Trắc nghiệm kỹ thuật điện tử

Trắc Nghiệm Kỹ thuật điện tử giúp cho bạn nắm vững các kiến thức và ôn luyện nhanh chóng đỡ tốt thời gian, tài liệu ôn sát với đề thi giúp bạn đạt kết quả cao, tài liệu có cả đáp án, gồm phần bài tập và lý thuyết trắc nghiệm.

1.Phát biểu sai cho đánh thủng điện tiếp xúc P-N A Gây phá hỏng diode B Dòng điện ngược tăng nhanh công suất tiêu tán chưa vượt giá trị cực đại cho phép C Bao gồm đánh thủng thác lũ đánh thủng xuyên hầm D Không gây hư hỏng diode 2.Tên gọi loại Diode theo thứ tự từ phải qua trái : A Tunen, Zener, biến dung, chỉnh lưu B Tunen, biến dung, zener, chỉnh lưu C Zener, tunen, biến dung, chỉnh lưu D Tunen, chỉnh lưu, zener, biến dung 3.Diode dùng cho mạch ổn áp A Tunen B Zener C Biến dung D Chỉnh lưu 4.Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện chạy qua lớp tiếp xúc A Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên B Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên C Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi tác động điện trường tiếp xúc tạo nên D Cả hạt dẫn thiểu số đa số chuyển động trôi tác động điện trường tiếp xúc tạo nên 5.Diode chỉnh lưu phân cực thuận A Miền nghèo to B Dòng khuếch tán hạt dẫn đa số tăng C Dịng trơi hạt dẫn thiểu số tăng D Khơng có xảy 6.Chuyển động khuếch tán hạt dẫn A Là chuyển động hạt dẫn có chênh lệch nồng độ B Là chuyển động hạt dẫn tác dụng điện trường C Hạt dẫn chuyển từ nơi có nồng độ thấp đến nơi có nồng độ cao D Hạt dẫn chuyển từ cực âm sang cực dương điện trường 7.Khi diode chỉnh lưu phân cực ngược dịng điện chạy qua A Rất lớn B Tăng tỷ lệ thuận với điện áp phân cực C 0.7 mA D mA 8.Diode zener diode sử dụng tượng đánh thủng để A Ổn định dòng điện B Ổn định điện áp C Chỉnh lưu D Khuếch đại 9.Mạch chỉnh lưu cầu sử dụng Diode A B C D 10.Nguyên tử silic có điện tử hóa trị lớp vỏ ngịai A B C D 11 Bán dẫn loại i cung cấp lượng A Khơng có khả dẫn điện B Có số điện tử khác với số lỗ trống tùy vào lượng kích thích C Có số điện tử số lỗ trống D Khơng có hạt dẫn 12.Điện tử hạt dẫn thiểu số chất bán dẫn nào: A Thuần khiết B Loại N C Loại P D Đáp án khác 13.Khi phân cực ngược diode Zener: A Diode tắt B Diode có dịng lớn qua C Diode tạo điện áp ổn định cực D Không thể kết luận 14.Ion dương là: A Nguyên tử điện tử B Nguyên tử nhận điện tử C Hạt dẫn D Nguyên tử trung hòa điện 15.Lớp tiếp xúc P-N phân cực thuận điện áp đặt lên có chiều cho: … A VP - VN < V B VP - VN > V C VP - VN = V D Đáp án khác 16.Sự tái hợp hạt dẫn kết hợp :… A Lỗ trống điện tử B Ion dương ion âm C Bán dẫn tạp chất D Câu A C 17.Khi BJT hoạt động chế độ khuếch đại, lớp tiếp xúc phát-nền (JE) A Phân cực thuận B Phân cực ngược C Không dẫn điện D Hoạt động vùng đánh thủng 18.Khi BJT hoạt động chế độ khuếch đại: A IC = IB B IB = IC C IC = IB = D IB IC khơng có mối quan hệ 19.1910 tương đương hệ số : A 10111 B 11001 C 11011 D Cả đáp án sai 20.Thực phép cộng số sau : 67516 + 77316 A DE816 B.DF816 C.DE716 D.144816 21.Cho mạch sau A F = B F = B C F = A  B D F =  22.Theo đại số Boole, A A~.B~.C = B C A+B+C D + + 23.Bảng chân trị xác định trạng thái cổ A (c) B (a) C (d) D (b) 24.Giá trị điện áp V1 là: R1 10k R7 6.8k R4 300k 10 mV 20 mV R6 2.2k R2 20k V2 - 30 mV R3 30k + + V1 R5 4.7k A 0.9 mV B -0.9mV C -0.9 V D 0.9 V 24.Giá trị dòng điện I là: I R1 10k R4 300k 10 mV 20 mV R7 6.8k I R2 20k - 30 mV R3 30k + V1 R5 4.7k 40 mV + Vo A mA B 3µA C D Đáp án khác 25.Tầng vào khuếch đại thuật toán thường là: A Bộ khuếch đại cao tần B Bộ khuếch đại vi sai C Bộ khuếch đại công suất D Bộ khuếch đại sử dụng BJT mắc CC 26.Mạch sau mạch: A Mạch tích phân B Mạch vi phân C Mạch tạo hàm logarit D Cả đáp án sai 27.Hệ số khuếch đại vịng hở khuếch đại thuật tốn lý tưởng có giá trị: A B C ∞ D Cả đáp án sai 28.BJT linh kiện điện tử: A cực tính, gồm tiếp xúc PN, chân B cực tính, gồm tiếp xúc PN, chân C cực tính, gồm tiếp xúc PN, chân D cực tính, gồm tiếp xúc PN, chân 29.