ĐH Bách Khoa TP.HCM 2Nguồn tài nguyên từ mặt trời • Trước khi nói về năng lượng mặt trời, hãy tìm hiểu về mặt trời: • Như cường độ ánh nắng ra sao • Vị trí của mặt trời ở đâu tại mọi thờ
Trang 1ĐH Bách Khoa TP.HCM 1
0
BàiBài giảnggiảnggiảng::::
NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO
ĐH BÁCH KHOA TP.HCM
Giảng viên: ThS Trần Công Binh
8/2013
C2: NĂNG LƯỢNG ĐIỆN MẶT TRỜI
1 Nguồn năng lượng mặt trời
2 Tế bào quang điện
3 Đặc tuyến I-V của pin quang điện
4 Công nghệ chế tạo pin quang điện
5 Đặc tính làm việc của pin quang điện
6 Hệ điện mặt trời độc lập
7 Hệ điện mặt trời hòa lưới
Trang 2ĐH Bách Khoa TP.HCM 2
Nguồn tài nguyên từ mặt trời
• Trước khi nói về năng lượng mặt trời, hãy tìm hiểu về mặt trời:
• Như cường độ ánh nắng ra sao
• Vị trí của mặt trời ở đâu tại mọi thời điểm
• Bức xạ mặt trời ra sao (insolation: in cident sol ar radi ation )
• Từ đó xác định bức xạ trung bình nhận được mỗi ngày
• Và chọn vị trí và góc lắp đặt dàn pin mặt trời sao cho hiệu quả nhất
Bức xạ của lỗ đen và mặt trời
• Mặt trời
– Đường kính 1.4 triệu km
– Tổng công suất bức xạ điện từ là 3.8 x 1020MW
• Vật thể đen
– Là vật thể vừa hấp thụ hoàn toàn, vừa bức xạ hoàn hảo
– Bức xạ hoàn hảo – phát xạ lượng năng lượng trên mỗi đơn vị diện tích nhiều hơn bất kỳ một vật thể thực ở cùng nhiệt độ.
– Hấp thụ hoàn toàn – hấp thụ tất cả bức xạ, hoàn toàn không có phản xạ
Trang 3• T = nhiệt độ tuyệt đối (K)
Phổ điện từ
Source: www.en.wikipedia.org/wiki/Electromagnetic_radiation
Ánh sáng nhìn thấy được có bước sóng trong khoảng 0.4 đến 0.7 µm, với bước sóng của tia tử ngoại ngắn hơn và tia hồng ngoài dài hơn
Trang 4Diện tích dưới đường cong là tổng công suất bức xạ phát ra
• T = nhiệt độ tuyệt đối (K)
• A = tổng diện tích bề mặt của vật thể đen (m2)
Trang 5• λmax=0.5 µm cho mặt trời, T = 5800 K
• λmax= 10.1 µm với trái đất (một vật đen), T = 288 K
max
2898 ( ) (7.3)
4 (7.2)
E = A T σ
max
2898 ( ) (7.3)
T K
Trang 6ĐH Bách Khoa TP.HCM 6
Phổ bức xạ của mặt trời bên ngoài khí quyển
Hình 7.2
Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio
• h1= chiều dài đường đi qua bầu khí quyển với ánh
nắng mặt trời ngay trên đỉnh đầu
• h2= chiều dài đường đi qua bầu khí quyển để đến bề mặt trái đất
• β = góc cao độ của mặt trời
Hình 7.3
Khi tia nắng băng qua bầu khí quyển, lượng năng lượng đến được bề mặt trái đất sẽ bị suy hao
Trang 7ĐH Bách Khoa TP.HCM 7
Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio
• Air Mass ratio bằng 1 (“ AM1 ”) đồng nghĩa với mặt trời ngày trên đỉnh đầu ( m=1 )
• AM0 ở bên ngoài bầu khí quyển
• AM1.5 là trị trung bình trên bề mặt trái đất ( m=1.5 )
2
1
1air mass ratio = (7.4)
sin
h m
=
Hình 7.3
Phổ mặt trời trên bề mặt trái đất
m tăng leenkhi mạt trời xuống thấp trên bầu trời
Chú ý là có sụ suy hao lớn ở bức xạ màu xanh trời khi
m tăng cao, đó là
lý do có màu đỏ khi mặt trời mọc
và lặn.
