Trong thực tế, để tăng công suất của mạch, người ta thường dùng các cặp Darlington hay cặp Darlington_cặp hồi tiếp như được mô tả ở hình 9.18 và hình 9.19.. 9.4.3 Khảo sát vài dạng mạch
Trang 1Trong thực tế, để tăng công suất của mạch, người ta thường dùng các cặp Darlington hay cặp Darlington_cặp hồi tiếp như được mô tả ở hình 9.18 và hình 9.19
9.4.3 Khảo sát vài dạng mạch thực tế:
Trong phần này, ta xem qua hai dạng mạch rất thông dụng trong thực tế: mạch dùng transistor và dùng op-amp làm tầng khuếch đại điện thế
Trang 29.4.3.1 Mạch công suất với tầng khuếch đại điện thế là transistor:
Mạch có dạng cơ bản như hình 9.20
Các đặc điểm chính:
- Q1 là transistor khuếch đại điện thế và cung cấp tín hiệu cho 2 transistor công suất
- D1 và D2 ngoài việc ổn định điện thế phân cực cho 2 transistor công suất (giữ cho điện thế phân cực giữa 2 chân B không vượt quá 1.4v) còn có nhiệm vụ làm đường liên lạc cấp tín hiệu cho Q2 (D1 và D2 được phân cực thuận)
- Hai điện trở 3.9( để ổn định hoạt động của 2 transistor công suất về phương diện nhiệt độ
- Tụ 47F tạo hồi tiếp dương cho Q2, mục đích nâng biên độ của tín hiệu ở tần số thấp (thường được gọi là tụ Boostrap)
- Việc phân cực Q1 quyết định chế độ làm việc của mạch công suất
9.4.3.2 Mạch công suất với tầng khuếch đại điện thế là op-amp
Một mạch công suất dạng AB với op-amp được mô tả như hình 9.21:
- Biến trở R2: dùng chỉnh điện thế offset ngõ ra (chỉnh sao cho ngõ ra bằng 0v khi không có tín hiệu vào)
- D1 và D2 phân cực thuận nên:
VB1= 0.7v VB2= - 0.7v
Trang 3- Ðiện thế VBE của 2 transistor công suất thường được thiết kế khoảng 0.6v, nghĩa là độ giảm thế qua điện trở 10 là 0.1v
- Một cách gần đúng dòng qua D1 và D2 là:
Như vậy ta thấy không có dòng điện phân cực chạy qua tải
- Dòng điện cung cấp tổng cộng:
In = I1 + I + IC = 1.7 + 9.46 + 10 = 21.2 mA (khi chưa có tín hiệu, dòng cung cấp qua op-amp 741 là 1.7mA -nhà sản xuất cung cấp)
- Công suất cung cấp khi chưa có tín hiệu:
Pin (standby) = 2VCC In (standby)
= (12v) (21.2) = 254 mw
- Ðộ khuếch đại điện thế của mạch:
Trang 4- Dòng điện qua tải:
- Ðiện thế đỉnh qua tải:
Vo(p) = 0.125 8 = 1v
- Khi Q1 dẫn (bán kỳ dương của tín hiệu), điện thế đỉnh tại chân B của Q1 là:
VB1(p) = VE1(p) + 0.7v = 2.25 + 0.7 = 2.95v
- Ðiện thế tại ngõ ra của op-amp:
V1 = VB1 - VD1 = 2.95 - 0.7 = 2.25v
- Tương tự khi Q2 dẫn:
VB2(p) = VE2(p) - 0.7v = -2.25 - 0.7 = -2.95v
- Ðiện thế tại ngõ ra op-amp:
V1 = VB2(p) + VD2 = -2.95 + 0.7 = -2.25v
- Khi Q1 ngưng (Q2 dẫn)
VB1 = V1 + VD1 = -2.25 + 0.7 = -1.55v
- Tương tự khi Q1 dẫn (Q2 ngưng)
VB2 = V1 - VD2 = 2.25 - 0.7 = 1.55v
- Dòng bảo hòa qua mỗi transistor:
Trang 5- Ðiện thế Vo tối đa:
Vo(p) max = 333.3 * 8 =2.67v
9.4.3.3 Mạch công suất dùng MOSFET:
Phần này giới thiệu một mạch dùng MOSFET công suất với tầng đầu là một mạch khuếch đại vi sai Cách tính phân cực, về nguyên tắc cũng giống như phần trên Ta chú ý một số điểm đặc biệt:
- Q1 và Q2 là mạch khuếch đại vi sai R2 để tạo điện thế phân cực cho cực nền của Q1 R1, C1 dùng để giới hạn tần số cao cho mạch (chống nhiễu ở tần số cao)
- Biến trở R5 tạo cân bằng cho mạch khuếch đại visai
- R13, R14, C3 là mạch hồi tiếp âm, quyết định độ lợi điện thế của toàn mạch
- R15, C2 mạch lọc hạ thông có tác dụng giảm sóng dư trên nguồn cấp điện của tầng khuếch đại vi sai
- Q4 dùng như một tầng đảo pha ráp theo mạch khuếch đại hạng A
- Q3 hoạt động như một mạch ổn áp để ổn định điện thế phân cực ở giữa hai cực cổng của cặp công suẩt
- D1 dùng để giới hạn biên độ vào cực cổng Q5 R16 và D1 tác dụng như một mạch bảo vệ
- R17 và C8 tạo thành tải giả xoay chiều khi chưa mắc tải