Khảo sát các linh kiện công suất: Diode công suất, Thyristor (SCR), TRIAC, transistor Công suất ( BJT , MOSFET ) , IGBT, GTO. Trong lĩnh vực điện tử công suất, các linh kiện này được dùng như các chuyển mạch (switch). Vì vậy, ta chỉ khảo sát chúng trong hai chế độ đóng (dẫn) và ngắt (ngưng dẫn), riêng với SCR và Triac ta sẽ khảo sát thêm các đặc tính cơ bản như điện thế phân cực, dòng kích, góc mỡ (điều khiển pha)…
1 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất TRƯỜNG CAO ĐẲNG CÔNG NGHỆ HÀ NỘI KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ GIÁO TRÌNH THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT BIÊN SOẠN: NGUYỄN VĂN THIỆN 2 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất BÀI 1: KHẢO SÁT LINH KIỆN CÔNG SUẤT CƠ BẢN 1.1. MỤC ĐÍCH Khảo sát các linh kiện công suất: Diode công suất, Thyristor (SCR), TRIAC, transistor Công suất ( BJT , MOSFET ) , IGBT, GTO. Trong lĩnh vực điện tử công suất, các linh kiện này được dùng như các chuyển mạch (switch). Vì vậy, ta chỉ khảo sát chúng trong hai chế độ đóng (dẫn) và ngắt (ngưng dẫn), riêng với SCR và Triac ta sẽ khảo sát thêm các đặc tính cơ bản như điện thế phân cực, dòng kích, góc mỡ (điều khiển pha)… Qua bài thực hành này, sinh viên sẽ hiểu rõ hơn nguyên lý hoạt động của các linh kiện công suất, từ đó có thể ứng dụng chúng trong thực tế. 1.2. KIẾN THỨC NỀN Để làm tốt bài thí nghiệm này, sinh viên phải tự ôn tập kiến thức nền trong các giáo trình lý thuyết đã học. Đây là các linh kiện quen thuộc, nên trong các phần sau đây chỉ nhắc lại một số vấn đề cơ bản. 1.2.1. Diode công suất: Diode bán dẫn được cấu tạo trên lớp tiếp xúc bán dẫn khác loại ( hình 1.a ) thường là bán dẫn loại N và loại P. Hình 1b là kí hiệu theo quy ước và hình 1c là hình dạng thực tế của diode công suất. Do hiệu ứng khuếch tán các phần tử tải điện cơ bản giữa 2 miền, tại lớp tiếp xúc (phần truyền) sẽ hình thành 1 hiệu điện thế tiếp xúc, tạo ra từ trường E để ngăn ngừa sự khuếch tán tiếp tục của các phần tử tải điện cơ bản. Kết quả là ở trạng thái cân bằng , ở ranh giới tiếp xúc tạo ra vùng nghèo các phần tử tải điện. Khi đặt vào diode một điện trường ngoài ( U ), trạng thái cân bằng bị phá vỡ, nếu nối điện thế ngoài theo chiều dương + với Katod và chiều âm – nối với Anod của diode, sẽ tạo ra điện trường ngoài cùng chiều với điện thế tiếp xúc, điện trường tổng cộng sẽ làm tăng hàng rào điện thế, làm vùng nghèo được mở rộng .Vùng nghèo của lớp tiếp xúc không cho phép các phần tử tải điện chuyển qua phần truyền và dòng qua phần truyền chỉ là dòng điện rò ( dòng rỉ). Nối điện thế ngoài theo chiều + với Anod và – với Katod của diode , điện trường ngoài sẽ ngược chiều với điện trường của điện áp tiếp xúc , điện trường tổng cộng sẽ làm giảm hàng rào điện thế , cho phép các phần tử tải điện dịch chuyển qua vùng tiếp xúc và tạo ra dòng điện qua diode. Trên hình 1b mô tả đặc tuyến volt-ampe của diode tương ứng với quá trình mô tả trên .Ứng với nhánh phân cực ngược dòng rĩ là không đáng kể , song nó phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ. 