Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 14 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
14
Dung lượng
565,55 KB
Nội dung
Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 1 By Khát V ng S ngọ ố Email: ductrong90ictu@gmail.com Website:WWW.BeautifuLife.Cwahi.net A. Câu h i ph n BJT.ỏ ầ 3.1. Gi i thi u v BJT.ớ ệ ề 1. Ba đi n c c c a BJT là gì ?ệ ự ủ a. phát [emitter], g c [ố base], góp [collector]. b. T1, T2, T3 c. ngu n [source], c ng [gate], máng [drain].ồ ổ d. emitter, gate, collector. 2. Mũi tên trong ký hi u m ch c a BJT luôn luôn ch vào lo i v t li u nào ?ệ ạ ủ ỉ ạ ậ ệ a. d ng P; ạ b. d ng N; ạ c. d ng base; ạ d. d ng PN.ạ 3. Các BJT đ c phân lo i thành . . . .ượ ạ a. các d ng c PPN và PIN.ụ ụ b. NPN và PNP. c. các d ng c NNP và PPNụ ụ . d. d ng N và d ng P.ạ ạ 4. Ký hi u m ch c a transistor PNP là . .ệ ạ ủ b . . 3.2. C u t o c a BJT.ấ ạ ủ 5. Có bao nhiêu ti p giáp PN trong BJT?ế a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4. 6. Lo i v t li u nào là vùng base c a transistor PNP?ạ ậ ệ ủ a. d ng P.ạ b. d ng Nạ c. d ng base. ạ d. d ng PN.ạ 7. So v i vùng collector và emitter, vùng base c a BJT là . . . .ớ ủ a. r t dày.ấ b. r t mõng.ấ c. r t m m.ấ ề d. r t c ng.ấ ứ 8. Trong m t BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi đ c so v i hai dòng collector vàộ ượ ớ emitter a. nh .ỏ b. l n. ớ c. nhanh. d. ch m.ậ 9. M t BJT có c u t o đ vùng base c a nó r t mõng và . . . . ộ ấ ạ ể ủ ấ a. đ c pha t p đ m.ượ ạ ậ b. đ c pha t p nh vùng collector.ượ ạ ư c. đ c pha t p loãng.ượ ạ d. đ c pha t p nh vùng emitter.ượ ạ ư 10. Dòng collector c a BJT luôn luôn . . . .ủ a. nh h n nhi u so v i dòng emitter c a BJT.ỏ ơ ề ớ ủ b. nh h n so v i dòng base.ỏ ơ ớ c. b ng dòng emitter.ằ d. b ng dòng emitter tr dòng base.ằ ừ 11. Trong ho t đ ng thông th ng c a transistor NPN, ph n l n đi n t di chuy n vào c cạ ộ ườ ủ ầ ớ ệ ử ể ự emitter . Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 2 . . . . a. ra kh i transistor thông qua c c collector.ỏ ự b. ra kh i transistor thông qua c c base.ỏ ự c. s đ c h p th b i transistor.ẽ ượ ấ ụ ở d. không ph i các tr ng h p trên.ả ườ ợ 12. Ph ng trình nào bi u di n quan h đúng gi a các dòng base, emitter, và collector ?ươ ể ễ ệ ữ a. IE = IB + + . b. IC = IB + IE. c. IE = IB + IC. d. IB = IE + IC. 13. T s c a dòng collector và dòng base đ c g i là . . . . . . . .ỷ ố ủ ượ ọ a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 3 3.3. Chuy n m ch b ng BJT.ể ạ ằ 14. Khi m t chuy n m ch b ng BJT đang d n bão hoà, thì Vộ ể ạ ằ ẫ CE x p xĩ b ng . . . . . . . .