Đặc điểm miền (base) cấu tạo BJT A Khác loại với lớp lại, mỏng nồng độ hạt dẫn thấp B Cùng loại với lớp lại, mỏng nồng độ hạt dẫn thấp C Khác loại với lớp lại, độ dày với miền khác nồng độ hạt dẫn cao D Cùng loại với lớp lại, độ dày với miền khác nồng độ hạt dẫn miền khác 30.Ký hiệu BJT loại PNP E C H1 H3 H2 A H1 B H2 C H3 D H4 31.Họ đặc tuyến mạch khuếch đại BJT mắc CE: H1 H4 H2 H4 H3 A H1 B H2 C H3 D H4 32.Đơn vị tham số hfe mạch tương đương tín hiệu nhỏ dùng BJT mắc CE A -1 B Không đơn vị C  D A 33.FET BJT giống điểm A Cùng linh kiện điện tử có chân B Cùng linh kiện điện tử lưỡng cực C Cùng điều khiển điện áp D Hoàn toàn khác 34.Sử dụng mạch bên trả lời từ câu {} đến câu {} Cho VCC = 12V,  = 50, RB = 240K, RC = 2.2K Các tụ C   VCC RB RC C2 VL C1 Q1 Vi Z i Z o () Xác định dòng IB A -49.55A B 47.08A C 50A D -47.08A () Xác định áp VBE A 1.05V B 12V C 0V D 0.7V () Xác định áp VC (áp cực C BJT) A 6.83V B 12V C 0.7V D -6.13V () Xác định mạch tương đương tín hiệu nhỏ ib ib Vi VL RB hie Vi RC hf e ib Z i VL hie Z o RB RC hf e ib Z i H1 Z o H2 ib RB Vi VL RB hie RC Z i H3 B H2 C H3 D H4 () Xác định độ lợi áp C Av  h fe Rc hie h fe Rc hie h fe Rc hie // R B D Av   Z o H4 A H1 B Av  RC hf e ib Z o A Av   VL hie hf e ib Z i ib Vi h fe Rc hie // RB () Xác định trở kháng vào A Z i  RB B Z i  hie C Z i  hie // RB D Z i  hie  RB () Mạch phân cực kiểu A Phân cực kiểu phâ B n áp B Phân cực kiểu hồi tiếp từ cực C C Phân cực dùng tín hiệu vào Vi D Phân cực định sẵn Tìm phát biểu sai cho cuộn dây: A Cho dịng chiều qua dễ dàng B Tích phóng lượng từ trường C Dòng xoay chiều qua tùy thuộc vào tần số tín hiệu D Khơng cho dòng chiều qua Bốn tụ điện giống có điện dung C ghép song song với điện dung tương đương có giá trị: A Ctđ = C/4 B Ctđ = 2C C Ctđ =C/2 D Ctđ = 4C Định luật Kirchhoff II (về điện áp): A.Tổng đại số suất điện động nguồn điện lần độ giảm điện đoạn mạch vịng kín B Tổng đại số suất điện động nguồn điện không độ giảm điện đoạn mạch vòng kín C Tổng đại số điện áp phần tử dọc theo tất nhánh vòng khác D Tổng đại số điện áp phần tử dọc theo tất nhánh vòng Dòng điện…… A Là dòng điện tích chuyển dịch có hướng B Là dịng dịch chuyển điện tích C.Là dịng dịch chuyển ánh sáng D Tất câu Sử dụng mạch bên trả lời từ câu {} đến câu {} 10 Cho sơ đồ mạch tín hiệu ngõ vào Vi hình vẽ Diode lý tưởng Vi (V) D t R Vi -7 Vo 3V () Xác định điều kiện để Diode dẫn điện A Vi  3V B Vi  3V C Vi  3V D Vi  3V () Xác định tín hiệu ngõ Vo Diode dẫn điện A Vo  0V B Vo  3V C Vo  3V D Vo  Vi () Xác định dạng tín hiệu ngõ Vo Vo (V) Vo (V) 3 t t -7 H1 H2 11 Vo (V) Vo (V) t t -3 H3 -3 -7 H4 A H1 B.H2 C.H3 D.H4 () Đây mạch ứng dụng nào: A.Mạch xén C.Mạch xén B.Mạch ghim điện áp D.Cả câu sai Xác định tín hiệu ngõ Vo cho mạch điện sau + 6V 1,2k Vo R1 R2 ID A VO  4,75V B VO  0.7V C VO  D VO  4,75V 12 3,9k Si ... Diode tạo điện áp ổn định cực D Không thể kết luận 14.Ion dương là: A Nguyên tử điện tử B Nguyên tử nhận điện tử C Hạt dẫn D Nguyên tử trung hòa điện 15.Lớp tiếp xúc P-N phân cực thuận điện áp... số suất điện động nguồn điện lần độ giảm điện đoạn mạch vịng kín B Tổng đại số suất điện động nguồn điện không độ giảm điện đoạn mạch vịng kín C Tổng đại số điện áp phần tử dọc theo tất nhánh vòng... cấp lượng A Khơng có khả dẫn điện B Có số điện tử khác với số lỗ trống tùy vào lượng kích thích C Có số điện tử số lỗ trống D Khơng có hạt dẫn 12 .Điện tử hạt dẫn thiểu số chất bán dẫn nào: A Thuần