17 17 Đặc trưng I-V: () ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ −−= 2 2 1 DDTG in D VVVV L ZC I µ Z: chiều sâu của kênh, L: chiều dài kênh, C i : điện dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích, n µ độ linh động bề mặt của điện tử. 18 Đ1.6 Vờ duỷ thióỳt kóỳ BJT Phỏửn naỡy seợ xem xeùt mọỹt thióỳt kóỳ cho vióỷc chóỳ taỷo mọỹt BJT vồùi mọỹt lồùp ngỏửm nhổ õaợ noùi tồùi ồớ phỏửn trổồùc. Tuỏửn tổỷ thióỳt kóỳ vaỡ chóỳ taỷo chổa õổồỹc õóử cỏỷp ồớ õỏy. Hỗnh (1.6.1) laỡ sồ õọử cuớa mọỹt n+pn+ BJT. Caùc thọng sọỳ quan troỹng laỡ hóỷ sọỳ khuóỳch õaỷi doỡng base-collector, , tỏửn sọỳ cutoff, laỡ tỏửn sọỳ ổùng vồùi sổỷ suy giaớm cuớa hóỷ sọỳ khuóỳch õaỷi ac vóử õồn vở, tỏửn sọỳ cừt alpha, f , lión quan vồùi thồỡi gian dởch chuyóứn cuớa haỷt taới thổù yóỳu qua mióửn base B , tổồng ổùng vồùi sổỷ suy giaớm 3 dB cuớa õọỹ lồỹi so vồùi giaù trở cuớa noù ồớ tỏửn sọỳ thỏỳp: f = 1/(2 B ) vaỡ: n b B D W 2 = 19 trong õoù laỡ hóỷ sọỳ phuỷ thuọỹc vaỡo mổùc pha taỷp (=2 cho base pha taỷp õọửng nhỏỳt), vaỡ vaỡo õióỷn trổồỡng aùp õỷt. Ngoaỡi ra coỡn coù hai tióu chuỏứn cho sổỷ hoaỷt õọỹng bỗnh thổồỡng cuớa transistor. Mọỹt laỡ thóỳ õaùnh thuớng. Dổồùi õióửu kióỷn phỏn cổỷc ngổồỹc, coù hai nguyón nhỏn gỏy ra hióỷn tổồỹng õaùnh thuớng. Mọỹt laỡ tunnel do õióỷn trổồỡng caớm ổùng (thổồỡng giổợa hai mióửn pha taỷp maỷnh, hióỷu ổùng Zener). Hai laỡ õaùnh thuớng thaùc luợ, do caùc cỷp õióỷn tổớ-lọự trọỳng õổồỹc taỷo ra do caùc haỷt taới õổồỹc gia tọỳc bồới õióỷn trổồỡng. Thóỳ õaùnh thuớng (BV) thổồỡng lión quan vồùi hóỷ sọỳ nhỏn collector nhổ sau: [] n CBCB BVV M o )/(1 1 = Trong õoù n laỡ hũng sọỳ vaỡ (BV) Cbo laỡ thóỳ õaùnh thuớng hồớ maỷch. ọỹ lồỹi doỡng õổồỹc bióứu dióựn bồới: T E En En Cn Cn C E C M I I I I I I I I === 20 Trong õoù T laỡ hóỷ sọỳ vỏỷn chuyóứn base, 22 2/1 1 sec nb n b T LW L W h + EB GG /1 1 + Trong õoù L n laỡ quaợng õổồỡng khuóỳch taùn cuớa õióỷn tổớ, sọỳ Gummel G B õổồỹc xaùc õởnh bồới: (1.6.1) nB Bo base B nB B D qQ dxxN D G / )( 1 == vaỡ G E õổồỹc xaùc õởnh tổồng tổỷ cho emitter, Q Bo laỡ õióỷn tờch tióỳp xuùc cuớa base. Dỏỳu xỏỳp xố ổùng vồùi õióửu kióỷn W b >> L n . [] n CBoCBbEB BVVLWGG )/(2// 1 2 + Nóỳu giaớ thióỳt coù mọỹt phỏn bọỳ Gauss cuớa nọửng õọỹ taỷp chỏỳt (kóỳt quaớ cuớa uớ nhióỷt), vồùi nọửng õọỹ taỷi bóử mỷt laỡ N Bo thỗ: CBoB N Dt x xNN = ) 4 p(e 2 21 Vồùi N C laỡ nọửng õọỹ taỷp ồớ collector (bón phờa base cuớa chuyóứn tióỳp collector-base), khi õoù: dxNdyedyeN Dt q Q CB EB x x C t y t y Bo Bo = 1 2 2 2 0 2/ 0 2/ 2/1 2 Vồùi () 2/1 1 2 Dt x t EB = () 2/1 2 2 Dt x t CB = Trong õoù x EB vaỡ x CB laỡ khoaớng caùch tổỡ bóử mỷt tồùi meùp cuớa caùc mióửn emitter-base vaỡ collector-base tổồng ổùng. Khi õoù: 22 (1.6.2) += q WQxN q xQ q BV bBoCBo S CBo 22 )( 2 11 Vồùi x 1 = x epi - x BC Caùc phổồng trỗnh (1.6.1 v 1.6.2) duỡng õóứ xaùc õởnh cọng nghóỷ chóỳ taỷo. Vỏỳn õóử coù thóứ õổồỹc phaùt bióứu dổồùi daỷng: cho caùc giaù trở mong muọỳn cuớa , f T , (BV) CBo , vaỡ R SB (trồớ khaùng sheet cuớa base), cỏửn xaùc õởnh kờch thổồùc vaỡ caùch thổùc pha taỷp cho vióỷc chóỳ taỷo BJT nhổ hỗnh (1.6.1). Baỡi toaùn vaỡ lồỡi giaới õổồỹc toùm từt trong baớng sau. 23 24 Læu âäö thuáût toaïn cho baìi toaïn . kênh, C i : điện dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích, n µ độ linh động bề mặt của điện tử. 18 Đ1.6 Vờ duỷ thióỳt kóỳ BJT Phỏửn naỡy seợ xem xeùt mọỹt thióỳt kóỳ cho vi ỷc chóỳ taỷo. kờch thổồùc vaỡ caùch thổùc pha taỷp cho vi ỷc chóỳ taỷo BJT nhổ hỗnh (1.6.1). Baỡi toaùn vaỡ lồỡi giaới õổồỹc toùm từt trong baớng sau. 23 24 Læu âäö thuáût toaïn cho baìi toaïn. thồỡi gian dởch chuyóứn cuớa haỷt taới thổù yóỳu qua mióửn base B , tổồng ổùng vồùi sổỷ suy giaớm 3 dB cuớa õọỹ lồỹi so vồùi giaù trở cuớa noù ồớ tỏửn sọỳ thỏỳp: f = 1/(2 B ) vaỡ: n b B D W 2 =