ấ ằ a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 15. Khi m t chuy n m ch b ng BJT đang d n, thì dòng collector s đ c gi i h n b i . . . . . .ộ ể ạ ằ ẫ ẽ ượ ớ ạ ở a. dòng base; b. đi n tr t i; ệ ở ả c. đi n áp base; ệ d. đi n tr base.ệ ở 16. Khi m t chuy n m ch b ng BJT ng ng d n, thì Vộ ể ạ ằ ư ẫ CE x p xĩ b ng . . . . . .ấ ằ a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 3.4. Trang s li u và các thông s c a BJT.ố ệ ố ủ 17. Ba thông s quan tr ng c a BJT là beta, công su t tiêu tán l n nh t, và . . . . . . . .ố ọ ủ ấ ớ ấ a. rho nh nh t; ỏ ấ b. pi nh nh t;ỏ ấ c. dòng collector nh nh t;ỏ ấ d. dòng gi nh nh t.ử ỏ ấ 18. Thông s hố fe s b ng v i . . . . . . . . c a transistor.ẽ ằ ớ ủ a. alpha; b. beta; c. dòng collector l n nh t;ớ ấ d. dòng gi nh nh t.ử ỏ ấ 3.5. M ch khuy ch đ i b ng transistor.ạ ế ạ ằ 19. Khi m ch khuy ch đ i b ng BJT đ c phân c c đúng đ ho t đ ng ch đ A, thì . . . . . .ạ ế ạ ằ ượ ự ể ạ ộ ở ế ộ . a. ti p giáp base - emitter đ c phân c c thu n và ti p giáp base - collector đ c phân c cế ượ ự ậ ế ượ ự ng c;ượ b. ti p giáp base - emitter đ c phân c c ng c và ti p giáp base - collector đ c phânế ượ ự ượ ế ượ c cng c;ự ượ c. ti p giáp base - emitter đ c phân c c thu n và ti p giáp base - collector đ c phân c cế ượ ự ậ ế ượ ự thu n;ậ d. ti p giáp base - emitter đ c phân c c ng c và ti p giáp base - collector đ c phân c cế ượ ự ượ ế ượ ự thu n.ậ 20. Đ m ch khuy ch đ i ho t đ ng ch đ A, thì ti p giáp base - collector c a BJT c nể ạ ế ạ ạ ộ ở ế ộ ế ủ ầ ph i . . ả a. h m ch;ở ạ b. kín m ch;ạ c. đ c phân c c thu n; ượ ự ậ d. đ c phân c cượ ự ng c.ượ 21. H s khuy ch đ i đi n áp c a m ch khuy ch đ i b ng BJT b ng . . . . . .ệ ố ế ạ ệ ủ ạ ế ạ ằ ằ a. VB/VE; b. Vin / Vout; c. Vout / Vin; d. VCC / VC. 22. Đi n áp phân c c t i collectoệ ự ạ r (VC) c a m ch khuy ch đ i ho t đ ng ch đ A x p xĩủ ạ ế ạ ạ ộ ở ế ộ ấ b ng . ằ a. VCC; b. m t n a ộ ử VCC; c. 0V; d. 0,2V. 3.6. Phân tích tín hi u m ch khuy ch đ i phân c c base.ệ ở ạ ế ạ ự 23. Tr kháng vào c a m ch khuy ch đ i phân c c base s b ng . . . . . . . .ở ủ ạ ế ạ ự ẽ ằ a. 1kΩ; b. t l ngh ch v i beta;ỷ ệ ị ớ c. t l thu n v i beta; ỷ ệ ậ ớ d. không ph i các tr ng h pả ườ ợ trên. 24. Tr kháng ra c a m ch khuy ch đ i phân c c base s b ngở ủ ạ ế ạ ự ẽ ằ . . . . . . . . a. Rc; b. t l ngh ch v i beta; ỷ ệ ị ớ c. t l thu n v i beta; ỷ ệ ậ ớ d. 1kΩ. 25. Đ l ch pha gi a hai tín hi u vào và ra c a m ch khuy ch đ i phân c c base b ng . . . . . .ộ ệ ữ ệ ủ ạ ế ạ ự ằ . . a. 0o; b. 90o; c. 180o; d. 270o. 26. Công th c chung đ tính h s khuy ch đ i đi n áp c a m ch khuy ch đ i phân c c baseứ ể ệ ố ế ạ ệ ủ ạ ế ạ ự là . . . . . . a. Av = VCC / Vc; b. Av = VB / VE; c. Av = rc / re; d. Av = RL x x . Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 4 3.7. Phép đo tr kháng vào và ra.ở 27. Tr kháng vào c a m t m ch khuy ch đ i b ng transistor có th đo đ c b ng cách sở ủ ộ ạ ế ạ ằ ể ượ ằ ử d ng . ụ a. đ ng h đo đi n tr [ohmmeter]; ồ ồ ệ ở b. đ ng h đo tr kháng;ồ ồ ở c. máy v đ c tuy n; ẽ ặ ế d. đi n th k m c n i ti p v i máy t o sóng.ệ ế ế ắ ố ế ớ ạ 28. Tr kháng ra c a m t m ch khuy ch đ i b ng transistor có th đo đ c b ng cách sở ủ ộ ạ ế ạ ằ ể ượ ằ ử d ng . . ụ a. đ ng h đo đi n tr [ohmmeter]; ồ ồ ệ ở b. đ ng h đo tr kháng;ồ ồ ở c. máy v đ c tuy n;ẽ ặ ế d. đi n th k đ t vào v trí c a đi n tr t i.ệ ế ế ặ ị ủ ệ ở ả 3.8. H đ c tuy n ra c a BJT.ọ ặ ế ủ 29. H đ c tuy n ra c a BJT là đ th c a . . . . . .ọ ặ ế ủ ồ ị ủ a. dòng base theo đi n áp collector - emitter;ệ b. dòng collector theo đi n áp base -emitter;ệ c. dòng collector theo đi n áp collector - emitter; ệ d. dòng emitter theo đi n áp base - emitter.ệ 3.9. Sai hõng trong m ch BJT.ạ 30. Khi ki m tra m t BJT t t b ng đ ng h đo đi n tr , thì BJT s bi u hi n . . . . . .ể ộ ố ằ ồ ồ ệ ở ẽ ể ệ a. s bi u hi n t s đi n tr thu n - ngh ch cao trên c hai ti p giáp;ẽ ể ệ ỷ ố ệ ở ậ ị ả ế b. s bi u hi n t s đi n tr thu n - ngh ch cao trên ti p giáp collector - base;ẽ ể ệ ỷ ố ệ ở ậ ị ế c. s bi u hi n t s đi n tr thu n - ngh ch cao trên ti p giáp emitter - base;ẽ ể ệ ỷ ố ệ ở ậ ị ế d. không ph i các ý trên.ả 31. Khi đ u que d ng c a m t đ ng h đo đi n tr [ohmmeter] đ c n i đ n base, còn đ uầ ươ ủ ộ ồ ồ ệ ở ượ ố ế ầ que âm đ c n i đ n collector c a m t transistor NPN, thì giá tr đi n tr đo đ c là bao nhiêu ?ượ ố ế ủ ộ ị ệ ở ượ a. 0Ω; b. đi n tr th p; ệ ở ấ c. 5kΩ; d. đi n tr cao.ệ ở 32. Khi đ u que âm c a m t ohmmeter đ c n i đ n c c base và đ u que d ng đ c n iầ ủ ộ ượ ố ế ự ầ ươ ượ ố đ n c cế ự emitter c a m t transistor NPN, thì giá tr đi n tr đo đ c là bao nhiêu ?ủ ộ ị ệ ở ượ a. 0Ω; b. đi n tr th p; ệ ở ấ c. 5kΩ; d. đi n tr cao.ệ ở 33. Đi n tr đo đ c gi a hai c c collector và emitter c a m t transistor t t là bao nhiêu ?ệ ở ượ ữ ự ủ ộ ố a. 0Ω; b. đi n tr th p; ệ ở ấ c. 5kΩ; d. đi n tr cao.ệ ở 34. Giá tr đi n áp trên collector c a transistor hình 3.40a, là bao nhiêu ?ị ệ ủ ở a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. ((5-0.7): 3 10 )*50 35. Đi n áp trên collector c a transistor m ch hình 3.40b là bao nhiêu ?ệ ủ ở ạ a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 5 36. M c đi n áp DC trên collector c a transistor m ch hình (3.41), là bao nhiêu ?ứ ệ ủ ở ạ a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 37. Đi n áp DC trên c c base c a transistor m ch hình 3.41, là bao nhiêu ?