3 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất A G P1 N1 P2 N2 K Hình 1 a.Cấu trúc b. Ký hiệu c. Hình dạng thực tế Diode công suất làm việc với dòng thuận lớn vì vậy đòi hỏi chế độ giảm nhiệt hợp lí, thích hợp. Thông thường sẽ có 1 cực tính được chế tạo thuận lợi cho việc ghép với nhôm tản nhiệt. Các diode công suất sử dụng cho các thiết bị công nghiệp thường đòi hỏi phải có khả năng chịu đựng điện áp ngược lớn , khoảng vài trăm cho đến vài ngàn Volt. Dòng điện định mức (dòng tải chính hay dòng thuận) phải đạt vài trăm Ampe. 1.2.2. Thyristor – SCR ( Silic Controler Retiffier ) Thyristor có tên ghép là thyratron và transistor, được cấu tạo từ bốn lớp chất bán dẫn p-n-p-n như hình 2a, có các điện cực A(Anod), K(Katod), G( gate), kí hiệu qui ước như hình 2b và hình dáng bên ngoài như hình 2c. K A G J1 J2 J3 G K A Hình 2 4 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất a.Cấu trúc b. Ký hiệu c. Hình dạng thực tế Thyristor có 3 lớp tiếp xúc J1, J2, J3 với các điện trường nội gây ra bởi hiệu ứng tiếp xúc giữa hai lớp chất bán dẫn E1, E2, E3. Khi nối Anod với cực + và Katod với cực – của nguồn một chiều thì J1 , J3 được phân cực thuận và J2 được phân cực nghịch . Kế quả là toàn bộ điện thế nguồn đặt lên lớp tiếp xúc J2. Nếu tác động vào cực Gate một điện thế dương so với Katod sẽ làm cho các phần tử tải điện cơ bản của N2( điện tử ) chảy sang P2, một phần điện tử chảy vào cực Gate (tạo thành dòng điều khiển, đa số các phần tử còn lại chịu lực hút của điện trường tổng hợp trên J2 và chuyển động qua J2. Nhận năng lượng đủ lớn của điện trường tổng cộng, các điện tử sẻ bị ion hóa các nguyên tử bán dẫn tạo ra các lớp điện tử mới ( điện tử thứ cấp ). Các điện tử thứ cấp lại nhận năng lượng và gây ion hóa tiếp theo . Kết quả là tạo ra một thác lũ điện tử trong lớp tiếp xúc J2 chảy vào N1, sau đó qua cực P1 và tới cực Anod tạo thành dòng qua Thyristor . Thyristor làm việc trong chế độ này là chế độ mở, có điện trở thuận nhỏ và dòng dẫn lớn nhất . Khi Thyristor đã mở ( dẫn ) thì tín hiệu điều khiển trở nên mất tác dụng. Trong trường hợp không có tín hiệu điều khiển ở cực Gate hiện tượng thác lũ như trên vẫn có thể xảy ra khi tăng điện thế U đặt lên Thyristor. Khi điện thế U đủ lớn ( U>Umồi ) các điện tử nhận đủ năng lượng để gây ra quá trình ion hóa do va chạm, làm mở Thyristor trong trường hợp này hoạt động của Thyristor gần giống như hoạt động của đèn Neon. Để đưa Thyristor rở về trạng thái khóa , cần tiến hành theo 2 cách như sau : _ Giảm dòng dẫn I xuồng giá trị duy trì trạng thái dẫn . _ Đảo chiều điện hế phân áp U hoặc tạo điện thế phân cực ngược cho Thyristor. Khi đặt điện áp ngược lên Thyristor đang dẫn ( Anod nối – và Katod nối + ) 2 lớp tiếp xúc J1 và J3 bị phân cực ngược , J2 được phân cực thuận . Các điện tử đang hiện diện trong Thyristor sẻ đảo chiều hành trình tạo dòng điện ngược từ Anod về Katod và về cực – của nguồn. Tại thời điểm chuyển từ mở sang cấm dòng điện