BÀI TẬP ÔN THI HSGQG NĂM 2010 doc

BÀI TẬP ÔN THI HSGQG NĂM 2010 Câu 1 (4 điểm). Một vành đai mỏng cứng đồng chất khối lượng M, bán kính R, được đặt trên mặt bàn nằm ngang. Trên một đường kính của đai có gắn một ống nhẹ, nhẵn, bên trong chứa một quả cầu khối lượng m gắn với hai lò xo nhẹ giống nhau có độ cứng k, đầu còn lại của lò xo gắn với đai (hình 1). Giữ đai tại chỗ, cho quả cầu dịch chuyển từ tâm sang bên trái một khoảng cách b và sau đó hệ thống được giải phóng, không vận tốc ban đầu. Sau khi thả đai không bị trượt. Tính gia tốc của tâm đai tại thời điểm ngay sau khi đai được giải phóng. Câu 2 (4 điểm). Xét n mol khí lí tưởng đơn nguyên tử ở trong một xi lanh thẳng đứng. Phía trên của xi lanh được đậy kín bởi một pittông nặng khối lượng M, tiết diện S. Ban đầu pittông được giữ sao cho thể tích của khí là V 0, nhiệt độ là T 0 . Thả cho pittông chuyển động, sau một vài dao động pittông dừng lại. Không xét đến ma sát và nhiệt dung của pittông cũng như xi lanh. Coi hệ hoàn toàn cách nhiệt. Áp suất khí quyển là P 0 . 1, Tìm áp suất, thể tích và nhiệt độ cuối cùng của khí? 2, Để pittông có thể tự dịch chuyển thật chậm về vị trí ban đầu thì phải truyền cho hay lấy đi của khối khí một nhiệt lượng bằng bao nhiêu? Câu 3 (4 điểm). Cho mạch điện như hình vẽ 2: Biết: E = 3 V; r = 0; C = 7  F; R 1 = 1  ; R 2 = 2  ; R 3 = 3  . Lúc đầu tụ C chưa tích điện và khoá K mở. Sau đó, ở thời điểm t = 0, đóng khoá K. Bỏ qua điện trở dây nối và khoá K. 1. Xác định cường độ dòng điện qua mỗi điện trở ngay sau khi đóng khoá K. 2. Xác định cường độ dòng điện qua mỗi điện trở sau khoảng thời gian  t đủ lớn. 3. Sau khoảng thời gian  t nói trên, người ta lại mở khoá K (chọn gốc thời gian lúc mở khoá K). Tìm biểu thức cường độ dòng điện qua R 3 theo thời gan t. Tính thời gian để cường độ dòng điện có trị số giảm xuống bằng 2 1 trị số lúc bắt đầu mở khoá K. Câu 4 (4 điểm). Hai tấm phẳng dài, rộng, giống nhau, song song đối diện, tích điện đều với mật độ điện mặt tấm trên là  và tấm dưới là   (hình 3). b Hình 1 M• h    H ình 3 R 1 R 2 E R 3 C K H ình 2 Tính cường độ điện trường tại M ở độ cao h so với tấm trên, nằm trong mặt phẳng chứa hai mép và mặt phẳng đối xứng. Khoảng cách giữa các tấm   h d bề rộng của các tấm. Câu 5 (4điểm). Một thấu kính mỏng, có hai mặt lồi bán kính R 1 và R 2 , hai đỉnh O 1 và O 2 cách nhau d = 3 mm (coi rất nhỏ so với R 1 , R 2 ), đường kính rìa của thấu kính D = 4 cm. Đặt trục chính thẳng đứng, một nửa ngập trong nước (mặt phẳng chung của hai đới cầu trùng với mặt nước). Khi mặt trời ở đỉnh đầu thì ảnh của mặt trời cách mặt nước một khoảng h 1 = 17,5 cm. Đảo lại cho mặt kia nằm trong nước thì ảnh của mặt trời cách mặt nước một khoảng h 2 = 13,5 cm. Biết chiết suất của nước là 4/3. 1. Tìm chiết suất n của chất làm thấu kính (đối với không khí). 2. Xác định bán kính của hai mặt cầu R 1 và R 2 . HÕt  Thí sinh không được sử dụng tài liệu.  Giám thị không giải thích gì thêm. . BÀI TẬP ÔN THI HSGQG NĂM 2010 Câu 1 (4 điểm). Một vành đai mỏng cứng đồng chất khối lượng M, bán kính R, được. pittông nặng khối lượng M, tiết diện S. Ban đầu pittông được giữ sao cho thể tích của khí là V 0, nhiệt độ là T 0 . Thả cho pittông chuyển động, sau một vài dao động pittông dừng lại. Không. của chất làm thấu kính (đối với không khí). 2. Xác định bán kính của hai mặt cầu R 1 và R 2 . HÕt  Thí sinh không được sử dụng tài liệu.  Giám thị không giải thích gì thêm.