ệ ự ủ ở ạ a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 38. Đi n áp tín hi u trên collector c a transistor m ch hình 3.41, là bao nhiêu ?ệ ệ ủ ở ạ a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. 39. N u t đ u ra (Cế ụ ầ 2) hình 3.41, h m ch, thì m c đi n áp tín hi u trên collector c aở ở ạ ứ ệ ệ ủ transistor là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. C. Câu h i ph n m ch BJT.ỏ ầ ạ 4.1. Gi i thi u.ớ ệ 1. T i sao c n ph i n đ nh m ch khu ch đ i b ng BJT đ ch ng l i s thay đ i beta ?ạ ầ ả ổ ị ạ ế ạ ằ ể ố ạ ự ổ ở a. do beta thay đ i theo nhi t đ , ổ ệ ộ b. do beta thay đ i theo s thay đ i các t ghép t ng;ổ ự ổ ở ụ ầ c. do beta khác nhau trong các BJT cùng lo i; ạ d. c a và c.ả 2. Giá tr beta đi n hình c a m t transistor có th xem xét là . . . . . . . . .ị ể ủ ộ ể a. + 50% và - 50%; b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; d ng 100 đ n tr 50ươ ế ừ d. + 100% và -100%. 3. N u beta thay đ i, thì s thi u n đ nh đi m phân c c trong m ch khuy ch đ i nh th nàoế ổ ự ế ổ ị ể ự ạ ế ạ ư ế ? a. đi n áp collector s thay đ i; ệ ẽ ổ b. dòng collector s thay đ i;ẽ ổ c. dòng emitter s thay đ i; ẽ ổ d. t t c các ý trên.ấ ả 4.2. Phân c c phân áp.ự 4. Trong m ch phân c c phân áp, t i sao đi n áp t i đi m n i c a Rạ ự ạ ệ ạ ể ố ủ b1 và Rb2 đ c xem là đ cượ ộ l pậ v i dòng base c a transistor ?ớ ủ a. dòng base không ch y qua ả Rb1 ho c ặ Rb2; b. dòng base nh so v i dòng ch y qua ỏ ớ ả Rb1 và Rb2; c. ch có dòng emitter nh h ng đ n dòng ch y qua ỉ ả ưở ế ả Rb1 và Rb2; d. t n i t ng (t ghép t ng) ch n dòng base ch y qua m ch phân áp.ụ ố ầ ụ ầ ặ ả ạ 5. Trong các m ch khuy ch đ i phân c c phân áp, s chênh l ch đi n áp gi a emitter và baseạ ế ạ ự ự ệ ệ ữ luôn luôn b ng . . . . .ằ a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; vce =vbb-0.7 d. 2V. 6. Trong các m ch khuy ch đ i phân c c phân áp, khi đã tính đ c đi n áp emitter DC, thìạ ế ạ ự ượ ệ dòng collector t i đi m tĩnh có th tính g n đúng b ng cách chia đi n áp emitter cho . . . . .ạ ể ể ầ ằ ệ a. đi n tr nhánh base; ệ ở ở b. đi n tr nhánh emitter; ệ ở ở c. đi n tr nhánh collector; ệ ở ở d. đi n tr c a t i.ệ ỏ ủ ả 7. Trong các m ch khuy ch đ i phân c c phân áp, đi n áp collector đ c tính b ng cách . . . . .ạ ế ạ ự ệ ượ ằ . . a. nhân dòng collector v i đi n tr collector;ớ ệ ở b. nhân dòng collector v i đi n tr t i;ớ ệ ở ả c. c ng đi n áp base v i đi n áp emitter; ộ ệ ớ ệ d. tr s t áp trên đi n tr collector kh i đi n áp ngu n.ừ ụ ệ ở ỏ ệ ồ 4.3. Các tham s tín hi u c a m ch phân c c phân áp.