1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

FET Mạch điện tử cơ bản

84 347 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 84
Dung lượng 3,35 MB

Nội dung

FET Mạch điện tử cơ bản Transistor BJT Mạch điện tử cơ bản

Chương 3: FET NỘI DUNG Nguyên lý hoạt động  Mạch phân cực (DC)  Mạch tín hiệu nhỏ (AC)  Chương 3-2 3.1 Nguyên lý hoạt động   Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu  FET kênh n  FET kênh p Cấu tạo hoạt động phân cực  JFET  MOSFET (IGFET) Chương 3-3 Đặc điểm – Phân loại – Ký hiệu  Kênh bán dẫn điều khiển điện áp    cực     FET kênh p FET kênh n Cực cổng G Cực nguồn S Cực máng D Phi tuyến N P Chương 3-4 Cấu tạo JFET Drain (D) Gate (G) P N Drain (D) P Gate (G) Source (S) N P N Source (S) Chương 3-5 Hoạt động phân cực JFET    VGS = VGS = -1 VGS = -2 = -Vp0 Vùng điện trở Vùng khuếch đại (bão hòa) Vùng tắt Chương 3-6 Hoạt động phân cực JFET (tt)  Họ đặc tuyến JFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa)  - Vpo ≤ VGS ≤ Vp = Vpo + VGS ≤ VDS   ≤ IDS = Ip ≤ Ipo Chương 3-7 Cấu tạo MOSFET Chương 3-8 Hoạt động phân cực MOSFET    VGS = -Vp0 < VGS < VGS > Vùng điện trở Vùng khuếch đại (bão hòa) Vùng tắt Chương 3-9  Họ đặc tuyến MOSFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa)  - Vpo ≤ VGS Vp = Vpo + VGS ≤ VDS ≤ IDS = Ip ≤ Ipo Chương 3-10 ĐÁP ÁN (tt) Av= Thay giá trị µ=68 vào 6,8( ) =17k+ 5,8( ) =17k Ω = 4.41k Ω Chương 3-70 ĐÁP ÁN Chương 3-71 ĐÁP ÁN b) Tìm điểm Q gồm Dựa vào mạch ta tìm = Thay =15 V, ta phương trình sau Chương 3-72 ĐÁP ÁN (tt) biến đổi Điều kiện = -1 V Loại giá trị -4 chọn giá trị =1 +1=2V Thay =1V vào đồ thị,chiếu lên trục tung ta tính = mA Chương 3-73 ĐÁP ÁN (tt) c)Tính Thay vào ta = 0,4 mΩ d) Cho =10k Ta tính µ dựa vào cơng thức = 0,4.10=4 Chương 3-74 ĐÁP ÁN (tt) = = = 7,5k = = = 15k = = = =0,57 Chương 3-75 ĐÁP ÁN RL rd V2 µ1Vgs1 Rd rd V1 µ2Vgs2 Chương 3-76 ĐÁP ÁN (tt) Chương 3-77 ĐÁP ÁN Chương 3-78 ĐÁP ÁN (tt) b) Trong mạch FET: Trong mạch BJT: Đối với FET, giá trị phụ thuộc vào: Chương 3-79 ĐÁP ÁN (tt) Chương 3-80 ĐÁP ÁN (tt) CMRR Mà µ = Vậy CMRR Chương 3-81 ĐÁP ÁN (tt) Vì FET giống nên có chung hệ số µ = = = Chương 3-82 ĐÁP ÁN Chương 3-83 ĐÁP ÁN 10 Chương 3-84 [...]... tích mạch CS (tt) Chương 3-23 Phân tích mạch CS (tt)  Chương 3-24 Phân tích mạch CS (tt) Chương 3-25 Phân tích mạch CS (tt)  Chương 3-26 Phân tích mạch CS (tt)  Chương 3-27 Phân tích mạch CS (tt)  Chương 3-28 Phân tích mạch CD Chương 3-29 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-30 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-31 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-32 Phân tích mạch CD (tt)  Chương 3-33 Phân tích mạch CD... IDS = 0 thì 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 = 0 giải PT ta được VDS = -4 (V)  Vpo = 4 (V) JFET VGS Ip= IDS -4 0 -2 0.5 Vp= VDS 0 2 -1 0 1 1.125 2.10-4 3.125 3 4 5 2 4.5 4 8 6 8 MOSFET