Trang 8ĐH Bách Khoa TP.HCM 8
Quỹ đạo trái đất
• Quay một vòng mất 365.25 ngày theo quỹ đạo hình elip
• Khoảng cách từ trái đất đến mặt trời:
• n = số ngày (bắt đầu từ ngày 1.1)
• d (km) thay đổi từ 147x106km vào ngày 2.1 đến 152x106km vào ngày 3.7 (tương ứng với mùa đông và mùa hè)
• Đơn vị góc tính bằng độ cho cả chương này.
Quỹ đạo trái đất
• Trong một ngày, trái đất quay 360,99˚
• Quỹ đạo trái đất quay còn gọi là mặt phẳng hoàn đạo
• Trái đất quay quanh một trục nghiên 23.45˚
• Ban ngày và ban đêm dài bằng nhau vào ngày 21.3 và 21.9 (Xuân phân và Thu phân)
• Đông chí là ngày mà Bắc cực xa mặt trời nhất
• Hạ chí là ngày Bắc cực gần mặt trời nhất
Trang 9ĐH Bách Khoa TP.HCM 9
Quỹ đạo trái đất
Hình 7.5
Với các ứng dụng năng lượng mặt trời, sẽ xem xét các đặc điểm của quỹ đạo của trái đất là không thay đổi
Thiên độ δ - Solar Declination
• Thiên độ δ – là góc hợp bởi mặt phẳng xích
đạo với đường thẳng nối tâm mặt trời và tâm trái đất (δ<0 khi mặt trời ở bán cầu Nam)
• δ biến thiên trong khoảng +/- 23.45˚
• Là một hàm của hình sin tính theo ngày, bắt
đầu từ ngày Xuân phân (n=81 ) tính cho cả
năm 365 ngày.
360 23.45sin 81 (7.6)
365 n
Trang 10ĐH Bách Khoa TP.HCM 10
Vị trí mặt trời theo thời gian trong năm
• Tính toán vị trí mặt trời bất kỳ thời điểm nào
• Từ đó xác định góc nghiêng cho dàn pin mặt trời
• Xác định vị trí mặt trời
Hình 7.6
Thiên độ
Xuân phân Thu phân
Đông chí
Hạ chí
Góc thu giữa trưa
• Giữa trưa – khi mặt trời chiếu thẳng theo đường kinh tuyến
• Phía Bắc bán cầu – mặt phẳng thu sẽ nghiêng một góc bằng đúng với vĩ độ vào thời điểm Xuân phân
• Vào chính trưa, tía nắng vuông góc với tấm thu
Hình 7.8
L = vĩ độ (độ)
L < 0 ở bán cầu Nam
Trang 11ĐH Bách Khoa TP.HCM 11
Cao độ giữa trưa βN- Altitude Angle
• Góc cao độ giữa trưa là góc giữa tia nắng mặt trời với mặt phẳng trái đất
• Zenith – trục hướng tâm, vuông góc với mặt phẳng trái đất (hay đường chân trời)
• Bảng 7.1:
Trang 12Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày
• Vị trí mặt trời trong ngày được xác định theo góc
cao độ β và góc phương vị ϕS
• β và ϕS phụ thuộc vào vĩ độ, ngày và giờ.
• Góc phương vị (ϕS )
– > 0 vào buổi sáng
– < 0 vào buổi chiều
– Tính từ trục hướng cực Bắc (xem như hướng Bắc)
• Lấy giờ giữa trưa là chuẩn.
Trang 13φs < 0 ở phía Tây
Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày
• Xoay theo mặt trời
Trang 14• Nếu xem trái đất quay một góc 15˚/giờ, thì
• Ở 11 AM giờ mặt trời ( solar time ), H = +15˚
(trái đất cần thểm 1 giờ để quay đến giữa trưa)
cos
δ φ
Trang 16ĐH Bách Khoa TP.HCM 16
Example 7.3 – Xác định vị trí mặt trời?