ố ệ ủ ạ ự 8. M ch phân c c phân áp đ c l p v i beta, nh ng ph i tr giá cho s không ph thu c v iạ ự ộ ậ ớ ư ả ả ự ụ ộ ớ beta là gì ? a. làm gi m đ n đ nh; ả ộ ổ ị b. tr kháng ra th p;ở ấ c. suy gi m h s khuy ch đ i đi n áp; betaả ệ ố ế ạ ệ d. c b và c.ả Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 10 Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 11 9. Khi tính tr kháng vào, hai đi n tr base (Rở ệ ở b1 và Rb2) xu t hi n d i d ng . . . . . v i các linhấ ệ ướ ạ ớ ki n khác.ệ a. n i ti p; ố ế b. n i ti p / song song; ố ế c. song song; d. n i ti p ng c, chi u nhau.ố ế ượ ề 10. Đi n tr đ ng c a ti p giáp base - emitter là đ c m c . . . . . .ệ ở ộ ủ ế ượ ắ a. n i ti p v i đi n tr tín hi u nhánh base; ố ế ớ ệ ở ệ ở b. song song v i đi n tr tín hi u nhánh base;ớ ệ ở ệ ở c. song song v i đi n tr tín hi u nhánh emitter; ớ ệ ở ệ ở d. n i ti p v i đi n tr tín hi u nhánh emitter.ố ế ớ ệ ở ệ ở 11. Tr kháng ra c a m ch khuy ch đ i emitter chung s b ng . . . . . .ở ủ ạ ế ạ ẽ ằ a. đi n tr collector; ệ ở b. đi n tr t i;ệ ở ả c. đi n tr collector m c song song v i đi n tr t i; ệ ở ắ ớ ệ ở ả d. beta l n đi n tr collector.ầ ệ ở 4.4. Các thay đ i m ch khuy ch đ i phân c c phân áp.ổ ở ạ ế ạ ự 12. Ki u m ch khuy ch đ i phân c c phân áp nào có tr kháng vào cao nh t ?ể ạ ế ạ ự ở ấ a. đ c r m ch t toàn b ; ượ ẽ ạ ụ ộ b. phân tách đi n tr emitter; ệ ở c. không đ c r m ch t ; n i ti p tượ ẽ ạ ụ ố ế ụ d. t t c các ý trên.ấ ả 13. Ki u m ch khuy ch đ i phân c c phân áp nào có tr kháng ra cao nh t ?ể ạ ế ạ ự ở ấ a. đ c r m ch t toàn b ; ượ ẽ ạ ụ ộ b. phân tách đi n tr emitter; ệ ở c. không đ c r m ch t ; ượ ẽ ạ ụ d. t t c các ý trên.ấ ả 14. Ki u m ch khuy ch đ i phân c c phân áp nào có h s khuy ch đ i cao nh t ?ể ạ ế ạ ự ệ ố ế ạ ấ a. đ c r m ch t toàn b ; ượ ẽ ạ ụ ộ b. phân tách đi n tr emitter; ệ ở c. không đ c r m ch t ;ượ ẽ ạ ụ d. t t c các ý trên.ấ ả 15. Ki u m ch khuy ch đ i phân c c phân áp nào có méo d ng ít nh t ?ể ạ ế ạ ự ạ ấ a. đ c r m ch t toàn b ; ượ ẽ ạ ụ ộ b. phân tách đi n tr emitter; ệ ở c. không đ c r m ch t ; ượ ẽ ạ ụ d. t t c các ý trên.ấ ả 4.5. M ch khuy ch đ i phân c c emitter.ạ ế ạ ự 16. Đi n áp base t i đi m tĩnh c a m ch khuy ch đ i phân c c emitter th ng b ng . . . . . .ệ ạ ể ủ ạ ế ạ ự ườ ằ a. 0V; b. 0,7V; c. 2V; d. Vcc. 17. Nh c đi m c a m ch khuy ch đ i phân c c emitter khi so v i m ch khuy ch đ i phânượ ể ủ ạ ế ạ ự ớ ạ ế ạ c cự phân áp là m ch khuy ch đ i phân c c emitter yêu c u . . . . .ạ ế ạ ự ầ a. các transistor có beta cao h n; ơ b. hai ngu n cung c p; ồ ấ c. giá tr ị Vcc cao h n; ơ d. không ph i các ýả trên. 18. H s khuy ch đ i đi n áp c a m ch khuy ch đ i phân c c emitter là . . . . .