Chương 3-12 3.2 Mạch phân cực   Mạch phân cực cho JFET Mạch phân cực cho MOSFET  Chế độ nghèo  Chế độ tăng cường Chương 3-13 Mạch phân cực cho JFET Ta có: 0 = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID  VGS = - RS ID (Đường phân... 3.3 Mạch tín hiệu nhỏ   Mô hình tương đương của FET: dạng S chung  Các thông số AC của FET  Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp  Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG)  Tính toán độ lợi dòng-áp và trở kháng vào-ra  Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS  Mô hình tương đương của mạch khuếch đại Chương 3-20 Mô hình tương đương của FET Chương 3-21 Phân tích mạch. .. VGSQ Giải hệ ta có điểm Q Chương 3-17 Ví dụ mạch phân cực MOSFET Cho mạch như hình vẽ: Ipo = 6mA , Vpo = 3V Tìm Q? Giải Ta có : VG = VDD R2 / (R1 + R2) = 1.5 V VGSQ = VG - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có : 0.1 (VGSQ)2 + 1.6 VGSQ -0.6 = 0 VGSQ = 0.366 V VGSQ= - 16.366 V (Lọai vì < -Vpo) Chương 3-18 Ví dụ mạch phân cực MOSFET (tt) Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 4mA, Vpo = 4V Tìm Q?... khơng ảnh hưởng đến sự phân cực do IG =0 Chương 3-15 Mạch phân cực cho MOSFET VDS = VDD - ID (RS + RD ) VG = VDD R2 / (R1 + R2) VG = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID  VGS = VG - RS ID (Đường phân cực ) Đặc tuyến truyền: IDS =ID = Ipo Điểm tĩnh Q: IDQ = Ipo và VGSQ = VG - RS IDQ Giải hệ trên tìm được Q (IDQ , VGSQ ) Chương 3-16 Mạch phân cực cho MOSFET (tt) VDS = VDD - ID RD Ðường phân cực xác định... tích mạch CD (tt) Chương 3-31 Phân tích mạch CD (tt) Chương 3-32 Phân tích mạch CD (tt)  Chương 3-33 Phân tích mạch CD (tt)  Chương 3-34 Phân tích mạch CD (tt)   mạch CD dùng làm mạch đệm, để cách ly áp giữa các tầng Chương 3-35 Kỹ thuật phản ánh trong FET Chương 3-36 ... VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID  VGS = - RS ID (Đường phân cực ) (1) Đặc tuyến truyền: IDS =ID = Ipo (2) Từ (1) và (2) cho ta hệ PT hai ẩn IDSQ và VGSQ Giải hệ ta có điểm Q Chương 3-14 Ví dụ mạch phân cực JFET Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 0.1 mA , Vpo = 4 V Tìm Q (IDS , VGS , VDS)? Giải Ta có: VGS = VG - VS = - VS = - RS IDQ (IG =0)  VGSQ = - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có :... nghẽn của FET Cho FET có phương trình đặc tính dòng áp là IDS = 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 (A) a Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =0 b Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS = -1, -2, -4 (V) c Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =1, 2, 4 (V) Giải Cách 1: Ta có: IDS = 2.10-4 (1 + 0.25 VGS )2 (1) Mặt khác: IDS = Ipo (2) Đồng nhất (1) và (2) ta có : Ipo =2 10-4 (A), Vpo = 4 (V) Chương 3-11 Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET (tt)

Ngày đăng: 11/05/2016, 19:58

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w