• Góc phương vị
• Tính được 2 giá trị góc phương vị
• Kiểm tra ffiều kiện
cos sinsin
cos
δ φ
β
=
S
H
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Từ việc xác định vị trí mặt trời trên bầu trời
ở mọi thời điểm
• Cũng có thể xác định bóng che ở mọi thời điểm
• Bằng cách phát họa góc phương vị và góc cao độ của hàng cây, tòa nhà, và các vật gây
ra bóng che
• Theo sơ đồ đường mặt trời để xác định thời gian bị bóng râm che phủ
Trang 17ĐH Bách Khoa TP.HCM 17
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Xác định góc phương vị của vật gây bóng che
Góc lệch giữa cực trái đất và cực từ trường khi dùng la bàn
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Xác định góc cao độ vật gây bóng che
Trang 18ĐH Bách Khoa TP.HCM 18
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Hàng cây ở hướng đông nam, căn nhà ở hướng tây nam
• Có thể ước tính lượng năng lượng mất đi do bóng che
Hình 7.15
40o vĩ Bắc
Cây cao che
từ 8:30 đến 9:30 tháng
11 tháng 1.
Nhà che sau 15:00 tháng
11 tháng 1.
California Solar Shade Control Act
• Bóng che tấm thu năng lượng mặt trời (từ nhà kế bên) được pháp luật quy định ở một số quốc gia.
• Ví dụ đạo luật kiểm soát bóng che của California vào năm 1979: Không để cho cây hay bụi cây gây bóng che cho tài sản của hàng xóm lớn hơn 10%
diện tích tấm thu trong khoảng 10 am đến 2 pm.
Trang 19ĐH Bách Khoa TP.HCM 19
The Guilty Trees were Subject to Court Ordered Pruning
Nguồn: NYTimes, 4/7/08 Trường hợp đầu tiên bị kết án năm 2008.
Giờ mặt trời ST và giờ đồng hồ CT
• Hầu hết tính toán liên quan đến giờ mặt trời (ST)
• Giờ mặt trời được tính từ giữa trưa
• So với giờ đồng hồ thì cần 2 hiệu chỉnh:
– Theo kinh độ cần hiệu chỉnh múi giờ
– Theo sự không đồng đều khi trái đất quay quanh mặt trời
• Hai địa điểm sẽ có cùng giờ mặt trời chỉ khi có cùng kinh tuyến
• Giờ mặt trời sẽ khác nhau 4 phút nếu lệch 1˚ kinh tuyến
• Trong khi giờ đồng hồ chí có 24 múi 1-giờ, mối múi giờ dùng chung cho 15˚ kinh tuyến.
Trang 20ĐH Bách Khoa TP.HCM 20
Bản đồ phần múi giờ thế giới
Nguồn: http://aa.usno.navy.mil/graphics/TimeZoneMap0802.pdf
Bản đồ phần múi giờ thế giới
Nguồn: http://www.timeanddate.com/time/map/
Trang 21ĐH Bách Khoa TP.HCM 21
US Local Time Meridians (Table 7.4)
Múi giờ Local Time Meridian
Hà Nội – Băng cốc (GMT+7)
Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
Ngày dài hơn vào mùa Đông!
Trang 22ĐH Bách Khoa TP.HCM 22
Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
• Sự khác nhau giữa ngày 24-giờ và ngày mặt trời được
tính bằng Phương trình thời gian E
• n là ngày trong năm
Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Kết hợp hiệu chỉnh sai lệch theo kinh độ và phương
trình thời gian E có được:
• CT – giờ đồng hồ
• ST – giờ mặt trời
• LT Meridian – Kinh độ chuẩn của múi giờ
• Độ kinh Đông có giá trị < 0
• Giờ đồng hồ có thể khác múi giờ, thay đổi theo mùa
Solar Time (ST) Clock Time (CT) + =
4 min LT Meridian Local Longitude + (min) (7.14) − E
Trang 23ĐH Bách Khoa TP.HCM 23
Ví dụ 7.5 – Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Tại TP.Hồ Chí Minh (L=10o45'0'' vĩ Bắc,
