Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 1 pdf

KHOA IN Tặ - VIN THNG Bĩ MN IN Tặ CU KIN IN Tặ Bión soaỷn: Dổ Quang Bỗnh Aè NễNG 1998 CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 1 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN CHƯƠNG 1. VẬT LÝ BÁN DẪN 1.1 VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ : Các vật liệu điện tử thường được phân chia thành ba loại: Các vật liệu cách điện, dẫn điện và vật liệu bán dẫn. Chất cách điện là loại vật liệu thường có độ dẫn điện rất kém dưới tác dụng của một nguồn điện áp đặt vào nó. Chất dẫn điện là lo ại vật liệu có thể tạo ra dòng điện tích khi có nguồn điện áp đặt ngang qua hai đầu vật liệu. Chất bán dẫn là một loại vật liệu có độ dẫn điện ở khoảng giữa của chất dẫn điện và chất cách điện Thông số chính được dùng để phân biệt 3 loại vật liệu là điện trở suất ρ , có đơn vị là Ω.cm. Như chỉ rỏ ở bảng 1.1, các chất cách điện có điện trở suất lớn hơn cm.10 5 Ω . ví dụ: kim cương [diamond] là một trong những chất cách điện tuyệt vời, nó có điện trở suất rất lớn: .cm10 16 Ω . Ngược lại, đồng đỏ nguyên chất [pure copper] là một chất dẫn điện tốt, có điện trở suất chỉ là .cm103 6 Ω − x . Các vật liệu bán dẫn chiếm toàn bộ khoảng điện trở suất giữa chất cách điện và chất dẫn điện; ngoài ra, điện trở suất của vật liệu bán dẫn có thể được điều chỉnh bằng cách bổ sung thêm các nguyên tử tạp chất khác vào tinh thể bán dẫn. Bảng 1.1, cũng cho biết các giá trị điện trở suất điể n hình của 3 loại vật liệu cơ bản. Mặc dù trong thực tế chúng ta đã làm quen với tính dẫn điện của đồng đỏ (đồng nguyên chất) và tính cách điện của mica, nhưng các đặc tính điện của các vật liệu bán dẫn như Gemanium (Ge) và Silicon (Si) có thể còn mới lạ, dĩ nhiên, vật liệu bán dẫn không chỉ có hai loại vật liệu này, nhưng đây là 2 loại vật liệu được s ử dụng nhiều nhất trong sự phát triển của dụng cụ bán dẫn. BẢNG 1.1 Phân loại đặc tính dẫn điện của các vật liệu bằng chất rắn Chất dẫn điện Chất bán dẫn Chất cách điện cm.10 3 Ω − < ρ cm.1010 53 Ω<< − ρ ρ <.cm10 5 Ω Giá trị điện trở suất của các chất điển hình cm.103 6 Ω − = x ρ cm.50 Ω= ρ (germanium) cm.10 12 Ω= ρ (mica) (đồng đỏ ng. chất) .cm1050 3 Ωx= ρ (silicon) cm.10 16 Ω= ρ (kim cương) Các chất bán dẫn được tạo thành từ hai loại: Các chất bán dẫn đơn chất là các nguyên tố thuộc nhóm IV của bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học, (bảng 1.2). Mặt khác, các chất bán dẫn hợp chất có thể được hình thành từ các nguyên tố nhóm III và nhóm IV (thường gọi là hợp chất 3-5), hay nhóm II và nhóm VI (gọi là hợp chất 2-6). Chất bán dẫn hợp chất cũng bao gồm 3 nguyên tố, chẳng hạn như: Thủy ngân-Cadimi-telurit [mercury- cadmium-telluride]; Ga-Al-As [gallium- aluminum-arsenic]; Ga-In-Ar [gallium-indium-arsenic]; và Ga-In-P [gallium-indium- phosphide]. Theo lịch sử chế tạo các linh kiện bán dẫn thì Ge là một trong những chất bán dẫn đầu tiên được sử dụng. Tuy nhiên, Ge đã được thay thế một cách nhanh chóng bới Si dùng để chế tạo các dụng cụ bán dẫn quan tr ọng nhất hiện nay. Silicon có mức năng lượng độ rộng vùng cấm ( E g ) lớn hơn so với Ge (xem bảng 1.3) nên cho phép sử dụng các linh kiện bán dẫn được chế tạo từ Si ở nhiệt độ cao hơn và sự dễ ôxi hóa để hình thành nên một lớp ôxit cách điện ổn định trên bán dẫn Silicon làm cho việc gia công, xử lý trên Si khi chế tạo các vi mạch (ICs) dể dàng hơn nhiều so với