NGÂN HÀNG CÂU HỎI THI TRẮC NGHIỆM Môn: Linh kiện điện tử

Các nguyên tử tạp chất thuộc nhóm 3 trong bảng HTTH Mendeleep đợc pha thêm vào chất bán dẫn thuần silicon để tạo ra: 4.. Nồng độ hạt dẫn đa số trong chất bán dẫn tạp chất phụ thuộc vào:

Ng©n hµng c©u hái thi tr¾c nghiÖm

M«n : Linh kiÖn ®iÖn tö

H×nh 1.1

.01 25

a) 1,5k 5%

b) 10k  10% c) 100k  10%

d) 12k  5% 8 Điện trở hình 1.7 có R = ? a) 47  10%

b) 490  5% c) 470  10%

d) 4,7k  10% 9 Điện trở hình 1.8 có R = ? a) 1  5%

b) 10  5% c) 100  5%

d) 1k  5% 10 Điện trở hình 1.9 có R = ? a) 22  5%

b) 220  5% c) 2,2k  5%

d) 22k  5% 11 Điện trở hình 1.10 có R = ? a) 270 5% ± 5%

b) 2,7K 5%± 5%

c) 27K 5%± 5%

d) 270K 5%± 5%

12 Điện trở hình 1.11 có R = ? a) 10 5%± 5%

b) 2,7K 5%± 5%

c) 10K 5%± 5%

d) 100 5%± 5%

13 Điện trở hình 1.12 có R = ? a) 1,5K 5%± 5%

b) 15K 5%± 5%

c) 150K 5%± 5%

2

Hình 1.7

Vàng tím nâu nhũ bạc

Hình 1.8

Nâu đen đen nhũ vàng

Hình 1.9

Hình 1.10

đỏ tím cam nhũ vàng

Hình 1.11

nâu xanh lục đỏ vàng nhũ

d) 1,5M 5%± 5%

14 Điện trở hình 1.13 có R = ? a) 470 5%± 5%

b) 4,7K 5%± 5%

c) 47K 5%± 5%

d) 470K 5%± 5%

15 Điện trở hình 1.14 có R = ? a) 330 5%± 5%

b) 33K 5%± 5%

c) 3,3K 5%± 5%

d) 330K 5%± 5%

16 Điện trở hình 1.15 có R = ? a) 1K 5%± 5%

b) 10K 10%± 5%

c) 100K 10%± 5%

d) 1M 10%± 5%

17 Điện trở hình 1.16 có R = ? a) 8,2  5% b) 82  10%

c) 82  5%

d) 820  5% 18 Điện trở hình 1.17 có R = ? a) 6,8K  20%

b) 68 K  20%

c) 6,8  10%

d) 0,68K  5% 19 Điện trở 398  2% thứ tự vòng màu là: a) Cam -Trắng- Xám -Đỏ- Nâu

b) Cam -Trắng- Xám -Đen -Đỏ

c) Cam -Trắng -Xám -Nâu -Nâu

d) Cam -Trắng -Xám –Cam - Đỏ 20 Điện trở 27  5% có thứ tự vòng màu là: a) Đỏ - Tím - Đen - Vàng nhũ

3

Hình 1.13

vàng tím đỏ vàng nhũ

Hình 1.14

Hình 1.15

nâu đen vàng bạc nhũ

Hình 1.16

6K8M

Hình 1.17

23 Hai cuộn cảm công suất giống nhau có giá trị

(33mH và55mH) đợc ghép nối tiếp với nhau, không có ghép hỗ cảm, thì giá trịcuộn cảm tơng đơng là:

