BỘ NHỚ MÁY TÍNH(DTV340)

BỘ NHỚ MÁY TÍNH(DTV340) III. STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) University of Science Faculty of Electronics and Telecommunication Tổng Quan  Các tính năng chính:  Nhanh  Không cần được làm tươi  Mật độ thấp  Đắc tiền  Xây dựng phức tạp hơn  Ứng dụng:  Làm bộ nhớ đệm Cross-Coupled Inverter  Chuẩn cấu tạo ô nhớ của SRAM bao gồm 2 cổng đảo liền kề nhau tạo thành một flip flop Các ô nhớ có thể được chọn bởi các transistor thông qua việc kết nối với một Row Select Line. Dữ liệu có thể được ghi vào hoặc đọc ra từ các ô nhớ bằng cách sử dụng các đường Bit Lines Trạng thái nghỉ o Khi đường Wordline tắt thì 2 transistor sẽ đóng và 2 cổng đảo sẽ tự phản hồi thông tin vào nhau để củng cố các dữ liệu được lưu trữ khi nguồn vẫn được cung cấp CMOS Review  nMOS Transistor:  g =0: Transistor sẽ đóng  g =1: Transistor là mở, lúc này nó có thể được xem như là điện trở  pMOS Transistor:  g =1: Transistor sẽ đóng  g =0: Transistor là mở, lúc này ít có thể được xem như là điện trở nMOS pMOS Cổng đảo (CMOS Logic) 6-Transistor trong ô nhớ SRAM 6-Transistor trong ô nhớ SRAM Cách chọn 1 ô nhớ  1 hàng ô nhớ sẽ được chọn tại một thời điểm bằng cách kích hoạt Row Select Line. Sau đó 2 transistor T1 và T2 sẽ được mở và kết nối với flip flop bằng Bit Lines. Khi ô nhớ đã được chọn thì ta có thể ghi vào hoặc đọc dữ liệu ra. Dữ liệu hiện tại: x=1 Dữ liệu được ghi: x= 0 Ghi dữ liệu vào ô nhớ Thiết lập dữ liệu Ba = 0 Bb = 1  Nút x bắt buộc phải chọn logic 0 thì ngõ ra của cổng đảo đầu tiên sẽ là 1 và được củng cố logic 1 tại nút y thiết lập bởi dòng Bit Lines Bb Row selected [...]... đường dữ liệu được chọn Đồng bộ và bất đồng bộ    SRAMs đồng bộ: các linh kiện được đồng bộ theo tín hiệu bên ngoài gọi là clock Linh kiện được đọc ghi phải dựa trên trạng thái hiện tại của clock Trạng thái này có thể là cạnh lên hoặc cạnh xuống SRAMS bất đồng bộ: chúng sẽ được đọc hoặc ghi bất cứ khi nào có các lệnh điều khiển đọc ghi phù hợp SRAMs đồng bộ có thể đồng bộ hóa giữa chu kỳ đọc hoặc... khi thực hiện các hoạt động tiếp theo như thay đổi địa chỉ… Đọc dữ liệu từ ô nhớ Row selected Data: x=1  Khi một ô nhớ được kết nối với đường Bit Lines, dòng Ba sẽ kết nối tới nút x và vẫn duy trì trạng thái logic 1 trong khi dòng Bb sẽ kết nối tới nút y và xả logic 1 để thể hiện trạng thái logic 0 Bộ khuếch đại cảm biến Bộ khuếch đại cảm biến dùng để kiểm tra sự khác biệt của 2 đường Bit Lines để... mạch đồng bộ tsu Clk Data th Chế độ đọc (Đồng bộ)  3 phương thức cơ bản để đọc dữ liệu     Flow Through Pipeline Burst 3 phương thức khác nhau bởi mối quan hệ giữa dữ liệu ra và tín hiệu clock  Chế độ Burst có thể sử dụng kết hợp với chế độ Flow Through và Pipeline Ví dụ về chế độ đọc trong kiểu Flow Through ( đồng bộ ) Kiểu Flow Through và kiểu Pipeline   Pipeline: Dữ liệu được đọc từ ô nhớ sẽ...Đọc dữ liệu từ tế bào  3 giai đoạn:  Nạp trước  Đọc từ ô nhớ  Bộ khuếch đại cảm biến Pre-charge   Hoạt động đọc hủy: khi ô nhớ được chọn và cả 2 đường Bit Lines đều là logic 0  quá trình đọc dữ liệu từ tế bào có thể bị mất đi nội dung Giải pháp: Nạp điện trước cho cả 2 đường Bit Lines lên... Định thời chế độ đọc SRAM cơ bản (Bất đồng bộ) tAA (access time for address): khoảng thời gian từ lúc tín hiệu trên đường địa chỉ thay đổi tới lúc dữ liệu đầu ra trên đường data ổn định tOHA (output-hold time): Khoảng thời gian dữ liệu trên đường data còn hợp lệ khi tín hiệu trên đường address bắt đầu thay đổi Định thời chế độ ghi SRAM cơ bản (Bất đồng bộ) tAW Địa chỉ này có giá trị hợp lệ trong... năng tương tự như sử dụng trong ô nhớ Tóm lại Kiến trúc SRAM điển hình Mô hình khối SRAM Din và Dout thường được dùng để lưu số bit dữ liệu vào ra  Trong trường hợp độ rộng dữ liệu lớn hơn 8 (16, 32, 64 bit)  phải có thêm tín hiệu Byte Enable SRAM typical signals Name Description Chip select Được kích hoạt trong quá trình SRAM hoạt động Address Chỉ định địa chỉ ô nhớ cần ghi vào hay đọc ra Data (bidirectional)... có thanh ghi để lưu dữ liệu ở ngõ ra mà dữ liệu sẽ được gửi trực tiếp từ vùng nhớ ra đường dữ liệu bên ngoài Với loại này thì cả ghi và đọc đều tốn một chu kỳ Chế độ đọc giữa các kiểu Chế độ đọc trong kiểu Burst  Trong kiểu Burst, nhiều bit dữ liệu được chọn sử dụng một địa chỉ duy nhất, được tăng lên bằng cách sử dụng một bộ đếm trong chip Chế độ ghi trong kiểu Flow Through Standard write so với Late... Trong thực tế có 2 chế độ viết:    Standard write: thường được sử dụng trên các ứng dụng tương thích với PC, chuyển đổi từ chế độ đọc sang chế độ ghi mất 2 chu kỳ chết Late write: được ưa chuộng các máy trạm hiệu suất cao, chuyển đổi từ chế độ đọc sang chế độ ghi mất 1 chu kỳ chết Trong chế độ Late Write, RAM yêu cầu dữ liệu tại cạnh lên của clock phải chậm hơn cạnh được sử dụng tại tín hiệu Address . BỘ NHỚ MÁY TÍNH(DTV340) III. STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) University of Science Faculty of. tạp hơn  Ứng dụng:  Làm bộ nhớ đệm Cross-Coupled Inverter  Chuẩn cấu tạo ô nhớ của SRAM bao gồm 2 cổng đảo liền kề nhau tạo thành một flip flop Các ô nhớ có thể được chọn bởi các. trở nMOS pMOS Cổng đảo (CMOS Logic) 6-Transistor trong ô nhớ SRAM 6-Transistor trong ô nhớ SRAM Cách chọn 1 ô nhớ  1 hàng ô nhớ sẽ được chọn tại một thời điểm bằng cách kích hoạt Row