Ge. Tuy vậy, Ge vẫn có trong các cấu kiện bán dẫn hiện đại nhưng hạn chế hơn nhiều so với Si và m ột số chất bán dẫn khác. Ngoài chất bán dẫn bằng Silicon được dùng nhiều, còn có các chất bán dẫn như: GaAr [gallium- arsenic] và InP [Indium-phosphide] là những chất bán dẫn thông dụng hiện nay, đó là những vật liệu quan trọng nhất trong việc chế tạo các cấu kiện quang điện tử như: diode phát quang (LED), công nghệ Laser và các bộ tách sóng quang . v. v. . . CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 2 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN Bảng 1.3 Giới thiệu một số chất bán dẫn thường được sử dụng nhiều nhất để chế tạo các linh kiện bán dẫn. BẢNG 1.3 Các vật liệu bán dẫn Chất bán dẫn G E (eV) Chất bán dẫn G E (e V) Kim cương (diamond) 5,47 Gallium arsenide 1,42 Silicon 1,12 Indium phosphide 1,45 Germanium 0,66 Boron nitride 7,50 Thiếc (tin) 0,082 Silicon carbide 3,00 Cadimium selenide 1,70 Kim cương và Boron Nitride là những chất cách điện tuyệt vời ở nhiệt độ phòng, nhưng chúng cũng như Silicon Carbide có thể được dùng như những chất bán dẫn ở nhiệt độ rất cao ( C o 600 ). Việc bổ sung một tỷ lệ nhỏ ( < 10 % ) Ge vào Si sẽ làm cho đặc tính của các dụng cụ bán dẫn thông thường được cải thiện. 1.2 MÔ HÌNH LIÊN KẾT ĐỒNG HÓA TRỊ Trong các chất, các nguyên tử có thể liên kết với nhau dưới 3 dạng cấu trúc như: Vô định hình [amorphous]; đa tinh thể [polycrystalline] và đơn tinh thể [single-crystal]. Các vật liệu vô định hình có cấu trúc hoàn toàn không có trật tự (hổn độn), ngược với vật liệu đa tinh thể bao gồm một số lượng lớn các tinh thể không hoàn chỉnh nhỏ kết hợp lại. Một loại vật liệu bất kỳ chỉ có duy nhất các cấ u trúc tinh thể lặp lại (tuần hoàn) của cùng một loại nguyên tử được gọi là cấu trúc đơn tinh thể. Nhiều đặc tính rất hữu ích của các chất bán dẫn đều được tìm thấy ở các vật liệu đơn tinh thể ở dạng nguyên chất cao, chẳng hạn như: Silicon CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 3 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN thuộc nhóm IV của bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học, có bốn điện tử (electron) ở lớp ngoài cùng, gọi là 4 điện tử hóa trị. Vật liệu đơn tinh thể được hình thành bằng liên kết đồng hóa trị của mỗi nguyên tử Silicon với 4 nguyên tử Si lân cận gần nhất dưới dạng khối không gian ba chiều rất đều đặn như ở hình 1.1. Để đơn giản, ta chỉ xét các mô hình liên kết đồng hóa trị ở dạng hai chiều như hình 1.2. Sự liên kết bền vững giữa các nguyên tử bằng các điện tử hóa trị góp chung được gọi là liên kết đồng hóa trị. Mặc dù liên kết đồng hóa trị là lọai liên kết mạnh giữa các điện tử hóa trị và nguyên tử gốc của chúng nhưng các điện tử hóa trị vẫn có thể hấp thụ năng lượng đáng kể từ tự nhiên để bẽ gảy các liên kết đồng hóa trị và tạo ra các điện tử ở trạng thái tự do. Thuật ngữ “tự do” nói lên rằng sự di chuyể n của các điện tử là rất nhạy cảm dưới tác dụng của điện trường do một nguồn điện áp hay sự chênh lệch nào đó về thế hiệu; các ảnh hưởng của năng lượng ánh sáng dưới dạng các photon; năng lượng nhiệt từ môi trường xung quanh. Ở nhiệt độ phòng, trong một cm 3 vật liệu bán dẫn Si nguyên chất có khoảng 10 10 hạt tải điện tự do [free carrier]. Các điện tử tự do trong vật liệu bán dẫn do bản chất tương tự như các hạt tải điện cơ bản. Cững tại nhiệt độ phòng, trong một cm 3 vật liệu Ge nguyên chất có khoảng 13 105,2 