ệ ố ế ạ ệ ủ ạ ế ạ ự a. ph thu c vào beta; ụ ộ b. đ c tính b ng công th c chung nh đ i v i m ch khuy ch đ i phân c c phân áp;ượ ằ ứ ư ố ớ ạ ế ạ ự c. b ng v i ằ ớ beta x re. d. luôn luôn cao h n so v i h s khuy ch đ i đi n áp c a m ch kh. đ i phân c c phân áp.ơ ớ ệ ố ế ạ ệ ủ ạ ạ ự 4.6. M ch khuy ch đ i phân c c h i ti p ki u đi n áp.ạ ế ạ ự ồ ế ể ệ 19. Các m ch khuy ch đ i phân c c h i ti p ki u đi n áp th c t thích h p cho làm vi c v i .ạ ế ạ ự ồ ế ể ệ ự ế ợ ệ ớ . . . a. các tín hi u t n s cao; ệ ầ ố b. các ngu n cung c p đi n áp th p;ồ ấ ệ ấ c. các m ch c n tr kháng vào r t cao; ạ ầ ở ấ d. các m ch c n tr kháng ra r t th p.ạ ầ ở ấ ấ Email: ductrong90ictu@gmail.com 20. Tr kháng vào c a m ch khuy ch đ i phân c c h i ti p ki u đi n áp b nh h ngở ủ ạ ế ạ ự ồ ế ể ệ ị ả ưở b i . . . .ở a. giá tr công su t trên đi n tr collector; ị ấ ệ ở b. h s khuy ch đ i đi n áp c a b khuy ch đ i;ệ ố ế ạ ệ ủ ộ ế ạ c. giá tr đi n tr c a đi n tr h i ti p; ị ệ ở ủ ệ ở ồ ế d. c b và c.ả 4.7. M ch khuy ch đ i nhi u t ng ghép RC.ạ ế ạ ề ầ 21. T i sao c n ph i bi t tr kháng vào c a m i t ng trong m t b khuy ch đ i nhi u t ng ?ạ ầ ả ế ở ủ ỗ ầ ộ ộ ế ạ ề ầ a. do tr kháng vào toàn m ch là tích c a tr kháng vào c a m i t ng;ở ạ ủ ở ủ ỗ ầ b. do h s khuy ch đ i đi n áp c a m t t ng b tác đ ng b i tr kháng vào c a t ng ti pệ ố ế ạ ệ ủ ộ ầ ị ộ ở ở ủ ầ ế theo ; c. do tr kháng vào c a m t t ng là đi n tr t i c a t ng tr c; ở ủ ộ ầ ệ ở ả ủ ầ ướ d. c b và c.ả 22. M t trong nh ng u đi m chính c a vi c s d ng các t ghép gi a các t ng là gì ?ộ ữ ư ể ủ ệ ử ụ ụ ữ ầ a. các t ghép cho phép m ch khuy ch đ i nhi u t ng truy n các tín hi u DC;ụ ạ ế ạ ề ầ ề ệ b. các t ghép t ng cho phép các m ch phân c c trong m i t ng đ c l p nhau;ụ ầ ạ ự ổ ầ ộ ậ c. các t ghép t ng r m ch đi n tr emitter nên làm tăng h s khuy ch đ i; ụ ầ ẽ ạ ệ ở ệ ố ế ạ d. c b và c.ả 23. H s khuy ch đ i đi n áp toàn b c a m ch khuy ch đ i nhi u t ng s b ngệ ố ế ạ ệ ộ ủ ạ ế ạ ề ầ ẽ ằ v i . . . . . . . .ớ a. t ng tr kháng vào c a m i t ng; ổ ở ủ ổ ầ b. tích h s khuy ch đ i đi n áp c a m i t ng;ệ ố ế ạ ệ ủ ổ ầ c. h s khuy ch đ i đi n áp c a t ng đ u tiên; ệ ố ế ạ ệ ủ ầ ầ d. h s khuy ch đ i đi n áp c a t ng cu i cùngệ ố ế ạ ệ ủ ầ ố 24. Tr kháng vào c a toàn b m ch khuy ch đ i nhi u t ng s b ng v i . . . . . . . .ở ủ ộ ạ ế ạ ề ầ ẽ ằ ớ a. t ng tr kháng vào c a m i t ng;ổ ở ủ ổ ầ b. tích tr kháng vào c a m i t ng;ở ủ ổ ầ c. tr kháng vào c a t ng đ u tiên;ở ủ ầ ầ d. tr kháng vào c a t ng cu i cùng. Cái này c a tr kháng raở ủ ầ ố ủ ở 25. Tr kháng ra c a toàn b m ch khuy ch đ i nhi u t ng s b ng v i . . . . . . . .