of Singapore, Singapore 117543, and Institute of Materials Research and Engineering, pp 237 – 243 34 Xinmei Liu, Yang Jiang , Fengming Fu , Weimin Guo,Wenyi Huang, Lijun Li (2013), “Facile synthesis of high-quality ZnS, CdS, CdZnS, and CdZnS/ZnS core/shell quantum dots: characterization and diffusion mechanism”, Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 16, Issue 6, pp 1723-1729 35 Yang Y., Chen O., Angerhofer A., Cao Y C., (2006) “Radial-Position – Controlled Doping in CdS/ZnS Core/Shell Nanocrystals”, J Am Chem Soc 128, pp 12428-12429 36 Yue Wang, Kheng Swee Leck, Van Duong Ta, Rui Chen, Venkatram Nalla, Yuan Gao, Tingchao He, Hilmi Volkan Demir, and Handong Sun (2015)“Blue Liquid Lasers from Solution of CdZnS/ZnS Ternary Alloy Quantum Dots with Quasi-Continuous Pumping”, Advanced Materials, Vol 27, Issue 1, pp 169175 37 Zhang.W., Zhou.X., and Zhong.X., (2012), “One-Pot noninjection Synthesis of Cu-Doped ZnxCd1-xS Nanocrystals with Emission Color Tunable over Entire Visible Spectrum”, Inorg Chem, 51, pp 3579−3587 38 Zhigang Chena, Qiwei Tiana, Yuelin Songa, Jianmao Yangb, Junqing Hu(2010), “One-pot synthesis of ZnxCd1−xS nanocrystals with tunable optical properties from molecular precursors”, Journal of Alloys and Compounds 506, pp 804– 810 39 Zhong X, Feng.Y, Knoll.W, Han.M., (2003) “Alloyed ZnxCd1-xS Nanocrystals with Highly Narrow Luminescence Spectral Width”, J AM CHEM SOC, 125, pp 13559-135639 ... ? ?Nghiên cứu chế tạo tính chất quang vật liệu nano ZnSe1-xSx (hoặc Cd1-xZnx S) pha tạp Mn Cu cho ứng dụng sinh học? ?? Mục đích nghiên cứu - Chế tạo nano tinh thể ZnSe1-xSx Cd1-xZnxS pha tạp Mn Cu. .. HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ÐẠI HỌC SƢ PHẠM BÁO CÁO TỔNG KẾT ÐỀ TÀI KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ CẤP ÐẠI HỌC NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU NANO ZnSe1-xS (hoặc Cd1-xZnxS) PHA TẠP Mn Cu. .. ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM THÔNG TIN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU Thông tin chung: - Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo tính chất quang vật liệu nano ZnSe1xSx (hoặc Cd1-xZnx S) pha tạp Mn Cu cho

Ngày đăng: 20/07/2017, 09:59

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w