x hạt tải điện tự do. Tỷ lệ về số lượng các hạt tải điện tự do của Ge đối với Si lớn hơn 3 10 lần, điều này sẽ nói lên rằng Ge có độ dẫn điện tốt hơn ở nhiệt độ phòng, mặc dù vậy cả hai loại Ge và Si đều có độ dẫn điện rất kém ở trạng thái cơ bản. Lưu ý ở bảng 1.1, điện trở suất của Si và Ge cũng chênh lệch một tỷ lệ 1000:1, trong đó Si có điện trở suất lớn hơn, điều này là tất nhiên, vì điện trở suất tỷ lệ nghịch với độ dẫn điện. Khi tăng nhiệt độ ở một chất bán dẫn lên trên độ không tuyệt đối ( 0 K) thì số lượng các điện tử hóa trị do hấp thụ năng lượng nhiệt đáng kể để bẻ gãy các liên kết đồng hóa trị tăng lên, làm tăng độ dẫn điện và chất bán dẫn có điện trở thấp. Do vậy, các vật liệu bán dẫn như Ge và Si sẽ có điện trở giảm khi nhiệt độ tăng tức là có hệ số nhiệt độ âm. Đ iều náy khác với các chất dẫn điện vì điện trở của nhiều chất dẫn điện tăng theo nhiệt độ do số lượng các hạt tải điện trong chất dẫn điện là không tăng đáng kể theo nhiệt độ, nhưng chúng sẽ dao động xung quanh vị trí cố định làm cản trở sự di chuyển của các điện tử khác, tức là làm cho điệ n trở tăng lên nên đối với các chất dẫn điện có hệ số nhiệt độ dương. Như vậy, Ở nhiệt độ gần độ 0 tuyệt đối, toàn bộ các điện tử định vị trong các mối liên kết đồng hóa trị góp chung giữa các nguyên tử theo dạng mãng và không có điện tử tự do để tham gia vào quá trình dẫn điện. Lớp ngoài cùng của nguyên CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 4 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN tử là đầy đủ và vật liệu giống như một chất cách điện. Khi tăng nhiệt độ, thì năng lượng nhiệt sẽ được bổ sung vào tinh thể, lúc này một vài liên kết sẽ bị bẻ gãy, giải phóng một lượng nhỏ điện tử cung cấp cho việc dẫn điện, như ở hình 1.3. Mật độ các điện tử tự do này được gọi là: mật độ các hạt tải điện cơ bản i n [intrinsic carrier density] ( 3 cm − ) và được xác định tùy theo đặc tính của vật liệu và nhiệt độ như sau: ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ −= kT E BTn G 32 i exp cm -6 (1.1) trong đó: G E là mức năng lượng độ rộng vùng cấm của chất bán dẫn, đơn vị đo là eV; k là hằng số Boltzmann, 5 10x628 − , (eV/ K); T là nhiệt độ tuyệt đối ( o K); B là thông số tùy thuộc vật liệu, CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 5 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN chẳng hạn, đối với Si thì B = 31 10x081, (K -3 . cm - 6 ). Mức năng lượng vùng cấm G E [bandgap energy] là mức năng lượng tối thiểu cần thiết để bẻ gãy một mối liên kết trong tinh thể bán dẫn để giải phóng một điện tử cho quá trình dẫn điện. Bảng 1.3 ở trên đã liệt kê các giá trị mức năng lượng vùng cấm của một số chất bán dẫn khác nhau. Mật độ các điện tử tự do được biểu diển bằng ký hiệu n ( số electron / cm 3 ), và đối với vật liệu nguyên chất i nn = . Mặc dù i n là một đặc tính cơ bản của mỗi chất bán dẫn nhưng nó phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ đối với tất cả các vật liệu. Hình 1.4 chỉ rõ sự thay đổi mạnh của mật độ hạt tải điện cơ bản theo nhiệt độ của Gemanium, Silicon, và Gallium Arsenide, tính từ biểu thức (1.2) với 6330 cm.K1031,2 −− = xB cho Ge và 6329 cm.K1027,1 −− = xB cho GaAr. Ví dụ 1.1: Hãy xác đinh giá trị của i n của Si ở nhiệt độ phòng (300K) ? () () () () 619 5 3 63312 i cm/1052,4 K300K/eV1062,8 12,1 expK300cm.K1008,1 x x xn = ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − = −− hay 39 