này khá lớn , sau đó khi J1 và J3 bị cấm , các điện tử giữa chúng sẽ dần bị tiêu tán, cấu trúc phần truyền của Thyristor được khôi phục trở lại, Thyristor chuyển sang trạng thái cấm với dòng đi qua nó nhỏ lại. Sau khi Thyristor cấm việc đảo cực điện thế U ( U>Umồi trên Thyristor hay Anod nối + và Katod nối - ) không làm Thyristor dẫn . Cần lưu ý khi Thyristor chuyển từ dẫn sang cấm trong khoảng thời gian đầu (T OFF ) khoảng vài chục µs , Thyristor còn dẫn với dòng ngược lớn. Nếu trong khoảng thời gian này đặt lên Thyristor ngay 1 điện thế ngược có thể làm hỏng Thyristor. Đặt trưng Volt –Ampe của Thyristor được mô tả như hình 3a. Thyristor có cấu trúc và hoạt động tương đương với cặp transistor ghép liên kết collector-base như hình 3b. Mỗi loại thyristor có cấu tạo đặc trưng khác nhau , do đó khi sử dụng cần lựa chọn loại nào cho thích hợp với yêu cầu . _ Dòng điện định mức I đm : tùy loại 1A đến 1000A 5 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất _ Dòng rĩ khoảng vài mA _ Điện áp ngược cực đại U ngược max : từ vài trăm Volt cho đến vài KV _ Dòng điện điều khiển I G : thông thường khoảng 200mA đến 500mA _ Tốc độ tăng dòng điện dI/dT : vài A/µs _ Tốc độ tăng điện áp dV/dT : V/µs _ Thời gian khóa khoảng vài chục µs _ Thời gian mở khoảng vài µs Quá trình chuyển từ mở sang đóng không xãy ra tức thời .Nếu Thyristor chưa cấm hẳn mà xác lập lại điện thế U để U A-K dương sẻ làm đoản mạch nguồn và làm Thyristor hỏng . Khi đặt vào Thyristor điện thế xoay chiều , Thyristor chỉ làm việc với bán kỳ dương mà không làm việc ở bán kỳ âm của điện thế nuôi. Ở bán kỳ âm thyristor sẽ tự động chuyển về chế độ cấm do có sự đảo chiều điện thế của nguồn cung cấp. Hình 3 a.Đặc tính V-A b. Mạch tương đương 2 BJT 1.2.3. TRIAC ( Triode Alternative Current ) Như đã trình bày ở trên, Thyristor là linh kiện chỉ mở khi phân cực điện áp U A-K dương. Nếu như ghép 2 Thyristor song song ngược chiều nhau, có thể điều khiển mở được 2 chiều âm và dương.Trong trường hợp này cần phải có 2 tín hiệu điều khiển đồng bộ với nhau nên gây chút khó khăn . Do đó để khắc phục vấn đề này người ta chế tạo ra 1 linh kiện đó là TRIAC. TRIAC là linh kiện tương đương 2 Thyristor ghép song song nhưng ngược chiều nhau và có chung 1 cực điều khiển. Do TRIAC làm việc được với cả nguồn dương và nguồn âm nên khái niệm Anod và katod không còn phù hợp nữa. Các cực của TRIAC được sử dụng là T1 ( MT1 ) và T2 ( MT2) cho các cực lối ra và cực điều khiển Gate ở gần T1. Cấu trúc cấu tạo của TRIAC có thể mô tả bằng 2 cấu trúc chứa 4 lớp chất 6 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất bán dẫn Ta và Tb tương tự như hình 4a. Trong trường hợp T2 nối với nguồn + và T1 nối với nguồn -, Gate nối với +, 1 phần TRIAC làm việc giống như 1 Thyristor thông thường . Nếu nguồn phân cực ngược lại, điện tử trong vùng N3 sẽ phóng vào P2 gây ra quá trình thác lũ do va chạm làm dẫn Tb. Trong thực tế TRIAC được thiết kế với cấu trúc liên kết với các lớp chất bán dẫn N1, P1, N2, P2 là chung cho 2 nữa . Ký hiệu qui ước TRIAC như hình 4b. Hình 4 Đặc trưng Volt-Ampe của TRIAC có tính đối xứng như hình 5. Nhánh ở phần tư thứ 1 tương ứng với trường hợp V T2 > V T1 , nhánh ở phần tư thứ 3 mang đặc trưng tương ứng với sự đảo chiều điện thế phân cực , nghĩa là V T2 < V T1 . Khác với Thyristor, TRIAC có thể làm việc với điện thế điều khiển âm và không đổi trạng thái khi đảo cực của nguồn điện thế nuôi. U I U I > 7 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất 1.2.4. Transistor MOS công suất Transistor MOS công suất thực chất là transistor trường hay còn gọi là FET (Field Effect Transistor ) tuy nhiên FET công suất thường được chế tạo bằng công nghệ MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor ) nên thường gọi là MOSFET công suất. MOSFET công suất là 1 linh kiện chuyển mach điện tử nhanh và công suất lớn . Cấu trúc MOSFET có các cực chính là : Drain (máng), Source (nguồn) và cực khiển Gate (cực cửa) . Khác với transistor lưỡng cực thông thường, khi điện áp giữa cực Gate và cực Source có giá trị là 0V thì MOSFET không dẫn cho dù điện thế giữa 2 cực đạt đến giá trị vài trăm Volt. 1.2.5. Đặc Điểm Sử Dụng Transistor Lưỡng Cực, MOSFET, Thyristor Do đặc điểm làm việc chịu đựng điện áp cao, dòng lớn , các đặc tính cách điện cao khi ngắt và điện trở dẫn nhỏ , khả năng chuyển mạch nhanh, dễ ghép với sơ đồ điện tử. Các linh kiện Điện Tử Công Suất được ứng dụng rộng dãi thay cho các chuyển mạch tiếp điểm. Việc lựa chọn linh kiện nào cho từng ứng dụng cụ thể phụ thuộc vào các trị số giới hạn, các tổn hao, thời gian chuyển mạch nhanh hay chậm , giá thành. Thyristor có trị số giới hạn về dòng điện và điện áp là cao nhất, tổn hao nhỏ, giá thành tương đối.Tuy nhiên Thyristor có thời gian chuyển mạch chậm vì vậy chỉ thích hợp cho các mạch sơ đồ biến đổi điện áp lưới ( có tần số 50Hz hoặc 60Hz ) như các bộ chỉnh lưu, biến đổi điện áp xoay chiều, nghich lưu biến tần với tần số thấp (thường < 250Hz). Đối với các sơ đồ nghịch lưu ần số cao ( > 15KHz ) thì sử dụng MOSFET thích hợp hơn. Ở dãy tần 20KHz – 100KHz, transistor lưỡng cực thường được sử dụng vì có đặc tính tác động nhanh, tuy tổn hao điều khiển nhiều hơn MOSFET . Về chế độ nhiệt, các transistor công suất có thể chịu nhiệt đạt 200 o C , trong khi đó Thyristor chỉ đạt đến 125 o C. Đặc biệt do các mạch công suất hay có sự cố, Thyristor có tính bảo vệ chống lại sự cố nên thường được chọn để sử dụng. TRIAC thường có công suất nhỏ hơn so với Thyristor nên khả năng sử dụng chúng cũng bị giới hạn, chỉ được sử dụng trong các mạch công suất vừa và nhỏ. 1.2.6. Các Linh Kiện Công Suất Khác a.GTO (gate turn-off thyristor ) Có cấu tao phức tạp hơn Thyristor thông thường nhằm giải quyết vấn đề khó khăn khi sử dụng Thyristor là làm sao để ngắt khi đang dẫn . Ở đây GTO có thể ngắt bằng cách kích vào cực Gate 1 xung âm , trước đó GTO dẫn nếu được phân cực thuận vào được kích bằng xung dương. 