Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 49 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
49
Dung lượng
575 KB
Nội dung
Thiết bị ngoại vi kỹ thuật ghép nối Chương I TỔNG QUAN VỀ NỐI GHÉP NGOẠI VI Nội dung − Nhắc lại bổ xung kiến thức kiến trúc máy tính − Nhiệm vụ nối ghép ngoại vi I Cấu trúc hệ thống máy tính Cấu trúc chung hệ thống máy tính sau: Central Sub System - CS: a CPU: Central Processing Unit: − Khái niệm: Là điều khiển trung tâm, thực công việc giao đặt nhớ chương trình cách thực phép xử lý lên biến nhị phân điều khiển thiết bị ngoại vi − Cơng việc bao gồm: Tìm lệnh, giải mã lệnh, [tìm tốn hạng, xử lý cất kết quả], In/Out với port kiểu Interrupt DMA để điều khiển thiết bị ngoại vi − Đặc trưng - Specifications: Kích thước tốn hạng (bit): 4, 8, 12 , 16, 32, 64 Thiết bị ngoại vi kỹ thuật ghép nối Tốc độ xử lý: Mips, clock multiplier, Kiến trúc: RISC vs CISC, DSP, Micro Controller Pinning/Signalling (Data/Address - Mux, Control bus, IRQ, HRQ, RD/WR ), Register set, Instruction set - Addressing Modes, Power: Slow/ sleep/ power down modes … b Memories Memories (Semiconductor), ROM − Khái niệm: Lưu thông tin (ch/tr số liệu) dạng nhị phân, Dung lượng lớn, tốc độ truy nhập nhanh (downto ns access time) − Tính chất vật lý ROMs: gồm Mask ROM, PROM, EPROM, EAROM, OTROM, NonVolatile mem, Là nhớ đọc, lưu thông tin điện, Package : byte Access time:100 120ns Ghi/nạp nội dung: T/bị chuyên dùng (ROM Burner/Programmator) Memories (Semiconductor), SRAM − RAMs: Lưu thông tin tạm thời, không lưu điện, đọc ghi được, [Read/Write Mem] − Static RAM: Nhanh (80 ns), byte/nibble package, Mật độ byte/chip nhỏ (upto 64/256 KB/ chip), Đắt, tiêu thụ công suất nhiều, CMOS RAM: chậm tiêu thụ cực lượng, less W Vdụ: MC 146818 RealTimeClock- CMOS RAM Thiết bị ngoại vi kỹ thuật ghép nối Dùng hệ nhỏ, cache memory Memories (Semiconductor): DRAM − Dynamic RAM (DRAM): Tốc độ/Access time (50-70ns), [1 20 ns] Pre-fetched Mật độ bit/chip >> (1 Gbit/chip - 1996 , Korea), bit package => DRAM bank, Tiêu thụ công suất nhỏ Thông tin lưu 10ms => refreshing DRAM với chu kỳ @ 7,5ms => phức tạp Dùng hệ có dung lượng nhớ lớn: máy tính, máy chủ Memories (Semiconductor): FLASH & Others − Flash memory: EAROM typed, đưọc đợc, xố bank, ghi lại byte Thơng tin lưu 20 năm, dùng nhiều tương lai: BIOS, diskchip Serial EAROM/FLASH: dùng để lưu configuration, dùng bus I2C (Philips) Ví dụ ứng dụng : thẻ vi mạch, TV, Memories (Semiconductor): Logically: Bộ nhớ chứa thơng tin gì? − Program memory: Chứa ch/tr thực − Data memory: Biến có cấu trúc, c Các biến ngẫu nhiên, Số liệu có kiểu truy nhập đặc biệt FIFO, LIFO (Stack memory) Controllers Vi mạch, nâng hiệu (performance) hệ thống, bao gồm: − Bộ điều khiển ưu tiên ngắt PIC - Priority Interrupt Controller, Intel 259A − Bộ điều khiển truy nhập trực tiếp nhớ DMAC - Direct memory Access Controller, Intel 8237A Timer: mạch tạo khoảng thời gian, PITProgrammable Interval Timer, Intel 8254 Thiết bị ngoại vi kỹ thuật ghép nối − Mạch quản trị nhớ: MMU- Memory Management Unit, sau này, thường đợc built on chip với CPU − Bus controller/Arbitor − … d Bus System − PCB (Printed Circuit Board)/ Cable (Twisted pairs, flat ), slot, connector • Nối slave device, time sharing − Thông tin: Address, data, control, status, Power Supply − Chiều (dir), state (Hi Z), Loading Address bus − Từ BusMaster (CPU, DMAC, PCI host Controller) đến SlaveDevices (Mem, Ports) để chọn/chỏ IO/ Mem location chu kỳ bus − n Addr bit n mem mory Locations & 2m IO Locations, m
Bảng tr
ạng thái (Trang 11)
Bảng tr
ạng thái (Trang 12)
Bảng tr
ạng thái (Trang 13)
Bảng 10.1
cung cấp sơ đồ chân của cáp RSE232 và các tên gọi của chúng thường được gọi là đầu nối DB - 25 (Trang 21)
ng
địa chỉ cổng COM: (Trang 29)