ở ủ ộ ạ ế ạ ề ầ ẽ ằ ớ a. t ng tr kháng ra c a m i t ng;ổ ở ủ ổ ầ b. tích tr kháng ra c a m i t ng;ở ủ ổ ầ c. tr kháng ra c a t ng đ u tiên; ở ủ ầ ầ d. tr kháng ra c a t ng cu i cùng.ở ủ ầ ố 4.8. Các t đi n ghép t ng và r m ch.ụ ệ ầ ẽ ạ 26. Tr s đi n dung c a các t r m ch và ghép t ng là m t trong nh ng y u t chính khi xácị ố ệ ủ ụ ẽ ạ ầ ộ ữ ế ố đ nh . . . .ị a. t n s c t th p;ầ ố ắ ấ b. h s khuy ch đ i đi n áp;ệ ố ế ạ ệ c. h s khuy ch đ i dòng đi n; ệ ố ế ạ ệ d. t n s c t caoấ ố ắ . 27. N u tr kháng vào c a t ng th hai là ế ở ủ ầ ứ 1kΩ, thì t ghép n i gi a t ng th nh t và t ng thụ ố ữ ầ ứ ấ ầ ứ hai s có Xẽ c vào kho ng . . . . . đ i v i t n s th p nh t s đ c khuy ch đ i.ả ố ớ ầ ố ấ ấ ẽ ượ ế ạ a. 1Ω; b. 10Ω; c. 100Ω; d. 1kΩ; e. 10kΩ. 4.9. Các b khuy ch đ i ghép tr c ti p.ộ ế ạ ự ế 28. Các m ch khuy ch đ i ghép tr c ti p có u đi m h n các m ch khuy ch đ i ghép RC là ạ ế ạ ự ế ư ể ơ ạ ế ạ ở chổ chúng có th khuy ch đ i . . . . . .ể ế ạ a. các m c tín hi u l n h n; ứ ệ ớ ơ b. các tín hi u t n s cao;ệ ầ ố c. các m c tín hi u nh h n; ứ ệ ỏ ơ d. các tín hi u t n s th p.ệ ầ ố ấ 29. Trong th c t các b khuy ch đ i ghép tr c ti p có th d b nh h ng v i v n đ . . . . .ự ế ộ ế ạ ự ế ể ễ ị ả ưở ớ ấ ề . a. v h s khuy ch đ i; ề ệ ố ế ạ b. v đ b o hoà; ề ộ ả c. v đ trôi DC; ề ộ d. v tr kháng.ề ở 4.10. Sai h ng c a các m ch b ng transistor.ỏ ủ ạ ằ 30. Đi n áp đo đ c trên collector c a Qệ ượ ủ 1 trong m ch hình 4.24JC, vào kho ng ạ ả 20VDC, a. m ch đúng ch c năng; ạ ứ b. t ụ C2 b ng n m ch;ị ắ ạ c. t ụ C2 b h m ch;ị ở ạ d. đi n tr ệ ở R1 b h m ch.ị ở ạ 31. Đi n áp đo đ c trên collector c a Qệ ượ ủ 2 m ch hình 4.24JC, là ở ạ 13,8VDC, a. m ch đang làm vi c đúng ch c năng; ạ ệ ứ b. transistor Q2 b h m ch gi a collector và emitter;ị ở ạ ữ c. t ụ C5 b ng n m ch;ị ắ ạ d. đi n tr ệ ở R8 b ng n m ch.ị ắ ạ 32. Đi n áp DC t i đi m n i c a hai đi n tr Rệ ạ ể ố ủ ệ ở 4 và R5 m ch hình 4.24JC, b ng ở ạ ằ 0V. a. m ch đang làm vi c đúng ch c năng; ạ ệ ứ b. transistor Q1 b ng n m ch gi a collector và emitter;ị ắ ạ ữ c. t ụ C4 h m ch; ở ạ d. đi n tr ệ ở R2 b ng n m ch.ị ắ ạ c. t ụ C3 b ng n m ch; ị ắ ạ d. t ụ C5 b h m ch.ị ở ạ 33. H s khu ch đ i đi n áp tín hi u c a Qệ ố ế ạ ệ ệ ủ 2 m ch hình 4.24JC, g n b ng hai l n h sở ạ ầ ằ ầ ệ ố khu ch đ i tính đ c,ế ạ ượ a. m ch đang đúng ch c năng;ạ ứ b. t ụ C3 h m ch;ở ạ 34. H s khuy ch đ i đi n áp tín hi u c a Qệ ố ế ạ ệ ệ ủ 1 g n b ng ầ ằ 3, a. m ch đúng ch c năng;ạ ứ b. t ụ C4 h m ch; ở ạ c. t ụ C4 b ng n m ch; ị ắ ạ d. t ụ C2 h m ch.ở ạ E. Câu h i ph n m ch BJT khác.ỏ ầ ạ 5.1. M ch khuy ch đ i collector chung.