106°40'0" kinh Đông), vào ngày 27 tháng
8 Tính giờ mặt trời lúc 15:08 giờ đồng hồ?
Solar Time (ST) Clock Time (CT) + =
4 min LT Meridian Local Longitude + (min) − E
Ví dụ 7.5 – Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Tính giờ đồng hồ ngay giữa trưa ở Boston (71.1˚ kinh Tây) vào ngày 1.7 với Eastern Daylight Time (giờ đồng
hồ quy định chậm hơn 1 giờ vào mùa Đông)
Trang 24ĐH Bách Khoa TP.HCM 24
Ví dụ 7.5 – Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• The local time meridian for Boston is 75˚, so the difference is 75 ˚-71.7 ˚, and we know that each degree corresponds to 4 minutes
• HSR>0 khi mặt trời mọc, và < 0 khi mặt trời lặn
sinβ =cos cos cosL δ H +sin sin (7.8) L δ
sinβ =cos cos cosL δ H+sin sinL δ =0 (7.15)
sin sincos = tan tan (7.16)
Hour angle of sunrise
Gio` (hinh hoc) 12 : 00 (7.18)
15 /
°
SR H h
Trang 25ĐH Bách Khoa TP.HCM 25
Mặt trời mọc và mặt trời lặn
• Khí tượng thủy văn xác định thời điểm mặt trời mọc/lặn
ở đỉnh của mặt trời thay vì ở tâm mặt trời như tính toán hình học
• Và xét thêm khúc xạ của khí quyển (bình minh sớm hơn
và hoàn hôn trễ hơn 2,4 phút)
• Hệ số hiệu chỉnh Q
• Giờ hình học trừ bớt Q khi mặt trời mọc hay lặn.
3.467
Q (min) (7.19) cos cos sinL δ H SR
=
Mặt trời mọc và mặt trời lặn
Trang 26ĐH Bách Khoa TP.HCM 26
Chùm tia bức xạ trực tiếp
• Chùm tia bức xạ trực tiếp (Direct beam radiation) IBC –
đi theo đường thẳng qua bầu khí quyển tới người nhận
• Bức xạ tán xạ (Diffuse radiation) IDC – phân tán bởi các phân tử trong bầu khí quyển
• Bức xạ phản xạ (Reflected radiation)
IRC – phản chiếu từ bền mặt phản xạ
Hình 7.18
Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Tính toán cho ngày bầu trời quang đảng
Trang 27ĐH Bách Khoa TP.HCM 27
Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Hằng năm, chỉ gần một nửa I0 truyền tới được bề mặt trái đất dưới dạng bức xạ trực tiếp ( IB)
• Khi trời quang, bức xạ trực tiếp có thể lên đến 70% I0
Hình 7.19
Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
• Có thể tính độ suy giảm cường độ bức xạ qua bầu khí quyển theo hàm mũ:
(7.21)
km B
Trang 28ĐH Bách Khoa TP.HCM 28
Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
Từ bảng 7.6, A, k và C có thể được tính theo phương trình:
Cường độ nắng qua bề mặt thu
• Bức xạ trực tiếp IBClà hàm giữa của góc hợp bởi tia nắng
Trang 29ĐH Bách Khoa TP.HCM 29
Solar Insolation on a Collecting Surface, cont.
Hệ thống xoay theo mặt trời - Tracking Systems
• Hầu hết pin mặt trời được lắp cố định Nhưng cũng có một số hệ thống xoay theo mặt trời có hiệu quả hơn.
• Hệ thống mặt trời có thể chỉ gồm 1 trục (xoay theo giờ trong ngày), hoặc 2 trục (theo cao độ (lên-xuống) và theo góc phương vị (Đông-Tây)).
• Hệ xoay theo mặt trời có thể tăng thêm đến 20% công suất với hệ 1 trục, và 25- 30% công suất với hệ 2 trục.
Trang 30ĐH Bách Khoa TP.HCM 30
Cường độ nắng theo từng tháng trong năm
• Với hệ pin mặt trời lắp cố định, công suất bức xạ nhận được phụ thuộc nhiều vào góc nghiêng lắp đặt Tùy theo tiêu chí sử dụng mà có thể chọn góc nghiêng phù hợp.
US Annual Insolation
Trang 31ĐH Bách Khoa TP.HCM 31
Worldwide Annual Insolation
Vào năm 2007, tổng công suất PV trên thế giới khoảng 7800 MW, với hầu hết ở Đức (3860 MW), Nhật (1919 MW), Mỹ (830 MW) và Tây Ban Nha (655MW).