i cm/1073,6 xn = Để đơn giản trong tính toán, ta lấy giá trị 310 cm/10≈ i n ở nhiệt độ phòng đối với Si. Mật độ các nguyên tử silicon trong mạng tinh thể vào khoảng 322 /105 cmx , so sánh với kết quả ở ví dụ 1.1, trên, suy ra rằng: ở nhiệt độ phòng, trong số xấp xỉ 13 10 nguyên tử Si, thì chỉ có một mối liên kết bị bẻ gãy. Một loại hạt tải điện khác thực tế cũng được tạo ra khi liên kết đồng hóa trị bị bẻ gãy như ở hình 1.3. Khi một điện tử mang điện tích âm C10602,1 19− −= xq , di chuyển ra khỏi liên kết đồng hóa trị, thì nó sẽ để lại một khoảng trống [vacancy] trong cấu trúc liên kết bên cạnh nguyên tử silicon gốc. Khoảng trống phải có điện tích hiệu dụng dương: +q . Một điện tử từ liên kết lân cận có thể điền vào khoảng trống này và sẽ tạo ra một khoảng trống mới ở vị trị khác. Quá trình này làm cho khoảng trống di chuyể n qua khắp các mối liên kết trong mạng tinh thể bán dẫn. Khoảng trống di chuyển giống như hạt tích điện có điện tích +q nên được gọi là lổ trống [hole]. Mật độ lỗ trống được ký hiệu là p (lỗ trống / cm 3 ). Như vậy, có hai loại hạt tích điện được tạo ra đồng thời khi mỗi liên kết bị bẽ gảy: một điện tử và một lỗ trống, do đó đối với bán dẫn silicon nguyên chất ta có: pnn i = = (1.2) 2 i nnp =⇒ (1.3) Tích pn cho ở (1.3) chỉ đúng với điều kiện một chất bán dẫn ở điều kiện cân bằng nhiệt, mà trong đó, các đặc tính của vật liệu bán dẫn chỉ phụ thuộc vào nhiệt độ T, mà không có các dạng kích thích khác. Phương trình (1.3) sẽ không đúng đối với các chất bán dẫn khi có các kích thích ngoài như: điện áp, dòng điện hay kích thích bằng ánh sáng. 1.3 ĐIỆN TRỞ SUẤT CỦA BÁN DẪN SILICON NGUYÊN CHẤT. a) Dòng trôi trong các chất bán dẫn. Điện trở suất: ρ và đại lượng nghích đảo của điện trở suất là điện dẫn suất [conductivity]: σ là đặc trưng của dòng điện chảy trong vật liệu khi có điện trường đặt vào. Dưới tác dụng của điện trường, các hạt tích điện sẽ di chuyển hoặc trôi [drift] và tạo thành dòng điện được gọi là dòng trôi [drift current]. Mật độ dòng trôi j được định nghĩa như sau: Qvj = (C/cm 3 )(cm/s) = A/cm 2 (1.4) trong đó: Q là mật độ điện tích; v là vận tốc của các điện tích trong điện trường. Để tính mật độ điện tích, ta phải khảo sát cấu trúc của tinh thể silicon bằng cách sử dụng cả hai mô hình liên kết đồng hóa trị và mô hình vùng năng lượng trong các chất bán dẫn. Đối với vận tốc của các hạt tải điện dưới tác dụng của điện trường ta phải xét độ linh động của các hạt t ải điện. b) Độ linh động. [mobility] Như trên đã xét, các hạt tải điện trong các chất bán dẫn di chuyển dưới tác dụng của điện trường CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 6 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN đặt vào chất bán dẫn. Sự chuyển động này được gọi là sự trôi và tạo thành dòng điện chảy trong chất bán dẫn được hiểu là dòng trôi. Các điện tích dương trôi cùng chiều với chiều của điện trường, ngược lại các hạt mang điện tích âm trôi theo hướng ngược với chiều của điện trường. Vận tốc trôi của các hạt tải điện v r (cm/s) tỷ lệ với điện trường E r (V/cm); hằng số tỷ lệ được gọi là độ linh động µ , ta có: Ev r r n n µ −= và Ev r r pp µ = (1.5) trong đó: n v r là vận tốc của các điện tử (cm/ s); p v r là vận tốc của các lỗ trống (cm/s); n µ là độ linh động của điện tử, và có giá trị bằng 1350 cm 2 /V.s ở bán dẫn Si nguyên chất. p µ là độ linh động của lỗ trống, và có giá trị bằng 500 cm 2 /V.s ở bán dẫn Si nguyên chất. Do quan niệm, các lỗ trống chỉ xuất hiện tại vị trí khi di chuyển qua các mối liên kết đồng hóa trị, nhưng các điện tử là tự do di chuyển trong khắp mạng tinh thể, vì vậy, có thể hiểu là độ linh động của lỗ trống thấp hơn so với độ linh động của điện tử, như biểu thị ở định nghĩa trong biểu thức (1.5). Chú ý rằng: quan hệ ở (1.5) sẽ không đúng tại các mức điện trường cao đối với tất các các chất bán dẫn bởi do vận tốc của các hạt tải điện sẽ đạt tới một giới hạn gọi là: vận tốc trôi bão hòa sat v . Đối với bán dẫn Si, sat v vào khoảng 10 7 cm/s, khi điện trường vượt quá 3x10 4 V/cm. c) Điện trở suất của bán dẫn Si sạch. Để đơn giản cho việc xác định mật độ dòng trôi của điện tử và lổ trống, ta giả sử dòng chảy theo một chiều để tránh ký hiệu véc tơ ở phương trình (1.4), ta có: EqnEqnvQj nnnn drif t n ))(( µµ =−−== EqpEqpvQj pppp drift p ))(( µµ =++== A/cm 2 (1.6) trong đó: )( qnQ n −= và )( qpQ p += là mật độ điện tích của điện tử và lổ trống (C/cm 3 ) tương ứng. Tổng mật độ dòng trôi sẽ là: EEpnqjjj .)( pnpn drift T σµµ =+=+= A/cm 2 (1.7) Từ phương trình này sẽ xác định độ dẫn điện σ : ).( pn µ µ σ p nq + = (Ω.cm) -1 (1.8) Đối với bán dẫn Si nguyên chất, thì mật độ điện tích của điện tử được cho bởi i qnQ −= n mặt khác mật độ điện tích của các lổ trống là ip qnQ + = . Thay các giá trị của độ linh động của bán dẫn Si nguyên chất đã cho ở phương trình (1.5), ta có: 6101019 1096,2)500)(10()1350)(10)[(1060,1( −− =+= xx σ (Ω.cm) -1 Từ định nghĩa điện trở suất ρ chính là nghịch đảo của điện dẫn suất σ , do vậy đối với bán dẫn Si nguyên chất ta có: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 7 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN 5 10383 1 ×== , σ ρ (Ω.cm) (1.9) Tra theo bảng 1.1, ta thấy rằng bán dẫn Si sạch có thể có đặc tính như một chất cách điện, mặc dù gần bằng với mức dưới của khoảng điện trở suất của chất cách điện. 1.4 BÁN DẪN TẠP CHẤT. a) Các tạp chất trong các chất bán dẫn. Trong thực tế, các ưu điểm của các chất bán dẫn thể hiện rỏ khi các tạp chất được bổ sung vào vật liệu bán dẫn nguyên chất, mặc dù với một tỷ lệ rất thấp tạp chất nhưng chất bán dẫn mới được tạo thành có ý nghĩa điều chỉnh đặc tính dẫn điện của vật liệu rất tốt. Quá trình như vậy CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 8 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN được gọi là sự pha tạp, và vật liệu tạo thành gọi là bán dẫn tạp. Sự pha tạp tạp chất sẽ cho phép làm thay đổi điện trở suất của vật liệu trong một khoảng rất rộng và định rỏ hoặc nồng độ điện tử hoặc nồng độ lổ trống sẽ điều chỉnh điện trở suất củ a vật liệu. Ở đây ta xét sự pha tạp vào bán dẫn Si nguyên chất mặc dù sự pha tạp này cũng được sử dụng giống như đối với các vật liệu khác. Các tạp chất thường được sử dụng nhiều là các nguyên tố thuộc nhóm III và nhóm V của bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học. * Các tạp chất Donor trong bán dẫn Si. Các tạp chất Donor dùng để pha tạp vào bán dẫn Si được lấy từ các nguyên tố thuộc nhóm nguyên tố thuộc nhóm V, có 5 điện tử hóa trị ở lớp ngoài cùng. Các nguyên tố thường được sử dụng nhất là Phosphorus, Arsenic và Antimony. Khi một nguyên tử donor thay thể một nguyên tử Silicon trong mạng tinh thể như mô tả ở hình 1.5, thì 4 trong số 5 điện tử của lớp ngoài cùng sẽ điền đầy vào cấu trúc liên kết đồng hóa trị với mạng tinh thể Silicon, điện