Hình 1.20

Hình 1.21

2 Các nguyên tử tạp chất thuộc nhóm 3 trong bảng HTTH Mendeleep đợc pha thêm vào chất bán dẫn thuần silicon để tạo ra:

4 Nồng độ hạt dẫn đa số trong chất bán dẫn tạp chất phụ thuộc vào:

a) Nồng độ chất đợc pha tạp vào

b) Loại chất đợc pha tạp vào

c) Chất bán dẫn thuần

d) a,b,c đều đúng

5 Vùng hoá trị bao gồm các mức năng lợng mà trong điều kiện thờng:

a) Không bị điện tử chiếm giữ

b) Bị điện tử chiếm giữ

c) Bị điện tử chiếm giữ một phần

d) a,b,c đều sai

6 Vùng dẫn là vùng mà các mức năng lợng :

a) Bị bỏ trống hoặc chiếm giữ một phần

b) Bị chiếm giữ toàn bộ

c) a,b đều sai

7.Vùng cấm là vùng mà tại đó các mức năng lợng:

a) Không bị chiếm chỗ

b) Chiếm giữ toàn phần

c) Chiếm giữ một phần

d) a,b,c đều sai

8 Chất bán dẫn thuần Gemani (Ge) thuộc nhóm mấy trong bảng hệ thống tuần hoàn Mendeleep?

a) Hai

b) bốn

c) Ba

d) năm

9 Để tạo ra chất bán dẫn loại N ngời ta đã pha nguyên tố nhóm… thuộc bảng thuộc bảng

hệ thống tuần hoàn Menđêleep vào chất bán dẫn thuần

a) Hai

b) Bốn

c) Ba

d) Năm

10 Để tạo ra chất bán dẫn loại P ngời ta đã pha nguyên tố nhóm… thuộc bảng thuộc bảng

hệ thống tuần hoàn Menđêleep vào chất bán dẫn thuần

a) Hai

b) Bốn

c) Ba

d) Năm

11 Trong chất bán dẫn thờng gặp các hiện tợng vật lý gì?

a) Hiện tợng ion hoá nguyên tử

4 Khi tiếp giáp P-N bị phân cực ngợc với một điện áp quá lớn thì:

a) Tiếp giáp sẽ dẫn điện

b) Tiếp giáp bị đánh thủng vì điện

c) Tiếp giáp bị đánh thủng vì nhiệt

d) Tiếp giáp không dẫn điện

5 Điều kiện để diode phân cực thuận ?

a) UAK  0

b) UAK < 0

c) UAK>UMở

d) a,b,c đều sai

6 Điều kiện để diode phân cực ngợc?

a) có nội trở nhỏ và không cho dòng điện đi qua

b) có nội trở nhỏ và cho dòng điện đi qua

c) có nội trở cao và không cho dòng điện đi qua

d) có UAK rất lớn

8 Điôt phân cực ngợc:

a) có nội trở nhỏ và không cho dòng điện đi qua

b) có nội trở nhỏ và cho dòng điện đi qua

c) Có nội trở cao và không cho dòng điện đi qua

d) Nối với đất

15 điôt zener trong mạch ổn áp hoạt động ở chế độ:

a) Phân cực thuận

b) Phân cực ngợc

c) Đánh thủng thuận

d) Đánh thủng ngợc

16 Khi phân cực thuận, điôt zener:

a) Hoạt động giống nh điôt chỉnh lu

b) Hoạt động giống nh điôt biến dung

c) Hoạt động giống nh điôt phát quang

d) cả ba đáp án a,b,c đều sai

25 led 7 thanh có tác dụng

b) cả 4 điôt sau một thời gian sẽ bị đánh thủng

c) mạch điện chuyển thành mạch chỉnh lu một nửa chu kỳ

ID = 0 trong cỏc trường hợp cũn lại

Khi đú điểm cụng tỏc tĩnh cú tọa độ:

D1 DIODE

R 2K

Hỡnh 3.5

AU

D1 DIODE

R

Hỡnh 3.6

Dạng tớn hiệu ra như sau:

34 Hình 3.8 gồm điôt zener có: Uz=5.1V tại IZT = 49 mA; Zz = 7; PD(max)=1W;

IZmin=1mA; để điện áp ra có thể ổn định thì :

D1 DIODE

R 2K

35 H×nh 3.9 cã dßng ®iÖn qua D khi RT= lµ Iz = ?

17 Với điều kiện phân cực nào thì Tranzistor lỡng cực loại NPN hoạt động ở vùng cắt dòng:

BE = 0,7V

+V

CC

10V R

C = 10k

RB=100k

Hình 4.3

28 Nếu điện trở RB trong sơ đồ Hình 4.4 bị đứt thì sẽ xảy ra hiện tợng:

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

Ur

Uv

C1

C2 +

+

RC2,2k

U

BE =0,7V

=50

34 Nếu điện trở RB trong Hình 4.5 bị đứt thì sẽ xảy ra hiện tợng:

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

RC2k

+ V EE 10V

Ur

Uv

R2 10k

R1 22k

Rc 2,2k

Re 1k

+ +

BE = 0,7V

50 Sơ đồ Hình 4.7 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

61 Sơ đồ Hình 4.8 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

3

6,8k

R1 56k

R2 8,2k

BE = 0,7V

Hình 4.8

+ +

71 Đờng tải tĩnh sơ đồ Hình 4.8 có toạ độ là:

3

6k

R1 32k

R2 4k

BE = 0,6V

Hình 4.9

+ +

560

C

E 100F

Uv

Ur

=99 U

BE =0,7V

83 Sơ đồ Hình 4.10 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

d) 3,132V

91 Hình 4.10 có UCE = ?

a) 3,266V

b) 4,146 V

c) 5,64V

d) 6,83V

92 Đờng tải tĩnh sơ đồ Hình 4.10 có toạ độ là.

a ( IC= 0; UCE= 12V ) và ( UCE= 0; IC= 1,12mA )

b ( IC= 0; UCE= 12V ) và ( UCE= 0; IC= 1,34mA )

c ( IC= 0; UCE= 12V ) và ( UCE= 0; IC= 1,56mA )

d ( IC= 0; UCE= 12V ) và ( UCE= 0; IC= 1,91mA )

93 Mạch khuếch đại hình 4.11 mắc theo kiểu:

Re

Rc

R1

R2

Uv

Ur +Vcc

+

+

a) E chung

b) C chung

c) B chung

94 Tín hiệu lối vào và lối ra trong mạch điện hình 4.11 là: a) đồng pha

b) lệch pha nhau 900

c) ngợc pha

d) lệch pha nhau 450

Hình 4,11

115 Cho mối quan hệ IE = f(UEB) khi UCB = const

d) EC, họ đặc tuyến truyền đạt

119 Cho mối quan hệ IC = f(UCE) khi IB = const Hãy xác định cách mắc, họ

a) Mắc EC, Họ đặc tuyến Vào

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến Vào

122: Cho mối quan hệ IE = f(UEC) khi IB = const Hãy xác định cách mắc, họ

đặc tuyến:

a) Mắc CC, Họ đặc tuyến Vào

b) Mắc CC, Họ đặc tuyến ra

c) Mắc CC, Họ đặc tuyến truyền đạt

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến Vào

123: Cho mối quan hệ IE = f(IB) khi UEC = const Hãy xác định cách mắc, họ

đặc tuyến:

a) Mắc CC, Họ đặc tuyến Vào

b) Mắc CC, Họ đặc tuyến ra

c) Mắc CC, Họ đặc tuyến truyền đạt

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến truyền đạt

124: Hình 4.17 biểu diễn họ đặc tuyến nào của

7 6

4 mA 3mA 2mA

IE =1mA I

2 3 4 5

127 Hình 4.18 biểu diễn họ đặc tuyến nào của BJT mắc CE?

129 : Cho họ đặc tuyến của BJT mắc EC,

hãy xác định đây là họ đặc tuyến nào?

hãy xác định đây là họ đặc tuyến nào? (Hình 4.20)

90 80

Hình 4.18

Vùng đánh thủng.

7 mA

6 mA 5mA

4 mA 3mA 2mA

2 3 4 5

90 80 100

Hình 4.20

133 §èi víi BJT th× mèi quan hÖ gi÷a  vµ  lµ :