Tế bào quang điện
Trang 32ĐH Bách Khoa TP.HCM 32
Pin quang điện
Pin quang điện
Trang 33ĐH Bách Khoa TP.HCM 33
Vật liệu quang điện
Mức năng lượng
Trang 36ĐH Bách Khoa TP.HCM 36
Mức năng lượng
Phổ năng lượng mặt trời
Trang 37ĐH Bách Khoa TP.HCM 37
Phổ năng lượng mặt trời
Ảnh hưởng của mức năng lượng lên hiệu suất quang điện
Trang 38ĐH Bách Khoa TP.HCM 38
Hiệu suất chuyển đổi quang điện thực tế
Mối nối p-n
Trang 40ĐH Bách Khoa TP.HCM 40
Diode dùng mối nối p-n
k: hằng số Boltzmann
Diode dùng mối nối p-n
Trang 41ĐH Bách Khoa TP.HCM 41
Tế bào quang điện
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Trang 42ĐH Bách Khoa TP.HCM 42
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Trang 43ĐH Bách Khoa TP.HCM 43
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Trang 44ĐH Bách Khoa TP.HCM 44
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Ví dụ: 8.3.1: Tính dòng ngược bảo hòa của diode trong tấm pin mặt trời 60 tế bào ghép nối tiếp sau:
Biết V=30.6V, Rp=1.76Ω Tính I?
Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Trang 45ĐH Bách Khoa TP.HCM 45
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Trang 46ĐH Bách Khoa TP.HCM 46
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Trang 47ĐH Bách Khoa TP.HCM 47
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Trang 48ĐH Bách Khoa TP.HCM 48
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Ghép các tế bào quang điện
Trang 50ĐH Bách Khoa TP.HCM 50
Năng lượng mặt trời
Ghép nối tiếp nhiều tấm pin
Trang 51ĐH Bách Khoa TP.HCM 51
Ghép song song nhiều tấm pin
Ghép nối nhiều tấm pin
Trang 52ĐH Bách Khoa TP.HCM 52
Ghép nối nhiều tấm pin
Đặc tuyến I-V của pin quang điện
Trang 54ĐH Bách Khoa TP.HCM 54
Năng lượng mặt trời
Tác động của nhiệt độ và cường độ bức xạ
Trang 55ĐH Bách Khoa TP.HCM 55
Tác động của nhiệt độ và cường độ bức xạ
Trang 56ĐH Bách Khoa TP.HCM 56
Năng lượng mặt trời
Tác động do bóng che
Trang 59ĐH Bách Khoa TP.HCM 59
Tác động do bóng che
Năng lượng mặt trời
Trang 60ĐH Bách Khoa TP.HCM 60
Tác động do bóng che
Công nghệ chế tạo pin quang điện
Trang 61ĐH Bách Khoa TP.HCM 61
Pin quang điện dùng tinh thể silicon
Hình 8.45: Một cách phân nhánh để trình bày về các kỹ thuật quang điện Tỷ lệ dựa theo thị phần PV vào cuối những năm 1990.
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.46: Phương pháp Czochralski tạo ra silicon đơn tinh thể.
Trang 62ĐH Bách Khoa TP.HCM 62
Hình 8.47: Sự phát triển của các tế bào năng lượng mặt trời CZ-silicon (a) Độ dày của phiến bán dẫn của một tế bào những năm 1970 (b) Tế bào có rãnh laser và điện cực chìm trên cả hai mặt (c) Tế bào PERL Theo Green (1993).
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.48: Tăng hiệu suất của các tế bào quang điện dùng silicon đơn tinh thể trong phòng thí nghiệm Theo Bube (1998).
Trang 63ĐH Bách Khoa TP.HCM 63
Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.49: Tấm tinh thể silicon có thể được kéo lên bằng phương pháp EFG (a) hoặc sử dụng 2 thanh kéo song song (b).
Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.50: Quy trình S-Web tạo ra tấm silicon liên tục, có thể pha tạp chất kích thích và cắt thành các tế bào hình chữ nhật Theo Schmela (2000).
Trang 64ĐH Bách Khoa TP.HCM 64
Đúc thỏi silicon đa tinh thể (Multicrystalline Silicon)
Hình 8.51: Đúc, cắt và cưa silicon để tạo thành wafer chưa các hạt tinh thể silicon, giữa các hạt tồn tại các lằn ranh phân chia.
Mô đun tinh thể Silicon
Hình 8.52: Các tế bào tinh thể được nối nối tiếp với nhau và sau đó được bảo
vệ giữa các lớp thủy tinh, EVA, và polyme.
Trang 65ĐH Bách Khoa TP.HCM 65
PIN QUANG ĐIỆN MÀNG MỎNG (THIN-FILM)
Silicon vô định hình
Hình 8.53: Mặt cắt ngang của một tế bào silicon vô định hình p-i-n Độ dày tính theo nanomet (10 -9 m) và vẽ không theo tỷ lệ.
Trang 66Quy trình chế tạo Silicon vô định hình