tử thứ 5 liên kết yếu với nguyên t ử donor nên chỉ cần một năng lượng nhiệt rất bé nó dể trở thành điện tử tự do. Như vậy, ở nhiệt độ phòng, chủ yếu một nguyên tử donor đóng góp một điện tử tự do cho quá trình dẫn điện, do đó mỗi nguyên tử donor sẽ trở nên bị ion hóa vì đã mất một điện tử và sẽ mang điện tích +q, tương đương như một điện tích cố định, không dịch chuyển trong mạng tinh thể. * Các tạp chất Acceptor trong bán dẫn Si. Các tạp chất Acceptor dùng để pha tạp vào bán dẫn Si được lấy từ các nguyên tố thuộc nhóm III, nếu so sánh số điện tử ở lớp ngoài cùng, thì nguyên tử nhóm III ít hơn một điện tử. Nguyên tố Boron là tạp chất chính thay thế nguyên tử Si ttong mạng tinh thể như hình 1.6(a) . Do nguyên tử Boron chỉ có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng nên sẽ tồn tại một khoảng trống trong cấu trúc liên kết. Khoảng trống này dễ cho một điện tử bên cạnh di chuyển vào, tạo ra một khoảng trống khác trong cấu trúc liên kết. Khoảng trống này được gọi là lổ trống có thể di chuyển qua khắp mạng tinh thể như mô tả ở hình 1.6(b) và (c) và lổ trống có thể đơn gi ản xem như một hạt tích điện có điện tích +q. Mỗi nguyên tử tạp chất sẽ trở thành ion do nó nhận một điện tử có điện tích - q , không di chuyển trong mạng như ở hình 1.6(b). b) Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp. Đối với bán dẫn tạp bao gồm cả tạp chất donor và acceptor thì việc tính nồng độ điện t ử và lỗ trống được xét như sau: Trong vật liệu bán dẫn đã được pha tạp, nồng độ của điện tử và lỗ trống là rất chênh lệch. Nếu n > p , thì vật liệu bán dẫn được gọi là bán dẫn tạp dạng n, và ngược lại nếu p > n, thì vật liệu được gọi là bán dẫn tạp dạng p. Hạt tải điện có nồng độ lớn hơn được gọi là hạt tải điện đa số, và hạt tải có nồng độ thấp hơn được gọi là hạt tải điện thiểu số. Để tính toán chi tiết mật độ điện tử và lỗ trống, ta cần phải biết nồng độ các tạp chất acceptor và donor : D N là nồng độ tạp chất donor nguyên tử /cm 3 A N là nồng độ tạp chất acceptor nguyên tử /cm 3 và bổ sung các điều kiện cần thiết sau: 1-Vật liệu bán dẫn phải trung hòa về điện tích, tức điều kiện là: tổng điện tích dương và điện tích âm là bằng không. Các ion donor và các lỗ trống mang điện tích dương, ngược lại, các ion acceptor và các điện tử mang điện tích âm. Vi vậy, điều kiện trung hòa về điện tích sẽ là: 0)( A D = − − + n N p N q (1.10) 2-Tích của nồng độ điện tử và lỗ trống trong vật liệu bán dẫn nguyên chất đã cho ở biểu thức (1.3) là: 2 i npn = có thể hiểu một cách lý thuyết vẫn đúng đối với bán dẫn tạp ở điều kiện cân bằng nhiệt và biểu thức (1.3) vẫn có giá trị cho một khoảng rất rộng của nồng độ pha tạp. * Đối với vật liệu bán dẫn tạp dạng-n. )( A D N N > Từ điều kiện 2 i npn = suy ra p và thay vào (1.10), ta có phương trình bậc hai của n: 0)( 2 i AD 2 =−−− nnNNn giải phương trình trên ta có: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 9 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN 2 4)()( 2 i 2 ADAD nNNNN n +−±− = và n n p 2 i = (1.11) Trong thực tế thì i A D 2)( n N N >>− , nên có thể tính gần đúng: )( A D N N n −≈ . Công thức (1.11) được dùng khi A D N N > . * Đối với vật liệu bán dẫn tạp dạng-p. )( D A N N > Đối với trường hợp khi D A N N > , thay n vào (1.10) và giải phương trình bậc hai cho p ta có: 2 4)()( 2 iDADA nNNNN p +−±− = và p n n 2 i = (1.12) Trở lại với trường hợp thường dùng: iD A 2)( n