ạ ế ạ 1. Trong m ch khuy ch đ i collector chung, c c collector . . . . .ạ ế ạ ự a. đ c n i v i m c đ t c a ngu n DC; ượ ố ớ ứ ấ ủ ồ b. đ c n i v i m c đ t c a tín hi u;ượ ố ớ ứ ấ ủ ệ c. n i v i ố ớ Vcc; d. c b và c.ả 2. M ch khuy ch đ i collector chung có th s d ng ki u phân c c . . . . . . . .ạ ế ạ ể ử ụ ể ự a. emitter; b. h i ti p đi n áp collector ;ồ ế ệ c. phân áp ; d. c a và c.ả 3. C u hình collector chung có . . . . . . c chungấ a. tr kháng vào cao và tr kháng ra th p; ở ở ấ [...]... vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các trường hợp trên 15 Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp 16 Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp... 12V, và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1kΩ Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV Mức chênh lệch điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ? a 0V; b 100mV; c 5V; d 7V 22 Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1kΩ Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV... năng cung cấp a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp 17 Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp... được bằng phép nhân a beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b bình phương dòng tải với điện áp tải; c hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d công suất vào và công suất ra 6 Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ? a emitter chung; b base chung; c collector chung; d tất cả các ý trên 5.3 Cặp Darlinhton 7 Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung... là 1kΩ Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV Mức điện áp đo được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ? a 0V; b 100mV; c 5V; d 7V 5.9 Sai hỏng trong các mạch BJT 23 Điện áp tín hiệu trên tải trong mạch ở hình 5.21JC, đo được là 1Vpp Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a beta của transistor thấp; b tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c . ductrong90ictu@gmail.com Website:WWW.BeautifuLife.Cwahi.net A. Câu h i ph n BJT. ỏ ầ 3.1. Gi i thi u v BJT. ớ ệ ề 1. Ba đi n c c c a BJT là gì ?ệ ự ủ a. phát [emitter], g c [ố base], góp [collector]. . ch b ng BJT. ể ạ ằ 14. Khi m t chuy n m ch b ng BJT đang d n bão hoà, thì Vộ ể ạ ằ ẫ CE x p xĩ b ng . . . . . . . .ấ ằ a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 15. Khi m t chuy n m ch b ng BJT đang. ch b ng BJT ng ng d n, thì Vộ ể ạ ằ ư ẫ CE x p xĩ b ng . . . . . .ấ ằ a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 3.4. Trang s li u và các thông s c a BJT. ố ệ ố ủ 17. Ba thông s quan tr ng c a BJT là