bai kiem tra trac nghiem ve hoat dong BJT va FET (miễn phí)

TT Câu hỏi đáp án Transistor lưỡng cực (BJT) khơng có đặc điểm sau a gồm hai chuyển tiếp p-n b Có ba điện cực c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ d Gồm chuyển tiếp p-n Transistor lưỡng cực (BJT) transistor có dòng a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển điện trường ngồi d Khơng điều khiển Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ khuếch đại a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ tắt a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ bão hòa a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ khuếch đại I C = βI B a Đáp án b VCE = b VCE = IC = I C ≤ βI B d Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ tắt I C = βI B a c c IC = I C ≤ βI B Dòng ICBO dòng rỉ a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch d Của transistor d 9 10 11 12 13 14 15 Dòng ICEO dòng rỉ a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch d Của transistor Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng tham gia hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số thiểu số d Electron Khi nhiệt độ làm việc transistor thay đổi a Dòng điện chạy transistor bị thay đổi b Dòng điện chạy transistor khơng bị thay đổi c Dòng điện chạy transistor tăng nhiệt độ tăng d Dòng điện chạy transistor giảm nhiệt độ tăng Hình bên cách mắc transistor a Theo kiểu CE b Theo kiểu CB c Theo kiểu CC d A, b v c Để transistor lưỡng cực hoạt động có a cách mắc b cách mắc c cách mắc d cách mắc Đường đặc tuyến vơn –ampe bên a b c d Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CB Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CB IC (mA) Vùng bão hòa IB = 80 I = 70 µA BIB = 60 µA IB = 50 µA µA IB = 40 Vùng tích cực VCE (BH) ICE (a) O 16 17 18 19 20 IB (µA) 10 09 µAIB = 30 07 µAIB = 20 50 Iµ = 10 B A 03 µIBA= 01 µ A V (V 0 Vùng0ngưng ) CE dẫn VCE = 1V VCE = 10V VCE = 20V 0,2 0,4 0,6 0,8 (b) Đường đặc tuyến vơn –ampe bên a Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CE b Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CE c Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CB d Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CB Cấu trúc JFET khơng có đặc điểm sau a Có điện cực b Có kênh dẫn c Có chuyển tiếp p-n d Có hai chuyển tiếp p-n Transistor trường (FET) transistor có dòng a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển ánh sáng d Khơng điều khiển JFET kênh n có đặc điểm a Điện trở kênh dẫn thay đổi điện áp VGS thay đổi b Điện trở kênh dẫn tăng điện áp VGS âm c Điện trở kênh dẫn giảm điện áp VGS âm d Điện trở kênh dẫn khơng thay đổi điện áp VGS thay đổi JFET kênh p hoạt động a VGS ≥ VDS > b VGS ≤ VDS < c VGS ≥ VDS < VBE (V) 21 22 23 d VGS ≤ VDS > Các điện cực MOSFET gồm cực a B, C, E b D, S, G c D, S, G, Sub d D, S, B Dòng điện chạy FET chủ yếu dòng a Hạt tải đa số b Hạt tải thiểu số c Electron d Hole Transistor trường có đặc điểm sau a Dòng vào b Dòng vào khác  V I D = I DSS 1 − GS  Vp  Shockley 24 25 26 I C = βI B     c Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo phương trình d Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo phương trình D_MOSFET FET khơng có đặc điểm sau Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn lớp điện mơi Sio2 a Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n b Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S c Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm d E_MOSFET FET có đặc điểm sau Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn lớp điện mơi Sio2 a Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n b Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S c Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm d Cơng thức sau biểu diễn quan hệ ngõ với ngõ vào D_MOSFET  V I D = I DSS 1 − GS  Vp      a b c 27 28  Vγ  d  I D = I DSS 1 −   Thơng số khơng phải thơng V pgiới  số  hạn BJT a ICmax b VCEmax c PCmax d ICEO Thơng số khơng phải thơng số giới hạn FET I C = βI B I D = K (VGS − Vth ) IDmax VDSmax b PCmax c PDmax d Dòng điện chạy transistor trường dòng a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n a 29 ... độ làm việc transistor thay đổi a Dòng điện chạy transistor bị thay đổi b Dòng điện chạy transistor khơng bị thay đổi c Dòng điện chạy transistor tăng nhiệt độ tăng d Dòng điện chạy transistor... đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CE b Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CE c Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CB d Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CB Cấu trúc JFET khơng có đặc... d Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CE Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CB Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CB IC (mA)