N N >> − nên: )( D A N N p − ≈ . Biểu thức (1.12) sẽ được sử dụng khi D A N N > . Do những hạn chế của việc điều chỉnh quá trình pha tạp trong thực tế, nên mật độ các tạp chất có thể đưa vào mạng tinh thể Silicon chỉ trong khoảng xấp xỉ từ 14 10 đến 21 10 nguyên tử /cm 3 . Vì vậy, A N và D N thường lớn hơn rất nhiều so với nồng độ các hạt tải điện cơ bản trong bán dẫn Silicon ở nhiệt độ phòng. Từ các biểu thức gần đúng trên, ta thấy rằng mật độ các hạt tải điện đa số được quyết định trực tiếp bởi nồng độ tạp chất thực tế : )( D A N N p −≈ đối với D A N N > hoặc: )( A D N N n − ≈ đối với: A D N N > . Như vậy: ở cả bán dẫn tạp dạng-n và bán dẫn tạp dạng-p, nồng độ hạt tải điện đa số được thiết lập bởi nhà chế tạo bằng các giá trị nồng độ tạp chất A N và D N và do đó không phụ thuộc vào nhiệt độ. Ngược lại, nồng độ các hạt tải điện thiểu số, mặc dù nhỏ nhưng tỷ lệ với 2 i n và phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ. 1.5 MÔ HÌNH VÙNG NĂNG LƯỢNG. Mô hình vùng năng lượng trong chất bán dẫn đưa ra một quan điểm rõ ràng hơn về quá trình phát sinh cặp điện tử-lỗ trống và sự điều chỉnh nồng độ các hạt tải điện bằng các tạp chất. Theo cơ học lượng tử thì với cấu trúc tinh thể có tính trật tự cao của một nguyên tố bán dẫn sẽ hình thành các khoảng lượng tử có tính chu kỳ ở các trạ ng thái năng lượng cho phép và cấm của các điện tử quay xung quanh các nguyên tử trong tinh thể. Hình 1.7 mô tả cấu trúc vùng năng lượng trong bán dẫn, trong đó vùng dẫn và vùng hóa trị tượng trưng cho các trạng thái cho phép tồn tại của các điện tử. Mức năng lượng V E tương ứng với đỉnh của vùng hóa trị và tượng trưng cho mức năng lượng có thể cho phép cao nhất của một điện tử hóa trị. Mức năng lượng C E tương ứng với đáy của vùng dẫn và tượng trưng cho mức năng lượng của các điện tử có thể có được thấp nhất trong vùng dẫn. Mặc dù, các dải năng lượng mô tả ở hình 1.7, là liên tục nhưng thực tế, các vùng năng lượng bao gồm một số lượng rất lớn các mức năng lượng rời rạc có khoảng cách sít nhau. [...]... ny ta cú: q S th t phộp th 1 2 3 4 5 6 BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT = (0,054 x1,6 x10 19 ) 1 = 1, 2 x10 20 ( V.s.cm ) 1 ND (cm-3) 1x1 016 1x1 018 1x1 017 5x1 017 4x1 017 2x1 017 àn (cm2/ V.s) 11 00 350 710 440 470 580 àn ND (V.s.cm ) -1 1, 1x1 019 3,5x1020 7,1x1 019 2,2x1020 1, 9x1020 1, 2x1020 CHNG 1: VT Lí BN DN 13 CU KIN IN T Sau 6 ln th lp li, ta tỡm c N D = 2x1 017 nguyờn t donor/cm3 1. 7 DềNG KHUYCH TN V DềNG TNG... nhiu so vi ni , vỡ vy: n2 n = N D = 2 x1 015 in t /cm3; v p = i = 10 20 / 2 x1 015 = 5x10 4 l trng/cm3 Bi vỡ, n n > p nờn õy l bỏn dn Si tp dng n T th hỡnh 1. 13, ta cú linh ng ca in t v l trng ng vi nng tp cht: 2 x1 015 / cm 3 l: à n = 12 60cm 2 / V.s v à p = 460cm 2 / V.s dn in v in tr sut s l: = 1, 6 x10 19 [ (12 60)(2 x1 015 ) + (460 )(5x10 4 )] = 0,403(.cm ) 1 , suy ra: = 2,48.cm So sỏnh in tr sut... qDn x (1. 17) p T j p = qà p pE qDp x Thay h thc Einstein t (1. 16) vo biu thc (1. 17), ta cú: BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 1: VT Lí BN DN CU KIN IN T 14 1 n T j n = qà n n E + VT n x (1. 18) 1 p T j p = qà p p E VT p x Cỏc biu thc trờn l nhng cụng c toỏn hỡnh thnh nờn c s lý thuyt cho vic phõn tớch nguyờn lý hot ng ca cỏc cu kin bỏn dn BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 1: VT Lí... trng tc l ht ti in t do tham gia vo quỏ trỡnh dn in Hỡnh 1. 