FET Mạch điện tử cơ bản Transistor BJT Mạch điện tử cơ bản
Chương 3: FET NỘI DUNG Nguyên lý hoạt động Mạch phân cực (DC) Mạch tín hiệu nhỏ (AC) Chương 3-2 3.1 Nguyên lý hoạt động Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu FET kênh n FET kênh p Cấu tạo hoạt động phân cực JFET MOSFET (IGFET) Chương 3-3 Đặc điểm – Phân loại – Ký hiệu Kênh bán dẫn điều khiển điện áp cực FET kênh p FET kênh n Cực cổng G Cực nguồn S Cực máng D Phi tuyến N P Chương 3-4 Cấu tạo JFET Drain (D) Gate (G) P N Drain (D) P Gate (G) Source (S) N P N Source (S) Chương 3-5 Hoạt động phân cực JFET VGS = VGS = -1 VGS = -2 = -Vp0 Vùng điện trở Vùng khuếch đại (bão hòa) Vùng tắt Chương 3-6 Hoạt động phân cực JFET (tt) Họ đặc tuyến JFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa) - Vpo ≤ VGS ≤ Vp = Vpo + VGS ≤ VDS ≤ IDS = Ip ≤ Ipo Chương 3-7 Cấu tạo MOSFET Chương 3-8 Hoạt động phân cực MOSFET VGS = -Vp0 < VGS < VGS > Vùng điện trở Vùng khuếch đại (bão hòa) Vùng tắt Chương 3-9 Họ đặc tuyến MOSFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa) - Vpo ≤ VGS Vp = Vpo + VGS ≤ VDS ≤ IDS = Ip ≤ Ipo Chương 3-10 ĐÁP ÁN (tt) Av= Thay giá trị µ=68 vào 6,8( ) =17k+ 5,8( ) =17k Ω = 4.41k Ω Chương 3-70 ĐÁP ÁN Chương 3-71 ĐÁP ÁN b) Tìm điểm Q gồm Dựa vào mạch ta tìm = Thay =15 V, ta phương trình sau Chương 3-72 ĐÁP ÁN (tt) biến đổi Điều kiện = -1 V Loại giá trị -4 chọn giá trị =1 +1=2V Thay =1V vào đồ thị,chiếu lên trục tung ta tính = mA Chương 3-73 ĐÁP ÁN (tt) c)Tính Thay vào ta = 0,4 mΩ d) Cho =10k Ta tính µ dựa vào cơng thức = 0,4.10=4 Chương 3-74 ĐÁP ÁN (tt) = = = 7,5k = = = 15k = = = =0,57 Chương 3-75 ĐÁP ÁN RL rd V2 µ1Vgs1 Rd rd V1 µ2Vgs2 Chương 3-76 ĐÁP ÁN (tt) Chương 3-77 ĐÁP ÁN Chương 3-78 ĐÁP ÁN (tt) b) Trong mạch FET: Trong mạch BJT: Đối với FET, giá trị phụ thuộc vào: Chương 3-79 ĐÁP ÁN (tt) Chương 3-80 ĐÁP ÁN (tt) CMRR Mà µ = Vậy CMRR Chương 3-81 ĐÁP ÁN (tt) Vì FET giống nên có chung hệ số µ = = = Chương 3-82 ĐÁP ÁN Chương 3-83 ĐÁP ÁN 10 Chương 3-84 [...]... tích mạch CS (tt) Chương 3-23 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-24 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-25 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-26 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-27 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-28 Phân tích mạch CD Chương 3-29 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-30 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-31 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-32 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-33 Phân tích mạch CD... IDS = 0 thì 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 = 0 giải PT ta được VDS = -4 (V) Vpo = 4 (V) JFET VGS Ip= IDS -4 0 -2 0.5 Vp= VDS 0 2 -1 0 1 1.125 2.10-4 3.125 3 4 5 2 4.5 4 8 6 8 MOSFET Chương 3-12 3.2 Mạch phân cực Mạch phân cực cho JFET Mạch phân cực cho MOSFET Chế độ nghèo Chế độ tăng cường Chương 3-13 Mạch phân cực cho JFET Ta có: 0 = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID VGS = - RS ID (Đường phân... 3.3 Mạch tín hiệu nhỏ Mô hình tương đương của FET: dạng S chung Các thông số AC của FET Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG) Tính toán độ lợi dòng-áp và trở kháng vào-ra Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS Mô hình tương đương của mạch khuếch đại Chương 3-20 Mô hình tương đương của FET Chương 3-21 Phân tích mạch. .. VGSQ Giải hệ ta có điểm Q Chương 3-17 Ví dụ mạch phân cực MOSFET Cho mạch như hình vẽ: Ipo = 6mA , Vpo = 3V Tìm Q? Giải Ta có : VG = VDD R2 / (R1 + R2) = 1.5 V VGSQ = VG - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có : 0.1 (VGSQ)2 + 1.6 VGSQ -0.6 = 0 VGSQ = 0.366 V VGSQ= - 16.366 V (Lọai vì < -Vpo) Chương 3-18 Ví dụ mạch phân cực MOSFET (tt) Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 4mA, Vpo = 4V Tìm Q?... khơng ảnh hưởng đến sự phân cực do IG =0 Chương 3-15 Mạch phân cực cho MOSFET VDS = VDD - ID (RS + RD ) VG = VDD R2 / (R1 + R2) VG = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID VGS = VG - RS ID (Đường phân cực ) Đặc tuyến truyền: IDS =ID = Ipo Điểm tĩnh Q: IDQ = Ipo và VGSQ = VG - RS IDQ Giải hệ trên tìm được Q (IDQ , VGSQ ) Chương 3-16 Mạch phân cực cho MOSFET (tt) VDS = VDD - ID RD Ðường phân cực xác định... tích mạch CD (tt) Chương 3-31 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-32 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-33 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-34 Phân tích mạch CD (tt) mạch CD dùng làm mạch đệm, để cách ly áp giữa các tầng Chương 3-35 Kỹ thuật phản ánh trong FET Chương 3-36 ... VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID VGS = - RS ID (Đường phân cực ) (1) Đặc tuyến truyền: IDS =ID = Ipo (2) Từ (1) và (2) cho ta hệ PT hai ẩn IDSQ và VGSQ Giải hệ ta có điểm Q Chương 3-14 Ví dụ mạch phân cực JFET Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 0.1 mA , Vpo = 4 V Tìm Q (IDS , VGS , VDS)? Giải Ta có: VGS = VG - VS = - VS = - RS IDQ (IG =0) VGSQ = - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có :... nghẽn của FET Cho FET có phương trình đặc tính dòng áp là IDS = 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 (A) a Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =0 b Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS = -1, -2, -4 (V) c Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =1, 2, 4 (V) Giải Cách 1: Ta có: IDS = 2.10-4 (1 + 0.25 VGS )2 (1) Mặt khác: IDS = Ipo (2) Đồng nhất (1) và (2) ta có : Ipo =2 10-4 (A), Vpo = 4 (V) Chương 3-11 Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET (tt)