II. PHÂN BỐ ĐIỆN TỬ TRONG NGUYÊN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG:
III. DẢI NĂNG LƯỢNG: (ENERGY BANDS)
Chương II
SỰ DẪN ĐIỆN TRONG KIM LOẠI
I. ĐỘ LINH ĐỘNG VÀ DẪN XUẤT:
II. PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT CHUYỄN ĐỘNG CỦA HẠT TỬ BẰNG NĂNG LƯ
III. THẾ NĂNG TRONG KIM LOẠI:
III. SỰ PHÂN BỐ CỦA ĐIỆN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG:
IV. CÔNG RA (HÀM CÔNG):
V. ĐIỆN THẾ TIẾP XÚC (TIẾP THẾ):
Chương III
CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẨM:
II. CHẤT BÁN DẪN NGOẠI LAI HAY CÓ CHẤT PHA:
1. Chất bán dẫn loại N: (N - type semiconductor)
2. Chất bán dẫn loại P:
3. Chất bán dẫn hỗn hợp:
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:
IV. CƠ CHẾ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN:
V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC:
Chương IV
NỐI P-N VÀ DIODE
I. CẤU TẠO CỦA NỐI P-N:
II. DÒNG ĐIỆN TRONG NỐI P-N KHI ĐƯỢC PHÂN CỰC:
1. Nối P-N được phân cực thuận:
2. Nối P-N khi được phân cực nghịch:
III. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN NỐI P-N:
IV. NỘI TRỞ CỦA NỐI P-N.
1. Nội trở tĩnh: (Static resistance).
2. Nội trở động của nối P-N: (Dynamic Resistance)
V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N.
1. Điện dung chuyển tiếp (Điện dung nối)
2. Điện dung khuếch tán. (Difusion capacitance)
VI. CÁC LOẠI DIODE THÔNG DỤNG
1. Diode chỉnh lưu:
2. Diode tách sóng.
3. Diode schottky:
4. Diode ổn áp (diode Zener):
5. Diode biến dung: (Varicap – Varactor diode)
6. Diode hầm (Tunnel diode)
Chương V
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT
II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC.
III. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.
IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN.
V. DÒNG ĐIỆN RỈ TRONG TRANSISTOR.
VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR.
1. Mắc theo kiểu cực nền chung:
2. Mắc theo kiểu cực phát chung.
3. Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT.
VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG LẤY ĐIỆN MỘT CHIỀU.
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.
IX. BJT VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU.
1. Mô hình của BJT:
2. Điện dẫn truyền (transconductance)
3. Tổng trở vào của transistor:
4. Hiệu ứng Early (Early effect)
5. Mạch tương đương xoay chiều của BJT:
CHƯƠNG 6
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG
I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET:
II. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA JFET:
III. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN CỦA JFET.
IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ TRÊN JFET.
V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET)
VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET)
VII. XÁC ĐỊNH ĐIỂM ĐIỀU HÀNH:
VIII. FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍ
IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET.
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET.
XI. TỔNG TRỞ VÀO VÀ TỔNG TRỞ RA CỦA FET.
XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).
XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS.
1. V-MOS:
2. D-MOS:
CHƯƠNG VII
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁC
I. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).
1. Cấu tạo và đặc tính:
2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:
3. Các thông số của SCR:
4. SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều
5. Vài ứng dụng đơn giản:
II. TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH).
IV. DIAC
V. DIOD SHOCKLEY.
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).
VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐỘC NỐI).
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:
2. Các thông số kỹ thuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho
3. Ứng dụng đơn giản của UJT:
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).
CHƯƠNG VIII
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
I. ÁNH SÁNG.
II. QUANG ĐIỆN TRỞ (PHOTORESISTANCE).
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR).
V. DIOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTING DIODE).
VI. NỐI QUANG.
CHƯƠNG IX
SƠ LƯỢC VỀ IC
I. KHÁI NIỆM VỀ IC - SỰ KẾT TỤ TRONG HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ.
II. CÁC LOẠI IC.
1. IC màng (film IC):
2. IC đơn tính thể (Monolithic IC):
3. IC lai (hibrid IC).
III. SƠ LƯỢC VỀ QUI TRÌNH CHẾ TẠO MỘT IC ĐƠN TINH THỂ.
IV. IC SỐ (IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ (IC ANALOG).
1. IC Digital:
2. IC analog:
Nội dung
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử I C # I E =3mA V C * Khi R C = 3 KΩ (R C tăng) B = V CC - R C .I C = 12 - 3x3 = 3V mA 4 3 12 R V I C CC SH === . Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền CC . ếu giữ I E là hằng số (tức V và R E là hằng số C là hằng s y đổ CC , ta thấ : K V CC tăng thì V CB tăng, khi V CC giảm thì V CB giảm. Như vậy, khi giữ các nguồn phân cực V CC , V EE và R E cố định, thay đổi R C , điểm điều hành Q sẽ chạy trên đặc tuyến tương ứng với I E = 3mA. Khi R C tăng thì V CB giảm và ngược lại. 2 V N EE ), R ố, tha i nguồn V y hi V CB (Volt) 0 I C (mA) I E = 3mA Q 2 4 6 8 10 12 V OC Hình 22 8 4 3 2 1 7,5V 7 6 5 V CB (Volt) 0 I C (mA) I E = 3mA Q 2 4 6 8 10 12 V OC Hình 23 4 3 2 1 Trang 76 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Thí dụ: 3. Ảnh hưởng của I E lên điểm đ u hành: N giữ R C và V CC cố đị hay đổi I E (tức th i R E hoặc V EE ) ta thấy: khi I E tăng thì V CB giảm (tức I C tăng), khi I C giảm thì V CB tăng (tức I C giảm). E C eo và tiến dầ SH Transistor dần dần đi vào vùng bảo h gọi là I C (sat). Như vậy: V iề ếu ta nh, t ay đổ Khi I tăng thì I tăng th n đến trị I . oà. Dòng tối đa của I C , tức dòng bảo hoà C C R CC SH V I)t == sa(I Lúc này, V CB giảm rất nhỏ và xấp xĩ bằng 0V (th ự là 0,2V). hi I E giảm thì I C giảm theo. Transistor đi dần vào vùng ngưng, V CB lúc đó gọi là V CB (off) và I C = I CBO . ật s K EE = 1V V CC : 10V 12V 14V + R E = 100Ω R C = 2 K Ω I C I C (mA) 7 6 5 4 3 2 1 2 4 6 8 10 12 14 0 I E =3 (mA) V CB Hình 24 Q 1 Q 1 Q 2 V CC = 14V V CC = 12V V CC = 10V Hình 25 I C (mA) 7 6 5 3 2 1 2 4 6 8 10 12 14 4 0 I E =3 (mA) V CB Q 3 Q C CC SH)sat(C R V II == I E =2 (mA) I E =1 (mA) I E =4 (mA) I E =5 (mA) I E =6 (mA) Q 1 Q 2 Tăng Giảm Q 4 I CBO Trang 77 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Như vậy, V CB (off) = V OC = V CC . Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT. ối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự. VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. ua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của transistor trong mạch điện một chiều: mạc n với chú ý là điện thế thềm V BE khi phân cực thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si. hí dụ 1: tính I E , I C và V CB của mạch c ư sau: Đ Q E C B α DC I E I E I C = α DC I E ≈ I E Trang 78 Biên soạn: Trương Văn Tám E C B Tr ≈ ansistor NPN E C B DC E E C α I I E I C = α DC I E ≈ I E ≈ B Transistor PNP Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor, người ta thường tính trực tiếp trên Hình 26 h điệ ực nền chung nh T Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Si V EE V CC R E R C 0,7V V CB I C I E Si V V R EE CC E R C 0,7V V CB I C I E + + - - Hình 27 Ta dùng 3 bước: Mạch nền phát (ngõ vào): E EE E R 7,0V I − = ; I C # α DC # I E Áp dụng định luật kir ra − Với transist choff (ngõ ), ta có: or NPN: V CB = V CC - R C .I C ; V C 0 − Với transistor PNP: V CB = -V C R C .I C ; V CB <0 hí dụ 2: Tính dòng điện I B , I C và điện thế V CE của mạch cực phát chung B > C + + + - - - T . Mạch nền phát (ngõ vào): B BB B 7,0V I − = R Dòng I C = β DC .I B Mạch thu phát (ngõ ra) Hình 28 V BB V CC R B R C 0,7V + V I C I B CE - + + V BB V CC R B R C V CE I C I B 0,7V - - + Trang 79 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử − Với transistor NPN: V CE = V CC -R C I C >0 hính là phương trình đường thẳng lấy điện tỉnh trong mạch cực phát chung. IX. BJT VỚI TÍN HIỆ XOAY U. 1. Mô hình của BJT: a xem lại mạch cực nền chung, bây giờ nếu ta đưa vào BJT một nguồn xoay chiều V S (t) có biên ây là mô hình của một mạch khuếch đại ráp theo kiểu cực nền chung. Ở ngõ vào và ngõ ra, ta có hai tụ liên lạc C 1 và C 2 có điện dung như thế nào để dung kháng X C khá nhỏ ở ần số của nguồn tín hiệu để có thể xem như nối tắt (Short circuit) đối với tín hiệu xoay chiều và có thể xem như hở mạch (open circuit) đối với điện thế phân cực. ạch tương đương một chiều như sau: ây là mạch mà chúng ta đã khảo sát ở phần tr c. Nguồn điệ ế xoay chiều V S (t) khi đưa vào mạch sẽ làm cho thông s stor thay đổi. Ngoài thành phần một chiều còn c thành phần xoay chiều của ngu iệu tạo ra chồng lên. ghĩa là: i B (t) = I B + i b (t) v CB (t) = V CB + v cb (t) -V EE CC − Với transistor PNP: V CE = -V CC + R C .I C <0 Đây c U CHIỀ T +V độ nhỏ như hình vẽ. R E R C V C1 ~ + - C2 + - + Tín hiệu vào V Đ t M Đ ướ n th ố transi ồn tín hó N i C (t) = I C + i c (t) i E (t) = I E + i e (t) S (t) - V V V Hình 29 Tín hiệu ra V 0 (t) Hình 30 Si V EE V CC R E R C 0,7V V CB I C ≈I E I E + + - - Trang 80 Biên soạn: Trương Văn Tám . Q 2 4 6 8 10 12 V OC Hình 22 8 4 3 2 1 7,5V 7 6 5 V CB (Volt) 0 I C (mA) I E = 3mA Q 2 4 6 8 10 12 V OC Hình 23 4 3 2 1 Trang 76 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình. PNP Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor, người ta thường tính trực tiếp trên Hình 26 h điệ ực nền chung nh T Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Si. I C (mA) 7 6 5 4 3 2 1 2 4 6 8 10 12 14 0 I E =3 (mA) V CB Hình 24 Q 1 Q 1 Q 2 V CC = 14V V CC = 12V V CC = 10V Hình 25 I C (mA) 7 6 5 3 2 1 2 4 6 8 10 12 14 4