11 tng ng vi mụ hỡnh liờn kt hỡnh 1. 6(b) b) Cỏc cht bỏn dn bự tr Trng thỏi ca mt bỏn dn bự tr bao gm c hai loi tp cht acceptor v donor c mụ t hỡnh 1. 12 cho trng hp m trong ú cú cỏc nguyờn t donor nhiu hn nguyờn t acceptor BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 1: VT Lí BN DN CU KIN IN T 11 Cỏc in t s tỡm cỏc trng thỏi nng lng thp cú sn v chỳng s... vựng cm v s nhy t vựng húa tr vo vựng dn, nh mụ t hỡnh 1. 9 Mi in t nhóy qua vựng cm s to ra mt cp in t - l trng Tỡnh trng phỏt sinh cp in t - l trng ny tng ng trc tip vi hỡnh 1. 3, trờn b) Mụ hỡnh vựng nng lng i vi bỏn dn tp Hỡnh 1. 10, v 1. 12, l mụ hỡnh vựng nng lng ca vt liu ngoi lai, ú l cỏc nguyờn t donor v / hoc nguyờn t acceptor hỡnh 1. 10, nng cỏc nguyờn t donor N D ó c b sung vo bỏn dn Cỏc... Hỡnh 1. 13 cho bit s ph thuc ca linh ng vo tng mt tp cht pha tp N = ( N A + N D ) bỏn dn Silicon, trong ú linh ng gim mnh khi mc pha tp trong tinh th bỏn dn tng lờn linh ng trong cỏc vt liu pha tp m c thp hn nhiu so vi linh ng trong vt liu pha tp loóng Vớ d 1. 2: Hóy tớnh in tr sut ca bỏn dn Si c pha tp vi mt donor N D = 2 x1 015 / cm 3 v ( N A = 0 ) BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 1: VT Lí BN DN 12 ... liu: qà n n qà n ( N D N A ) õọỳi vồùi vỏỷt lióỷu baùn dỏựn - n qà p p qà p ( N A N D ) õọỳi vồùi vỏỷt lióỷu baùn dỏựn - p (1. 14) Vớ d 1. 3: Mt mu vt liu Si tp dng n cú in tr sut 0,054 .cm Bit mu Si ch cú mt loi tp cht donor Tớnh nng tp cht donor N D ? Gii: i vi bi toỏn ny cn phi gii bng phng phỏp: th - sai lp li [iterative trial-error]; õy l mt vớ d v mt kiu bi toỏn thng gp trong k thut Vỡ... khụng, ngoi tr cỏc vt liu pha tp m ( N D ln) hoc ti nhit rt thp Nh vy, nhit phũng, ch yu ton b cỏc in t cú trng thỏi nng lng donor c t do tham gia quỏ trỡnh dn in Hỡnh 1. 10, tng ng vi mụ hỡnh liờn kt hỡnh 1. 5 Trong hỡnh 1. 11, mt lng tp cht acceptor (cht nhn) thuc nhúm 3, cú nng N A ó c b sung vo bỏn dn Cỏc nguyờn t acceptor a vo s to ra cỏc mc nng lng mi trong vựng cm ti cỏc mc nng lng acceptor... = àn q àp (1. 16) ai lng (kT/ q = VT) c gi l th nhit VT, cú giỏ tr xp x 0.025V nhit phũng Thụng s VT thng c dựng trong cỏc phn ni dung ca mụn hc b) Dũng tng Thụng thng, dũng in trong bỏn dn cú hai thnh phn: dũng trụi v dũng khuych tỏn Mt T T dũng trụi tng ca in t v l trng j n v j p cú th c xỏc nh bng cỏch cng cỏc thnh phn dũng trụi v dũng khuych tỏn tng ng ca mi loi t biu thc (1. 6) v (1. 15), ta cú:...CU KIN IN T 10 Cỏc in t khụng c phộp nhn cỏc giỏ tr nng lng nm gia EC v E V S chờnh lch gia hai mc E C v E V c gi l mc nng lng vựng cm E G , ta cú: (1. 13) EG = EC E V Bng 1. 3 trờn ó gii thiu mc nng lng vựng cm ca mụt s cht bỏn dn a) S phỏt sinh cp in t-l trng bỏn dn nguyờn cht Khi bỏn dn Silicon nhit rt thp ( 0K), thỡ cỏc trng . cú: 12 011 9 )V.s.cm (10 2 ,1) 106 ,10 54,0( == xxx q S th t phộp th D N (cm -3 ) n à (cm 2 / V.s) Dn N à (V.s.cm) -1 1 1x10 16 11 00 1, 1x10 19 2 1x10 18 350 3,5x10 20 3 1x10 17 710 . 3,5x10 20 3 1x10 17 710 7,1x10 19 4 5x10 17 440 2,2x10 20 5 4x10 17 470 1, 9x10 20 6 2x10 17 580 1, 2x10 20 CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 13 BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 1: VẬT LÝ BÁN DẪN Sau. ngân-Cadimi-telurit [mercury- cadmium-telluride]; Ga-Al-As [gallium- aluminum-arsenic]; Ga-In-Ar [gallium-indium-arsenic]; và Ga-In-P [gallium-indium- phosphide]. Theo lịch sử chế tạo các linh kiện