5.Hệ số ổn định nhiệt S Khi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau: I CBO tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10 o C.[ 8 o C ( Si); 12 o C(Ge)]. tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50 o C ( Si) ; 80 o C ( Ge). V BE giảm theo – 2,2mV / o C [ -2,5mV / o C (Si); - 1,6mV / o C ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm số: I C = f ( I CBO , , V CE ) • Sự thay đổi dòng thu cho bởi: • Các hệ số ổn định nhiệt: , , C C C E CBO BE CBO C BE CBO I I I dI V dI d d I VB I V C CBO C C BE I V I S I I S I S V Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và R E . • Ta có: V BB = R B I B + V BE + R E I E = R B I B + V BE + R E (I B+ I C ) = = V BE + R B I B +R E I C +R E I B = V BE + (R B +R E )I B +R E I C (1) I C = + (2). Thay (2) vào (1): Hay: B I 1 CBO I 1 C B E CBO E C BB BE I V V R R I R I 1 B E C B E CBO E C BB BE V V R R I R R I R I • Sắp xếp lại: Hay: Tính được: Do : nên: S I càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), S I = 11 là trị số tối ưu. 1 1 1 B E B B B E C C B O B E B E V V R R I I R R R R 1 1 C B E I CBO B E R R I S I R R 1 E B R R ? 1 B E B I E E R R R S R R 1 1 B C B E CBO BB BE E R V V R I R R I • Tương tự: • Vì trong công thức vẫn còn chứa cả ICBO, VCE, nên ta có thể tính theo cách sau: Suy ra: 1 1 V B E E S R R R 2 1 B E B C B O B B B E C B E V V R R R I I S R R 1 1 B E C B E CBO BB BE R R V V I R R I 2 1 C 2 C 1 2 1 2 C 2 2 C 1 1 1 1 1 1 1 B E B E B E B E R R R R I I R R I I R R . E C B E CBO E C BB BE V V R R I R R I R I • Sắp xếp lại: Hay: Tính được: Do : nên: S I càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), S I = 11 là trị số tối ưu. 1 1. C CBO C C BE I V I S I I S I S V Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và R E . • Ta c : V BB = R B I B + V BE + R E I E = R B I B + V BE + R E (I B+ I C ) = =. (Si); - 1,6mV / o C ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm s : I C = f ( I CBO , , V CE ) • Sự thay đổi dòng thu cho bởi: • Các hệ số ổn định nhiệt: , , C C C E CBO BE CBO C BE CBO I I I dI V dI