H×nh 5.2

G

S D

H×nh 5.3

D G

d MOSFET kªnh gi¸n ®o¹n lo¹i P,N

9 Ký hiÖu cña MOSFET cã IDSS = 10mA, UGS ng¾t = -8V lµ:

11: H×nh 5.7 lµ cÊu t¹o cña

a) MOSFET kªnh gi¸n ®o¹n lo¹i N

b) MOSFET kªnh gi¸n ®o¹n lo¹i P

c) MOSFET kªnh liªn tôc lo¹i P

d) MOSFET kªnh liªn tôc lo¹i N

12: H×nh 5.8 m« t¶ cÊu t¹o cña:

a) MOSFET kªnh gi¸n ®o¹n lo¹i P

I

D

S D

H×nh 5.7

Cùc m¸ng (Drain): D

Cùc nguån (Source): S

Vïng nghÌo

Cùc cæng (Gate): G

H×nh 5.8

NÒn

P

Cùc m¸ng D (Drain)

Cùc nguån S (Source)

Cùc cæng G (Gate)

H×nh 5.6

D G

S

G

S D

a) JFET kªnh N

b) MOSFET kªnh P gi¸n ®o¹n

c) MOSFET kªnh N cã s½n

d) MOSFET kªnh P cã s½n

14: H×nh 5.11 m« t¶ cÊu t¹o cña:

a) MOSFET kªnh N gi¸n ®o¹n

b) MOSFET kªnh P gi¸n ®o¹n

c) Cùc G tiÕp xóc víi miÒn b¸n dÉn N

d) Cùc G tiÕp xóc víi miÒn b¸n dÉn P

H×nh 5.11

Cùc m¸ng (Drain): D

Cùc nguån (Source): S

Vïng nghÌo

Cùc cæng (Gate): G

H×nh 5.12

1 2 3 4 5 6 7 8

I

D (mA )

DSS

GS = 0V

UGS= - 1V U

21 Hình 5.18 là đặc tuyến truyền đạt của MOSFET có ký hiệu?

24 Để JFET kênh N hoạt động ở chế độ khuếch đại thì phải phân cực:a) UDS > 0, UGS > =0

d) a,b,c đều sai

27 JFET có UGS = 0, thì ID sẽ trở nên không đổi khi UDS vợt quá giá trị:a) điện áp cắt dòng (UGSoff)

Rs 470

RD 1k

RD690

H×nh 5.24

Ur +C2

Uv

+ C1

d) JFET và MOSFET kênh đặt sẵn loại P, N

45 Công thức Shockley của đặc tuyến truyền đạt JFET kênh N có dạng:

IDSS =8mA U

P = - 4,5V

R G 1M

D 2,2K

GS

I DSS =8mA U

P = - 4,5V

R G 1M

Hình 5.28

a) 2

P

GS DSS

U

U 1 ( I

I  

U

U 1 ( I I

P

GS DSS

T GS

U

U 1 ( I

I  

U

U 1 ( I I

P

GS DSS

T GS

U

U 1 ( I

I  

U

U 1 ( I I

P

GS DSS

T GS

a) Baz¬1; baz¬2; baz¬3

b) Emitter; baz¬1; baz¬2

c) G; D; S

41

5 Thyristor thông khi nào?

a) UAK vợt qúa giá trị điện áp đánh thủng thuận

Hình 6.1

B2

B1E

Hình 6.2

A

K G

11 Hình 6.5 là ký hiệu của linh kiện nào?

17: Quang trở có nội trở thay đổi khi:

a) Dòng điện qua linh kiện thay đổi

b) Điện áp đặt lên linh kiện thay đổi

43

MT1

MT2G

Hình 6.7

c) Cờng độ chiếu sáng vào linh kiện thay đổi.

18 Nội trở của photo-diode

a) Tăng theo sự tăng của cờng độ ánh sáng khi phân cực ngợc

b) Giảm theo sự tăng của cờng độ ánh sáng khi phân cực ngợc

c) Tăng theo sự tăng của cờng độ ánh sáng khi phân cực thuận

d) Giảm theo sự tăng của cờng độ ánh sáng khi phân cực thuận

19 Linh kiện nào là linh kiện dẫn điện hai chiều có điều khiển?

24 Linh kiện có đặc tuyến ở hình 6.10 là?

a) UJT

b) SCR

c) TRIAC

d) a,b,c đều sai

25 Linh kiện có đặc tuyến ở hình 6.11 là?

a) UJT

b) SCR

c) TRIAC

d) a,b,c đều sai

26 Linh kiện có đặc tuyến ở hình 6.12 là?