8 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất Hình 6 : Cấu tạo , kí hiệu , sơ đồ tương đương và hình dạng của GTO GTO có cấu tạo gồm bốn lớp pnpn tương tự với thyristor thông thường (SCR)- hình 6a, với các tính năng tương tự của thyristor với điểm khác biệt là có thể điều khiển ngắt dòng điện qua nó. Mạch tương đương GTO được vẽ trên hình 6c có cấu trúc tương tự mạch mô tả SCR nhưng có thêm cổng kích ngắt mắc song song cổng kích đóng. Ký hiệu linh kiện GTO vẽ trên hình 6b. Cấu trúc thực tế (loại GTO đối xứng) hình 6. Hình 7: cấu tạo và nguyên tắt đóng ngắt GTO Hình 8 Đặc tính đóng ngắt 9 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất Hình 9 Quá trình thay đổi trạng thái đóng ngắt của GTO GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương tự như khi kích đóng thyristor thông thường. Dòng điện kích đóng được tăng đến giá trị I GM và sau đó giảm xuống đến giá trị I . Điểm khác biệt so với yêu cầu xung kích đóng SCR là dòng kích i G G phải tiếp tục duy trì trong suốt thời gian GTO dẫn điện. Để kích ngắt GTO, xung dòng điện âm lớn được đưa vào cổng G – cathode với độ dốc (di /dt) lớn hơn giá trị qui định của linh kiện, nó đẩy các hạt mang điện khỏi GQ cathode, tức ra khỏi emitter của transistor pnp và transistor npn sẽ không thể hoạt động ở chế độ tái sinh. Sau khi transistor npn tắt, transistor pnp còn lại sẽ hoạt động với cổng kích đóng ở trạng thái mở và linh kiện trở về trạng thái không dẫn điện. Tuy nhiên, dòng điện yêu cầu mạch cổng G để tắt GTO có giá trị khá lớn. Trong khi xung dòng điện cần đưa vào cổng để kích đóng GTO chỉ cần đạt giá trị khoảng 3-5%, tức khoảng 30A với độ rộng xung 10µs đối với loại linh kiện có dòng định mức 1000A thì xung dòng điện kích cổng để ngắt GTO cần đạt đến khoảng 30- 50%, tức khoảng 300A với độ rộng xung khoảng 20-50 s. Mạch cổng phải thiết kế có khả năng tạo xung dòng kích tối thiểu đạt các giá trị yêu cầu trên (I GQM ). Điện áp cung cấp mạch cổng để tạo xung dòng lớn vừa nêu thường có giá trị thấp, khoảng 10-20V với độ rộng xung khoảng 20-50 s năng lượng tiêu tốn cho việc thực hiện kích ngắt GTO không cao. Quá trình điện áp và dòng điện mạch anode và mạch cổng khi kích đóng GTO và kích ngắt nó được mô tả trên hình hình 8 và hình 9. Năng lượng kích ngắt GTO nhiều gấp 10-20 lần năng lượng cần cho quá trình kích đóng GTO. Điểm bất lợi về mạch kích ngắt là một nhược điểm của GTO khi so sánh nó với IGBT. Hệ quả là thời gian ngắt dòng điện kéo dài, khả năng chịu di/dt, dv/dt kém, mạch bảo vệ khi kích đóng và kích ngắt làm tăng chi phí lắp đặt cũng như làm công suất tổn hao tăng lên. Do khả năng kích ngắt chậm nên GTO được sử dụng trong các bộ nghịch lưu điều chế độ rộng xung (PWM) với tần số đóng ngắt thấp. Tuy nhiên, điều này chấp nhận được trong các ứng dụng công suất lớn. Mạch điều khiển kích ngắt GTO có giá thành tương đương giá thành linh kiện. Độ sụt áp của GTO khi dẫn điện cao hơn khoảng 50% so với thyristor nhưng thấp hơn 50% so với IGBT với cùng định mức. GTO có khả năng chịu tải công suất lớn hơn IGBT và được ứng dụng trong các thiết bị điều khiển hệ thống lưới điện (FACTS Controller) đến công suất vài trăm MW. 10 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất Linh kiện GTO cần phải có mạch bảo vệ. Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng xung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, khả năng di/dt và dv/dt của GTO thấp. Vì thế, cần phải giới hạn các trị số hoạt động không vượt quá giá trị an toàn trong quá trình ngắt GTO. b. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor lưỡng cực với tổng trở ngã vào và chịu điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của MOSFET. Cấu tạo , kí hiệu và sơ đồ tương đương có dạng như hình 10 1.3. NỘI DUNG THỰC HÀNH I.Khảo sát Diode công suất 1. Nối nguồn +12V qua tải bóng đèn và diode như hình 11a để mắc phân cực thuận cho diode . Đo sụt áp trên diode và dòng qua diode. 2. Nối nguồn +12V qua tải bóng đèn và diode như hình 11b để mắc phân cực ngược cho diode . Đo sụt áp trên diode và dòng qua diode 3. Nối nguồn ~ 24V qua tải bóng đèn và diode như hình 12a . Sử dụng dao động ký để quan sát tín hiệu trên tải bóng đèn . [...]... trở giữa 2 cực chính bằng ∞) 4.3.1 Chỉnh lưu 3 pha mạch tia không điều khiển Xét trường hợp tải R-L-E và giả sử có thể bỏ qua tổng trở của nguồn 18 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất a Chương trình mẫu 19 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất 20 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất function ham=phuongtrinh1(x,i) %Định nghĩa phương trình vi phân cho hàm ode23s global u R L E f u_m ham=(-i(1)*R/L+ u_m*sin(x)/L-E/L)/(2*pi*f);... sóng của tín hiệu trên tải trở ( đèn ) theo điện áp vào b Thay thế tải trở ( đèn ) bằng tải có tính cảm nhu hình 3.2b ( motor ) Vẽ dạng sóng của tín hiệu trên tải có tính cảm ( motor ) theo điện áp vào c.So sánh dạng sóng trên 2 dạng tải trở và tải có tính cảm Giải thích sự khác nhau 16 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất giữa chúng 17 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất BÀI 4: LẬP TRÌNH MÔ PHỎNG MẠCH CHỈNH LƯU... bật công tắc về vị trí 1 quan sát hiện tượng trên tải và giải thích 3.Đổi cực nguồn lập lại câu a, b giải thích kết quả 13 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất BÀI 2: MÔ PHỎNG LINH KIỆN CÔNG SUẤT CƠ BẢN 2.1 MỤC ĐÍCH Đặc tính hoạt động của linh kiện được mô tả một cách rõ ràng nhất thông qua đặc tuyến của nó Đặc tuyến của các linh kiện điện tử chỉ phụ thuộc vào loại linh kiện mà không phụ thuộc vào công suất. .. và giải thích hiện tượng b Bật SW1 từ 2 sang 1, quan sát hiện tượng và giải thích c Từ câu a ấn nút D2 quan sát hiện tượng và giải thích III.Khảo sát đặc tính Triac 1.Lắp mạch như hình vẽ: 12 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất U1 TRIAC D1 2.2K D2 DIODE DIODE-ZEN D3 D4 DIODE 47K DIODE-ZEN SW1 SW-ROT-3 B1 L1 12V 12V 1.Bật công tắc SW1 từ vị trí 1 sang 2 sang 3 Quan sát hiện tượng trên tải và giải thích 2.Sau... thuyết linh kiện điện tử và điện tử công suất Đặc tuyến của một linh kiện có thể xây dựng từ thực nghiệm hoặc vẽ ra từ mô hình toán học của nó Tuy rằng linh kiện công suất hoạt động chủ yếu ở hai chế độ ngắt (ngưng dẫn) và đóng (dẫn bão hòa), nhưng việc vẽ đặc tuyến của linh kiện giúp cho sinh viên nắm được đặc tính hoạt động của linh kiện, từ đó sử dụng chúng tốt hơn trong các mạch công suất Vì vậy, nội... SIMVIEW Một mạch điện được trình bày bởi PSIM gồm 04 khối: mạch công suất, mạch điều khiển, cảm biến và các bộ điều khiển switch Để mô phỏng một mạch điện hoặc một hệ thống điều khiển, ta tiến hành các bước sau: -Khởi động PSIM (Theo sự chỉ dẫn của giảng viên): Một giao diện mô phỏng SIMCAD xuất hiện, như hình 5.1: 22 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất Trên menu, từ File ta chọn New (thực hiện mạch điện mới) hoặc... cho phép ta chọn các biến cần hiển thị đã liệt kê sẵn (theo các thiết bị và điện áp có trong mạch điện) Nếu muốn hiển thị đồ thị của một đại lượng (biến) nào đó, ta cần phải đặt thiết bị đo lường tướng ứng vào vị trí đó trên mạch điện -Sinh viên cần tham khảo trước về PSIM trong các tài liệu trên mạng 23 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất 5.3.THỰC HÀNH: 5.3.1.Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha nửa chu kỳ: a.Mở... nửa chu kỳ: a.Mở phần mềm PSIM và vẽ mạch chỉnh lưu một pha bán điều khiển hình 5.3: 24 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất -Thiết lập các giá trị phù hợp -Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng điện thế tải ud, dạng sóng dòng điện tải id -Giải thích dạng sóng ud, id -Dựa vào đồ thị dạng sóng điện áp tải, tính giá trị điện áp trung bình giữa 2 đầu tải b.Thay đổi V2 để thay đổi góc kích α Vẽ lại trên bài phúc... cho diode Si ở nhiệt độ bình thường Chạy thử chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học 15 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất BÀI 3: CHỈNH LƯU KHÔNG ĐIỀU KHIỂN (DIODE CÔNG SUẤT) 3.1 MỤC ĐÍCH - Khảo sát mạch chỉnh lưu không điều khiển dùng Diode công suất 3.2.CÁC KIẾN THỨC LIÊN QUAN - Các nguyên tắc cấu tạo của diode - Các mạch chỉnh lưu dùng diode: chỉnh lưu một pha một nửa... SW1 1.5V THYRISTOR SW-SPDT BAT1 12V D1 L1 R1 10k 11 12V Tài liệu TN Điện Tử Công Suất a Bật SW1 từ 1 sang 2, bật D1 Quan sát hiện tượng và giải thích b Sau đó bật SW về 1, quan sát hiện tượng trên tải và giải thích c Từ câu a ấn nút D1 lần 2, quan sát hiện tượng trên tải và giải thích d Từ câu a ấn nút D2 quan sát hiện tượng trên tải và giải thích hiện tượng 2 Lắp mạch như hình vẽ: Iện BAT2 D2 U1 SW1 . cảm . Giải thích sự khác nhau 17 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất giữa chúng. 18 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất BÀI 4: LẬP TRÌNH MÔ PHỎNG. giả sử có thể bỏ qua tổng trở của nguồn 19 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất a. Chương trình mẫu 20 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất . phân cực ngược dòng rĩ là không đáng kể , song nó phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ. 3 Tài liệu TN Điện Tử Công Suất A G P1 N1 P2 N2 K